H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 830961

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Крыжановский, Марончук

МПК: H01L 21/208

Метки: галлия, наращивания, слоев, фосфида, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания слоев фосфида галлия из жидкой фазы, включающий принудительное охлаждение насыщенного раствора-расплава, содержащего нейтральный изовалентный компонент с атомным весом, большим атомного веса компонента соединения, при одновременном легировании азотом из газовой фазы, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации легирующей примеси в слоях, в качестве изовалентного компонента используется индий в количестве 30 - 70 ат.%.

Номер патента: 711947

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Корчков, Михайловский, Черепов

МПК: H01L 21/24

Метки: диодов, полупроводниковых

Способ изготовления полупроводниковых диодов путем нанесения на подложку определенного типа проводимости слоя диэлектрика, формирования в нем окон, создание области противоположного типа проводимости по отношению к подложке и контактов к ней, отличающийся тем, что, с целью уменьшения размеров p-n перехода и упрощения способа, формирование окон, создание области базы и контактов осуществляют путем электрического пробоя слоя диэлектрика при напряженности поля 105-107 В/см и плотности тока 106-107 А/см2.

Номер патента: 1228711

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Гурский, Кузнецов, Кузьмин, Сулимин, Трайнис, Черепов, Шалыгина, Шурочков

МПК: H01L 21/18

Метки: полупроводниковых, структур

Способ изготовления полупроводниковых структур, включающий операции формирования на подложке нихромовых плавких перемычек, формирования на них защитного слоя и разводки контактов, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа формирования защитного слоя, увеличения выхода годных структур, увеличения степени интеграции больших интегральных схем, формирование защитного слоя проводят путем термообработки нихромовых плавких перемычек в окислительной атмосфере при температуре 300 - 450oC.

Номер патента: 1114258

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Латута, Марончук, Носовский, Тузовский

МПК: H01L 21/324

Метки: кремниевых, подложек, термической

Способ термической обработки кремниевых подложек, включающий их нагрев в среде водорода в течение 1 - 4 ч, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества подложек за счет уменьшения плотности дефектов у рабочей поверхности подложек, на рабочую поверхность каждой подложки устанавливают пластину кварца или сапфира толщиной, в 2 - 4 раза большей толщины кремниевой подложки, и нагревают нерабочие стороны подложек до температуры 900 - 1200oC.

Номер патента: 919540

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: селективных, структур, эпитаксиальных

Способ получения селективных эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы, включающий перемещение подложки, контактирующей с узкой полоской расплава при принудительном снижении температуры, отличающийся тем, что, целью упрощения технологии получения многоэлементарных структур улучшения их качества, снижают температуру со скоростью 5 10-3 - 10-2 град/с, а скорость перемещения подложки устанавливают из соотношенияV=D/L,где V - скорость перемещения подложки, мкм/с;D - коэффициент диффузии компонента, растворенного в расплаве, см2/с;L - линейный размер периода...

Номер патента: 776400

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных структур наращиванием из жидкой фазы путем изотермического смешивания расплавов, содержащих низкоактивный и высоактивный компоненты системы твердых растворов, отличающийся тем, что, с целью получения структур твердых расплавов с шириной запрещенной зоны, возрастающей к поверхности, подложку предварительно покрывают слоем расплава, содержащего низкоактивный компонент, затем приводят в контакт с узкой полоской раствора-расплава, содержащего оба компонента и перемещают относительно ее со скоростью V = LD/(2h2) где L - ширина полости контакта, h - толщина слоя расплава на поверхности подложки, D - коэффициент диффузии высокоактивного компонента в...

Номер патента: 971041

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Криворотов, Марончук, Пивоварова, Рудая, Спектор

МПК: H01L 21/66

Метки: p-n-структур, электролюминесцентных

Способ контроля электролюминесцентных p-n-структур, включающий измерение интенсивности электролюминесцентного излучения со стороны эпитаксиального слоя, отличающийся тем, что, с целью неразрушающего контроля толщины p-n-областей электролюминесцентной структуры, дополнительно измеряют интенсивность электролюминесцентного излучения со стороны подложки и по отношению определяют толщину p-n-областей.

Номер патента: 1530009

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/265

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий термическое окисление кремния, вскрытие окон в окисле, напыление металла, фотолитографию по металлу с оставлением его в окнах и в участках над окислом по периметру окон, внедрение ионов N+2 и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью упрощения производительности, снижения затрат изготовления, ионы N+2 или O+2 внедряют в процессе обработки в плазме с напряжением 0,5 - 10 кВ в дозой облучения 1014 - 1016 ион/см2.

Номер патента: 1530020

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кантер, Федоров

МПК: H01L 21/68

Метки: крепления, подложек

Устройство для крепления подложек, содержащее основание и установленные на нем держатели в виде пружинной скобы с изогнутыми концами в плоскости держателя, отличающееся тем, что, с целью расширения эксплуатационных возможностей, концы держателя выполнены с дополнительным изгибом в плоскости, размещенной под углом к плоскости держателей.

Номер патента: 780742

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Криворотов, Марончук, Пинтус, Рудая

МПК: H01L 21/306

Метки: поверхности, полупроводниковых, структур

Способ обработки поверхности полупроводниковых структур, ширина запрещенной зоны которых меняется от максимального до минимального значения вдоль какой-либо координаты, включающий травление структур в электролите, отличающийся тем, что, с целью получения строго однородного молярного состава с заданной шириной запрещенной зоны по всей поверхности, и упрощения технологии, травление начинают с поверхности, имеющей минимальную ширину запрещенной зоны, и в процессе травления на поверхность структуры воздействуют электромагнитным излучением, максимальная энергия квантов которого лежит в интервале от минимального до максимального значения ширины запрещенной зоны исходной структуры.

Номер патента: 1471900

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/66

Метки: окисных, пленок, толщины, тонких

Способ измерения толщины тонких окисных пленок, включающий приведение исследуемой пленки в контакт с электролитом и пропусканием через образовавшуюся систему тока, отличающийся тем, что, с целью расширения класса исследуемых материалов, исследуемую пленку используют в качестве анода, подают на нее линейно изменяющийся во времени потенциал, измеряют вольт-амперную характеристику исследуемой пленки, определяют напряжение Uо, соответствующее началу скачкообразного возрастания тока, и рассчитывают толщину d исследуемой окисной пленки по формуле d = Uо/Еd, где Еd - дифференциальный напряженность электрического поля исследуемой окисной пленки.

Номер патента: 1119535

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Астахов, Герасименко, Ивахнишин

МПК: H01L 21/302

Метки: использования, образцов, структуры, твердых, тел

Способ изготовления образцов для исследования структуры твердых тел, включающий формирование границ раздела между разными участками структуры и последующее утонение образца, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа изготовления образцов, перед утонением на поверхности исследуемого тела создают ряд выступов прямоугольного или трапецеидального поперечного сечения, на боковых гранях которых формируют границы раздела.

Номер патента: 1119553

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Калухов, Чикичев

МПК: H01L 29/40

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий полупроводник из арсенида галлия p-типа проводимости, на котором сформирован барьерообразующий электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения потенциального барьера и обеспечения прозрачности, барьерообразующий электрод выполнен из окисла индия, легированного оловом до концентрации свободных носителей заряда 1-8 10 см-3.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.

Номер патента: 1646390

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Овсюк, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, полупроводниках, примесей, профиля

1. Способ определения профиля концентрации примесей в полупроводниках, заключающийся в подаче на полупроводниковый образец напряжения смещения, одновременном освещении полупроводникового образца двумя световыми потоками с частотами f1 и f2 и регистрации возникающих в полупроводниковом образце переменных напряжений с комбинационными частотами f1 + f2 и f1 - f2, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей и повышения точности измерений за счет выявления глубоких уровней примеси и измерения профиля их концентрации, дополнительно регистрируют две ортогональные составляющие суммарной или разностной...

Номер патента: 786699

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: iiibv, наращивания, полупроводников, типа, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводников типа AIII BV на жидкой фазе в процессе принудительного охлаждения раствора-расплава, включающий создание постоянных зон температур, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции обработки подложек и эпитаксиального наращивания, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества эпитаксиальных слоев и повышения экономичности производства, в первой зоне устанавливают положительный градиент температур 2 - 10oC/см и при температуре T1, превышающей температуру насыщенного расплава на 5 -...

Номер патента: 786720

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Дворецкий, Сидоров

МПК: H01L 21/368

Метки: поверхности, полупроводников

Способ обработки поверхности полупроводников, состоящий в удалении остаточного раствора-расплава с поверхности подложки механическим путем, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии получения гладкой, свободной от образований поверхности, удаление осуществляют путем приведения поверхности с остаточным раствором-расплавом в контакт с системой капилляров, охватывающей всю обрабатываемую поверхность.

Номер патента: 1025286

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, моп, схем

Способ изготовления МОП интегральных схем, включающий окисление кремниевой пластины, создание легированных областей истока и стока, нанесение контактов электродов на затворный диэлектрик и проводящих покрытий контактных дорожек, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции МОП интегральных схем на кремниевой пластине путем повышения порогового напряжения паразитных транзисторов и упрощения технологии, после нанесения контактов к истоку и стоку и электродов на затворный диэлектрик, проводят обучение структуры ионами водорода дозами 1016-1018 см-2 с энергией от 50 эВ, соответствующей глубина пробега ионов Rр такой, что Rр...

Номер патента: 1028196

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/324

Метки: iiibv, многослойных, соединений, структур, термообработки

Способ термообработки многослойных структур соединений AIII BV, включающий отжиг в градиенте температуры, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик приборов за счет выведения из рабочей области структур металлических микровключений, одновременно с отжигом производят облучение импульсами лазерного излучения с энергией квантов, на 0,1-0,3 эВ меньшей энергий края фундаментного поглощения полупроводника, со скважностью импульсов 102-103 и удельной мощностью 0,5-10 Дж/см2 с, причем лазерное излучение направляют излучение не менее нагретую поверхность...

Номер патента: 1028197

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-х Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку воздуха из ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузионный отжиг, отличающий тем, что, с целью снижения температуры отжига и расширения интервала регулирования концентрации электронов в полупроводниковых соединениях, качестве вещества - источника паров - загружают PbBr2 в количестве 0,1 = 1 г, а отжиг проводят при температуре образца 623 - 873 К и температуре навески PbBr2 573 - 773 К.

Номер патента: 1028198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильева, Дворецкий, Максимов, Сабинина, Сидоров, Шахина

МПК: H01L 21/324

Метки: xsnxte, полупроводниковых, соединений

Способ обработки полупроводниковых соединений PbTe и Pb1-x Snx Te, включающий загрузку в ампулу образца, вещества - источника паров, откачку ампулы, заполнение ампулы водородом и диффузный отжиг, отличающий тем, что, с целью обеспечения возможности независимой регулировки концентрации носителей заряда в обработанном материале и скорости диффузии, в качестве вещества - источника паров - в ампулу загружают PbBr2 в количестве 5 - 10oC10-3 г на 1 см3 объема ампулы и теллур в количестве 4,55 - 85,5oC 10-6 г на 1 см3 объема ампулы.

Номер патента: 1424638

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремния, легированных, мелких, ним, слоев

Способ изготовления мелких легированных слоев кремния и контактов к ним, включающий ионную имплантацию примеси и кремний, постимплантационный отжиг, нанесение пленки силицидообразующего металла и термический нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств n-p-переходов за счет формирования мелких n-p-переходов в бездефектной области кремния, пленку силицидообразующего металла наносят толщиной от где Rp - проецированная длина пробега ионов примеси; Rp - рассеяние величины проецированного пробега ионов примеси;...

Номер патента: 1752133

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова

МПК: H01L 21/306

Метки: n+-nили, p-n-типа, кремниевых, локального, полирующего, растворения, структур

Способ локального полирующего растворения кремниевых структур n+-n- или p-n-типа, включающий помещение образца, используемого в качестве анода, и катода в электролит - водный раствор плавиковой кислоты - и последовательное электролитическое растворение слоев структуры, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, после растворения n+- или p-слоя поверхность структур промывают дистиллированной водой, а растворение n-слоя проводят при концентрации электролита, определяемой из выражения C = 1,6/d2, где d - диаметр участка локального растворения (мм), при этом величину прикладываемого между анодом и катодом напряжения определяют по формуле V = 2,7 + 1,32 lg...

Номер патента: 1036214

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Чаплик, Яковкин

МПК: H01L 27/20, H01L 29/02

Метки: волн, генерации, гиперзвуковых

1. Способ генерации гиперзвуковых волн путем воздействия электромагнитного излучения на пьезополупроводник, отличающийся тем, что, с целью обеспечения непрерывной генерации когерентных гиперзвуковых волн с сохранением линейной зависимости их интенсивности от интенсивности воздействующего излучения, на поверхности пьезополупроводника создают двумерно-проводящий слой и в нем возбуждают двумерную плазменную волну ленгмюровского типа.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что двумерно-проводящий слой выполняют в виде полупроводниковой пленки.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что двумерно-проводящий слой выполняют в виде инверсионного канала в структуре металл-диэлектрик-полупроводник.

Номер патента: 1254960

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Клименко, Недосекина

МПК: H01L 21/00

Метки: микроэлектроники, полупроводниковой

1. Устройство для очистки изделий полупроводниковой микроэлектроники, содержащее воздушное сопло с установленным на нем рабочим органом, отличающееся тем, что, с целью улучшения эксплуатационных возможностей и повышения качества очистки, рабочий орган выполнен в виде плоской пружины, консольно закрепленной на конце воздушного сопла, и гибкого стержня, закрепленного своим концом на свободном конце плоской пружины.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что гибкий стержень выполнен из вольфрама.

Номер патента: 803757

Опубликовано: 20.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/324

Метки: структур, эпитаксиальных

Способ обработки эпитаксиальных структур, включающий отжиг при температуре ниже температуры их получения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности электрофизических параметров и уменьшения явлений деградации в приборах на их основе, отжиг проводят в градиенте температуры 30 - 100oC/см, направленном от эпитаксиального слоя к подложке, при средней температуре 300 - 600oC.

Номер патента: 1762689

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: геттерирования, дефектов, кремнии, примесей

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менеегде W - плотность энергии импульса, Дж/см2;ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см;R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм;d - толщина...

Номер патента: 1507132

Опубликовано: 20.11.1999

Автор: Елисеев

МПК: H01L 21/306

Метки: атмосферы, загрязнений, защиты, компонентами, кремния, поверхности, углеродсодержащими

Способ защиты поверхности кремния от загрязнений углеродсодержащими компонентами атмосферы, включающий снятие окисла во фтористоводородной кислоте и формирования защитного окисла в растворе, содержащем соляную кислоту, перекись водорода и воду в соотношении 3 : 1 : 1, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня углеродных загрязнений в защитном окисле, после снятия окисла во втористоводородной кислоте образец кремния обрабатывают электрохимически в водном растворе соляной кислоты в соотношении 1 : 3 в течение 45 - 60 мин, причем образец кремния используют в качестве катода, при плотности тока на образце 50 - 100 мА/см2, после электрохимической обработки в раствор добавляют...

Номер патента: 1816116

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Бобылев, Добровольский, Небрат, Овсюк, Попов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик

Устройство для измерения характеристик полупроводников, содержащее первый и второй источники света, оптически связанные с первым и вторым входами световода с полупрозрачным металлическим электродом, установленным на выходе световода, направленного на полупроводниковый образец, изолированный от полупрозрачного металлического электрода и подключенный к первому выходу источника смещения, первый и второй селективные делители, переключатель, первый вход которого соединен с шиной нулевого потенциала, первый регулируемый усилитель, емкостный делитель, нуль-орган, выход которого подключен к входу RC-фильтра, фазовращатель и первый и второй синхронные детекторы, первые и вторые входы которых...

Номер патента: 1225431

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Могильников, Репинский

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, осаждения, пленок

Способ осаждения пленок нитрида кремния, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование и подачу в зону осаждения парогазовой смеси тетрахлорида кремния и аммиака при пониженном давлении, отличающийся тем, что, с целью безотходного использования реагентов, исключения загрязнений атмосферы и исключения использования инертного газа-носителя, парогазовую смесь формируют, подавая пары тетрахлорида кремния в возвратно-циркулирующий поток аммиака, причем общее давление в зоне осаждения поддерживают постоянным подачей в нее аммиака.