H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
Схема шунтировки
Номер патента: 934558
Опубликовано: 07.06.1982
Авторы: Аязян, Гейфман, Грехов, Куракина
МПК: H01L 23/52
Метки: схема, шунтировки
...40Ботс эмн Б Б=1 -1 = + Н эмм вде 1- ток удержания тиристора1 - доля тока утечки коллекЭторного перехода 10, текущего через катодный эмиттерный переход тиристора 4;Б - прямое падение напряжения2на диоде при протекании5через него тока 1 щ,В - эффективное сопротивлениеузкого базового слоя в направлении протекания отрицательного тока управления;Б - положительное напряжениена катодном эмиттерном переходе тиристора, соответствующее точке пересеченияпрямой, продолжающей участок с малым дифференциальным сопротивлением навольт-амперной характеристике диода с осью напряжений; 65 Б - прямое падение напряженияэммна катодном эмиттерном переходе тиристора, соответствующее доле тока утечкиколлекторного перехода 10,текущего через...
Устройство для измерения импульсных вольт-амперных характеристик полупроводниковых материалов
Номер патента: 935835
Опубликовано: 15.06.1982
Автор: Файнберг
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: вольт-амперных, импульсных, полупроводниковых, характеристик
...подсоединены ко входам стробоскопического осциллографа 5, коак"сиальную измерительную линию 6 за-.держки и исследуемый образец 7. Параллельно входам осциллографа 5 подсоединены две идентичные коаксиальные линии 8 и 9 задержки, нагружен 5 4ные на активные сопротивления 10 и11, а выходы осциллографа 5 подключены ко входам двухкоординатногосамописца 12. Вход синхронизации осциллографа 5 соединен с выходом генератора 1,Устройство работает следующим образом,Импульс от генератора 1 через линию 2 задержки поступает на входырезистивных зондов 3 и 4, где раз"деляется на три части. Первые два импульса через реэистивные зонды 3 и4 поступают на входы линий 8 и 9 задержки, а третий импульс подаетсянепосредственно на вход линии 6 за"держки....
Контейнер, преимущественно для электронно-микроскопических сеток
Номер патента: 936096
Опубликовано: 15.06.1982
Авторы: Алимов, Калашников, Караганов, Миронов, Панова
МПК: H01L 21/00
Метки: контейнер, преимущественно, сеток, электронно-микроскопических
...имеется единственное окно, извлечение сетки осуществляется при полном закрытии остальных ячеек с сетками,Контейнер изготавливается из органического стекла, ячейки продавливаются разогретой пресс-формой,Испытания контейнера для хранения электронно-микроскопических сеток показывают, что использованиеданного устройства полностью исключает какую-либо потерю или перепутывание электронно-микроскопическихсеток при работе с контейнером иповышает надежность и эффективность работы лабораторий электронной микроскопии. 5Контейнер, преимущественно дляэлектронно-микроскопических сеток,содержащий основание в виде диска сячейками для размещения электронно 1 О микроскопических сеток и соединеннуюс ним соединительным винтом крышкув виде диска,о т л и ч а...
Полупроводниковый преобразователь
Номер патента: 936097
Опубликовано: 15.06.1982
Авторы: Гольдин, Сазамбаева, Якименко
МПК: H01L 25/00
Метки: полупроводниковый
...перпендикулярны боковым поверхностям 19 и 20 коллектора16 и наклонены под углом с. к передней стенке 18 преобразователя.На боковой поверхности 19 междуребрами 17 закреплена шина 21, к которой прижат тиристор 8. С другой стороны к тиристору 8 прижаты шина 22и второй охладитель 10. Прижатие обеспечивается известным способом с помощью элементов 11 крепления.На боковой поверхности 19 закреплены изолятор 23, шина 24, На шинах22 и 24 закреплен предохранитель 12,Выводы 14 и 15 силового блока выполнены в виде труб, приваренных к концамшин 21 и 24, Выводы 14 и 15 охватывают штыри б и прижимаются к токоведущим шинам З,и 4 гайками 25, навинченными на концы штырей б.На боковой поверхности 19 закреплена ячейка 13 управления, в которойнаходятся...
Узел охлаждения
Номер патента: 937965
Опубликовано: 23.06.1982
МПК: F28D 15/02, H01L 23/34
Метки: охлаждения, узел
...помещеннаполнитель 21 с высокими диэлектрическими качествами. На кристалле 18нанесен кольцевой управляющий слой22, к которому подведен управляющий электрод 23 через отверстие в керамическом корпусе 1 . Параллельно внешней поверхности чашеобразных элементов 19 и 20 установлены с зазором перфорированные пластины 24 и 25. Зазоробеспечивается кольцевыми дистансо"рами 26 и 27, Пластины 24 и 25 фиксируются в заданном положении фиксаторами 28 и 29, изготовленными иэупругой проволоки в виде колец.В силовых фланцах б и 7 предусмотрены резьбовые соединения длягрупп болтов 8 и 9. Фланцы 6 и 7жестко соединены с наконечниками Ци 5. Контакты 2 и 3 моноблока помещены между конусными поверхностями наконечников 4,5 и прижимныхколец 10 и 11. Группы...
Способ измерения ширины запрещенной зоны полупроводникового варизонного слоя
Номер патента: 938218
Опубликовано: 23.06.1982
Автор: Каваляускас
МПК: H01L 21/66
Метки: варизонного, запрещенной, зоны, полупроводникового, слоя, ширины
...неточны или весьмасложны.Устройство для реализации предлагаемого способа (фиг. 4) содержит мо нохронометр 1,оптический криостат 2,фотоприемник 3, селективный усилительсинхронный детектор 5, самописец 6.Устройство работает следующим образом, зюВ оптический криостат 2 помещают исследуемый образец и охлаждают до . температуры близкой к 77 К. Узкий пучок монохроматического излучения модулируют по длине волны с частотойЗ 5 Я. при помощи кварцевой пластинки, установленной перед выходной щелью монохроматора 1, и направляют на узко- зонную сторону варизонного слоя под углом близким к нормальному (1 О ) . Отражение от слоя излучения направляют на фотоприемник 3, сигнал от которого усиливают селективным усилителем 4, настроенным на...
Устройство для ориентации, преимущественно слоистых по толщине плоских деталей
Номер патента: 938337
Опубликовано: 23.06.1982
Авторы: Пахомов, Семенов, Щербаков
МПК: H01L 21/00
Метки: ориентации, плоских, преимущественно, слоистых, толщине
...6, 1 О и 1 О закреплены своими осями, 11, поворотные ролики 6 и 7 выполнены ци"линдрической формь 1, а поворотныеролики 10 являются опорными роликами, Ориентирующая планка 1 установле на на подпружиненной тяге 12, подпружиненной посредством пружины 13, ориентирующая планка 2 снабжена штоком14 в виде винта со сферическим концом 15, а на конце подпружиненной тя 2 о ги 12 жестко закреплена планка 16и упор 17 в виде винта, размещенныев пазу 18 ориентирующей планки 1,планка 16 снабжена элементом 19 соединения с системой подачи сжатого 25 воздуха ( не показана), который вы"полнен в виде штуцера на планке 16закреплен своей осью 20 ролик 21элемента предварительной ориентациикинематически соединенный с ориен- зО тирующей планкой 1 посредством...
Фотошаблон и способ его изготовления
Номер патента: 938338
Опубликовано: 23.06.1982
Авторы: Гунина, Лаврентьев, Логутова, Поярков, Степанов, Черников
МПК: G03F 7/26, H01L 21/265
Метки: фотошаблон
...этогоне происходит "сшивание" фоторезистас маскирующей пленкой и положительный эффект не достигается.При легировании ионами с энергией более 2 ЬО кэВ происходит разогревание подложки до температуры, прикоторой происходит разрушение фоторезиста,Если доза легирования менее100 мкКл/см , то не достигается оптигмальная оптическая плотность, неполностью затягиваются проколы и,следовательно, цель изобретения недостигается.При дозе легирования. больше500 мкКл/см происходит разогревстеклянной подложки, что отрицательно влияет на качество легированного 1 Офоторезиста, резист разрушается.На чертеже изображен предлагаемыйфотошаблон, разрез,фотошаблон содержит стекляннуюподложку 1 с нанесенным .на нее маскирующим слоем 2 из металла илл...
Способ электронолитографии
Номер патента: 938339
Опубликовано: 23.06.1982
Автор: Марголин
МПК: H01L 21/312
Метки: электронолитографии
...сложность подведения потенциала Р случае изготовления больших интегральных схем БИС) и необходимость работы только с проводящей подложкой. 0Цель изобретения - повышение разрешающей способности и производительности процесса.Поставленная цель достигается тем, что в способе электронолитографии, включающем нанесение на подложку слоя негативного электронорезиста, его сушку, экспонирование, проявление и задубливание, задубливание проводят путем облучения электронорезиста пучком электронов или рентгеновским излучением дозой энергии О=О- С 4, где С - доза энергии, обеспечивающая полную полимеризациюэлектронорезиста;С- доза энергии, которои провом 35дят экспонирование электронорезиста.При использовании данного способа появляется возможность...
Контактное устройство
Номер патента: 938340
Опубликовано: 23.06.1982
Авторы: Власенко, Домбровский
МПК: H01L 21/66
Метки: контактное
...б передается центробеж" ному регулятору механизма регулировки усилия сжатия вывода, при вращении которого его кулачок 7 перемещается: ,по валу вверх, При этом двуплечие ры 1цаги 10 проворачиваются вокруг осей11, перемещают к центру две пары кон-. тактных головок 17 и 12, последние перемещаются вместе со своими контактами 18 и 13 соответственно, которые взаимодействуют с соответствующими выводами. подключаемого прибора 14. При этом одновременно происходит ориентация прибора относительно контак-, тов устройства.Поворот двуплечих рычагов 10 вокруг осей 11 осуществляется благодаря тому, что одни концы двуплечих рычагов опираются и взаимодействуют через шаровые опоры 9 с наружной боковой поверхностью 8 кулачка 7, выполненной по эвольвенте,...
Термоэлектрическое устройство для измерения слабых потоков лучистой энергии
Номер патента: 683460
Опубликовано: 23.06.1982
Авторы: Айрапетянц, Александров, Иванюк, Охотин, Стильбанс, Терехов, Шер
МПК: H01L 35/02
Метки: лучистой, потоков, слабых, термоэлектрическое, энергии
...Т, и Т 4, причем, Очевидно, Т 3 Т 4, 55Известно, что теплоотвод с указанныхсопротивлений пропорционален (Т, - Т,) и (Т 4 - Т,). Учитывая эквивалентность сопротивлений термопреобразователей 5 и 6 Я 5 Л 6) ИМЕЕМ; 60 Д, = ( - 11= К,(Т, - Т ),Я =( - ,", )+=к,(т, - т,блучистой энергии, размещено в общем баллоне 11.Работа предлагаемого устройства состоит в следующем. Перед началом измерений при облучении приемников 1 и 2 5дополнительным источником 10 лучистойэнергии регистрирующий прибор 9 устанавливают на нуль с помощью источника 8компенсирующего напряжения. Этим устраняется влияние отклонений параметров 10элементов, составляющих симметричныеплечи устройства и возможные локальныефлуктуации температуры. При наличииобоих потоков...
Устройство для измерения времени жизни неосновных носителей тока в полупроводниках
Номер патента: 940089
Опубликовано: 30.06.1982
Авторы: Бородянский, Цопкало
МПК: H01L 21/66
Метки: времени, жизни, неосновных, носителей, полупроводниках
...третьего ключа, управляющий вход которого 15через дополнительный элемент задержкисоединен с управляющим входом второго ключа и выходом генератораодиночных импульсов, выход элементазадержки соединен с управляющим входом первого ключа, выход третьего ключа подключен к первому входу элементасравнения и к первому выводу резистора,второй вывод которого соединен с второйобкладкой конденсатора, подключеннойк второму выходу датчика, выход блокауставки соединен с вторым входомэлемента сравнения, выход которогосоединен с управляющим входом четвертого ключа, соединенного через счетчик с блоком регистрации, к входу четвертого ключа подсоединен генераторимпульсов.На чертеже представлена структурная схема поедлагаемого устройства.Устройство содержит...
Устройство для преобразования световой энергии в электрическую
Номер патента: 862755
Опубликовано: 07.07.1982
Авторы: Айтхожин, Бутылкин, Гайдук, Григорянц, Жаботинский
МПК: H01L 31/04
Метки: преобразования, световой, электрическую, энергии
...люминесценции. Поскольку излучение люг о 15 20 25 зо 35 4 О д 50 55 оо ( минесценции является изотропным, часть его испытывает полное внутреннее отражение от поверхностей концентратора (с предельным углом полного внутреннего отражения 0,). Доля этого излучения, канализируемого концентратором, пропорциональна соз О,. Зеркальные поверхности 2 боковых торцов концентратора отражают это излучение внутрь концентратора. Зеркальная поверхность 2 тыльной стороны концентратора отражает излучение от источника света, не поглощенное при его прохождении через люминофор 3, и, таким образом, удваивает путь, проходимый этим излучением через люминофорную среду. Возбужденная излучением источника света люминесценция люминофора при своем распространении...
Многоколлекторная транзисторная структура
Номер патента: 786748
Опубликовано: 07.07.1982
Авторы: Галузо, Матсон, Пожиток
МПК: H01L 29/72
Метки: многоколлекторная, структура, транзисторная
...разделяется на базовый ток, текущий от эмиттерной области 2 через каналв подложке (базе), окруженный коллекторной областью 4, к омическому контакту базовой области 7 и коллекторный ток, текущий от эмиттера 2 через подложку(базу) 1 к коллектору 3,Вначале при увеличении выходного напряжеция коллектор-эмиттер прибор работает как обычный биполярный транзистор,т. е. с ростом напряжения происходит увеличение, а затем и насыщение тока коллектора (при этом входное напряжение базаэмиттер и ток базы остаются постоянными).Когда величина выходного напряжениядостигает значения, при котором ширинаобласти пространственного заряда р-и-перехода коллектор-подложка (база) сгановится равной расстоянию между коллекторными областями 3 и 4, происходит...
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 789019
Опубликовано: 07.07.1982
МПК: H01L 29/73
Метки: полупроводниковый, прибор
...при некотором напряжении происходит локальное смыкание областей эмиттерного и коллекторного переходов. Проводимость базы между коллектором 1 и областью 4 резко возрастает и между контактами эмиттера и коллектора образуется канал, по которому носители заряда из эмиттера попадают в коллектор, При этом основной частью канала является дополнительная слаболегированная область 6, а сильнолегированные области эмиттера 3 и 4 - эффективными контактами. Слаболегированная область 6 имеет меньшую концентрацию носителей, чем база полупроводникового прибора, что приводит к распространению области объемного заряда, в основном в дополнительную слаболегированную область 6.При приложении прямого напряжения смещения к переходу эмиттер-база сечение канала...
Камера для измерения параметров свч-двухполюсников
Номер патента: 943611
Опубликовано: 15.07.1982
Авторы: Большакова, Сурин
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...
Метки: камера, параметров, свч-двухполюсников
...арсенид индия, с помощью данной камеры осуществляется следующим образом.Измерением частоты СВЧ-сигнала генератора на измеряемом образце 13 устанавливается резонанс последовательного контура по минимуму мощности, проходящей в нагрузку. В этом случае последовательное эквивалентное сопротивление образца равноК = - у -2 1т где Е - волновое сопротивление отрезка коаксиальной линии,Т - коэффициент передачи,т =",Ргде Р 1 - мощность в нагрузке приотсутствии образца в линиипередачи;Р 2 - мощность в нагрузке при услоусловии последовательногорезонанса контура.Емкость С образца вычисляетсяпо значению эталонной индуктивности1. и частоты последовательного резонанса15 в Ь9Таким образом определяются параметры последовательной эквивалентнойсхемы...
Контактное устройство
Номер патента: 943923
Опубликовано: 15.07.1982
МПК: H01L 21/00
Метки: контактное
...сильного или резкого движения толкатеобретения является повы"ности функционирования,нная цель достигаетсядиэлектрическом вкладыи расширвнной части кониерстия выполнен вырезобразует клиновиднуюсредственно примыкающуюонического отверстия,3923 15 Формула изобретения Составитель Н.Глеклередактор СТимохина Техред Ж, Кастелевиц Коррект зят 6 Тираж 76 ВНИИПИ Государстве по делам изобре 3035, Москва, Ж, Подписого комитета СССРний и открытий Заказ 513 аушская наб д,Филиал ППП "Патент", г, Ужгород, ул. Проектная,3 .94На чертеже схематически изображено контактное устройство, разрез.Контактное устройство содержиткорпус 1 с запрессованными в негонеподвижными контактами 2, диэлектрический вкладыш 3 с соосными отверстиями 4 и 5 разного...
Контактное устройство для контроля интегральных схем
Номер патента: 943924
Опубликовано: 15.07.1982
Авторы: Белов, Кононов, Махаев, Миненков
МПК: H01L 21/66
Метки: интегральных, контактное, схем
...устройство для контроля интегральных схем содержит корпус 1 с установленными в нем пружинящими контактами 2, механизм перемещения контактов и привод 3, Механизм 1 Б перемещения контактов состоит из двух планок 4 и П-образного ползуна 5, подвижно установленных внутри корпуса 1, Одной стороной каждая планка 4 взаимодействует с контак- рц тами 2, а другой -. с ползуном 5. В соприкасающихся поверхностях планки 4 и ползуна 5 выполнены лунки б, образующие паз 7, в котором размещен шарик 8, Между планками 4 уста ц новлены пружины 9. Ползун 5 соединен с приводом 3.В исходном состоянии контакты 2 находятся в разомкнутом положении с выводами 10 интегральной схемы 11. Замыкание контактов 2 с выводами 10 интегральной схемы 11 производят с...
Кассета
Номер патента: 943925
Опубликовано: 15.07.1982
Авторы: Гурусова, Калин, Панов
МПК: H01L 21/68
Метки: кассета
...2 также установлена стойка 13,к которой прикреплена прижимнаяпланка 14 при помощи шарнира 15,Прижимное средство образовано прижимной планкой 14 с закрепленнымина ней упругими элементами 16 ипластинчатыми прижимами 17 со сферическими упорами 18. Между сферичес- .кими упорами 18 и обрабатываемымикорпусами микросхем расположеныспутники 19 с пазами 20 под выводы21 корпусов микросхем, На прижимной планке 14 закреплена рукоятка22, с помощью которой осуществляется поворот прижимного средства иего фиксация, Для ограничения ходаподвижной кулисы 8 на основании 2установлены упоры 23.Кассета работает следующим образом.В гнездо опоры 4, выполненной изтеплопроводного материала, устанавливают изделие, например корпус микросхемы,имеющий...
Способ изготовления германиевых точечных полупроводниковых диодов
Номер патента: 555762
Опубликовано: 23.07.1982
Авторы: Гавриленко, Загайтов, Кононенко, Кузовкин, Прохоров, Радомысленский, Шаповалов
МПК: H01L 21/18
Метки: германиевых, диодов, полупроводниковых, точечных
...германиевый кристалл,а чертеже изображен точечный германиевый диод, собранный по предлагаемому способу.Способ осуществляется следующим образомм.Для сборки держателя с кристаллом необходимы стеклянный баллон 1 с платиновым выводом 2, предварительно очищенный известными химическими способами для обеспечения смачивания вывода припоем, навеска 3 нз припойного сплава, никелевая прокладка 4, покрытая с двух сторон нанесенным гальваническим слоем припоя 5, кристалл 6, изготовленный из германия гг-типа. Детали помещаются в конвейерную печь, где в нейтральной среде при 400 - 500 С кристалл припаивается к никелевой прокладке, а никелевая навеска - к платиновому выводу После этого555762 Формула изобретения Редактор О. Филиппова Корректор А....
Устройство для регистрации параметров двухполюсников
Номер патента: 945829
Опубликовано: 23.07.1982
Авторы: Бодянский, Галузо, Горелов, Жаков, Илюнин, Курбангалеев
МПК: H01L 21/66
Метки: двухполюсников, параметров, регистрации
...сигнал поступает на вход источника 12, на выходе которого формируется сигнал Од,соответствующийтребуемой точности Д восстановленияфункциональной зависимости, Этотсигнал подается на первый вход компаратора 9, в котором он сравниваетсяс сигналом О, поступающим на вто-.рой вход. Разностный сигнал (Ор-О) подается на вход блока 10 анализа знака, В зависимости от знакасигнала возможны различные режимыдальнейшей работы устройства.Если (Ор-Од )0, сигнал проходитчерез диод Д 2 и поступает на входтриггера 11, который переходит в противоположное состояние, запирая элемент 23 и открывая элемент 24, Принажатии кнопки "Пуск" на второйвход элемента 28 также подается разрешающий сигнал, тогда напряжениеО через этот элемент и элементИЛИ 8 поступает...
Устройство для охлаждения полупроводниковых приборов
Номер патента: 945929
Опубликовано: 23.07.1982
МПК: H01L 23/36
Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов
...либо уменьшая передачу тепла в окружающую среду, 5Устройство работает следующим .образом,Тепло, поступающее от полупроводникового прибора, закрепленногона пластине, через корпус полупроводникового прибора передается на пластину, на биметаллическое основание,затем через него - на ребра с последующим рассеиванием тепла в окружающую среду. Биметаллическое основание, имеющее тепловой контактс пластиной, под действием полученного тепла изгибается, и зазоры междуребрами, установленными на слое сбольшим коэффициент м линейного рас- роширения, увеличивается, Чем большенагрев, тем больше изгиб и зазорымежду реЬрами, дающие возможностьпройти большему ко,ичеству хладагента. Отбор тепла от устройства уве-. 25личивается.При уменьшении...
Пороговый переключатель, управляемый магнитным полем, для переключения электрических постоянных величин
Номер патента: 945930
Опубликовано: 23.07.1982
Автор: Хэнтше
МПК: H01L 29/82
Метки: величин, магнитным, переключатель, переключения, полем, пороговый, постоянных, управляемый, электрических
...материала аморфной структуры, соединенных между собой последовательно состоит из двух,50последовательно соединенных пере-ключающих элементов 1 и 2, один изкоторых, шунтирован конденсатором 5,а точка отвода 6 переклюцаемой электрицеской постоянной величины расположена между переключающими элементами.На фиг,1 изображен пороговый переключатель, поперечное сецейие; на фиг.2 - электрическая схема порогово- го переключателя.Пороговый переключатель состоит из двух переключающих элементови 2, построенных из полупроводнико-. вого материала аморфной структуры. Переключающие элементы 1 и 2 расположены вдоль движения ползунка 3, который может приводиться в положение А или Е переключателем, клавишей или другим органом управления (не показан ) ....
Координатный привод
Номер патента: 946020
Опубликовано: 23.07.1982
Авторы: Акялис, Гинтарас, Гинтарене, Курило, Норвилас
МПК: H01L 21/68, H05K 13/02
Метки: координатный, привод
...основание 1,в нем установлены контактные пластины 2, подключенные к источнику импульсного напряжения ( не показан),расположенные в виде прямоугольника,изолированные между собой и фрикционно сопряженные со столиком 3 а также постоянные электромагниты ч ( основной и дополнительный) с катушками 5, которые подключены к коммута 3 946ционному устройству не показано , позволяющему их включать встречно, и расположены симметрично относительно геометрического центра столика.Устройство работает следующим образом.К источнику импульсного напряжения подключены две параллельные контактные пластины 2, а катушки .5- к источнику постоянного напряженияСтолик 3 замыкает параллельные пластины 2, образуя замкнутую цепь. При подаче импульса напряжения на...
Устройство для неразрушающего контроля полупроводниковых структур
Номер патента: 947791
Опубликовано: 30.07.1982
Авторы: Дроздов, Патрин, Подольный, Савотин
МПК: G01R 31/26, G01R 31/28, H01L 21/66 ...
Метки: неразрушающего, полупроводниковых, структур
...контроли руемой структуры.Функциональная схема устройства приведена на чертеже.Устройство содержит источник 1 света, луч которого проходит через 35 оптический модулятор 2, блок 3 управления, отклонякщую призму 4 с объективом 5, которые синхронно перемещаются по горизонтали механизмом б перемещения, электролитическую 4 О кювету 7, состоящую из прозрачного стекла 8 с нанесенным на него электродом 9 съема Фото-ЭДС в виде сетки и заполненного электролитом 10 корпуса 11, в котором Фиксируется 45 контролируемая структура 12. Кювета 7 перемещается механизмом .б в вертикальном направлении. Синхродетектор 13 подключен к структуре 12 клеммой 14 и к электрОду съема Фото-ЭДС- клеммой 15, блок 16 регистрации, клем му 17 дПускдУстройство...
Устройство для герметизации изделий
Номер патента: 947932
Опубликовано: 30.07.1982
Авторы: Бобков, Галочкин, Маханьков, Путов
МПК: H01L 21/00
Метки: герметизации
...герметизирующегоматериала 3 и сердечник 4 с каналами 5, жестко закрепленный верхнейчастью в головке 1 и с зазором 6 внижней части. В сердечнике 4 выполнено центральное осевое отверстие 7,сопрягающееся с коническим углублением 8 и соединенное с отверстием 9 вв головке 1 для подачи защитного газа. Сердечник 4 в своей средней частиимеет проточку 10 по наружной поверхности. Держатель 11 для закрепления изделий содержит зажим 12, Надержателе 11 закреплены зубчатое колесо 13, связанное с зубчатой рейкой14 приводного механизма 15 возвратно-поступательного движения (например, пневмоцилиндр), и ходовой винт16. Держатель 11 установлен в гайкекорпуса 17 ходовым винтом 16.Устройство работает следующим образом.60Установленное на основание 18...
Пьезоэлектрический преобразователь энергии
Номер патента: 947933
Опубликовано: 30.07.1982
Авторы: Андреев, Дубовик, Шапкин
МПК: H01L 41/08
Метки: пьезоэлектрический, энергии
...преобразования энергии,Поставленная цель достигается тем,что в пьезоэлектрическом преобразователе энергии, содержащем сегнетоэлектрический монокристалл 2-среза, последний выполнен из сегнетоэлектрическогониобата бария стронция Вао Зтц МЬО.На чертеже представлено устройство, общий вид.Пьезоэлектрический преобразовательсодержит монокристалл сегнетоэлектрического ниобата бария.: стронцияВа О З тО 6 МЬ,10 Ь, ВЫРЕЗаННЫй таК,что гранИ кристалла попарно перпендикулярны осям Х,У,2, а электрическое поле направлено по оси 2.Работа пьезопреобразователя заключается в том, что если переменноеэлектрическое поле Е направлено пооси 2, то в кристалле за счет пьезо947933 формула изобретения Составитель Б, БаевОгар Техред Л. Пекарь...
Пьезоэлектрический преобразователь перемещения дискретного действия
Номер патента: 947934
Опубликовано: 30.07.1982
МПК: H01L 41/09, H02N 2/04
Метки: действия, дискретного, перемещения, пьезоэлектрический
...ветви б и Х - для нисходящей ветви Ф Гистерезис определяется как разность между этими значениями=(ф ХС40Из графика видно, что для крайних точек Л и В петли гистерезиса такой днухзначности не существует, т.е,:о.хщ 45Предлагаемое выполнение устройстна позволяет упростить схему питания, так как в этом случае требуется применить источник питания с двумя или несколькими фиксированными зна чениями выходного напРяжения, а также осуществить непосредственное преобразование управляющих сигналов, представленных в кодовом ниде в соответствующее перемещение, что позволяет упростить схему управления, исключив из его состава высокоточный кодо-аналоговый или цифро-аналоговый преобразователь. 30 Формула изобретения Пьезоэлектрический преобразователь...
Устройство для измерения неравномерности коэффициента передачи тока транзисторов
Номер патента: 949555
Опубликовано: 07.08.1982
Автор: Попов
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: коэффициента, неравномерности, передачи, транзисторов
...4 нарастающего тока, заземленный через токосъемыый резистор 5, К клемме б коллектора транзистора подключен источник 7 напряжения коллектора контролируемого транзистора, блокирующий конденсатор 8, с помощью которого коллектор транзистора заземляется по переменному току. Клемма 9базы испытуемого транзистора заземлеыа через токосъемыый резистор 10,сигнал с которого после усиления вусилителе 11 подается через ключ 12и детектор 13 на вход измерителя 14отношения, а через пиковый детектор15 - ыа второй вход измерителя отношения, ыа выходе которого включен измерительный прибор 16. Управляющий вход ключа 12 соединен с токосъемыым 51015 25 30 35"ку задаются с помощью источника 7 напряжения коллектора и генератора 4 нарастающего тока в цепи...
Вибродвигатель
Номер патента: 949741
Опубликовано: 07.08.1982
Авторы: Буда, Жукас, Купчюнас, Любинас, Рагульскис
МПК: H01L 41/09, H02N 2/12
Метки: вибродвигатель
...двух пьезоэлементовпозволяет увеличить надежность рабо 30 ты и повысить мощность на 30-40.Также расширены функциональные возможности работы вибродвигателясоздана возможность вращать роторкак в прямом, так и в обратном напЗ равлении.Формула изобретенияВибродвигатель, содержащий ротор,консольно закрепленный пьезоэлемент,выполненный в виде двух жестко зак 40 репленных между собой пьезокерамических пластин, генератор переменного напряжения и блок управления, отличающийся тем,что, с целью повышения мощности, надежности и расширения функциональныхвоэможностей, он содержит дополнительно второй консольно .закрепленныйпьезоэлемент, подключенный к указанному генератору, триггер и четыревентиля, причем второй пьезоэлемент50 соединен с...