H01L 21/268 — с использованием электромагнитного излучения, например лазерного

Номер патента: 439240

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Глазков, Козлов, Макаревич, Мельников, Райхман

МПК: H01L 21/268

Метки: генерирования, микроприборов, микросхем, рисунков, топологии, электронно-лучевого

...путем экспонирования электронно-чувствительного слоя системой неотклоняемых электронных пучков, создаваемых короткофокусными электронно-оптическими системами. Растровая развертка лучей по поверх ности экспонируемого слоя осуществляется засчет перемещения подложки, закрепленной на координатном столе, совершающем синусоидальные колебания вдоль одного из направлений и шаговые перемещения в ортогональ ном направлении с дискретностью, соответствующей ширине электронного пятна. При этом мгновенное положение стола контролируется по индикации вторичной эмиссии электронов, возникающей при сканировании одного или 20 нескольких электронных пучков по растровымзнакам, расположенным на каретках стола.На координатном столе 2 закрепляют...

Номер патента: 880174

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/268

Метки: отжига, пластин, полупроводниковых

...того, в этом способе трудно реализовать 35высокую производительность процесса.Наиболее близким техническим реше"нием к настоящему изобретению является способ отжига полупроводниковыхпластин импульсами некогерентного .40электромагнитного излучения миллисекундного диапазона 13 1.Требуемая в этом способе высокаяплотность энергии и излучения приводитк необходимости использования форсиро 45ванного режима ламп-источников излучения, что существенно снижает ихдолговечность и отрицательно сказывается на надежности способа и безопасности работы. 50Кроме того, облучение пластин содной стороны создает условия для возникновения повышенных термических напряжений, особенно в начальный момент взаимодействия мощного луча света с поверхностью, что на...

Номер патента: 1149742

Опубликовано: 30.09.1985

Авторы: Гудков, Кашпаров, Колобашкин, Котляров

МПК: G01N 1/04, G21C 17/06, H01L 21/268 ...

Метки: отбора, проб

...режим воздействиялазерного излучения на материал образца при отборе проб исключаетвозможность искажения первоначальныхпрофилей концентрации примесей засчет термодиффузии, Если плотностьпотока энергии излучения менее5 10 Вт/см, происходит термонагрев образца, приводящий к нарушению распределения примесей, с одновременным падением скоростииспарения материала. Если плотностьпотока энергии излучения более510 Вт/см или диаметр Фокального3пятна превышает 0,1 диаметра образца, на поверхности микросферы образуются воронки, глубина которых достигает 1-27 диаметра образца, что снижает качество отбора проб.Отличительной особенностью предлагаемого устройства для отбора проб является размещение образца в аэродинамическом подвесе,что позволяет...

Номер патента: 1610521

Опубликовано: 30.11.1990

Авторы: Буфан, Виноградов, Иванов, Морозов, Нечаев, Новиков, Яковлева

МПК: G03F 7/20, H01L 21/268

Метки: лазерное, печатных, плат, растрового, типа, фотошаблонов

...13. Поворотное зеркало 7направляет луч, прошедший фокусирующую систему 6, на вращающуюся зеркальную призму 8, которая обеспечивает его горизонтальную развертку каждой гранью, Развернутый луч направляется поворотным зеркалом 10 накадровое отклоняющее зеркало 11, обеспечивающее кадровую развертку лучана кассете с фотоматериалом 13. Вклю 40чение и выключение луча осуществляктоптическим затвором 4.В качестве технологического лазера в устройстве можно использоватьаргоновый лазер непрерывного действия(длина волны излучения 0,48 мкм,45 мощность 50 мВт), Оптическая система 3 представляет собой трубку Галилея, оптический затвор 4 выполнен на основе промышленного акустооптического модулятора МЛ, фокусирующая си "тема 6 включает в себя...

Номер патента: 1584649

Опубликовано: 15.04.1991

Авторы: Баязитов, Галяутдинов, Туриянский

МПК: H01L 21/268

Метки: имплантированных, кремния, отжига, слоев

...пласти. ны с толщиной 400 мкм р 10 Ом.П р и м е р .4. То же,. что,в при" меах 1-3, но в качестве источника 10 изучения для проведения антнпланариоо отжига на длине волны М0,9 мкм ийользуют лазер на кристалле ЫР (с Р-ентрами)., накачиваемый рубиновым лайнером наносекундного диапазона. 15,П р и м е р 5. То же, что в при-, мерах 1-4, но в качестве источника излучения для проведения антипланариого отжига на длине волны М 1,2 мкм исттользук 1 т на кристалле ИР (с Р"цент"20 рами , накачиваемой лазером УАСМ+Предлагаемое изобретение позволяет значительно повысить эффективность отжига имплантированных слоев кремния при облучении полупроводниковойпластины импульсом света наносекундного диапазона с антипланарной стороны, Отжиг может быть...

Номер патента: 1554671

Опубликовано: 07.04.1992

Авторы: Болтунов, Иванов, Никеенко

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, низкоомных, омических, проводимости, р-типа, теллуриду, цинка

...Облуцение образца со стороны металлической пленки не приводитк положительному результату. Источником излучения служил лазер на неодимовом стекле, работающий в импульсном режиме с длительностью импульса0,5 мс и энергией кванта, меньшешириНы запрещенной эоны теллуридацинка (1 1, =1,1 эВ, Г (300 К)2,25 эБ). Лазерное излучение Фокусировалось на образце с помощьюлинзы, Плотность мощности излученияизменялась от 1,8 до 2,8 10 Втсм2путем перемещения линзы относительнообразца.Выбор нижнего предела плотностимощности излучения обьясняетсл тем,что при меньших мощностях облученияположительньй результат не достигается. При значениях плотности мощности больше 2,8 10 Вт/см наблюдалосьйразрушение передней поверхности...

Номер патента: 1589926

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Брянцева, Винценц, Любченко, Юневич

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

...при малых на- пряжениях дает несколько большее, чем в примере 1, общее сопротивление В = 25 Ом.Выход за пределы рекомендуемого.оинтервала значений Е в сторону11уменьшения атой величины приводит к тому, что в области контакта остается модифицированный потенциальный барьер, Например, при Г= 1,4 10 Дж (Е = 0,28 Дж/см) вольт-амперные ха 8рактеристики диодных структур - кривая 4 на Фиг. 1 - носят асимметричный характер, относительно нулевого напряжения. Это свидетельствует о сохранении остаточного барьера в структуре металл-полупроводник,Наклон ВАХ при малых напряжениях дает н этом случай высокое общее сопротивление - 65 Ом. Дальнейший выход,из рекомендуемого интервала значений Е (Е,=1,0510 вДж, Е= 0,21 Дж/см 2) приводит к тому что ВАХ...

Номер патента: 1762339

Опубликовано: 15.09.1992

Авторы: Кагадей, Проскуровский, Янкелевич

МПК: C23C 14/50, H01L 21/268

Метки: держатель, пластин, полупроводниковых

...фиксаторов одно из лезвий 2, закреплено с возможностью поворота относительно другого лезвия 2, например. с помощью винтового соединения, что необходимо для осуществления загрузки-выгрузки пластин 3. Материал лезвий должен отвечать следующим требованиям:1. Быть хорошим проводником для обеспечения стока электрического заряда при обработке пластин пучками заряженных частиц;2. Иметь низкую теплопроводность для достижения минимального теплоотвода от обрабатываемой пластины;5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 3, Иметь высокую температуру плавления и достаточную химическую пассивность;4, Иметь хорошую конструкционную прочность.Всем этим требованиям в достаточной степени удовлетворяют тугоплавкие металлы, например, ЧЧ, Та, Мо.Толщина лезвий должна...

Номер патента: 2000630

Опубликовано: 07.09.1993

Авторы: Агеева, Броневой, Гуляев, Калафати, Кумеков, Миронов, Перель

МПК: H01L 21/268

Метки: изменения, оптической, полупроводников, прозрачности, прямозонных

...энергиях Юе"возбуждающего импульса, Максимальнаяэнергия Юе возбуждающего импульса,проходящая через область зондирования"0 ифотона возбуждающего света равняется 1,437 эВ ( Л=863 нм) и иа 11 мэВ превышает величину Ер (ширина запрещеннойзоны). то=о в положении, где находитсямаксимум кросс-корреляционной функцииО (тд ) возбуждающего и зондирующего импульсов.Кривая просветления (фиг.1) при наименьшем 9/в в согласии с тривиальнымипредставлениями демонстрирует возрастание просветления в течение возбуждающего импульса, а затем медленный спад спостоянной времени 500 пс - тр - времениспонтанной рекомбинации.Подобный обратимый характер просветления наблюдается в широком диапазоне длин волн зондирующего излучения,При этом спектр остаточного...

Номер патента: 1766210

Опубликовано: 15.04.1994

Авторы: Дорофеева, Комов, Кричевская, Ленивкин, Ленивкина, Стольниц

МПК: H01L 21/268

Метки: металлов, осаждения, пленок, полупроводниковых, халькогенидов, химического

СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ, включающий размещение подложки в электролите на основе халькогенсодержащего соединения, нагрев электролита с подложкой до температуры осаждения, формирование на подложке центров кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости осаждения, улучшения электрофизических свойств и получения локальных пленок, формирование центров кристаллизации осуществляют одновременно с нагревом электролита и подложки путем импульсного лазерного облучения с длиной волны излучения из области поглощения молекул халькогенсодержащего соединения, плотностью мощности на подложке 104 - 107 Вт/см2, длительность импульсов 10-5 -...

Номер патента: 1826815

Опубликовано: 27.03.1995

Авторы: Демчук, Лабунов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, рекристаллизации, слоев

...40 50 55 слоя поликристаллического кремния формируется слой монокристаллического кремния с большой плотностью двойников, однородно распределенных по толщине.0 двойниковании в структуре свидетельствовало появление симметричных точечных рефлексов в электронограммах поверхности и характерного рельефа .травленной поверхности. При этом данный способ позволяет формировать микронные дендритные слои однородные по толщине и достичь поставленной цели,П р и м е р 2, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 7 нс. Положительный эффект достигался.П р и м е р 3, В отличие от примера 1 длительность импульса лазерного излучения составляла 0,5 нс (лазер работал в режиме синхронизации мод). Положительный эффект не...

Номер патента: 1176777

Опубликовано: 10.05.1995

Авторы: Вахтель, Гитли, Еремин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Лобов, Фетисова

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий формирование на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонки порогового напряжения, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и повышения точности подгонки, подгонку порогового наряжения производят после формирования металлической разводки путем облучения структуры рентгеновским излучением дозойгде D доза облучения, Р;E3 ширина запрещенной зоны диэлектрика, эВ; относительная диэлектрическая проницаемость диэлектрика;m массовый...

Номер патента: 1452398

Опубликовано: 27.05.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, нанесения металлической разводки и подгонки порогового напряжения, которую проводят после нанесения металлической разводки путем облучения подложек с транзисторами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной величине необходимого изменения порогового напряжения U отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов путем локализации обработки рентгеновским излучением, после нанесения металлической разводки измеряют геометрическое распределение пороговых напряжений...

Номер патента: 1436768

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Колесников, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: интегральных, мдп-больших, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ (МДП-БИС) с пороговым напряжением Uо, включающий формирование в кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью уменьшения разброса параметров МДП-БИС и увеличения процента выхода годных, облучение рентгеновским излучением проводят до дозы насыщения, затем снимают гистограмму распределения порогового напряжения МДП-БИС на пластине, определяют по гистограмме величину минимального порогового напряжения Uмин и разность

Номер патента: 1419418

Опубликовано: 09.06.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Евсеев, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Стоянов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ, включающий операции формирования на кремниевой подложке областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлической разводки и подгонку порогового напряжения на величину Un путем облучения подложки со структурами дозой рентгеновского излучения, пропорциональной Un, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа путем сокращения времени на выполнение операции подгонки, а также улучшения температурной стабильности параметров транзисторов, облучение подложки со структурами проводят при нагреве подложки до...

Номер патента: 1762688

Опубликовано: 20.08.1995

Авторы: Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов, Татаринцев

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения сформированных структур пучком рентгеновского излучения, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа при подгонке БИС, содержащих две различных группы МДП компонентов, одновременно с рентгеновским излучением структуры облучают ультрафиолетовым излучением, а соотношение между коэффициентами подгонки двух групп МДП компонентов регулируют путем изменения соотношения интенсивностей рентгеновского и ультрафиолетового излучений Iу/Iр, устанавливают это соотношение, исходя...

Номер патента: 1499614

Опубликовано: 20.09.1995

Авторы: Вахтель, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Мокшин, Остроухов

МПК: H01L 21/263, H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ по авт. св. N 1176777, отличающийся тем, что, с целью повышения точности подготовки пороговых напряжений и увеличения процента выхода годных МДП-транзисторов, перед облучением структур рентгеновским излучением, ионным легированием примесью в подзатворную область проводят предварительный сдвиг среднего значения порогового напряжения до значения МДП-транзисторов, а U0-заданное пороговое напряжение.

Номер патента: 1752128

Опубликовано: 27.09.1995

Авторы: Бугров, Гитлин, Ивакин, Кадменский, Левин, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: бис, мдп

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП БИС, включающий формирование МДП-структур и подгонку порогового напряжения до требуемой величины путем облучения сформированной структуры рентгеновским излучением с последующим высокотемпературным отжигом, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет расширения диапазона подгонки порогового напряжения, цикл облучение отжиг при подгонке проводят не менее двух раз.

Номер патента: 1464797

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Гитлин, Замотайлов, Ивакин, Кадменский, Левин, Лобов, Остроухов

МПК: H01L 21/268

Метки: мдп-транзисторов

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МДП-ТРАНЗИСТОРОВ с пороговым напряжением Uо, включающий формирование на кремниевой пластине областей истока, стока и слоя подзатворного диэлектрика, формирование металлизированной разводки и подгонку порогового напряжения путем облучения пластины рентгеновским излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа, а также улучшения точности подгонки порогового напряжения и увеличения процента выхода годных изделий, облучение рентгеновским излучением проводят дозой насыщения, после чего пластины облучают ультрафиолетовым излучением с энергией квантов в интервале 4,35 8,8 эВ и проводят их термический отжиг, причем первоначально экспериментально определяют изменение порогового...

Номер патента: 1217185

Опубликовано: 10.05.1996

Автор: Чесноков

МПК: H01L 21/268

Метки: пластин, поверхности, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН, включающий их помещение в нейтральную среду или вакуум и последующее испарение загрязняющих частиц путем облучения поверхности лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки, используют излучение с длиной волны, меньшей среднего размера поперечника удаляемых частиц.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что используют излучение с длительностью импульсов не более 10-10с.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что лазерный луч направляют на поверхность наклонно к ней.

Номер патента: 1568803

Опубликовано: 10.11.1997

Авторы: Двуреченский, Коляденко

МПК: H01L 21/268

Метки: изоляторе, кремния, монокристаллических, островков

Способ изготовления монокристаллических островков кремния на изоляторе, включающий формирование на монокристаллической подложке разделительного диэлектрика, осаждение слоя поликремния, формирование островков поликремния, осаждение капсулирующего диэлектрического слоя и рекристаллизационный отжиг импульсным нагревом в режиме плавления поликремния, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона используемых разделительных диэлектриков и упрощения технологии, островки поликремния располагают на расстоянии 5 50 мкм друг от друга, а рекристаллизационный отжиг проводят при длительности импульса 1 30 мс и плотности энергии излучения 24 100 Дж/см2.

Номер патента: 1190857

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Мясников, Ободников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых

Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин путем воздействия на поверхность лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения очистки поверхности пластин от механических загрязнений, кремниевые пластины подвергают воздействию лазерного излучения с длиной волны 1,06 0,000365 мкм, удельной мощностью 318 Вт/см2 - 15 кВт/см2 и длительностью воздействия 50 - 200 мс.

Номер патента: 1289294

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Едренов, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий обработку поверхности кремниевых пластин импульсом электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности операции сглаживания краев пластин, обработку всей поверхности пластин проводят импульсом некогерентного излучения при длительности импульса от 1 до 250 мс и удельной мощности от 0,3 до 140 кВт/см2.

Номер патента: 1452399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Ободников, Юрков

МПК: H01L 21/268

Метки: кремния, легирования, поликристаллического, слоя

Способ легирования слоя поликристаллического кремния, включающий внедрение ионов легирующей примеси и импульсный отжиг некогерентным источником света, отличающийся тем, что, с целью уменьшения поверхностного сопротивления слоя и увеличения его стабильности при последующих термических обработках, перед внедрением ионов легирующей примеси проводят отжиг слоя поликристаллического кремния в потоке инертного газа в диапазоне температур 950-1100oC в течение 10-45 мин.

Номер патента: 1220512

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Клименко

МПК: H01L 21/268

Метки: индиевых, столбов

Способ обработки индиевых столбов, включающий оплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения надежности контактов, столб подвергают многократному расплавлению импульсным лазерным излучением и последующей рекристаллизации, при этом плотность мощности излучения распределена радиально симметрично и имеет кольцевую структуру, причем K1<d<r<sub>o, где d - половина диагонали индиевого столба, rо - внешний радиус лазерного пучка превышает d на 10-20%, r4 - внутренний радиус лазерного пучка, который составляет 30-70% от d, а частота следования импульсов составляет 20-25 Гц.

Номер патента: 1762689

Опубликовано: 20.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: геттерирования, дефектов, кремнии, примесей

Способ геттерирования примесей и дефектов в кремнии, включающий создание на нерабочей стороне подложки лазерных нарушений с шагом не более и последующий термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности за счет полного использования лазерных нарушений и производительности процесса геттерирования, лазерные нарушения создают с шагом не менеегде W - плотность энергии импульса, Дж/см2;ф - диаметр пятна лазера на поверхности подложки, см;R - ширина зоны, свободной от дефектов, мкм;d - толщина...

Номер патента: 1459538

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильев, Герасименко, Мойзеш

МПК: H01L 21/268

Метки: арсениде, галлия, контактов, омических, формирования

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия, включающий нанесение на полупроводниковую подложку проводящего покрытия и термообработку ее СВЧ-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов и повышения процента выхода годных за счет уменьшения контактного сопротивления с одновременным устранением опасности разрушения подложки в процессе СВЧ-обработки, термообработку СВЧ-излучением проводят с частотой 0,95 - 10 ГГц при времени обработки 30 - 300 с при нерастающей плотности мощности излучения от (2 - 10) до (10 - 200) Вт/см2 в течение времени, равного 10 - 50% времени обработки.

Номер патента: 1635819

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Серяпин, Смирнов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе, включающий нанесение диэлектрической пленки на подложку из монокристаллического кремния, нанесение слоя поликремния на диэлектрическую пленку и рекристаллизацию поликремния путем предварительного подогрева структуры и облучения сканирующим сфокусированным лучом, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур при одновременном упрощении способа, предварительный подогрев ведут со стороны слоя поликремния, а облучение сканирующим лучом ведут со стороны подложки при мощности излучения, достаточной для начала образования на облучаемой поверхности островков жидкой фазы, но недостаточной для образования сплошной расплавленной зоны.

Номер патента: 676109

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Короткова, Коршунов, Миркин, Тихонов

МПК: H01L 21/268

Метки: инверсных, материалах, полупроводниковых, слоев

1. Способ получения инверсных слоев в полупроводниковых материалах путем их плавления воздействием импульсного лазерного излучения с последующей рекристаллизацией оплавленного слоя, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективной подвижности и концентрации носителей заряда в слое и использования его для упрощенного изготовления многоэлементных структур, лазерное воздействие осуществляют в режиме образования выпуклой зеркальной поверхности рекристаллизованного слоя.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, с целью увеличения в антимониде индия эффективной подвижности электронов до (4 - 6) 104...

Номер патента: 677597

Опубликовано: 20.09.2001

Авторы: Газуко, Коршунов, Лукашова, Миркин, Постников, Шпирт

МПК: H01L 21/268

Метки: материале, полупроводниковом, структур, электронно-дырочных

1. Способ получения электронно-дырочных структур в полупроводниковом материале путем воздействия импульсного лазерного излучения в режиме свободной генерации, отличающийся тем, что, с целью получения структур с вытянутой в глубину образца, по крайней мере, одной из областей с повышенной по отношению к исходной концентрацией свободных носителей заряда, лазерное воздействие осуществляют с плотностью мощности от величины, вызывающей образование кратера, до величины, меньшей образования сквозного отверстия в обрабатываемом материале.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью получения n+-p-n+-структур в антимониде индия, лазерное воздействие осуществляют с...