H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 990031

Опубликовано: 30.09.1987

Авторы: Грудин, Заргарьянц

МПК: H01L 29/66

Метки: полупроводниковом, приборе, сигнала, усиления, электрического

...по мере отклонения направ;. леиия движения носителей от направления электрического поля энергия носителя на длине свободного пробега 15 будет снижаться и расходоваться при столкновении с фононами. В то же время для тяжелых носителей изменение температуры Тр будет существенно меньшим. В области лавинного умноже ния коэффициенты ионизации для электронов и дырок равны ааР (- еаОе 76 (410 Н) Ееие Аналогичным образом для дырок отноше-,ние коэффициентов иониэации равно: Отсюда. видно, что влияние магнит-. ного поля, приводящее к изменению коэффициента ионизации, проявляется наиболее сильно для более легких носителей. При больших коэффициентах усиления (например, М Ъ 10) коэффициент собственного шума области лавинного усиления в случае...

Номер патента: 736807

Опубликовано: 07.10.1987

Автор: Смолянский

МПК: H01L 29/70

Метки: транзистор

...нафиг. 1; семейство вольтамперных характеристик при.положительном смещениимежду управляющим электродом иэмиттером - на фиг. 2.Транзистор содержит п -контактнуюобласть 1, эпитаксиальную п-область2, базовую р-область 3, с концентра цией легирующей примеси на 1-2 порядка большей, чем концентрация леги( (брующей примеси в слое ( 10 -1 О )-3,эпитаксиальная эмиттерная областьп-типа 4 с концентрацией легирующей 15 примеси порядка 10 -10 см -4, коль 1 бцевая ограничивающая область 5, ограничивающая область транзистора,высоколегированная (10 -1 О см )(9 2( -Ъобласть у амиттера п -типа, глуби 2 о ной примерно 1-2 мкм, дополнительнаяр-область 6 с концентрацией примесипорядка 10 -10 см , с глубинойь гОне более глубины области 7, металлизация к...

Номер патента: 1139337

Опубликовано: 07.10.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01L 33/00

Метки: диод, суперлюминесцентный

...в плоскости 100) изготовлена полупроводниковая структура, представляющая собой последовательнорасположенные и-СаАз - подслой толщиной 8 мкм и и-Сао А 1 р, Аз - ограничивающий слой толщиной 3 мкм (ниж- .няя пассивная область 2), СаАз - ак 5тивный слой 3 толщиной 0,4 мкм ир - и переход 4, образованный междуактивным слоем 3 и верхней пассивнойобластью 5, которая, в свою очередь, ..состоит иэ р-Сао,А 1 З,-Аз ограничива ющего слоя толщиной 1,5 мкм, р-СаАзслоя 6 толщиной 2,5 мкм и и-СаАзслоя 7 толщиной 1,5 мкм. В описаннойструктуре с помощью химического травления создана канавка определенной 15формы глубиной 3,5 мкм. Эта канавкарасположена под углом сС =9 - 16 ксколотым граням структуры. Для обеспечения протекания тока только...

Номер патента: 865080

Опубликовано: 07.10.1987

Автор: Смолянский

МПК: H01L 29/70

Метки: дефензор, полупроводниковый, прибор

...области 1 О . пусковой электрод 15. При этом инжекпротивоположного к эмиттеру типа про- тируемые областью 1 О дырки достигают водимости, коллекторный электрод 11, базы 2, включая симметричный транзисэмиттерный электродный вывод 12, пер- . тор 4-1-2-3-5 и вызывая кратковременвый управляющий электрод 13, второй 5 ное снижение потенциала между электуправляющий электрод 4, электрод родами 11 и 12, а также включение(пусковой электрод) 15, составных транзисторов 3-7-8, 1-6-9Прибор может быть изготовлен на вследствие пролета неосновных носитеоснове кремниевой монокристалличес- лей к близлежащим управляющим струккой подложки п-типа, на которой в О турам. При положительном потенциале эпитаксиальном реакторе выращиваются на электроде 13...

Номер патента: 1343464

Опубликовано: 07.10.1987

Автор: Глухов

МПК: H01L 25/00

Метки: выпрямительная, полупроводниковая

...предприятие, г, Ужгород, ул, Проект Изобретение относится к полупроводниковой технике, а именно к конструкции силовых полупроводниковыхприборов с прижимными контактами сгрупповым охлаждением выпрямительныхэлементов.Целью изобретения является повышение надежности.На фиг.1 представлено предлагаемое устройство; на фиг.2 - то же,вид сверху,Устройство состоит из охладителя1, установленных в его полости 2 наплоских поверхностях 3 выпрямительных 15элементов 4, винтовой пары, состоящей из болта 5 с гайкой 6, стягивающей с помощью тарельчатых пружин 7трехгранные клинья 8, На выпрямительном элементе 4 установлены последовательно плоский контакт 9, изолятор10, центрирующий упор. 11 и траверса12, Плоские контакты 9 снабжены выво. дами 13, которые...

Номер патента: 1348928

Опубликовано: 30.10.1987

Автор: Золян

МПК: H01L 35/00

Метки: терморезистора

...25 С в мин; на фиг. 4 - то же, от скорости охлаждения 6,7 С в мин.Терморезистор состоит из таблетки 1, выполненной из полупроводникового материала - оксида висмута (ВгОз) В таблетку 1 вплавлены термостойкие выводы 2. Изготовление терморезистора осущест. вляют в следующей последовательности.Порошкообразный оксид висмута расплавляют в тигле, придают требуемую форму, вставляют в расплав электрические выводы и охлаждают до комнатной температуры. Электрическое сопротивление оксида висмута в области фазовых переходов зависит при этом от скорости охлаждения. а фиг. 2 представлена кривая влияния скорости охлаждения (0,3 С) на сопротпвлс ние оксида висмута. Здесь АВС - кривая при нагреве, СВА - кривая при охлаждении.При 730 С происходит...

Номер патента: 1292578

Опубликовано: 30.10.1987

Автор: Дорошенко

МПК: H01L 39/22

Метки: датчик, постоянного, сверхпроводящий

...г,ужгород, ул,Проектная,1129257Изобретение относится к ускорительной технике.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости сверхпрово 5 дящего датчика постоянного тока.На фиг.1 изображен предложенный сверхпроводящий датчик постоянного тока на фиг,2 - его электрическаясхема.10Датчик содержит передающую токовую обмотку 1, проложенную последовательно через отверстия 2 приемной обмотки 3 сверхпроводящего трансформатора потока, выполненного из двух стаканов - наружного 4 и внутреннего 5, края которых связанысверхпроводниковыми перемычками 6 между прорезями 7, преобразующую обмотку 8, магнитно связанную со СКВИДом 9.Датчик работает следующим образом,Стабилизируемый ток 1 , проходит по передающей обмотке 1. Магнитное поле,...

Номер патента: 1350700

Опубликовано: 07.11.1987

Авторы: Машнин, Прянечников

МПК: H01L 25/00

Метки: выпрямительное, полупроводниковое

...направляется кольцами 14, встроенными в корпус и поршень, который имеет форму полуцилиндра, направляющие внутренней и внешней поверхности которого пред - ставляют собой окружности разного диаметра, выполненные с эксцентриситетом. Устройство работает следующим образом.При включении полупроводниковоговыпрямительного устройства тепло,выделяемое полупроводниковыми эле -ментами 1, передается через теплопроводящий блок 5 к испарителю тепловой трубки б. Теплосъем осуществляется с одной открытой половиныконденсатора тепловой трубки путемрасплавления теплоаккумулирующеговещества в одной из камер, котороепервоначально при температуре окру 5 10 15 20 25 30 35 40 жающей среды находится в твердомсостоянии. По мере плавления рабочего вещества в его...

Номер патента: 1352445

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Тырроф, Шмидт

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: ионно-лучевых, маски, проекционных, свободной, систем, электронно-и

...литографии.Если требуется получить рисунок с более высоким разрешением, то при формировании вспомогательной маски из двуокиси крем. ния используется ионолитография, а в качестве ионорезиста - молибден.Пример 2, На подложку, например из кремния или алюминия, осаждается первый слой никеля толщиной примерно 5 мк, а затем при помощи шаблона типа ядерного фильтра литографически формируют контакт. ную маску, рисунок которой путем травления ионным лучом напряжением 1 кВ и плотностью тока 1 мА/смпереносится в никелевый слой. При этом плотность тока и напряжение должны выбираться таким образом, чтобы исключить усадку или разложение контактной маски и обеспечить соотношение скоростей травления никеля и маски 1. В данном случае достигается" 54...

Номер патента: 1352556

Опубликовано: 15.11.1987

Авторы: Колесник, Котляр, Однорог, Плющ, Федько

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: воздушного, естественного, охлаждения, полупроводниковый, реверсивный, системой

...одинаковой высоты и размещены с одинаковым шагом, при этом групповые охладители, установленные между собой на расстоянии, которое определяется из соотношенияК = 1,75 С + Бш,где К - расстояние между групповымиохладителями, м;С - расстояние между торцовой поверхностью 11 каждого группового охладителя и одной соответствующей стенкой 12 шкафа1 фБ - ширина конструктивных элементов, м;ш - количество предохранителей,б,Расстояние между торцовой поверхностью каждого группового охладителяи одной из соответствующих стенок 12шкафа 1 определяется из соотношенияС = 0,5 В, м,где В - расстояние между вершинамиребер 9 каждого групповогоохладителя и другой соответствующей стенкой 2 шкафа 1,м.Расстояние между вершинами ребер9 каждого группового...

Номер патента: 1352557

Опубликовано: 15.11.1987

Автор: Черников

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...электрод - катод тиристора,что снижает помехоустойчивость устройства. Паз охладителя 3 имеет буртик 15, препятствующий выскакиваниюконтакта 5 при вынутом из корпусаохладителя 3.На фиг.З показано положение контакта 5 при вынутом из корпуса 1 охладителе 3. Гибкая связь 16 обеспечивает электрическое соединение контакта 5 с охладителгм 3 при любом положении контакта 5.На фиг.4 представлено устройствоизолятора 8 цепи управления. Изолятор 8 (текстолит) с помощью лапок 17крепится к поверхности охладителя 3.Клемма 18 служит для подключения управляющего электрода тиристора 2;проводник 19, размещенный в теле изолятора 8, соединяет клемму 18 и гибкую связь 20 подпружиненного пружиной 21 контакта 9.На фиг.5 показано проводящее покрытие 22 в виде...

Номер патента: 1102438

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Вилиам, Карол, Колчанова, Мариан, Михайлова, Франтишек, Яссиевич

МПК: H01L 31/00, H01L 31/06

Метки: фотоприемник, чувствительностью

...которые могут принимать участие в процессе ударной ионизации.,В случае обратного соотношения между сечениями все имеющиеся на примеси электроны быстро будут переведены светом в зону проводимости, примесь опустошается, и с ационарный процесс ударной ионизации, приводящий к повышению чувствительности, прекращается.Примесь выбрана лежащей вблизи середины запрещенной зоны, а именно,уровня ферми Е в -области соотношением: Е +2 КТсЕЕ+61 сТ,а толщина 1-области М превышаетдлину ионизации примеси электронами,где Х - постоянная Больцмана,Т - температура в градусах Кельвина.Поставленная цель достигаетсятем, что в способе управления чувствительностью Ьотоприемника, включающем освещение 1-области светомиз спектрального интервала 1-1,4 мкмпри...

Номер патента: 660508

Опубликовано: 23.11.1987

Авторы: Беркелиев, Гольдберг, Мелебаев, Царенков

МПК: H01L 31/04

Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник

...имеет наибольшее значение минимальнойэнергиипрямых оптических переходови барьерного контакта,50С целью получения селективной фоточувствительности, материал имеетнаименьшее значение минимальной энергии прямых оптических переходов убарьерного контакта.55фотоприемник может быть выполненна основе твердого .раствора СаА 1 Р,где х=0,2 у контакта из золота, Наодной стороне пластины расположен полупрозрачный барьерный контакт, ана другой - омический.При освещении такого прибора светом через полупрозрачный слой металла, создающего барьерный контакт, вполупроводнике образуются носителизаряда, которые разделяются полем потенциального барьера. Если кристаллимеет плавно уменьшающуюся в направлении от барьерного контакта минимальную энергию...

Номер патента: 1250107

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Витусевич, Зюганов, Малютенко, Смертенко

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...относительно рекомбинацион ного уровня по следующим формулам минимальное значение диренциального наклона ВАХдвойном логарифмическомштабе;значение тока при 3значение напряжения придлина кристалла;сечение кристалла;подвижность основных нолей заряда;эффективная масса основносителей;1 1250Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для измерения параметровглубоких уровней в полупроводниках.Цель изобретения - повышение точности.На фиг.1 приведена вольт-ампернаяхарактеристика (ВфХ) образца в двойном логарифмическом масштабе, измере,иная в режиме эксклюзии,на фиг.2 -по.левая зависимость дифференциальногонаклона ВАХ в двойном логарифмическом масштабе,П р и м е р . Исследовалась полупроБводниковая пластина...

Номер патента: 1356044

Опубликовано: 30.11.1987

Автор: Богданов

МПК: H01L 23/34

Метки: блок, пускателя, силовой, тиристорного

...тиристорного пускателя содержит два постоянно работающих тиристора 1 и 2 и восемь участвующих в реверсе тиристоров 3-10. Тиристоры 1 и 2 снабжены каждый своим охладителем (не показаны). Тиристоры 3-10 установлены на четырех охладителях 11-14 следующим образом: тиристоры 3 и 4 прямого включения и тиристоры 7 и 8 обратного включения установлены попарно-разноименными электродами на охладителе 11; противоположными электродами тиристоры 3,4, 7 и 8 установлены на средних изолированных друг от друга охладителях (тиристоры 3 и 4 на охладителе 12, а тиристоры 7 и 8 - на охлади- теле 13). С другой стороны охладителей 12 и 13 закреплены: на охлади- теле 12 - тиристоры 5 и 6 прямого включения, на охладителе 13 - тиристоры 9 и 10 обратного...

Номер патента: 1356045

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Голубцов, Давшков, Забелышенский, Родина, Флейшман

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...изобретений и открытий113035, Москва, Ж, Раушская наб д, 4/5 Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к преобразовательной технике, в частности к мЬщным полупроводниковым преобразователям на вентилях таблеточного типа.Целью изобретения является упрощение монтажа и демонтажа вентиля.На чертеже показан узел преобразователя.Узел преобразователя состоит из вентиля 1, охладителя, состоящего из основной части 2 со стороны катода, части 3 со стороны анода и устройства 4 зажатия. Замкнутый объем вокруг наружной поверхности катода образуется с помощью объемней части 5 охладителя со стороны катода, кольца 6 из эластичного материала, прижимных полуколец 7 и 8 и прокладки 9. Прижимные...

Номер патента: 1356046

Опубликовано: 30.11.1987

Авторы: Красуцкий, Мирошниченко, Рудюк, Своеглазова

МПК: H01L 25/00

Метки: блока, выпрямителей, высоковольтного, компоновка

...1 13Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в качестве полупроводникового выпрямитефля в устройствах для заряда выпрямленным напряжением емкостных накопителей энергии.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей.На фиг. 1 показан блок выпрямителей, вид сверху; на фиг, 2 - то же, разрез; на фиг, 3 - блок-схема подключения модулей при выпрямлении трехфазного напряжения, на фиг. 4 модуль, вид сверху; на фиг, 5 - то же, принципиальная электрическая схема; на фиг, 6 - сечение А-А на фиг. 4; на фиг. 7 - сечение Б-Б на фиг. 4Компоновка высоковольтного блока выпрямителей содержит диодные столбы 1, выводные клеммы с контактными пластинами 2 и шунтирующие конденсаторы 3, скомпонованные в модуль 4 и...

Номер патента: 1356974

Опубликовано: 30.11.1987

Автор: Джордж

МПК: H01F 6/04, H01L 39/10

Метки: криогенная

...в физических исследованиях или в ЯИР-томографииЦелью изобретения является снижение теплопритоков н криостат по используемым для управления системойтоковводам,На фиг. 1 схематически показанытепловые ключи обмоток коррекции истандартное подключение нагревателейдля их независимого управления; нафиг.2 - зависимость времени черезкоторое сверхпроводящий элемент ключа переходит в нормальное состояние,от тока через нагреватель; на фиг.Зсхема соединения нагревателей; нафиг.4 - схема подсоединения нагревателя данной обмотки к двум выбранным проводам управления.Криогенная система содержит сверхпроводящий соленоид и р обмоток,коррекции магнитного поля, размещенныхв криостате, Соленоид и обмотки коррекции запитываются независимо другот друга,...

Номер патента: 1358017

Опубликовано: 07.12.1987

Авторы: Заргарьянц, Курносов, Мезин

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, двойная, излучающих, приборов

...активной области в рабочем режиме, что ведетк стабилизации параметров излучателя.При этом эффективная излучательнаярекомбинация начинается уже при начальных положительных смещениях, т,е.значительно снижается порог лазернойгенерации. Кроме того, так как у прозрачного для излучения окисла металла ширина запрещенной зоны большеширины запрещенной зоны активного40слоя, происходит эффективное ограничение инжектированных неосновныхносителей через р-п гетеропереход.Следует отметить, что пленка проводящего окисла металла достаточноэластична и практически не создает45дополнительных кристаллических напряжений на гетерогранице при повышениитемпературы активной области во время инжекции носителей, Это понижаетобщий уровень безызлучательной...

Номер патента: 1363328

Опубликовано: 30.12.1987

Авторы: Бабайлов, Думаневич, Каликанов, Туник, Фомин, Червяков, Якивчик

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, полупроводниковый, силовой

...виде капиллярно-пористых дисков со сквозными радиальнымипароотводящими каналами, закреплены 25на внутренней поверхности емкости спомощью эластичных зацепок 6, изготовленных из самовулканизирующегосякомпаунда. Для улучшения доступа промежуточного теплоносителя к теплоотводящим элементам эластичные зацепки 6 выполнены в виде полуколец срадиальными вырезами. Полупроводниковые структуры 4 и теплоотводящие элементы 5 соединены с помощью внешнегоприжимного устройства, состоящегоиз двух опорных шайб 7, двух пружин8, болта 9, и двух гаек 10. В целяхисключения механического повреждениягерметичной емкости токосъемные шины 4011 присоединены к ней с помощью сильфонов 12.Силовой полупроводниковый модульработает следующим образом.При прохождении через...

Номер патента: 1365185

Опубликовано: 07.01.1988

Авторы: Коваль, Кузин

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковое, преобразовательное

...Москва, ЖРаушская наб д, 4/5Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул, Проектная, 4 Изобретение относится к электротехнике, в частности к полупроводниковой преобразовательной технике, в частности к конструкции мощных высоковольтных преобразователей, содержащих большое число последовательно соединенных тиристоров.Целью изобретения является упрощение конструкции, уменьшение габаритов, снижение гидравлических потерь и повышение надежности.На чертеже показано предлагаемое устройство,Устройство состоит из тиристоров 1, охладителей 2 и дросселей 3 насыщения, объединяемых прижимным устройством 4. Дроссель 3, выполненный заливкой обмотки 5 и сердечников 6 непроводящим компаундом, выполняет роль изоляционной прокладки между...

Номер патента: 1367068

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Гольдин, Купцова, Сазамбаева

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...которого превышает размер СТБ. На щитке 21 закреплено средство 22 для сцепления СТБ, выполненное в виде защелки. Торцовые гаечные ключи состоят из металлической части 23 с внутреннимшестигранным отверстием, металлической части 24 с наружным шестигранником и соединительной втулки 25, выполненной из изоляционного материала,например, стеклопластика. Детали 2325 жестко соединены между собой,например, с помощью резьбы и клея.В деталях 23 - 25 выполнены внутренние отверстия, превышающие диаметр направляющего штыря 4.В дальнейшем рассматривается способ монтажа СТБ в полупроводниковый преобразователь, находящийся в рабочем положении под напряжением. ВначаПолупроводниковый преобразователь с силовыми тиристорными блоками (СТБ), содержащий...

Номер патента: 1367069

Опубликовано: 15.01.1988

Авторы: Бураченко, Некрасов

МПК: H01L 29/24

Метки: бистабильных, записи, информации, основе, переключателей

...где Бо - пороговое напряжение бистабильного переключателя. По сигналу "Пуск" источник5 сигнала по первому выходу вырабатывает положительный уровень напряжения, обеспечивающий заданное падениенапряжения на коллекторе элемента 8.В результате происходит запираниеколлекторного перехода и через формирователь 17 протекает ток заданнойвеличины, По второму выходу источника 5 срабатывает элемент 4 задержкии осуществляет задержку1 до короткоимпульсного сигнала (фиг,2) включениягенератора 3 относительно переднего55фронта сигнала источника 5 на время,соответствующее времени запиранияколлекторного перехода элемента 8,При включении бистабильного переключателя 6 в проводящее состояние короткоимпульсным сигналом от генератора 3 через диод 11 и...

Номер патента: 1368933

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Клубкова, Молчанов, Никитин, Олехнович

МПК: H01L 23/02

Метки: корпусов, микросхем, оснований

...оснований,Режим второй стадии спекания подобрантаким образом, что окисная пленка наметаЛлической арматуре оснований, полученная на режиме выжигания связки 45при температуре Т=620 С, восстанавливается частично в г ервой, второй и третьей зонах, и оставшаяся тонкая окисная пленка надежно спаивается со стеклом без снижения прочности 25 Использование предлагаемого способапозволит повысить качество и надеж ность корпусов микросхем и сэкономитьдефицитные химические материалы (азотную, серную, соляную, лимонную кислоты). Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии изготовления корпусов микросхем.Цель изобретения - повышение качества и надежности корпусов микросхем, экономия дефицитных химических матеспая,П р и м е р,...

Номер патента: 1134051

Опубликовано: 23.01.1988

Авторы: Закутин, Ромасько, Хейфец, Шендерович, Шестакова

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, образца, сопротивления, удельного, формы, цилиндрической, электрического

...соотношении между диаметром образца и расстоянием между электродами. Следовательно, данным способом осуществляется непосредственное измерение удельного сопротивления и т.к. при этом протекающий через образец импульс тока будет иметь такую же амплитуду и форму, как и при непосредственном контакте поясков с образцом, Измеряя с помощью измерителя импульсного тока 4 протекающий через образец ток, можно определить сопротивление образца между электродами, как отношение амплитуды импульса напряжения генератора 3 к амплитуде импульса тока, измеренного измерителем 4. В качестве измерителя импульса тока можно использовать, например, включенное последовательно с образцом малое сопротивление, импульс напряжения с которого измеряется с...

Номер патента: 1370682

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Пуртова, Сидоркин

МПК: B05C 1/02, H01G 13/00, H01L 21/56 ...

Метки: аксиальными, выводами, герметизации, радиодеталей

...транспортирования радиодеталей содержит ротор 8 с гнездами 9 для радиодеталей 10, направляющие 11 и 12, охватывающие ротор 8, резиновый плоско- зубчатый ремень 13, установленный на шкивах 14 и 15, Над ротором 8 установлен загрузочный бункер 16. Съемник 17 радиодеталей установлен над направляющей 12 и соединен с лотком 18 для подачи радиодеталей в бункер 19. Механизм нанесения герметизирующего состава выполнен в виде замкнутой нити 20, установленной на роликах 21 и 22 под углом 100-120 , к продольной оси гнезд 9 ротора 8. Нить 20 проходит через фильеру 23 емкости 24 с герметиэирующим составом.35 82 2жение нити 20 и ремня 13 осуществляется через коническую передачу 4,плоскозубчатую 6 и фрикционную 7 передачи,В пазу ротора 8...

Номер патента: 1370683

Опубликовано: 30.01.1988

Автор: Чихрай

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, параметров, полупроводниках, уровней

...первого блокапреобразования и устройства 12 выборки и хранения второго блока 11 преобразования поступают на вторые входывычитающего устройства 10 первого бло 10 15 20 25 телей из области локализации - режимобеднения. При этом меняются электрофизические характеристики образца 2,в том числе и емкость от неравновесных значений к равновесным эа счетэмиссии носителей с заполненных глубоких уровней в обедненной областивыше уровня ферми в зону проводимости или в валентную зону в зависимости от типа глубоких уровней. Релаксация емкости исследуемого образцанепрерывно измеряется измерителем5 емкости, однако выборку значенийрелаксационного сигнала производятв определенные моменты времени с1 Эс и с каждого релаксационногопроцесса с помощью...

Номер патента: 1295975

Опубликовано: 30.01.1988

Авторы: Александров, Бойко, Ломтатидзе, Подрезов

МПК: H01L 47/00

Метки: дифференциальной, нелинейный, отрицательной, проводимостью, элемент

...Государственного комипо делам изобретений и3035, Москва, Ж, Раушская исное та СССР крыти 5 еск изводственно-полигр едприятие, г.ужгород, ул.Проек 4 Изобретение относится к приборам сотрицательным объемным сопротивлением и может быть использовано вэлектро- и радиотехнических устройствах различного назначения, в част 5ности в ограничителях постоянного илипеременного тока, модуляторах, атакже в качестве реле систем управления, датчиков теплового и светового потоков и т дЦелью изобретения является управление критическим током нелинейногоэлемента.На фиг,1 изображен нелинейный элемент в виде трубки; на фиг,2 - то же,в виде кольца.На фиг,1 и 2 приведены следующиеобозначения: рабочая часть - 1, нагреватель - 2, теплопровод - 3.В...

Номер патента: 1371694

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Балтайтис, Демидов, Дунский, Короленко, Подлесный

МПК: A61F 7/00, A61F 7/12, H01L 35/00 ...

Метки: задержки, кишке, лечения, мочеиспускания, операций, после, прямой

...компаратора 8, Неинвертирующий вход операционного услителя 15 соединен с одним из выводов второго 17 и третьего 18 резисторов. При этом другой вывод второго резистора 17 является вторым входом компаратора 8, а другой вывод третьего резистора 18 соединен с выходом операционного усилителя 15, а точка их соединения является выходом компаратора 8.Устройство работает следующим образом.Теплопроводный апплнкатор 6, находящийся в тЕпловом контакте с рабочей гранью термоэлектрической батареи, вводится через анальный канал в прямую кишку таким образом, чтобы рабочая часть аппликатора 6 вошла в тепловой контакт с участком ткани прямой кишки, который необходимо подвергнуть температурному воздействию. 40 При включении питания формирователь 14...

Номер патента: 1372425

Опубликовано: 07.02.1988

Авторы: Туфляков, Узарс, Феоктистов, Чаусов, Якубсон

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, преобразовательной, установки

...5 навнутренней поверхности и с плоскойкольцевой пластиной 6 на внешнейповерхности перпендикулярно продольной оси. Отрезки цилиндрических труб4 соединены между собой через эластичные электроизоляционные кольцевыепрокладки 7, образуя воздушный канал.Охладители 3 стянуты винтами 8 припомощи гаек 9, шайб 10 и тарельчатыхпружин 11, которые обеспечивают постоянство усилия прижима независимоот температурных деформаций и прогибаэлементов модуляМодуль работает следующим образом,Ток к полупроводниковым приборам1 подводится через токоотводы 2, Выделяющееся в полупроводниковых приборах тепло передается охладителям 3, а от них потоку воздуха,продуваемому через воздушный канал в среднейчасти охладителей,Количество полупроводниковых приборов и...