H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1829782

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Смаль

МПК: H01L 21/335

Метки: мдп-транзистора

...кремниевой пластины 1 КДБ (фиг,1) первого типа проводимости р сформировали термическим окислением с использованием маски ЯзХ 4 области локального окисла толщиной 0,5-0,8 мкм с последующим удалением маски ЯЗХ 4 и созданием ионным легированием бора (Е 30 кэВ, Р = 0,1-0,3 мкКл/см ) во всю2поверхность области подлегирования каналов транзисторов. Затем проекционной фотолитографией на установке ЭМ 584 А по сформированным на пластине слоям подзатворного термического окисла толщиной 150 олегированного фосфором поликремния толщиной 0,4 мкм, низкотемпературного окисла толщиной 0,3 мкм создали области затвора 2 с длиной канала 1,2 мкм. Травление слоев проводили плазмохимическим методом. На поверхность со ступенчатым рельефом нанесли...

Номер патента: 1829792

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Довнар, Красницкий, Наливайко, Родин, Смаль, Турцевич

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, конденсатора, накопительного, обкладки, памяти, схем, элемента

...поверхностей пластины; на фиг.4 - то же после нанесения дополнительного проводящего слоя 4; на фиг,5 - то же после удаления безмасочным анизотропным плазменным травлением участков дополнительного проводящего слоя с горизонтачьных поверхностей пластины; на фиг,6 - то же после удаления избирательным травлением оставшихся пристеночных участков разделительного диэлектрического слоя.П р и м е р. На полупроводниковую пластину 1 КДБ 12 со сформированным на ней углублением 2 х 2 мкм, глубиной 2 мкм, угол наклона стенок относительно поверхности 87 - 90, методом 1.РСЧР нанесли проводящий слой 2 из легированного в процессе роста фосфором поликристаллического кремния толщиной 0,1 + 0,01 мкм и методом проекционной фотолитографии на установке ЭМА...

Номер патента: 1345983

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Афанасьев, Панова, Шахпаронян

МПК: H01L 31/0264

Метки: фотоприемник

Фотоприемник, содержащий полупроводник, диэлектрик и электроды, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности фотоприемника без увеличения энергозатрат, в качестве диэлектрика использован сегнетоэлектрик, полупроводник в виде пленки нанесен на сегнетоэлектрик, а электрод со стороны полупроводниковой пленки имеет точечный контакт.

Номер патента: 1649978

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Белецкий, Детчуев, Крячков, Куваев, Носухин, Самойлович, Санжарлинский, Хван, Хряпенков

МПК: H01L 35/34

Метки: теплоперехода

Способ изготовления теплоперехода, включающий образование электроизоляционного теплопроводного слоя путем приготовления эластичного клеящего материала с дисперсным наполнителем трех фракций, мк: 2 3, 10 20, 30 150, впадины между крупными фракциями которого заполняют более мелкими, размещение его между теплообменными поверхностями, сжатие теплообменных поверхностей и выдерживание до полного склеивания, отличающийся тем, что, с целью снижения термического сопротивления и улучшения диэлектрических свойств теплоперехода, в процессе приготовления электроизоляционного слоя наполнитель вводят в клеящий материал до образования контакта между частицами наполнителя с размещением клеящего материала только между его частицами, а в качестве наполнителя...

Номер патента: 1797422

Опубликовано: 10.10.1996

Авторы: Детчуев, Крячков, Куваев, Носухин, Самойлович, Санжарлинский, Хряпенков

МПК: H01L 35/02

Метки: линия, полупроводниковая, электротепловая

...применяемый в качестве электротепловой линии; на фиг.2 - график ее амплитудно-частотной характеристики,Устройство содержит теплоотвод 1 в виде монокристалла синтетического полупроводникового алмаза (С ПА), состоящий из диэлектрического 2 и полупроводникового 3 слоев; подогревательный элемент 4 в виде пленочного резистора, нанесенного на диэлектрическую грань синтетического полупроводникового алмаза, с двумя контактными площадками 5, термочувствительный элемент б представляющий собой сопротивление 1н поверхностного слоя у противоположнои грани полупроводниковой части синтетического полупроводникового алмаза между двумя контактными площадками 7. Вход электротепловой линии представлен выводами 8 и 9, выход - выводами 10 и 11,...

Номер патента: 880178

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Кривоношенко, Селифанов, Точицкий

МПК: H01L 21/285

Метки: покрытий

1. Способ получения покрытий, включающий испарение материала, формирование направленного к подложке потока осаждаемого материала и осаждение его на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии, на осажденное покрытие воздействуют импульсным магнитным полем непосредственно или через промежуточную среду, обладающую высокой электропроводностью.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что на осажденное покрытие воздействуют импульсным магнитным полем амплитудой 20-28 кЭ и длительностью 120-130 мкс.

Номер патента: 1627000

Опубликовано: 20.10.1996

Авторы: Василевич, Довнар, Корешков, Шикуло

МПК: H01L 21/302

Метки: интегральных, контактных, окон, схемах, формирования

...нижнего изолирующего слоя над областями р-типд проводимости превышает толщину слоя над областями и-типа проводимости в 2-30 раз, то при полном вскрытии поверхности над областями и-типа проводимости, над областями р-типа проводимости происходит частичное травление слоя двуокиси кремния.После полного вскрытия поверхности подложки над областями и-типа проводимости удаляют фоторезистивную маску, проводят диффузию фосфора из РОС 1 з при температуре Т = 850+1 С в течение 1 = 10 мин и оплавляют фосфоросиликатное стекло при температуре Т = 1000+1 С в течение 110 мин. Далее стандартными методами фотолитографии создают дополнительную фоторезистивную маску из фоторез иста ФПМК толщиной 1,2 мкм с конфигурацией окон к областям р-типа проводимости...

Номер патента: 1819068

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Поборцев, Солонинко, Чарушкина, Чигирь

МПК: H01L 21/66

Метки: дефектов, кремниевых, нижних, оптического, слоев, структур

...СС 14 в течение 5 мин.В результате указанных операций травления на поверхности кристалла образовывался микрорельеф, представляющий собой ямки и бугорки травления и т.н, "Спейсеры", образующиеся по периметру шин металлизации. Средняя величина непланарности составляла 0,70+0,12 мкм, Оценка глубины ямок травления и высоты "спейсеров" и бугорков проводилась на растровом электронном микроскопе типа 1 БМ.После удаления пассивирующего слоя ислоя верхней металлизации проводился контроль дефектов нижнего слоя поликремниевой разводки по способу-прототипу, однако, из-за наличия микрорельефа на поверхности ИМС минимальный размер элементов, доступных для контроля, составлял 5,0 мкм, Затем поверхность кристалла тщательно очищалась на установке...

Номер патента: 1819070

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Балабуцкий, Гайдук, Сасновский, Чаусов

МПК: H01L 21/82

Метки: биполярных, интегральных, поликремниевым, резистором, схем

...удаляют эту маску и формируют маску с отверстием+над областью контакта к и -скрытому слою, внедряют примесь и-типа в область контакта к и -скрытому слою и проводят разгонку примеси р-типа в области охранного кольца до смыкания ее с подложкой и примеси и-типа в области контакта к и+-скрытому слою до смыкания ее с и -скрытым слоем. Окислением полученной структуры при 1000 С в атмосфере водяного пара формируют изолирующий диэлектрический слой из двуокиси кремния толщиной 0,05 мкм, Осаждением из газовой фазы выращивают на изолирующем диэлектрическом слое слой поликристаллического кремния толщиной5 1819070 бПри внедрении ионов бора с энергией100 кэВ в двуокись кремния Крр=0,247 мкм,ЬК.рр =0,053 мкм, Следовательно условие:11 пас 1 рр+...

Номер патента: 1155128

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Врублевский, Кадомский, Календин, Невзорова, Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/66

Метки: литографических, размеров, слоев, элементов

Способ измерения размеров элементов литографических слоев, включающий формирование увеличенного изображения литографического слоя, измерение параметров увеличенного изображения и преобразование этих параметров в размер элементов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения, перед формированием увеличенного изображения в литографическом слое выполняют голографическую решетку и наносят на его поверхность латексные сферы, увеличенное изображение литографического слоя формируют с помощью растрового электронного микроскопа, после чего проводят юстировку микроскопа по латексным сферам, а параметры увеличенного изображения измеряют по форме распределения видеосигнала, при этом определяют расстояние B, соответствующее размеру...

Номер патента: 1823714

Опубликовано: 27.10.1996

Авторы: Клименков, Красницкий, Турцевич, Цыбулько

МПК: H01L 21/306

Метки: газовая, диэлектрических, селективного, слоев, смесь, сухого, травления

...содержания гептафторпропана в газовой смеси менее 15 об.;4 приводит к значительному снижению скорости и селективности травления диэлектрических слоев по отношению к нижележащему слою.Превышение содержания кислорода в смеси более 11 об.;4 приводит к снижению равномерности травления диэлектрических слоев и селективности по отношению к маскеи нижележащему слою.Снижение содержания кислорода в смеси менее 2,6 об.;, приводит к увеличению вероятности загрязнения поверхности нижележащего слоя из-за повышения соотношения С/Е в смеси.Использование заявляемой газовой смеси может быть проиллюстрировано на примере селективного реактивного ионноплазменного травления слоев двуокиси кремния, фосфоросиликатного стекла (ФСС), нитрида кремния,...

Номер патента: 1766221

Опубликовано: 20.11.1996

Авторы: Думаневич, Кузьмин, Тандоев, Юрков

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор

Тиристор на основе кремниевой многослойной p-n-p-n+ структуры, снабженной распределенными по площади структуры шунтами в виде цилиндров с проводимостью р-типа в эмиттерном слое n+-типа проводимости, причем шунты расположены так, что в поперечном сечении линии, проведенные через их центры, образуют равносторонние треугольники, отличающийся тем, что, с целью повышения dU/dt-стойкости, уменьшения времени выключения, времени включения и прямого падения напряжения путем оптимизации шунтировки, расстояния между шунтами D и диаметры шунтов Dш выбраны удовлетворяющими условиям:D = (A1 п+A2)

Номер патента: 1482479

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Овчинников, Павельев

МПК: H01L 29/812

Метки: вертикальный, полевой, транзистор

Полевой вертикальный транзистор, содержащий подложку, двуслойную мезаструктуру, верхний слой которой выполнен из полупроводника n-типа, а нижний из полупроводника n++-типа, а также электроды истока, стока и затвора, расположенные по одну сторону подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения предельной частоты генерации транзистора, на верхнем слое мезаструктуры по краям ее боковых граней сформированы снабженные балочными выводами барьерные контакты, расположенные симметрично относительно мезаструктуры выше границы раздела ее слоев и отделенные от подложки воздушным зазором, при этом один из барьерных контактов служит затвором, а другой - стоком, омический контакт истока сформирован на подложке и снабжен балочным выводом, а...

Номер патента: 1667571

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Иовдальский, Темнов

МПК: H01L 23/10

Метки: гибридная, интегральная, схема

Гибридная интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площади кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10 30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20 - 100 мкм.

Номер патента: 1559970

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, полупроводниковых, растворов, твердых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых твердых растворов путем приведения в контакт подложки с температурой Tn и раствора-расплава с температурой Tp при соотношении температур 100oC Tp Tn 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения непрерывного ряда твердых растворов (Si2)x GaAs4-x на кремниевой подложке, предварительно наносят на поверхность подложки насыщенный при температуре Tn раствор-расплав мышьяка в олове слоем толщиной 100-300 мкм, после чего приводят его в контакт с...

Номер патента: 1820782

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Дударчик, Кабаков, Козлов, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...моносилана при осаждении не превышала 50 см /мин, а закиси азота - 3000 см /мин, Величина давлениязпри осаждении составляла 133,3 Па. Температура при продувке реактора и осаждении составляла 800+1 С (пр, 24-7), 650 С (пр,1), 850 С (пр. 3); в примере 8 температура продувки реактора и осаждения составила 680 С, а в примере 9 - 820 С,Всего проведено 10 процентов.Процесс включал следующие стадии:ПР а ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ размещение кремниевых подложек в продуваемом азотом реакторе;- вакуумирование реактора;- продувку реактора закисью азота; - плавное установление потока моносилана, подачу его в реактор, осаждение 31 Ог;- прекращение осаждения, вакуумирование реактора;подача в реактор кислорода (при достижении необходимой температуры) и...

Номер патента: 1829804

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Васильев, Швейкин, Шелякин

МПК: H01L 31/18

Метки: оптоэлектронных, полупроводниковых, приборов

...7 мм рт,ст. выращивали пленки с еленида цинка при температуре подложки (гетер о структуры с мезой) 70 С,В первом случае используют в качестве источника нелегированный, поликристаллический сел енид цинка. Это позволило получать напыляемые пленки селенида цинка с удельным электросопротивлением р = 10 Омфсм.Во втором случае используют в качестве источника с еленид цинка, легированный примесью Ма до концентрации 810ат. Это позволило получить удельное электро- сопротивление напыляемых слоев селенида цинка 10 Омфсм,В третьем случае используют в качестве источника селенид цинка, легированный примесью Са до концентрации 810ат.0, что приводит к удельному сопротивлению напыляемых слоев сел енида цинка 10 Омфсм.П р и м е р 2. Мезаполосковые...

Номер патента: 1589918

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Мизеров, Селиверстов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: арсенида, галлия, гетероэпитаксиальных, слоев

Способ получения гетероэпитаксиальных слоев арсенида галлия, включающий перемещение насыщенного раствора-расплава с температурой Tр по поверхности подложки с температурой Tп, где 100oC Tр Tп 800oC, отличающийся тем, что, с целью получения слоев арсенида галлия на подложках кремния и повышения их качества за счет улучшения планарности, используют насыщенный при Tп раствор-расплав арсенида галлия в олове с добавкой 2 10 ат. германия, а температуру расплава устанавливают в пределах 500 700oC.

Номер патента: 1178272

Опубликовано: 27.11.1996

Автор: Павельев

МПК: H01L 23/48

Метки: диод, полупроводниковый, свч

Полупроводниковый СВЧ-диод, содержащий полупроводниковую меза-структуру, расположенную на диэлектрической пластине, омический и барьерный контакты и расположенные на краях диэлектрической пластины пленочные металлические выводы, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих частот, пленочные металлические выводы расположены на стороне диэлектрической пластины, контактирующей с меза-структурой, а барьерный и омический контакты выполнены в виде продолжения соответствующих пленочных металлических выводов и расположены между диэлектрической пластиной и меза-структурой.

Номер патента: 1075867

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Погоцкий, Полякова, Точицкий

МПК: H01L 21/312

Метки: большой, интегральной, оригинала, рисунка, схемы, топологического

Способ изготовления оригинала топологического рисунка большой интегральной схемы, включающий нанесение на прозрачную подложку маскирующей пленки и получение рельефа в маскирующей пленке, содержащего элементы топологического рисунка и реперные знаки, методом фотолитографии с использованием генератора изображения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности взаимного расположения элементов топологического рисунка, при получении рельефа в маскирующей пленке формируют часть топологического рисунка и реперные знаки, после чего на подложку наносят дополнительную маскирующую пленку, прозрачную для видимого света, а затем методом контактной или проекционной фотолитографии в дополнительной маскирующей пленке формируют оставшуюся часть...

Номер патента: 766418

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: aiibvi, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIIBVI, включающий вакуумирование рабочей камеры до 1 10-1 1 10-2 мм рт. ст. продувку водородом, создание давления водорода 90 110 мм рт. ст. нагрев зоны источника до 750 800oC и зоны подложек до 600 620oC, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров слоев за счет изменения полярности ориентации, предварительно перед нагревом зон источника и подложек проводят их отжиг в течение 2 3 мин при давлении 1

Номер патента: 1830229

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Волле, Воронков, Грехов, Козлов

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, структур

Способ изготовления кремниевых структур, включающий гидрофилизацию кремниевых пластин, сушку пластин на воздухе, соединение пластин лицевыми сторонами друг с другом, термообработку при температуре не менее 1000oC, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров структур при одновременном увеличении производительности, после гидрофилизации пластины помещают в раствор, содержащий не менее 1 об. плавиковой кислоты в деионизованной отфильтрованной воде, затем пластины промывают в деионизованной отфильтрованной воде, соединяют пластины попарно и извлекают их из воды в соединенном состоянии, сушку пластин проводят перед термообработкой при 100 130oC в течение времени не менее 4 ч при одновременном...

Номер патента: 1289305

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Раппо, Редькин, Старков, Юнкин

МПК: H01L 21/306

Метки: ионного, кремнии, ниобия, реактивного, травления

Способ реактивного ионного травления ниобия на кремнии, включающий обработку образцов в плазме фторсодержащего соединения и кислорода при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления, в плазму дополнительно вводят хлорсодержащее газообразующее соединение при объемном отношении его к фторсодержащему газу (0,1 1) 1 и процесс проводят при плотности мощности разряда от 0,06 до 1,45 Вт/см2.

Номер патента: 623442

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Мордкович, Пресс

МПК: H01L 27/142

Метки: зарядовой, прибор, связью

1. Прибор с зарядовой связью, включающий полупроводниковую подложку, диэлектрический слой и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в коротковолновой области спектра, поверх затворов переноса сформирован слой люминофора.2. Прибор по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя люминофора l равна (lnk2 lnk1)/(k2 k1), где k1 коэффициент поглощения коротковолнового света в люминофоре;k2 коэффициент поглощения люминофором излучаемого им света.

Номер патента: 1559980

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Башевская, Колмакова, Пащенко, Сарнацкий, Тюнькова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, поверхности

Способ очистки поверхности арсенида галлия, включающий химико-механическую полировку поверхности арсенида галлия, окисление поверхности путем химической обработки в концентрированном растворе перекиси водорода при одновременном воздействии ультразвука, удаление окисла с поверхности, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества очистки за счет снижения уровня углеродных загрязнений, окисление поверхности проводят не более чем через 10 мин после химико-механической полировки в растворе, дополнительно содержащем соль щелочного металла, при следующем соотношении ингредиентов, мас.Соль щелочного металла 2 7,4Перекись водорода (30%-ная) Остальноев течение 7 15 мин.

Номер патента: 692369

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Вето, Крымко, Левин, Пресс, Рубинштейн

МПК: G01R 31/26, H01L 29/66

Метки: выходным, зарядовой, прибора, связью, устройством

Способ управления выходным устройством прибора с зарядовой связью (ПЗС), включающий подачу напряжения на выходной затвор ПЗС, постоянного напряжения на сток транзистора сброса и импульсного напряжения на затвор транзистора сброса, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня когерентной помехи, на выходной затвор ПЗС подается импульсное напряжение, совпадающее по фазе с импульсным напряжением на затворе транзистора сброса и противоположное ему по знаку.

Номер патента: 1152449

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Воронов, Иванова, Ларионов, Родионов, Рубаха, Стесин

МПК: H01L 21/66

Метки: качества, металлизации

Способ контроля качества металлизации, основанный на создании на полупроводниковой пластине тестовой структуры, выполненной в виде дорожки металлизации с контактными площадками, и пропускании через тестовую структуру тока с помощью зондов, прижимаемых к контактным площадкам, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности контроля и процента выхода годных изделий, через тестовую структуру пропускают импульс тока с длительностью фронта нарастания не более 1 мкс и с амплитудой, обеспечивающей разрушение бездефектной тестовой структуры в статическом режиме, регистрируют время от начала подачи импульса тока до момента разрушения тестовой структуры и по величине этого времени судят о качестве металлизации полупроводниковой пластины.

Номер патента: 1331369

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Земсков, Игуменов, Чесноков

МПК: G03F 1/00, H01L 21/312

Метки: локального, нанесения, подложку, покрытия

1. Способ локального нанесения покрытия на подложку, включающий осаждение покрытия из парогазовой фазы металлоорганического соединения под действием лазерного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии покрытия и производительности процесса, осаждение покрытия осуществляют при общем давлении, равном атмосферному, а облучение осуществляют последовательностью импульсов излучения наносекундного диапазона длительностей и мощностью в импульсе 107 109 Вт/см2, причем в процессе облучения проводят периодическое отклонение луча с частотой, меньшей частоты следования импульсов или некратной ей.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве металлоорганических соединений используют летучие...

Номер патента: 818394

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Крымко, Попова, Пресс

МПК: H01L 27/148

Метки: заряда, матрица, переносом, приборов, фоточувствительная

Фоточувствительная матрица приборов с переносом заряда, включающая полупроводниковую подложку дырочного типа проводимости, легированную индием, эпитаксиальный слой электронного типа, диэлектрический слой SiO2 и размещенные на его поверхности затворы переноса из поликристаллического кремния, отличающаяся тем, что, с целью разделения функций считывания и накопления, эпитаксиальный слой на границе с подложкой содержит подслой, легированный индием.

Номер патента: 1159466

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Беляев, Вето, Крымко, Манагаров, Пресс

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, многосекционная, связью, схема, фотоэлектрическая

1. Многосекционная фотоэлектрическая схема с зарядовой связью, содержащая несколько устройств коммутации с усилителями, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества передачи изображения за счет взаимной компенсации неоднородностей разрешающей способности сопряженной с ней оптики и фотоэлектрической схемы, секции фоточувствительной матричной схемы расположены с осевой симметрией и каждая фоточувствительная секция в матрице имеет индивидуальное устройство коммутации с усилителем, причем расстояние между секциями матрицы не превышает расстояния между фоточувствительными элементами в секции.2. Схема по п.1, отличающаяся тем, что порядок оси симметрии совпадает с числом фоточувствительных секций матрицы.3. Схема по п.1,...