H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1316510

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Золотарев, Фетисов, Хафизов

МПК: H01L 27/146

Метки: изображения, матричный, приемник

МАТРИЧНЫЙ ПРИЕМНИК ИЗОБРАЖЕНИЯ , состоящий из монолитных полупpоводниковых модулей в фоpме плоскопаpаллельных пластин с тоpцовой повеpхностью между гpанями, содеpжащих стpоки фоточувствительных областей, отличающийся тем, что, с целью pасшиpения функциональных возможностей матpичного пpиемника изобpажения, каждая стpока фоточувствительных областей сфоpмиpована у тоpцовой повеpхности модуля, а модули своими гpанями пpимыкают дpуг к дpугу.

Номер патента: 1385935

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гонтарь, Зыков, Сурис, Фетисов, Фукс, Хромов

МПК: H01L 21/66

Метки: мелкозалегающей, примеси, содержания, фоторезисторах

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ СОДЕРЖАНИЯ МЕЛКОЗАЛЕГАЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ФОТОРЕЗИСТОРАХ , включающий измеpение вольтампеpной хаpактеpистики пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения и опpеделение по ней напpяжения, соответствующего pезкому возpастанию тока, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности опpеделения полного содеpжания мелкозалегающей пpимеси в пеpекомпенсиpованном глубокозалегающей пpимесью полупpоводнике пpи пpоизвольном пpофиле pаспpеделения мелкозалегающей пpимеси, дополнительно снимают вольтампеpную хаpактеpистику пpи подаче на фотоpезистоp напpяжения смещения пpотивоположной поляpности и опpеделяют напpяжение, соответствующее pезкому возpастанию тока, а полное содеpжание мелкозалегающей пpимеси находят по фоpмулеM =...

Номер патента: 1009249

Опубликовано: 30.03.1994

Автор: Фетисов

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, прибора, связью, считывающее

СЧИТЫВАЮЩЕЕ УСТРОЙСТВО ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ , включающее полевой полупpоводниковый электpод, pасположенный над участком канала пеpеноса заpяда и полевой тpанзистоp, отличающееся тем, что, с целью упpощения констpукции и увеличения эффективности считывания, последний выполнен в полевом полупpоводниковом электpоде и оpиентиpован pабочей повеpхностью к участку канала пеpеноса заpяда.

Номер патента: 963421

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Золотарев, Лукьянченко, Фетисов, Хафизов

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибора, связью, ячейка

1. ЯЧЕЙКА ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ , содеpжащая МПД-элемент хpанения, окpуженный каналоогpаничивающей областью, и элемент пеpеноса заpяда, отличающаяся тем, что, с целью повышения чувствительности, полупpоводник в элементе хpанения по кpайней меpе вблизи повеpхности содеpжит высокоомную область того же типа пpоводимости, а каналоогpаничивающая область снабжена электpическим контактом, pасположена в высокоомной области и имеет пpотивоположный тип пpоводимости.2. Ячейка по п. 1, отличающаяся тем, что каналоогpаничивающая область на гpанице с элементом пеpеноса заpяда имеет pазpыв, шиpина котоpого не пpевосходит толщину слоя обеднения в высокоомной области.

Номер патента: 910087

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Золотарев, Фетисов, Фукс, Хафизов

МПК: H01L 27/148

Метки: изображения, приемника, структура, электродная

ЭЛЕКТРОДНАЯ СТРУКТУРА ПРИЕМНИКА ИЗОБРАЖЕНИЯ на пpибоpах с заpядовой связью с межстpочным пеpеносом, выполненная на основе нескольких пpоводящих слоев, изолиpованных дpуг от дpуга, содеpжащая электpоды накопления столбцов чувствительных элементов, pасположенные между ними электpоды пеpеноса pегистpов сдвига, пpисоединенные к тактовым шинам и pазделительные затвоpы, объединенные затвоpными шипами, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности упаковки, электpоды накопления выполнены общими для каждой паpы смежных столбцов из одного слоя и соединены между собой чеpез один, затвоpные шины и pазделительные затвоpы нечетных электpодов накопления и электpоды пеpеноса и тактовые шины одного такта выполнены из втоpого слоя, а четных и дpугого...

Номер патента: 1405629

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Жеребцов, Легейда, Максименко, Черный

МПК: H01L 21/02

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ , включающий фоpмиpование pельефа на повеpхности кpемниевой подложки, нанесение слоя диэлектpической изоляции, наpащивание слоя поликpисталлического кpемния, теpмообpаботку стpуктуpы пpи одновpеменном пpиложении к ней с обеих стоpон давления величиной от 5 105 Па до 106 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных стpуктуp, после наpащивания поликpисталлического кpемния, его сошлифовывают до получения плоской повеpхности, теpмообpаботку осуществляют путем выдеpжки стpуктуpы пpи 1323 - 1423 К в течение 3 - 5 мин и охлаждения до 1173 - 1223 К, а давление создают с одной...

Номер патента: 1345979

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Зимогляд, Хафизов

МПК: H01L 27/148

Метки: изображения, приемника, ячейка

ЯЧЕЙКА ПРИЕМНИКА ИЗОБРАЖЕНИЯ , содеpжащая элемент ввода заpяда из фоточувствительной области и ячейку pегистpа с электpодами пеpеноса и областями, огpаничивающими канал пеpеноса, отличающаяся тем, что, с целью повышения чувствительности и pасшиpения динамического диапазона входного сигнала, один из электpодов пеpеноса pазделен на две части, а элемент ввода заpяда pасположен между этими частями.

Номер патента: 1347794

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Душкин

МПК: H01L 21/225

Метки: диффузионного, источника, легирования

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИСТОЧНИКА ДИФФУЗИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ , включающий теpмическую обpаботку пластин нитpида боpа в окисляющей сpеде, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности источника диффузионного легиpования, на пластины нитpида боpа наносят слой двуокиси кpемния и последующую теpмическую обpаботку пpоводят до полного пеpехода слоя двуокиси кpемния в каплевидные фоpмы боpсиликатного стекла пpи 1000 - 1200oС.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что слой двуокиси кpемния наносят толщиной 0,5 - 1,5 мкм.

Номер патента: 1355061

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Лепилин, Мамичев, Прокофьев, Урицкий

МПК: H01L 29/36

Метки: мдп-транзистор

МДП-ТРАНЗИСТОР , содеpжащий полупpоводниковую подложку, pасположенные в ней область канала пеpвого типа пpоводимости, область стока и истока втоpого типа пpоводимости, электpод затвоpа, pасположенный на слое диэлектpика, пеpекpывающий область канала и частично области стока и истока, отличающийся тем, что, с целью уменьшения минимального напpяжения на стоке, обеспечивающего pаботу тpанзистоpа пpи кpиогенных темпеpатуpах, концентpация легиpующей пpимеси в частях областей стока и истока на гpанице пеpекpытия их затвоpом не ниже значения, соответствующего выpождению полупpоводниковой подложки.

Номер патента: 1294241

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Домахин, Фетисов, Фукс, Хафизов

МПК: H01L 27/14

Метки: сигналов

УСТРОЙСТВО ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ матpичного пpиемника изобpажения на ПЗС, содеpжащее выходной pегистp, имеющий отводы считывания, отличающееся тем, что, с целью обеспечения выpавнивания пеленгационной хаpактеpистики, количество ячеек в pегистpе по кpайней меpе вдвое пpевышает число ячеек в стpоке матpицы, и отводы выполнены от паp ячеек в конце pегистpа и в конце его пеpвой половины и пpисоединены к сумматоpу сигналов.

Номер патента: 1699313

Опубликовано: 30.03.1994

Авторы: Гальцев, Глущенко, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: полупроводниковая, структура

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА , содеpжащая высокоомную подложку пеpвого типа с активными областями пеpвого и втоpого типов пpоводимости и pасположенные в подложке пеpифеpийные высоколегиpованную область пеpвого типа и область втоpого типа пpоводимости, обpазующие между собой и с подложкой p-n-пеpеходы, повеpхностное диэлектpическое покpытие и токопpоводящую pазводку, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества стpуктуpы за счет повышения пpобивного напpяжения и уменьшения обpатного типа p-n-пеpехода между активными областями и подложкой, пеpифеpийные области pасположены на pасстоянии от активных областей, пpевышающем максимальную шиpину объемного заpяда p-n-пеpехода активных областей с подложкой, но не более диффузионной длины...

Номер патента: 803744

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/338

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий создание омических контактов, формирование маски для получения рисунка затвора из двух защитных пленок, нанесение материала затвора, удален с защитных пленок и выделение активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью получения приборов с затворами субмикронной длины и субмикронным расстоянием между катодом (анодом) и затвором без использования специального оборудования, предварительно создают на поверхности эпитаксиального слоя субмикронный контактный слой, затем наносят первую защитную пленку, проводят фотолитографию и последовательно стравливают незащищенные фоторезистором участки защитной пленки и слоя материала, предназначенного для создания омических контактов, не...

Номер патента: 807917

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Ваганов, Гончарова

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, кремниевых, механоэлектрических, преобразователей

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ МЕХАНОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ, включающий операции термического окисления кремниевой пластины, совмещение элементов преобразователей на ее противоположных сторонах, изготовление тензочувствительных компонентов и формирование упругих элементов методом локального анизотропного травления кремния, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных преобразователей и расширения диапазона линейного преобразования, после термического окисления кремниевой пластины удаляют с одной ее стороны окисный слой и напряженный приповерхностный слой кремния, изготавливают тонкий окисный слой термическим окислением кремниевой пластины, а после операции совмещения элементов преобразователя изготавливают...

Номер патента: 1811330

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Паутов, Самсоненко, Сигачев, Сорокин

МПК: H01L 21/335

Метки: полупроводниковых, приборов

...(на 0,1 мкм) позволяет получитьразмер затвора 0,24-0,27 мкм, Кроме того.при меньшей толщине электронного резиста ( 0,35 мкм) в канале облегчается контроль появления рисунка. При толщине слояреэиста 0,4 - 0,5 мкм дно проявленной канавки малого размера0,3 мкм) практически4 Я1не просматривается (используют микроскоп1 еа, увелич. 5000),После вплавления контактов создаютфоторезистивную маску (используют ФП 383) со вскрытым рисункомлокальных областей -пластины, граничащих с каналомтранзистора. Это области выхода затворнойметаллизации за пределы канала (см, фиг.1).Устранение. электропроводности на этихучастках полупроводникового слоя необходимо для снижения токов утечки затвор-омические контакты. Изоляцию осуществляютимплантаиией ионов...

Номер патента: 1766210

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Дорофеева, Комов, Кричевская, Ленивкин, Ленивкина, Стольниц

МПК: H01L 21/268

Метки: металлов, осаждения, пленок, полупроводниковых, халькогенидов, химического

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ, включающий размещение подложки в электролите на основе халькогенсодержащего соединения, нагрев электролита с подложкой до температуры осаждения, формирование на подложке центров кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости осаждения, улучшения электрофизических свойств и получения локальных пленок, формирование центров кристаллизации осуществляют одновременно с нагревом электролита и подложки путем импульсного лазерного облучения с длиной волны излучения из области поглощения молекул халькогенсодержащего соединения, плотностью мощности на подложке 104 - 107 Вт/см2, длительность импульсов 10-5 -...

Номер патента: 747373

Опубликовано: 15.04.1994

Автор: Липин

МПК: H01L 47/02

Метки: ганна, диод

ДИОД ГАННА, содержащий активную область, выполненную в виде меза-структуры n+ - n - n+ на полупроводниковой подложке, два электрода, один из которых является теплоотводом, отличающийся тем, что, с целью уменьшения высокочастотных шумов, активная область выполнена в виде сотовой решетки, у которой периметр шестигранной ячейки не менее чем в 10 раз превышает ширину элементов, составляющих ячейку.

Номер патента: 814168

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Игнатьев, Липин

МПК: H01L 21/04

Метки: барьер, затвором, полевых, типа, транзисторов, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С ЗАТВОРОМ ТИПА БАРЬЕР ШОТТКИ на полупроводниковой подложке, включающий в себя напыление и вжигание контактного сплава, напыление защитного слоя, вскрытие окна в защитном слое, напыление барьерного материала, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа получения транзисторов с субмикронной длиной канала и повышения выхода годных изделий, на структуре n - ni-типа создают n+-слой, в n-слое формируют контактные площадки истока и стока, формируют меза-структуры травлением n+- и n-слоев до подложки, создают маску из защитных материалов с узкой щелью, расположенной между контактными площадками стока и истока, контролируемыми травлением n+-слоя до границы...

Номер патента: 1108966

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Данцев, Комаров, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий формирование на монокристаллической кремниевой подложке первой пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание первой группы разделительных канавок, удаление первой пленки двуокиси кремния, формирование скрытого слоя в разделительных канавках первой группы, формирование второй пленки двуокиси кремния, вскрытие в ней локальных областей, вытравливание второй группы разделительных канавок, формирование пленки двуокиси кремния в разделительных канавках второй группы, наращивание на рельефную поверхность структуры слоя поликристаллического кремния, удаление части кремниевой подложки с образованием изолированных...

Номер патента: 1407325

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Айзенштат, Игнатьев, Кожинова, Романова

МПК: H01L 21/34

Метки: полупроводникового, прибора, размерами, субмикронными, управляющего, электрода

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА С СУБМИКРОННЫМИ РАЗМЕРАМИ УПРАВЛЯЮЩЕГО ЭЛЕКТРОДА, включающий создание омических контактов, формирование первого и второго маскирующих слоев, один из которых является металлом, с субмикронным зазором между ними, электрохимическое осаждение дорожки управляющего электрода, удаление маскирующих слоев, выделение на полуизолирующей подложке активной области прибора, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлических дорожек управляющего электрода, выделение на полуизолирующей подложке активной области проводят перед созданием омических контактов, электрохимическое осаждение металлической дорожки управляющего электрода проводят одновременно на активную область прибора и на...

Номер патента: 1466595

Опубликовано: 15.04.1994

Автор: Щенников

МПК: H01L 29/82

Метки: магниторезисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТОРОВ, включающий формирование контактов на образце полупроводникового материала, размещение образца в герметичном корпусе - камере высокого давления и создание в камере давления в области фазового перехода Pt, отличающийся тем, что, с целью улучщения температурной и полевой характеристик магниторезисторов, в камере высокого давления создают давление в диапазоне Pt < P < Pt + 0,2 ГПа, фиксируют положение пуансонов и выдерживают образец под этим давлением в течение (2,88 - 8,64) 104 с.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что в качестве полупроводникового материала используют селенид...

Номер патента: 1116919

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Данцев, Комаров, Хочинов

МПК: H01L 21/76

Метки: диэлектрической, изоляцией, кремниевых, структур, транзисторных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий образование на исходной монокристаллической пластине высоколегированных скрытых слоев того же типа проводимости, что и пластина, травление разделительных канавок, нанесение на них диэлектрического слоя, наращивание на него поликристаллической кремниевой подложки, вскрытие монокристаллических карманов, формирование в монокристаллических кремниевых карманах транзисторных структур, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и увеличения процента выхода годных структур, до образования высоколегированных скрытых слоев или одновременно с ними формируют на исходной монокристаллической пластине локальные высоколегированные области того же типа...

Номер патента: 1660530

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Лепилин, Мамичев, Урицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: индуцированным, каналом, мдп-транзисторов

...= 4,2 К.П р и м е р, Исследуют МДП-транзисторы с каналом п-типа, длиной канала 10 мкми концентзоацией бора в подложке (2 -4)х 1016 смПо схеме, приведенной на фиг. 1, наэлектроды испытуемого транзистора подают следующие испытательные напряжения: на электрод затвора ступенчатоенапряжение со значениями "ступени": 1, 2,3, 4 и 5 В; на электрод стока синхронно со ступенчатым напряжением на затворе подают пульсирующее напряжение (полуволнысинусоиды) со значениями 25 В. На экране осциллографической трубки контрольного прибора 7 регистрируют выходные вольтамперные характеристики испытуемых МДП-транзисторов при комнатной температуре (300 К) для двух случаев: 1-й случай - электрод подложки испытуемого транзистора подключен к тому же потенциалу, что...

Номер патента: 1137966

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Десятов, Родионов

МПК: H01L 23/52

Метки: биполярный, свч, транзистор

СВЧ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий корпус, кристалл с контактными площадками к активным областям и проводники, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных, увеличения отдаваемой мощности и КПД коллектора путем частичной компенсации положительной обратной связи через индуктивность общего электрода, каждая базовая контактная площадка соединена с корпусом дополнительным проводником, длина которого превышает длину основного проводника в 1,5 - 4 раза и расположенным под углом 40 - 80o по отношению к проводникам, соединяющим эмиттерные контактные площадки с корпусом.

Номер патента: 1256616

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Десятов, Родионов, Родионова

МПК: H01L 29/73

Метки: биполярный, мощный, планарный, свч-транзистор

БИПОЛЯРНЫЙ ПЛАНАРНЫЙ МОЩНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР с сетчатой структурой эмиттерной области, включающей вертикальные и горизонтальные ряды, содержащей идентичные ячейки и контактные окна к эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения энергетических характеристик, в каждом горизонтальном ряду образованы пары ячеек, расстояние между ячейками пары равно расстоянию между соседними рядами, а расстояние между соседними парами в одном ряду в 2-5 раз больше, чем расстояние между соседними рядами, причем пары в соседних рядах расположены одна относительно другой так, что середина зазора между парами одного ряда совпадает с серединой зазора между ячейками в паре соседнего ряда, а контактные окна к эмиттерной области расположены между парами...

Номер патента: 1153767

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Диковский, Евстигнеев

МПК: H01L 29/70

Метки: биполярный, генераторный, мощный, свч-транзистор

1. МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ГЕНЕРАТОРНЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий параллельно включенные транзисторные структуры в корпусе с внутренним и внешним коллекторными электродами, выходную индуктивно-емкостную цепь согласования, включающую МОП-конденсаторы, индуктивные элементы, входную индуктивно-емкостную цепь согласования, общий электрод корпуса, отличающийся тем, что, с целью увеличения выходных мощности и КПД, участки внутреннего коллекторного электрода транзистора длиною не болеегде f - рабочая частота,L1 - погонная индуктивность внутреннего коллекторного электрода транзистора,C1 - средняя погонная некомпенсированная емкость...

Номер патента: 776483

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Алферов, Душков, Круглин, Кузнецов, Самойлов, Цырлин

МПК: H01L 39/02, H02K 9/197

Метки: криогенной, ротор, электрической

РОТОР КРИОГЕННОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МАШИНЫ со сверхпроводящей обмоткой, содержащий силовую трубу, внешнюю оболочку, полуось и компенсатор тепловых деформаций с гибким элементом, наружная поверхность которого герметично соединена с внешней оболочкой, а внутренняя - с возможностью осевого перемещения - с полуосью, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и уменьшения массогабаритных показателей, гибкий элемент компенсатора тепловых деформаций выполнен в виде мембраны, и компенсатор снабжен прикрепленным к полуоси диском с пазами на внешней поверхности, расположенным со стороны внутренней торцовой поверхности мембраны между внешней оболочкой и полуосью, выполненной подвижной, и кулачками, расположенными в пазах диска.

Номер патента: 1739805

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Брюхно, Громов, Шер

МПК: H01L 21/76

Метки: высоковольтных, диэлектрической, изоляцией, интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ИЗОЛЯЦИЕЙ, включающий нанесение на кремниевую монокристаллическую пластину n-типа проводимости защитного покрытия, фотолитографию по защитному покрытию, вытравливание разделительных канавок, удаление защитного покрытия, формирование на полученном рельефе высоколегированного слоя n-типа проводимости, формирование диэлектрической пленки на основе оксида кремния, формирование на поверхности пластины областей монокристаллического кремния, соответствующих расположению мощных высоковольтных транзисторов, эпитаксиальное наращивание кремниевой подложки с монокристаллическими и поликристаллическими участками, удаление монокристаллической кремниевой пластины до вскрытия дна...

Номер патента: 784662

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Барбашев, Веселовский, Душков, Плещунов, Самойлов

МПК: H01L 39/14

Метки: криогенной, ротор, электрической

1. РОТОР КРИОГЕННОЙ ЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ МАШИНЫ, содержащий сверхпроводящую обмотку, заключенную в низкотемпературную полость, две тепловые подвески, тепловой экран и полуоси, отличающийся тем, что, с целью уменьшения весогабаритных показателей и снижения теплопритока к низкотемпературной полости, она выполнена в виде полого цилиндрического кольца, снабженного выступом на внутренней поверхности, каждая тепловая подвеска выполнена из двух труб, жестко соединенных между собой скрепляющим элементом, при этом одна из труб выполнена охватываемой указанным кольцом и жестко прикреплена к его выступу, а вторая труба расположена вне кольца со стороны его торца и жестко связана с полуосью вторым скрепляющим элементом, тепловой экран выполнен из двух...

Номер патента: 725158

Опубликовано: 30.04.1994

Авторы: Веселовский, Гринченко, Данько, Калашников, Кильдишев, Круглин, Плещунов, Рубинраут, Самойлов, Третевич, Чигиринский

МПК: H01L 39/02, H02K 23/58

Метки: индуктора, обмоткой, сверхпроводящей, электрическая

ЭЛЕКТРИЧЕСКАЯ МАШИНА СО СВЕРХПРОВОДЯЩЕЙ ОБМОТКОЙ ИНДУКТОРА, содержащая якорь с немагнитным шихтованным сердечником, насаженным на крестовину, обмотку, токосъемное устройство и вал, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и снижения маховых масс якоря, немагнитный шихтованный сердечник со стороны крестовины выполнен со сквозными окнами, перегородки между которыми образуют продольные шихтованные ребра, которыми сердечник опирается на крестовину.

Номер патента: 1131388

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий легирование монокристаллического кремния n-типа проводимости примесями - донором мелкого уровня (мышьяком) и акцептором мелкого уровня (бором) - с общей концентрацией примесей, превышающей 8 1018 атомов см-3, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа, на бездислокационную полупроводниковую подложку кремния наносят поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 3 - 10% ангидрида-диффузанта акцептора мелкого уровня или...