H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1072150

Опубликовано: 07.02.1984

Авторы: Быкадоров, Гильманов, Платонов, Розенберг

МПК: H01L 25/00

Метки: выпрямитель, высоковольтный

...режимом. Распределение напряжения по элементам выпрямителя изолирующим стойкам и др.1 и распределение электрическо- . го поля внутри выпрямителя зависит 45 от взаимного расположения конденсаторов и уровня их напряжения.Неравномерность электрического поля внутри выпрямителя приводит к возникновению коронирования, появлению по верхностных разрядов по изоляционным стойкам, снижению надежности.Цель изобретения - повышение надежности.Поставленнач цель достигается 55 тем, что высоковольтный выпрямитель, выполненный по схеме умножения напряжения и содержащий параллельно расположенные внешние торцовые и внутренние электростатические экра1ны, диоды, зарядные и разрядные конденсаторы, размещенные между торцовыми дисковыми экранами в...

Номер патента: 649270

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Ботвин, Горелкинский, Невинный, Сигле, Чеканов

МПК: H01L 21/263

Метки: кремнии, проводимости, слоев, создания, типа

...кэВ. Глубина залеганияслоя определяется пробегом протоковв кремнии. Гсли однако, необходимосоздать слой на глубине меньше,чем пробег используемых протонов, то это достигается путем изменения угла падения пучка протонов и плоскости подложки в соответствии с формулой3 л 1 п 0,где О 3Испытание радиационной стойкости проводят на кремнии с проводимостью 5:40 Ом см, который получают путем внедрения "- 10 смпротонов с максимальной энергией 6 МэВ с последующим отжигом при 250 С в течение 20 мин. Исходным материалом служит кремний Г -типа с проводимостью 60-10 Ом см, после отжига при+450 С он инвертируется в И -тип,глубина залегания слоя;пробег протонов в кремнии;угол между направлениемпучка протонов и плоскостьюподложки,Тот факт, что скорость...

Номер патента: 1073241

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Алыев, Гасанова, Гулиев, Нефедов, Рамазанов

МПК: H01L 51/00

Метки: качестве, основы, полиаллилоксикарбонилпентенамеры, светочувствительной, фоторезиста

...эфир .2-изопропенкл-циклопропанкарбоновой 1-кислоты (И 1) в количестве 4,32 г.(0,026 г-моль), динитрила азо-изомасяной кислоты в количестве 0,0832 г1 от веса исходных соединений)Выход 3,02 г (70), Г = 0,106 дл/гр/ММ = 6200.П р и м е р б. Полимеризациюпроводят аналогично примеру 1 заисключением того, что в качестве.мо"номера используют аллиловый эфир2-метил-.2-изопропенил циклопропанкарбоновой-кислоты (1 М ) в количестве 4,68 г ( 0,026 г-моль),динитрилааэо-изомасляной кислоты в количестве0,0868 г (1 от веса исходных соединений). Выход 3,42 г (73), Щ =0,094 дл/гр, ММ = 5800.Свойства полученных полимеровпризедены в табл. 1 (растворительбензол, температура 70 С, продолжительность 8 ч, концентрация инйциатора 6 10" мол/л).Испытания...

Номер патента: 1073824

Опубликовано: 15.02.1984

Авторы: Анатычук, Микитюк

МПК: H01L 35/32

Метки: батарея, низковольтная, термоэлектрическая

...состоящие из ветвей п- и р-типа проводимости, и резервирующие элементы, включенные параллельно ветвям, резервирующие элементы выполнены в виде резервирующих сопротивлений.Величина резервирующего сопротивления в 5 - 10 раз больше внутреннего сопротивления ветви термоэлемента.Резервирующее сопротивление выполнено из нихромовой проволоки диаметром 0,01-0,03 мм.На фиг. 1 показана электрическая схема термоэлектрической батареи; на фиг. 2- зависимость рабочего тока от шунтирующего сопротивления З=Гчщ для термогенератора; на фиг. 3 - зависимость рабочего напряжения от шунтирующего сопротивления 1.1 Н =Ею для термогенератора.Отличие состоит в том, что сопротивление 6 шунтируют ветви термоэлементов батарей. Поэтому разрушение одной из...

Номер патента: 1075202

Опубликовано: 23.02.1984

Авторы: Стельмах, Уренев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, полупроводниках

...вследствие низкой чувствительности выделение полезногосигнала на фоне паразитных фото-ЭДСтребует увеличения времени регистрации.Цель изобретения - повышение точности измерения времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниках.Эта цель достигается тем, чтов устройстве, содержащем блок намагничивания, соединенный с генератором переменного тока, источник светаи оптически связанный с ним модулятор света, блок регистрации, блокнамагничивания выполнен в виде двухпараллельных пластин со сквознойпродольной щелью, один конец которых замкнут, а два других подключены к генератору тока, при этомпродольная ось симметрии щели перпендикулярна продольной оси источника и модулятора света и пересекает ее,На чертеже представлена схема данного...

Номер патента: 1075333

Опубликовано: 23.02.1984

Автор: Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующих, полупроводниках, примесей

...генератора присоединен к второму входу .первого смесителя, первый выход второго генератора подключен к сигнальному входу управляемого фазовращателя, управляющий вход которого соединен через последовательно включенные третий фильтр нижних частот, нуль-орган и второй. Фазовый де- тектор с вторым выходом второго генератора и опорным входом третьего фазового де-. тектора, соединенного сигнальным -входом с сигнальным входом. второго фазового де- тектора, выходы управляемого фазовращателя и блока стабилизации амплитуды под 1075333Устройство работает следующим образомВысокочастотный сигнал с частотойг генераторачерез регулируемый усилигель 2, фазоицверсцый каскад 3 и суммао 4 поступает на первую шину для подключения структуры 5, вторая...

Номер патента: 667016

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Кляус, Ржанов, Черепов

МПК: H01L 31/00

Метки: излучения, регистрации, светового

...времени эмиссии носителейзаряда с поверхностных состояний,и амплитудой, создающей потенциальную яму в подложке порядка толщинй инверсионного слоя.На фиг. 1 изображена блок-схема устройства на ПЗС, реализующего способ.На фиг. 2 - временная диаграмма, поясняющая работу, на фиг, 3 - потенциальная яма под полевым электродом; на фиг. 4 - распределение концентрации поверхностных состояний в запрещенной зоне полупроводниковой подложки.На ПЗС резистор сдвига содержит подложку 1 из п-кремния, входную р-область 2, входной электрод 3, прозрачные передающие электроды 4-6, выходной затвор 7, выходную р-область 8, слой диэлектрика 9, зарядовый транзистор 10, выходной транзистор 11, нагрузочный резистор 12 ( 0 с и Е - постоянные...

Номер патента: 1005225

Опубликовано: 28.02.1984

Авторы: Герасенов, Мелихов, Рубинович

МПК: H01L 31/02

Метки: жесткого, излучения, ионизирующего, мозаичный

...оказывается оченьмалым по сравнению с продольным, апределяющим эффективность регистрации потоков излучения. Например, для получения разрешающей способности 0,5 пар линии/мм поперечный размер МДПДМ-структур должен быть не более 1 мм при длине порядка 8-12 мм. Влход годных датчиков при этом снижается, а разброс параметров увеличивается, Малые размеры датчиков не позволяют также обеспечить надежный электрический контакт обкладак всех 1 ЧДПДМ-структур с моноблоком.Целью изобретения является увеличение чувствительности преобразователя при упрощении конструкции и повышении разрешающей способности,Цель достигается тем, что в мозаичном преобразователе, содержащем и строк МДПДМ-структур по в элементов в каждой строке, выполненном.н виде...

Номер патента: 1078363

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Быков, Кондратенко, Кононенко, Кузнецов

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, мдп, поверхностного, структурах

...невысокой точности определения поверхностного заряда.Цель изобретения - повышение точности определения поверхностногозаряда.Цель достигается тем, что согласно способу определения поверхностного заряда в МДП структурах, включающему воздействие поперечного магнитного поля на структуру, измеряютвольт-фарадную характеристику довоздействия магнитного поля на струк туру и после воздействия, затем определяют напряжения плоских эон поотклонению экспериментально получен-ных вольт-фарадных характеристик оттеоретической, построенной без учета воздействия магнитного поля, иопределяют величину и стабильность поверхностного заряда по известнойзависимости, прк этом магнитную индукцию воздействующего поля устанавливают в пределах 0,1 с В с 1 Т.На фиг....

Номер патента: 1078504

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Грахов, Кусимов, Смоленков, Тлявлин

МПК: H01L 41/12

Метки: магнитострикционный, перемещений, привод, угловых

...малый диапазон угловых перемещений,Цель изобретения - увеличение диапа зона угловых перемещений.Поставленная цель достигается тем, что в магнитострикционном приводе угловых перемещений, содержащем магнитострикционную трубку с расположенными на ней цилиндрической и тороидальной обмотками, две втулки и замыкающий коЖух, по крайней мере одна из втулок выполнена в виде предварительно нагруженной пружины кручения, причем знак деформации соответствует знаку коэффициента магнитострикции материала трубки, а втулки жестко соединены с трубкой и кожухом. 51015 2025ЗО 45 50 55 С целью увеличения КПД привода пружина изготовлена из феромагнитного материала. На фиг. 1 схематически изображен магнитострикционный привод угловых перемещений,...

Номер патента: 893093

Опубликовано: 07.03.1984

Авторы: Адоньев, Кононов, Петров

МПК: H01L 21/70

Метки: автоматический, полупроводниковых, приборов, сортировщик

...конструкцией его контактного устройства, состоящего из множества взаимосвязанных и взаимодействующих друг с другом деталей.Цель изобретения - повышение производительности сортировщика.Это достигается тем, что в известном автоматическом сортировщике полупроводниковых приборов, содержащемвибробункер, питатель с приемнымвходом и раэгрузочнья выходом, кон,тактное устройство с двумя гнездамии устройство распределения изделийпо группам, он содержит опору, соединенную с приводом качания и связанную жестко с приемным входом питателя, разгрузочный выход которого снабжен упором.На чертеже изображен общий вид автоматического сортировщика.Автоматический сортировщик содержит вибробункер 1, питатель 2 с приемным 3 и разгрузочным 4 входом ивыходом...

Номер патента: 790996

Опубликовано: 23.03.1984

Авторы: Гуревич, Долгих, Салман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, тиристоре

...жизни неосновных носителей в тиристоре; на фиг.2 - диаграммы, объясняющие работу предлагаемого устройства.Блок-схема содержит испытуемый тиристор 1, источник 2 обратного анодного напряжения и индикатор 3 анодного тока, который выполнен из датчика 4 анодного тока, запоминающего устройства 5, блока 6 вычислений и блок 7 цифровой индикации, при этом шунтирующий блок 8 подключен к источнику 2 обратного анодного напряжения, причем вход шунтирующего блока 8 соединен с первым выходом задающего устройства 9, три других выхода которого соединены с входами источника 2 обратного анодного напряжения, запоминающего устройства и источника 10 постоянного тока соответственно.При работе через испытуемый тиристор 1 по команде задающего устройства 9 от...

Номер патента: 320227

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Акимов, Галаев, Горелик, Горшенин, Гофман, Ермошин, Коровин, Наумов, Преображенцев, Фронк, Шварцман

МПК: H01L 21/24

Метки: контакта, сплавного

...сэлектродным металлом. Окисная пленка может восстанавливаться либо впроцессе напыления активного металла, если подложку нагревают до соот"ветствующей температуры, либо в процессе сплавления.Слой германия наносят при необходимости уменьшить глубину вплавленияф количество растворенного кремния в жидкой ванне уменьшится благодарягерманию,Слой коррозионно-стойкого металлапредохраняет восстановленные участкикремния и нанесенный активный металлот окисления при выгрузке образцовиз вакуумной камеры для последующего нанесения электродного металла.Кроме того, в случае использованиясистемы кремний-титан-никель-золото,никель также снижает температуруначала появления жидкой фазы вследствие образования низкоплавкой тройной эвтектики...

Номер патента: 320228

Опубликовано: 30.03.1984

Авторы: Астахов, Галаев, Горелик, Ермошин, Коровин, Круглов, Преображенцев, Самохвалов, Фронк

МПК: H01L 21/04

Метки: перехода, сплавно-диффузионного

...Наиболее полно этим требованиям отвечают 25 электродные металлы, электрически нейтральные, или электродные металлы, не изменяющие основных характеристик полупроводникового материала и образующие с ним простые эвтектиче- ЗО ские системы, например серебро, золОтО и ДРМежду слоями электродного металла- носителя располагают по крайней мере два слоя легирующей примеси, акцепторную, в качестве которой ис- пользуют, например, бор, алюминий, галлий, индий, и донорную - фосфор, мышьяк, сурьма, висмут.Концентрация легирующей примеси 4 О в расплаве, задающей обратный градиент в зависимости от конкретных параметров вольтфарадной характеристики, определяется интервалом 1 10 см - 10 см ., а примеси, об.4516 6 -3разующей Р -и-переход -...

Номер патента: 1084916

Опубликовано: 07.04.1984

Авторы: Крупко, Ляхович, Рычаго, Хомич

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, микросхем

...отсутствие возможности переориентацииприборов и выгрузки их иэ кассетзакрытыми с торцевых сторон.Наиболее близким к изобретениюпо технической сущности является устройство для транспортировки полупро-.водниковых приборов, содержащеенаклонную направляющую и размещенный под неймагнит 21. толкатель 6, с помощью которого осуществляется перемещение кассеты на шаг. Устройство имеет также захватывающий орган, выполненный в виде рычажного параллелограмма, который состоит иэ наклонной направляющей 7, имеющей паз 8 для изделий, и планки 9, на которой закреплен магнит 10, шарниры 11 и 12, соединяющие планку и направляющий лоток 13, в который выгружаются микросхемы.Рычажной параллелограмм устанелен на валу 14 с возможностью совершения колебательных...

Номер патента: 1088676

Опубликовано: 23.04.1984

Авторы: Масаеси, Масахиро, Наохиро, Цутому

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

...облучения, Известное устройство применимо при изготовлении тиристоров, раГ-ботающих в частотно-импульсных режимах, т.е. для относительно тонкихструктур и, следовательно, для приборов с невысоким напряжением( с 2000 В).Целью изобретения является увеличение инжектирующей способноститиристора при высоких рабочих токахи напряжениях,Указанная цель достигается тем,что в тиристоре, содержащем зашунтированный п-эмиттерный слой, рв-базовую область и -базовую область ибР-эмиттерный слой, акцепторная примесь введена с уменьшением концентрации от п-эмиттерного слоя вглубьрб-базовой области, причем ее концентрация на границе с о -эмиттерЕным слоем находится в интервале(1"8)10"см , листовое сопротивление рбазовой области - в интервале 500-1500 Ом/а,...

Номер патента: 1089674

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Колешко, Лапицкий, Мешков, Романовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

...и сливным 3 патрубками и рассекателем 4 потока жидкости, выполненнымв виде перфорированной пластины, Вванне размещены трубки 5 с отверстиями 6 для подачи газа и узел отводагаза из жидкости, выполненный в видетрубок 7 с отверстиями, расположенными аналогично отверстиям 6 трубок 5,но имеющим. большой диаметр, Трубки 5и 7 изогнуты по форме обрабатываемыхпластин 8 и образуют каналы 9 для ихразмещения при обработке, Трубки 5через регулятор 10 расхода газа соединены с источником 11 газа. Отверстия 6 в трубках 5 выполнены подуглом 10-30 в сторону канала 9, арадиус этих отверстий выполнен в-апределах 5О - 5 10 см.Способ очистки пластин осуществляют следующим образом,Через нагнетательный патрубок 2 в ванну 1 подают промывочную жидкость, часть...

Номер патента: 1089675

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Белокур, Кириловский

МПК: H01L 21/603

Метки: выводов, присоединения, проволочных

...и держатели проволочных выводов размещены на рабочих позициях транспортирующего ротора. На фиг. 1 изображено предлагаемое устройство, общий вид; на фиг. 2-5 - последовательность операций по изго 55 товлению проволочного вывода (держатели изображены только на позициях удержания вывода); на фиг,б - устройство в рабочем положении,Устройство содержит рабочий столик 1, механизм 2 подачи проволоки 3,механизм 4 изготовления проволочныхвыводов 5 с шариками б и инструменты 7 и 8 для присоединения проволочных выводов 5. Механизм 4 изготовления проволочных выводов 5 выполненв виде транспортирующего ротора 9 сщелевыми захватами 10, на каждой израбочих позиций которого установлендержатель 11 проволочных выводов 5.Устройство снабжено также...

Номер патента: 1089676

Опубликовано: 30.04.1984

Авторы: Елинский, Зайцев, Приходченко, Токарев

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, носителя, полупроводниковых, растяжения, эластичного

...и фиксации обоймы относительно опорного выступа, снабжено выдвижными базирующими упорами, установленными на обойме, и упругим эле-. ментом, размещенным. между обоймой и основанием, а механизм перемещения и Фиксации обоймы выполнен в виде пневмокамеры, размещенной между обоймой и основанием, причем в обойме выполнены окна и пневмодорожки для перемещения эластичного носителя. На фиг, 1 изображено предлагаемоеустройство, разрез; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - разрез А-А на фиг, 2 в положении загрузки на фиг. 4 - разрез Б"Б на фиг, 2.Устройство содержит основание 1 сцилиндрическим) опорным выступом 2, на котором происходит растяжение эластичного носителя 3 полупроводниковых кристаллов 4, выполненного в виде пленки,...

Номер патента: 1091260

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Бобров, Кочевенко, Орлов, Пьянов, Салынский

МПК: H01L 21/50

Метки: герметизации, корпусом, крышки, металлокерамическим, микросхем, пайкой

...9, в котором размещен нагревательный элемент 10, выполненный в виде рамки из нихрома, манганина или константа, Форма которой соответствует контуру герметизации, причем нагревательный элемент выступает над плоскостью керамического основанияна 0,3-0,5 мм. Прижимная скоба 1 с закрепленной на ней пружиной 12 и индикатором 3 положения крышки 14 установлена на керамическом основании 2 При этом пружина 12 и индикатор 3 положения крышки 14 могут взаимодействовать с крышкой 14герметизируемого металлокерамического корпуса 15 микросхемы,Герметизация на предлагаемом устройстве осуществляется следующим образом,Метеллокерамический корпус 15 и крышку 14 с гибридной интегральной схемой устанавливают на керамическое основание 2 таким образом, что поясок...

Номер патента: 1091261

Опубликовано: 07.05.1984

Авторы: Добровольский, Нахмансон

МПК: H01L 21/66

Метки: манипулятор, ртутный

...и автономных электроприводов в плане относи.тельно капилляра, 55Ртутный манипулятор состоит изртутной зондовой головки, включающей в себя корпус 1, выполненный иэ изолирующего материала. Корпуссодержит объем 2 со ртутью. С однойстороны объем 2 герметизируетсяэластичной мембраной 3 (например,резиновой ), а с другой заканчивается капилляром цилиндрическим) 4,выходящим к исследуемой поверхностиизмеряемого образца 5. Давление ртути в объеме регулируется с помощьюштока 6, Электрический. контакт сортутью осуществляется с помощьюклеммы 7, введенной в объем со ртутьюКорпус зонда имеет металлическийэкран 8 и гайку 9, прижимаюшую мембрану к корпусу . На торце корпуса 1со стороны исследуемой поверхностиобразца 5 расположены три изолированных...

Номер патента: 1092436

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Бунегин, Карапатницкий, Коротков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, неосновных, носителей, переходами, полупроводниковых, приборах

...импульса обратного тока измеряют максимальное значение обратного тока через испытуемый прибор, а временный интервал измеряют до момента смены знака тока через испытуемый прибор, по измеренным значениям сопротивлений и известным величинам пропускаемых токов рассчитывают семейство теоретических зависимостей обратного тока через полу О проводниковый прибор после момента переключения токов от времени, нормированного по величине времени жизни еосновных носителей заряда, выбират из этого семейства зависимость, 15которой значение максимального обратного тока совпадает с измеренным, и определяют время жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковом приборе из выражения 20- время жизни неосновных носителей заряда,- измеренный временный...

Номер патента: 1093265

Опубликовано: 15.05.1984

Авторы: Джеймс, Рафик, Чен-Куо

МПК: H01L 51/00

Метки: фотогальванический, элемент

...преобразования энергии.Яанбоьее близким техническим решением к изобретению является фотогальванический элемент ка основе безметального фтаьоцианина, размещенногов слое связующего диэлектрика с барьерным и оптическим электродом 1. 2 3.Однако такие элементы отличаютсяочень низкой эффективностью преобразования энергии.Целью изобретения является повышение эффективности преобразования энер. згии.Указанная цель достигается тем,что в фотогаььваническом элементе наоснове безметального фталоцианина,размещенного в слое связующего ди- З 0электрике, с барьерным и оптическимиэлектродами, барьерный электрод выполнен в виде слоя, содержащего ме"талл с работой выхода ниже 4,7 эВ,а его окисел с электрическим сопро- Зтиаьением менее 200 Ом/о.Такое...

Номер патента: 862742

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Кандыба, Панова, Петрова

МПК: H01L 21/18

Метки: полевым, полупроводниковых, приборов, эффектом

...атмосфере, при этом энергия ионов фосфора составляет 35-65 кэВ, доза(1;2)10 ион/см, температура от-,жига 850-1050 С.В результате сокращения числа критических операций путем исключения операции нанесения третьего слоя при создании трехслойного подзатворного диэлектрика повышается выход годных полупроводниковых приборов с нолевым эффектом, имеющих изолированный затвор.Последовательность Формирования для создания областей истока и стока. Маскирующий слой удаляют и оро-,водят термообработку с целью активации внедренной примеси и ее разгон Однако поверхностная пленка ФСС может вступать в химическое взаимодействие с алюминиевым электродом затвора, вызывая его коррозию и увеличйвая положительный заряд в диэлектрике. Кроме того,...

Номер патента: 897052

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Лизин, Пухов

МПК: H01L 21/265

Метки: полупроводниковых, приборов, резисторами

...полезной площади диэлетрика,что уменьшает степень интеграции пассивных элементов, расположенных в Целью изобретения является повышение процента выхода годных приборов.Поставленная цель достигается тем,что по способу изготовления полупроводниковых приборов с резисторами,включающему операции формирования диэлектрического слоя на полупроводниковой подложке с электрическими компонентами, маскирования, получениярезистора путем ионного легирования,вскрытия контактных окон в диэлектрике и формирования межсоединений,операцию получения резистора проводят после вскрытия контактныхокон одновременно с формированиеммежсоединений,На фиг. 1-4 показаны этапы изготовления полупроводниковых приборовс резисторами.После формирования...

Номер патента: 1095275

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Гончаров, Деев, Сухоставец

МПК: H01L 21/00

Метки: кассеты, перегрузки, пластин, полупроводниковых, различным, размещения, шагом

...установ О лен упор 12 для удержания накопителя 1 в отклоненном положении и опора 13 для установки на нем кварцевой кассеты 14, На опоре 13 для кассет выполнен выступ 15 для Фиксации кассет 14 в ориентированном положении относительно накопителя 1. В каретке 5 выполнено окно 16 для опоры основания 8, а накопитель 1 установлен на каретке 5 над ее окном 16. Для фиксации каретки 5 в верхнем и нижнем положениях в направляющей 7 предназначен стопорный винт 17, Пазы 2 для полупроводниковых пластин накопителя 1 со стороны окна 16 каретки 5 выполнены глухими и ограничены упорами 18, выполненными из упругого материала для исключения повреждения полупроводниковых пластин 3. Механизм для распределения полупроводниковых пластин выполнен в...

Номер патента: 1095276

Опубликовано: 30.05.1984

Авторы: Белкин, Клименков, Лобов, Ройзман

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, преобразовательный

...2 - то же, принци"пиальная электрическая схема; нафиг. 3 - водоохлаждаемый охладительсо скобой .а) для одного вентиля;б) для двух вентилей); на фиг. 4 принципиальная электрическая схемадвухмостового автономного инвертора;на фиг. 5 - схема электрических соединений двухмостового автономного инвертора; на фиг, б - система водоох-лаждения инверторных мостов двухмостового автономного инвертора,Преобразовательный блок содержитпоследовательно соединенные вентили1-3, закрепленные на водоохлаждаемыхохладителях 4-6 со скобами 7"9 зашунтированные резисторами 10-12 одинвывод 13 которого образован скобой 7охладителя 4 первого вентиля 1, адругой 14 - выводом последнего вентиля 3, не связанным с его охладителемб, при этом роль резисторов 10-12...

Номер патента: 902600

Опубликовано: 30.05.1984

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...работает следующим образом.С выхода управляемого генератора 1 гармонические колебания частоты й) через контакты коммутатора 8 подаются на измерительную цепь, представляющую собой последовательное соединение испытуемой структуры 2 и колебательного контура 3, имеющего резонанс на частоте, 2 И, Сюда же поступает напряжение обратного смещения от источника 4.Под действием протекающего через образец гармонического тока частотыО из-за нелинейных свойств барьерной емкости появляется ток второй гармоники, Оба тока создают на контуре 3 падения напряжений первой и второй гармоник. Напряжение первой гармоники выделяется с помощью фильтра первой гармоники 7 и используется для управления выходным напряжением генератора 1 с тем расчетом, что при...

Номер патента: 686556

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Соболев, Шек

МПК: H01L 21/34

Метки: структур

...в большой мере от таких загряэнений, Кроме того, нанесение тлько с одной стороны пластины слоядвуокиси кремния толщиной не менее2 мкм приводит к возникновению термодефектов.Это ухудшает параметры структурыи снижает воспроизводимость,Целью изобретения является улучшение параметров структур и повышение их воспроизводимости,Поставленная цель достигаетсятем, что по предложенному способуобе термообработки пластины проводятв галогенсодержащей среде, послепервой термообработки осуществляютстравливание образовавшейся двуокисикремния с поверхностей пластины,затем на одну из сторон пластины наносят пленку двуокиси кремния, легированную бором, а на другую сторонупленку двуокиси кремния, легированную фосфором, и пластины...

Номер патента: 789018

Опубликовано: 15.06.1984

Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Степанов, Терешин, Тестов

МПК: H01L 29/12

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...снизит барьер с металлом. При дальнейнем увеличении положительного смещения становится возможным туннелирование электронов из валентной эоны невырожденного полупроводника в зону проводимости металла. При этом в валентной зоне невырожденного полупроводника появляются дырки, которые движутся к вырожденному полупроводнику, В запрещенной зоне невырожденного полупроводника имеются ловушки, способные захватывать электроны Е " иедырки ЕВ исходном состоянии все ловушки заполнены и имеют заряд равный нулю, Теперь появившаяся в валентной зоне невырожденного полупроводника дырка захватывается ловушкой для дырки в области, прилежащей к вырожденному проводнику с последующей рекомбинацией с электроном, находящимся на ловушке для электронов в...