H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
Контактное устройство для подключения плоских интегральных схем
Номер патента: 662029
Опубликовано: 05.05.1979
МПК: H01L 21/68, H01R 13/05, H05K 7/12 ...
Метки: интегральных, контактное, плоских, подключения, схем
...интегральной схемы;на фиг. 8 - то же при полном подключении.Контактное устройство для подключенияплоских интегральных схем 1 содержиг 15 диэлектрическое основание 2, размещенные в нем контактные элементы 3 икрышку 4. Йиэлектрическое основание 2включает паз 5, служащий для размещенияподключаемой схемы 1, и пазы для размещения контактных элементов 3. Каждыйконтактный элемент 3, выполненный в виде плоской пружины, включает рабочуючасть 6, выступающую над поверхностьюоснования 2, изогнутую часть, размешенную в пазу основания 2, и хвостовик 7, служаший для подпайки выводов, На осно вании 2 расположены штыри 8, служашие для фиксации подключаемой интегральной схемы 1, и пазы 9 для фиксаторов 10 крышки 4.При подключении интегральной схемы 1...
Полупроводниковый преобразователь
Номер патента: 663002
Опубликовано: 15.05.1979
МПК: H01L 23/46
Метки: полупроводниковый
...охладителями 6. Силовые вентили 4, индивидуальные охладители 6 припомощи изолятора , траверсы 8 посредством шпилек 9 прижаты с определенным уси - лием к групповому охладителю 5. Силовойблок 2 содержит также быстродействующиепредохранители 1 О, соединенные одним концом с шиной 11 выпрямленного тока, а другим концом с токопроводящей частью 12трубопровода, соединенной с его изоляционной частью 13 посредством переходника 14.Токопроводящая часть 12 трубопровода имеет токосъемный контакт 15, через которыйона соединяется с быстродействующимпредохранителем 10, выполняя назначениетокосъемной шины. Соединенные таким образом токопроводящая часть 12 трубопровода, его изоляционная часть 13 и индивидуальный охладитель 6...
Контактное устройство для подключения плоских интегральных микросхем
Номер патента: 663336
Опубликовано: 15.05.1979
Автор: Винсент
МПК: H01L 21/66, H01R 13/05, H05K 7/12 ...
Метки: интегральных, контактное, микросхем, плоских, подключения
...10Концевые стенки 26 и 27и боковые стецки 28 и 29 образуют полость 34 для приема блока 2.Крышка 16. имеет форму прямоугольника и центральное отверстие 35 подПередний выступ б блока 2, кроме то- ГЬ, она имеет первый и второй концы36 и 37, причем конец 36 зацело шарИирно связан с концом 24 основания17, Направленные назад боковые стенЯИ 38, 39 расположены на сторонах 40, % 36 441 крышки 16. Основание 17 имеет буртики 42 и 43. На концах 25 и 37, располояенных напротив концов 24 и 36, соответственно имеются фиксаторы 44 и отверстие 45 для отсоединяемого крепления крышки 16 на основании 17. При использовании упругих материалов, например полипропилена и найлона, фиксатор 44 может быть выплавлен на крышке 16 и отгибаться внутрь с помощью...
Интегральная логическая схема
Номер патента: 633395
Опубликовано: 25.05.1979
Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян
МПК: H01L 27/04
Метки: интегральная, логическая, схема
...биполярного транзистора в виде р-и-иструктуры, а нагрузочного униполярного тран.зистора п.канальным. Данный вариант интеграль.ной схемы имеет повышенное быстродействиеблагодаря использованию неинжектирующего перехода в качестве коллектора переключательноготранзистора. Другим важным преимуществом дан.ного варианта является возможность формироващя в базовой области р-типа переключательноготранзистора диодов Шоттки (или иных выпрям 46ляющих диОдОВ), Вьполннощих роль входьхэлектродов.Интегральная схема работает следующим образом. Электроды 1 и 2 подсоединяются к поло 4жительному и "земляному" электродам источника питания, Если, по крайней мере, на одномиз входов 9, 9 или 9" имеет место высокийпотенциал - "1", величиной, больше...
Сверхпроводящий мостик переменной толщины
Номер патента: 637019
Опубликовано: 25.05.1979
Авторы: Андрацкий, Громаковский
МПК: H01L 39/22
Метки: мостик, переменной, сверхпроводящий, толщины
...проходящего по управляющей полоске, Действительно, из-за того, чтоберега расположены несимметрично относительно перемычки, магнитное поле от управляющего тока будет существенно неоднородным прилюбом расположении управляющей полоски поотношению к перемычке.Цель изобретения - получение заданных параметров мостика,остигается тем, что пленочная перемычоложена на торце изолирующего слоя, ого на нижний электрод, причем в месложения пленочной перемычки торцыующего слоя и верхнего электрода совпаб 37019 Формула изобретения Н оставитель В, КручинкинаТехред Л. Алферова Корректор Е, Лук Редактор Т. Колодцева Заказ 2896/59 Тираж 922 ЦНИИПИ Государственного по делам изобретений 113035, Москва, Ж, РаушПодписноеомитета СССРоткрытийкая наб., д. 4/5 д,...
Устройство для групповой подгибки контактных выводов к контактным площадкам монтажных плат
Номер патента: 664243
Опубликовано: 25.05.1979
Авторы: Борецкий, Замбровский, Иванов, Семенов
МПК: H01L 21/00
Метки: выводов, групповой, контактным, контактных, монтажных, плат, площадкам, подгибки
...на фиг.3 " схематически дан вариант работы гребенок.15 устройство "содержит закрепленный на станине 1 корпус 2, в котором установен шарнирный четырехзвенник 3 с гибочным элементом 4,5соединенный с йриводным штоком б20 и стол 7 для размещения компонентов,причем гибочный элемент 4,5 выполнен в виде параллельных симметричных гребенок 8,9, которые установлены на рычагах 10, 11 шарнирногочетырехзвенника 3, причем зубья 12гребенок подпружинены пружинами 13,Зубья гребенок установлены на осях14( привода усилие Р передается ца шток 6, который воздействует на ,етырехзвеццик 3. При этом звенья цстырехзвеццика разворачиваютсявокруг осей. Нижние оычаги 10 и 11 поворачиваются вокруг общей оси, азубья 12, свободно установленные в 5каждом звене...
“способ создания контактов к полупроводниковым приборам
Номер патента: 664244
Опубликовано: 25.05.1979
Авторы: Зигберт, Ханс-Иоахим, Хартвин
МПК: H01L 21/28
Метки: контактов, полупроводниковым, приборам, создания
...границ р-областей, посколькУ 45в электролите создается такое Распределение зарядов, что ионы, отти-гиваются от непосредственной граыоцир-И-переходов в р-область.Способ позволяет создавать контак., щты одновременно к ббльшому количест-ву приборов, когда, например," ООООэлементов расположены на Одной пблу-"проводниковой пластине.)а фиг 1 изображен разреЗ крйсталлической пластины; на Фиг.2 данапринципиальная схема для осуществления способа; на Фиг.3-7 - отраженспособ создания контактов при изготовлении транзисторов на Фиг.8 .- раз-рез готовой полупроводниковой пласти-,40ны, вид сверхуП р и м е р 1. Кристаллическая .: .пластина 1 (см.фиг.1),снабжена обцимоснованием (контактом), 2. Всю поверхность пластины покрывают слоем 44окисла...
Система компенсации теплового воздействия в устройствах для освещения покрытых фотолаком субстратов
Номер патента: 664245
Опубликовано: 25.05.1979
Авторы: Зигхард, Мартин, Михаэль, Ульф
МПК: H01L 21/312
Метки: воздействия, компенсации, освещения, покрытых, субстратов, теплового, устройствах, фотолаком
...т)одпожку 2 субстрата. На верхней стороне фотошаблона, концентрично к его центру находится сопло 4 для обдува фотошаблона 3 термостатированным потоком 14 газа, который направлен на поверхность фотошаблона снаружи внутрь. Субстрат и фотошаблон могут находиться параллельно друг другу на некотором расстоянии или непосредбб 4245 ЦИФИИТир аж каз 3010(5 Подписное Филиал ЛПППаг.ужгород,ул.Пр нт 1 ектна3стванно контактировать. Термостатирование подложки 2 субстрата производится термостатом 5, который через систему 12 циркуляции жидкости находится во взаимодействии с подложкой 2 субстрата. к соплу 4 подключена система 10 подачи газа, в которой применяется 5 полная система автоматического регулирования, состоящая из...
Способ управления -канальным накопительным полевым транзистором
Номер патента: 664586
Опубликовано: 25.05.1979
Автор: Бернвард
МПК: H01L 29/788
Метки: канальным, накопительным, полевым, транзистором
...для вызывания канальной инжекции.Величина напряжения может быть достаточна для разогревания электроновдб энергии 1 3-3,8 еЧ.При наличии управляющего затворак нему может быть приложен потенциалподожительный посравнению с потенциалом стока,При управлении по способу, согласно изобретению, отрицательный заряд, находящийся до этбго при срав"нйтеЛьно полбжительном потенциалезапомиНающегб затвора, происМодйтэлектрически с помощью канальнбйинжекции. Накопительный затвор палевого транзистора при программированиизаряжается зарядами; которые самифорМируются в полевом транзисторетаким образом, что заряд, благодаряиндукции,-воздействует на ток стокистока тормозящим образом вместо пе-.редающего так, что заряженный накоп 11 т,ельный затвор в...
Электролюминесцентный диод и способ его изготовления
Номер патента: 665350
Опубликовано: 30.05.1979
Авторы: Альфред, Бригитте, Еренфрид, Клаус, Конрад, Райнер, Флориан
МПК: H01L 29/20
Метки: диод, электролюминесцентный
...диффузии с надлежащей последующей обработкой (отжигом) для более детальной юстировки симметричного поглощающего профиля.Если исходным материалом является ар 5 10 15 20 25 Зо 35 40 45 50 55 60 65 сеццд галлия, то требуются основные при мссц п)5 10 д см -вплоть до концентрации выпадения. В качестве л-основной примеси могут быть свинец, кремний, теллур, в качестве акцептора служит цинк.Изобретение описано на двух примерах выполнения для изготовления двойного слоя р+ на субстрат (подложку) или в самом субстрате на основе арсенида галлия.На фиг. 1 показана структура элементов; на фиг. 2 изображен профиль примесей; на фиг. 3 - поглощающий профиль; ца фиг.4 приведены интенсивность и однородность времени задержки в зависимости ширины полосы...
Аналоговая линия задержки
Номер патента: 667173
Опубликовано: 05.06.1979
Автор: Уолтер
МПК: H01L 27/00
Метки: аналоговая, задержки, линия
...напряжения 10, общую шину 11, шину выходного сигнала 12, каскад-инжектор 13.устройство работает следующим образом.Входная информация в виде заряда поступает на исток первого МдП-транзистора первого звена линии задержки и стекает в потенциальную яму, возникающую под затвором первого МДП-транзистора первого звена, на затвор которого подается импульсное напряжение с первой шины синхрониэирующих импульсов,Пративофазное импульсное напряжение, поступающее на затвор второго667173 Наличие заряда в потенциальных ямах под затворами первого и второго транзисторов каждого звена обусловливает отпирающий потенциал на затворах третьего и четвертого транзисторов, 10 пропорциональный заряду. Потенциалы затворов третьего и четвертого транзйсторов...
Двухоперационный тиристор
Номер патента: 457421
Опубликовано: 05.06.1979
МПК: H01L 29/00
Метки: двухоперационный, тиристор
...эмитте- ра технический институт и Описаннйе конструктивные особенности тиристора позволяют повысить выключаеый ток за счет обеспечения необходимых величин коэффициентов усиления по току составляющих транзисторов р-л-р ф пг), приАвыполнении. Условия, "р-о.р ф.ра также за счет низкого сопротивления растекания управляемой базы и повышенного напряжения пробоя планарного эмиттера.Наличие в слоЕ широкой базы тиристора области с повышенной концентрацией примеси, градиент которой направлен к анодному эьиттеру, позволяет существенно .уменьшить толщину базы без изменения величины р.п.р, что сокращает время переходных процессов включения и выключения.Улучшение .частотных харак,.еристик достигается также за счет действия встроенного поля в...
Усилитель радиосигналов
Номер патента: 401275
Опубликовано: 05.06.1979
Автор: Гуляев
МПК: H01L 27/00
Метки: радиосигналов, усилитель
...длины волны звука Я , тог Я Ыз, (7)д пдогде численный множитель Х порядка 15 единицы и определяется конкретной геометрией контактов, Кроме того, всегда можно написатьй = --о аК 20 где И, - положительный фактор размерности длины, также определяемый геометрией контактов.Если (дК Йо,то амплитуды переменной составляющей тока через на грузочное сопротивление и переменного напряжения на нем Коэффициент усиления ЗИТ по мощности в децибелах соответственноГ = ЮОЕКр, (14) Формулы (13) и (14,) решают поставленную задачу в общем виде. Максимиэируя выражейие для)(рпо отношению к параметрам коллекторной цепи, легко увидеть,что последний множитель в формуле (1 З достигает максимума приЯ = - ф2 м ко (15) и Равен 27 В Ь 0,103 Я, . Под 256ставляя это в...
Устройство для присоединения выводов к контактным площадкам интегральных схем и корпуса
Номер патента: 668029
Опубликовано: 15.06.1979
Автор: Большаков
МПК: H01L 21/60
Метки: выводов, интегральных, контактным, корпуса, площадкам, присоединения, схем
...изгиб на свободном конце.Внутренний диаметр кольца имитатора 7 корпуса с учетом диаметра ползуна 8 соответствует диаметру расположения выбранных точек сварки на контактных площадках 4 корпуса 2 в упомянутом масштабе увеличения.Необходимые перемещения узлов устройства осуществляет привод 19.Предлагаемое устройство работает следующим образом.На стол 1 устанавливается корпус 2 с кристаллом 3, который присоединен к кор пусу 2 с возможностью произвольного смещения. Контактные площадки корпуса 2 и кристалла 3 необходимо соединить проволокой. При помощи блока 10 визуального совме 1 цения, вращая маховики 13, 14, 15 механизма 12, совмещают блок настройки 11 с кристаллом 3 интегральной схемы, при этом имитатор 6 кристалла одновременно...
Устройство для отвода тепла при лужении выводов радиоэлементов
Номер патента: 668030
Опубликовано: 15.06.1979
Авторы: Бурштейн, Мелентьева
МПК: H01L 23/40
Метки: выводов, лужении, отвода, радиоэлементов, тепла
...тепла от полупроводниковых приборов с олцостороццим расположением выводов.Цель изобретецияповьццсцие эффективности теплоотвода при лужении радио- элементов с одностороццим расположением выводов - достигается тем, что в устройстве для отвода тепла при лужении выводов радиоэлементов преимущественно полупровод никовых приборов гнезда в теплоотводящих пластинах выполнены в соответствии с расположением выводов, а теплоотводящие пластины соединены между собой с возможнос. бражено предлагаемое оекциях.ит из теплоотводящей ец которой служит рущей пластины 2, кос пластиной 1 и имеет аться относительно нее, ы 2 ограничено упора- тужат одновременно и стина 2 имеет с одной жду которыми располовыступ 7 для удобства ы 2, В теплоотводящихсоосные...
Вибродвигатель
Номер патента: 668031
Опубликовано: 15.06.1979
Авторы: Буда, Рагульскис
МПК: H01L 41/00
Метки: вибродвигатель
...жестко закреплен. Генератор 7 переменного напряжения подсоединен к крайним электродам пьезоэлемента, которые соединены между собою через дроссель 8.Вибродвигатель работает следующим образом.При включении вибродвигателя сигнал с генератора 7 переменного напряжения по дается к пьезоэлектрическим пластинкам пьезоэлемента 6, которые поляризованы в поперечном направлении. Направления векторов поляризации обеих пластинок совпадают, и они синхронно совершают резонансные высокочастотные колебания в продольном направлении. Так как один конец пьезоэлемента 6 жестко закреплен, а другой конец упруго сопряжен с ротором 1 из-за силы трения между ними, роторначинает вращаться с определенной скоростью. Сигнал с дат- го чика 2, частота которого...
Устройство для групповой загрузки стержневых деталей
Номер патента: 669429
Опубликовано: 25.06.1979
Авторы: Иванов, Кормщиков, Огнев, Разживин, Сафронов, Фролов
МПК: H01L 21/00
Метки: групповой, загрузки, стержневых
...кромка совпадает с верхней плоскостью трафарета, а на нижней поверхности магазина выполнены трапецеидальные пазы, соосные отверстиям трафарета. Кроме того, 5дно каждой ячейки магазина выполнено 0- образной формы.разоваными симметричо сужающимися к отверстиям 7 поверхностями. На нижней поверхности магазиа 1 выполнены трапецеядальные пазы 8, а шибер 2 снабжен отверстиями 9, количество которых равно сумме отверстий 7 ячеек и отверстий 10 трафарета 3. Отверстия 10 трафарета снабжены ориентатором деталей в виде ножаПод трафаретом 3 размещена кассета 4, снабженная гнездами 12 для деталей3.Устройство работает следующим ооразом, Стержни 13 засыпают в магазин 1 и вклю о чают вибропривод 5. Под действием вибрации и формы ячеек 6 детали занимают...
Зондовая головка
Номер патента: 669430
Опубликовано: 25.06.1979
МПК: H01L 21/66
...корпус 1 с нанесенным наего контактную часть электроизоляционным слоем 2, на котором расположен металлический зонд 3, соединенный с электроконтактным выводом 4.669430 Формула изобретения Составитель Н, Сменов Техред О. Луговая Корректор М. Пожо Тираж 922 Подписное ЦИ ИИ ПИ Государственного комитета СССР по делам изобретений н открытий 113035, Москва, Ж - 35, Раушская наб., д. 45 Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4Редактор М. РоговаЗаказ 365 044 На корпусе зонровой гловки расположено ограничительное кольцо 5, выполненное из трббки с внутренней полостью 6, заполненной жидким диэлектриком, например силиконовым маслом.Тонкий слой жидкого диэлектрика смачивает рабочую поверхность зондовой головки, реньшает коэффициент трения...
Способ охлаждения элементов тепловыделяющей электроаппаратуры
Номер патента: 669431
Опубликовано: 25.06.1979
Автор: Добров
МПК: H01L 23/34
Метки: охлаждения, тепловыделяющей, электроаппаратуры, элементов
...эффективности охлаждения.Это достигается тем, что охлаждение про изводится дискретно порциями хладагента и диэлектрика.На чертеже показан вариант устройства, реализующего предлагаемый способ.Система охлаждения выполнена для электрической схемы, состоящей из трех последовательно включенных силовых полупроводниковых вентилей 1. Между вентилями установлены охладители 2, имеюпцпс полости для протекания жидкости. Кажтый охладитель снабжен вверху стаканом 3 и внизу резервуаром 4 с задвижкой 5.Над каждым стаканом 3 установлена задвижка 6 от трубопровода 7. Задвижка м и 5 и 6 управляет узел, не показаннный на чертеже..) (лвп жкп б ОГкр(ивс 1 ю ГС 51 ц зс(крывс 110 Гся На Тс(КОЕ ВРЕМЯ, ЧТООЫ ЖИ 1 КЦЙ .ЛЯДс 1(ЕПТ, 1)Ю(ПИИ ТЕ)П(ЕРЯТР 1 иж(-...
Способ изготовления цепочек термоэлементов
Номер патента: 669432
Опубликовано: 25.06.1979
Авторы: Красильников, Нечипорук, Семенюк
МПК: H01L 35/02
Метки: термоэлементов, цепочек
...ширина которых равна одному из боковых рс.- меров термоэлемента, длина значительно превышает другой боковой размер, а Высота равна высоте термоэлемента, размещают между электропроводцичи платами 12, 13, 14, имеющими прорези, в которые вставляют дистанционные пластины 15, позволяю щие избежать шунтирования соседних брусков в процессе групповой пайки. Отрезая от блока резами, перпендикулярными ооковой поверхности полупроводниковых брусков, влосы толщиной равной боковочх рдзчер) тЕрМОЭЛЕМЕНта, ПОЛуЧаЮт двуХКИСКИдпыс цпочки термоэлементов с пдрдллс,ьным пит;- ниеч каскадов.Пример 1. Предлагаемый способ Оыл использован при изготовлении однокаскядных термоэлектрических микромодулей. Электропроводящие платы были выполнены В виде...
Криостат
Номер патента: 669433
Опубликовано: 25.06.1979
Автор: Борзов
МПК: H01L 39/02
Метки: криостат
...В к 1)11 остдтс эк);11 1 1. сверхпроводяпего матсрцдлд почсцьдст(я вце гелпсвой ечкостц 2, д именно н в)куух). ном пространстве 3 между гслиевой емко(тью и тепловым экраном 4. Охлдждсцпс экрдцд из сверхпроводящего материала осу(цсствляется от основной гелиевой емкости 2 по тепловыч мостам 5, которые выполняют также фуцкццк) опор, крепя(цих экран.Процесс экрдцпрованпя Осх шсствлястся следую)цпм Обрдзоч. В здхоложсцноч состо я ц и и м (1 Г ц и т н) 51 с и с те х 1 1 6 и э и р д н я ВГ 1 я к) тся св(.рпровод 51 п(пчп. Прп пол 1)с ток 1 в ОбхОткх мдпитцои .цстсчы 1)О.)р;)так)цс( ч д Г 11111(к 11,1( Р;1 51 1 Я 1;1 в 111 т н кп)- ндх токи, интор 1 с кох)1,. 1 сп 1) к) г 1) ).Гч 1 ссс 5 п(ия и ц(. пропуск 11 от пх 31 пр(хцх)ы экр 1 ц 1, Т. С....
Способ электролитического травления фосфида галлия
Номер патента: 632269
Опубликовано: 25.06.1979
Авторы: Криворотов, Литвин, Марончук, Пинтус
МПК: H01L 21/3063
Метки: галлия, травления, фосфида, электролитического
...Р Ог ис ( 1,. и ы й э а сБ О Р х с 3 с Е )ростьО 3 5 ч,с, в которьй по ружаот от- Рнис 1 Т(ссЬНЫИ ЭГЕКТРОЛ 4. ЗсТЕХ НВИР 5 ЖСЦИС5 куклу эг(с 1 ктролаз 3 3 и 4 ИО 3 ь 1 пск)т ло Ос)- РсЗОВс(НИЯ ЭГ(ЕКТРИсС.СКОГО НРОО)53 В СТРЧКГЗ - рс. 11 ри эточ ток через 0(рдзец 1 резко возРс 1 стс 1 ст, а нс 1 пэЯжс нис на н(. 1 псзлс 1(.т.,10 СТН Х 13 ЭКС РетБЛЬНЫХ ВЕ Ннц, НспР 51- жение и ток стремятся к первоначальным Зо ЗНДЧСПИЯЧ. КсК ТОЛЬКО НБПРЯжЕНИЕ НД ОО.рдзцс лстиаст Величины, неоохоличой лля н р азова 1 Ия п роси) я. процесс ИОВторяс тс 51.:ттот Д 3 ОКЛЕОДтСЛЬНЫЙ ПРОЕСС СОПРОВОж ЛДСГСЯ СЗС)ВЫЧ ИЗЛУЧЕНИСМ В ВЛИХ 031 Н- ,асти сн ктрд.Е)личина напряжения чсж;) электро- )сУ И Б ЧОХЦТ Нс 1 сЛД ПР(30051 СОСТДВ 15 С 1 140 10 Б Б зависим(сги (и...
Способ изготовления полупроводниковых приборов
Номер патента: 673206
Опубликовано: 05.07.1979
МПК: H01L 21/283
Метки: полупроводниковых, приборов
...не затрагиваются слои изалюминия, титана-золота или платиныэолота проводящих схем. Перед процессом травления нет необходимости проводить маскирование, которое осуществляется в тех случаях, когда слойдолжен быть удален локально.Согласно изобретению, проводящиедорожки 8-10 сами используются в качестве маски травления, причем жидкий травитель взаимодействует с про"межуточным слоем 7 через пространство между дорожками 8-.10 верхней проводящей схемы,Жидкий травитель воздействует напромежуточный слой 7 не только вертикально, но также и горизонтально ниже дорожек 8-10 (см. стрелки на фиг,2, а). Процесс травления продолжается столько времени-, сколько необходимо для полного исчезновения промежуточного слоя 7, за исключениемучастков...
Устройство для охлаждения
Номер патента: 674122
Опубликовано: 15.07.1979
Авторы: Евзеров, Кондратюк, Лабковский, Резинский, Шум
МПК: H01L 23/34
Метки: охлаждения
...ошиновка снабжена выводами, которые расположены в центральном отсеке вентиляционной платы, симметрично относительно горизон. тальной плоскости симметрии так, что10 концывыводов размещены в промежутке между ярусами в средней части указанного отсека.На фиг, 1 изображено предлагаемое15 устройство, вид спереди; на фнг, 2 - то же, вид сбоку.Устройство для охлаждения содержит корпус с панелями 1 и 2, образующими продольную вентиляционную шахту, кото 2 О рая разделена двумя вертикальными стенками 3 на отсеки, В крайних отсеках расположены вентили 4 с радиаторами, а в центральном ярусами - оствльные элементы ввнтильных цепочек и соединительная ощиновка 5,В средней части центрального отсека вентиляционной шахты в промежутке между нижним ярусом...
Устройство для групповой загрузки плоских деталей
Номер патента: 675486
Опубликовано: 25.07.1979
Автор: Штейн
МПК: H01L 21/00
Метки: групповой, загрузки, плоских
...горизонтальнойоси на угол 30 .Трафарет 1 представляет собой плас. 15тину с гнездами (отверстиями) 13, диаметр которых несколько больше диа"метра загружаемых деталей 14 (см. -Фиг, 2), а глубина гнезд выполняетсянесколько большей высоты деталей дляобеспечения попадания в гнездо трафарета не более одной детали.Устройство работает следующимобразом,Детали 14 засыпают в вибробункер,образованный площадкой 2, Г-образнойпланкой 5, и бортами 4 в количестве,в 3-5 раз превышающем количествоотверстий трафарета. Под трафарет 1угла загрузки, находящийся в горизонтальном положении, устанавливают 30две кассеты. Затем вибробункер нак"л няется вправо (см, фиг 3) наугл.Гдля первого пропуска детали и включается вибратор, Детали под действиемвибрации...
Способ многоуровневой металлизации больших интегральных схем
Номер патента: 598458
Опубликовано: 25.07.1979
Автор: Колешко
МПК: H01L 21/28
Метки: больших, интегральных, металлизации, многоуровневой, схем
...пленках алюминия о 1 снивастся из того, что данная примесь должна сконцентрироваться по границам зерен. Исходя из этого было установлено, что минимальная величина концентрации примесей, которую можно использовать для понижения электромиграции алюминия составляет, вес."/о. 5 с 1,66;0,003; гп 0,06;1.а 0,0001; Еп 1 О ; ТЬ, 1.у, Но, Ег Тгп,Ь 0,06; 1.п 0,07. Поэтому был определен средний нижний предел для всех РЗЭ 0,05 вес. о/,.М 1 кспмальная концентрация оценивается исходя из следующих соображений. Вопервых, рассматривается влияние процентного содержания легируюшего компонента на электропроводность пленки алюминия. Во-вторых, рассматривается поверхностная активность примеси и образование антикоррозионных поверхностных слоев, препятствуюп 1...
Способ получения р-п структур
Номер патента: 639358
Опубликовано: 30.07.1979
Авторы: Лисовенко, Марончук, Масенко, Сушко
МПК: H01L 21/208
...в арсениде галлия и его твердых растворах путем изменения температуры соответственно выше или ниже точки инверсии амфотерной примеси.Однако этот способ не пригоден для получения многослойных переходов с толстой площадью р - п-перехода; кроме того невозможно сохранить толщину перекристаллизуемой области, неизменной при значительной глубине перекристаллизации.Известен способ получения р - п-структур жидкостной эпитаксией при переходе через критическую температуру, а именно точку инверсии амфотерной примеси.Однако при использовании этого способа с понижением температуры изменяются коэффициенты согрегации примесей, что затрудняет получение структур с контролируемым распределением примесей (и состава твердого раствора) по толщине....
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 639362
Опубликовано: 30.07.1979
МПК: H01L 29/04
Метки: полупроводниковый, прибор
...сущности к предлагаемому является полупроводниковый прибор на основе р - п-структуры 2.Свойство известных устройств выпрямлять переменный электрический ток обусловлено тем, что сопротивление р - п-структуры сильно меняется при изменении мощности напряжения, прикладываемого к ри и-областям р - п-структуры.Однако в известных полупроводниковых приборах имеются краевые токи утечки, которые приводят к снижению пробивного напряжения.Цель изобретения - уменьшение краевых токов утечки и увеличение пробивного напряжения.Это достигается т опиковом приборе на рпо крайней мере одотуры выполнена нав При приложении переменного напряжения к р- и п-областям р - п-структуры происходит выпрямление электрического тока. Уменьшение краевых токов...
Способ получения полупроводниковых приборов на основе соединений типа а в
Номер патента: 599659
Опубликовано: 30.07.1979
МПК: H01L 21/18
Метки: основе, полупроводниковых, приборов, соединений, типа
...с малыми размерами планарных р - п-переходов (менее 5 - 1 лгклг) их. элекг,рофизические характеристики лучптаготся, если с начала на поверхности полупроводника формируют непрерывный ряд твер,-дых растворов с шириной запрещенной зогны, возрастающей к поверхностги с градиентом 10" - 10 В/с 11, а затем образуют пла: нарный р - и-переход, например, путем ,диффузии примеси в структуру.В этом случае существенно уыеньшаетгся кривизна р - и-перехода и уменьшается угол выхода р - и-перехода на поверхность.В овязи с этим возрастает пробивное .нап 1)5 жение. Уменг,цгение кривизны р - п-перехода и угла выхода его ца паверхность вызвано особенностями диффузии примеси в такой структуре. Коэффициент диффузии примеси резко, возрастает с увеличением...
Прибор с интегральной схемой
Номер патента: 679168
Опубликовано: 05.08.1979
Автор: Тьерри
МПК: H01L 27/12, H01L 29/76
Метки: интегральной, прибор, схемой
...3. Электрод 13 стока может также проходить через отверстие 24 в изоляционном слое до соприкосновения с областью 7транзистора 3. Электрод 25 затвора, которыйможет быть изготовлен из поликристаллического кремния р+.типа, располагается ца изоля.ционцом слое над каналом 19 носителей тока.Верхние части 8 и 20 каналов 7 и 19 со.ответственно являются относительно высокопегированцыь 4 и, в то время как нижние части9 и 21 - спабопегировацные. В устройствеверхние части 8 и 20 областей кацапов 7 и 19могут иметь концецтрашпо введенных приметсей примерно вх 10 атомов/см или да.же больше, обычно примерно до 1 х 10атомов/см";Нижние части 9 и 21 каналов 7 и 19 содержат при.меси проводимости примерно около О з атомов/см. Толщина верхних частей должна...