H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 239776

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 21/60

Метки: выпрямительных, пайки, полупроводниковых, приборов, припой, элементов

...на основе свинца с добавкои серебра в количестве 2,5%.Для повышения флюсующих свойств припоя и растекаемости по паяемой поверхности в припой на основе свичца введен германий в количестве 2 - 5%. Германий является поверхностно-активной добавкой по отношению к свинцу. Благодаря этому свинец получает флюсующие свойства и хорошо растекается по германию, кремнию и никелированному вольфраму. Кроме того, добавка германия в свинец снижает растворимость в нем никеля, чем предупреждается нарушение никелевого покрытия деталей при пайке. Спаянные предложенным припоем кремниевые и германиевые выпрямительные структуры не изменяют своих электрических параметров и имеют хороший омический контакт.Приготовление и обработка припоя ведетсяда воздухе. Припой...

Номер патента: 240064

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Воронин, Зорин

МПК: H01L 35/30

Метки: 240064

...предлагаемого теплоотвода выполнены в виде термоэлектрической пары, причем спаи одного знака расположены на поверхности оребрения, а спаи другого знака - на поверхности, от которой отводится тепло.Для обеспечения равномерного перехода тока с одного материала на другой термоэлектрические ветви ребра выполнены в виде зубьев, обращенных остриями навстречу друг к другу,На чертеже изображен предлагаемый тепло-. отвод. Спаи 1 и 2 материала одного знака располагаются вдоль ребра, а другого - прилегают к теплопередающей поверхности 3 через электроизоляционные теплопереходы 4,Предмет изобретения1. Теплоотвод, представляющий собой систему ребер, отличающийся тем, что, с целью выравнивания температуры, его ребра выполнены в виде...

Номер патента: 240065

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Коренблит, Самойлович

МПК: H01L 35/18, H01L 35/32, H01L 37/00 ...

Метки: материал, термоэлемента

...образо5 в каждой точке этой шайбы угол мецдиусом-вектором, проведенным изкоорд 1 шат, и главной осью кристаллаяцец и равен О. Если между внешнейрепней окружностями, ограцичивающисО бу, создать разность температуры Т,кристалла и осью овать в качестве тсточюв ермо боле вдоль нокрим, что ду ра начала посто-внуг-шай - Т го в том, нес них напри- сурьма Цель изобретения - применение материала, позволяющего получагь элементы с повышенной термо-э,д.с. продолжительным сроком службы.Отличительная особенность нового риала для термоэлемента заключается что ои изготовлен из монокрис галл веществ с анизотропной термо-э.д.с., мер из висмута В или сплава висмутВ 1 - Яэ. Т, 2 О (1 т - л,) 81 п -- , где 9 -240065 Предмет изобретения Корректор Л, Г. Коро....

Номер патента: 240111

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Носов, Цыбульников

МПК: H01L 21/383

Метки: быстродействующего, диода, кремниевого

...необходимо повышать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р - а-перехода. С другой стороны, для уменьшения емкости диода и увеличения пробивного напряжения необходимо снижать поверхностную концентрацию акцепторов в р-области р - п-перехода, так как это вызывает уменьшение градиента концентрации акцепторов в нем,Для выполнения указанных противоречивых требований предлагается проводить диф фузию в три стадии. Режим первой и второйстадии выбирают по известным соотношениям так, чтобы поверхностная концентрация не была слишком большой. Это обеспечивает малую емкость, Затем проводят третью ста дию, при которой поверхностная концентрация увеличивается до значения, соответствующего предельной растворимости (выше 5 10 с см - в), но...

Номер патента: 240852

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Берников, Никонов, Носиков, Пресс, Ржанов

МПК: H01L 21/322

Метки: диффузионных, коэффициента, кремниевых, повышения, р—р-л-транзисторов, току, усиления

...а время и температура геттерирования малы, образующийся наразитный слой и-типа обычно уничтожается при вжигании контактов. Перед нанесением контактов слой Р.О; удаляют травлением в составе, содержащем 15 ч. НЕ (490/О), 10 ч. Н 1 ЧОз (700/) и 300 ч. Н О, в течение 2 мия.На чертеже приведен, пример реализации заявляемого способа в технологическом процессе изготовления,кремниевого планарного р - и - р эпитаксиально-диффузионного транзистора. Исходным материалом для производства подобных транзисторов служит очень низкоомная эпитаксиальная структура: на подложку 1 р-типа наращивают более высокоомную эпитаксиальную пленку 2 и-типа толщиной, порядка 10 мк. Далее проводят изолирующую диффузию бора 3, в результате которой эпитаксиальная пленка...

Номер патента: 240853

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Волхов, Лукь, Пантуев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводника, примеси, распределения, толщине

...Лг.От генератора 1 смещения к контактам исследуемого образца через резистор приложены импульсы линейно нарастающего напряжения смещения, повторяющиеся с частотой 1 кггг. Кроме того, к образцу подводится переменное напряжение от генератора 2 высокой (радио) частоты Ь,з 1 по 1 через конденсатор, величина которого выбрана существенно меньшей любого возможного значения емкости исследуемого образца. Вследствие этого амплитуда с 1 напряжения высокой частоты на образце обратно пропорциональна его емкости: Контур резонансного фильтра 5, подключенный к образцу через небольшую емкость, служит фильтром для отделения сигнала высокой частоты от импульсов генератора смещения. Осциллограмма напряжения (У 61 пьг) на контуре представляет собой...

Номер патента: 241546

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 43/10

Метки: 241546

...Холла, выполнен. ные на основе германия, кремния, арсенида индия и арсенида галлия, у которых одна из характеристик датчика, чаще всего постоянная Холла Яв, слабо зависит от температуры, 5 температурная же зависимость коэффициента передачи по напряжению, равного отношению э.д. с возникающей на контактах Холла, к приложенному напряжению сравнительно велика. 10Вместе с тем в большинстве различных случаев применения датчиков Холла требуется, чтобы именно этот параметр обладал минимальной температурной зависимостью.Предложено изготовлять датчики Холла на 15 основе полупроводникового твердого раствора 1 пт - хбах АЯ, где Х=0,15 - 0,20. Датчики э.д.с. Холла, изготовленные из этого материала, обладают большой вольтовой чувствительностью,...

Номер патента: 242127

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Гришин

МПК: H01L 21/68

Метки: микроперемещения, рабочегообъекта

...7, который включит нагреватель 8 и отключит электродвигатель 5 (при этом между стерж.нем 9 и кареткой д остается зазор до 0,003 лтлт). Стержень 9 будет расширяться по программе, заданной программным задатчиком 10, вначале с большой скоростью, напри. мер, 5000 А/сек, затем скорость снизится до30 величины, превышающей на 2 - ЗА номиналную скорость (в нашем примере до 12 - 13 А/сек). Стержень 9 догонит каретку 3 и некоторое время будет ее перемещать со скоростью, несколько большей номинальной 12 -о13 Л сек. Затем программный задатчик доведет скорость нагрева стержня 9 до номинальной. После того, как каретка 3 переместится под воздействием стержня 9 на установленную величичу, путевой выключатель 7 включит электродвигатель 11, суппорт...

Номер патента: 243075

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Альперович, Корнилов, Кравец, Харламов

МПК: H01L 21/00

Метки: корпусе, линия, пластмассовом, полупроводниковых, приборов

...гребенке достаточную жесткость при малой толщине ленты. Образующиеся при этом перемычки являются базовыми токоподводящими выводами прибора, а часть ленты, отошедшая при вырубке окон, используется в качестве второго токоподводящего вывода прибора, После обезжиривания, травления, гальванического покрытия и сушки механизм транспортирования переносит гребенки на агрегат напайки и укладывает их в установленный на этом агрегате накопитель.При подаче команды исполнительный механизм переносит гребенку на рабочую позицию и подает кристаллы с р - п-переходами, фиксируя их на гребенке. После установки всех деталей на рабочей позиции включаются механизм привода давления и импульсный нагреватель, При этом детали, нагреваясь до заданной температуры,...

Номер патента: 243076

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Германска, Иностранец

МПК: H01L 27/12

Метки: полупроводниковое

...больших пробивных напряжений из-за того, что р - гг-переходы искривлены вблизи места выхода на поверхность,С целью повышения надежности полупроводниковых устройств в интегральном микроминиатгорном исполнении, в предлагаемом устройстве критические р - гг-переходы выполнены перпендикулярно к изоляционному слою,В полупроводниковой пластине делают односторонние углубления, осаждают тонкий не- проводящий слой, прерываемый в зоне активных структурных элементов, с последующим наращиванием высоколегированного полупроводникового слоя, который отделяют по крайней мере в тех местах, где нет активного элемента. Полупроводниковоно на чертеже.Оно содержит неконтактные площад5 полупроводниковыйдящий слой 4 и полевыи слои а,е устройство изображе...

Номер патента: 243077

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бацай, Гефтер, Красн, Лисненко, Тимошенко

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, преобразовательный

...При этом радиатор и металлическая стенка корпуса образуют экран для подавления радиопомех.Это позволяет исключить влияние радиопомех на блок и взаимное электромагнитное влияние силовых вентилей и управляющих элементов и, следовательно, повысить надежность блока.Предлагаемый блок более компактный, в нем хорошо охлаждаются все элементы,На фиг. 1 и 2 изображено описываемое устройство в разрезе,Устройство содержит силовые полупроводниковые вентили 1, блок управления 2, представляющий собой плату с печатным монтажом, на которой собраны конденсаторы, резисторы и другие элементы управления, электроизоляционный компаунд 8, которым залит 5 блок управления 2, радиатор 4 охлаждения сдвумя полостями, изолирующий корпус 5 с металлической стенкой...

Номер патента: 243095

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Думаревский, Золотарев

МПК: H01L 31/14

Метки: 243095

...сдвиг в регистрах 4, б, 7, и схема синхронизации на чертеже,не показаны.10 В интегральных полупроводниковых регистрах сдвига, использующих элементы с Я-образными характеристиками, одна или несколько областей пониженного сопротивления (открытого состояния) перемещаются вдоль кас кадов регистра при подаче импульсов сдвига,Отношение сопротивлений каскада регистра в закрытом и открытом состоянии может составлять 104 - 106.При открытых и-м каскаде регистра 4 и 20 и-м каскаде регистра 7 соответствующие шины из систем 2 и 3 подключены к источнику 5 напряжения и к сопротивлению нагрузки Р.Ток в цепи определяется сопротивлением участка фоточувствительного слоя (освещенно стью этого участка), заключенного между подключенными в данный...

Номер патента: 243107

Опубликовано: 01.01.1969

МПК: H01L 29/00

Метки: 243107

...р - и- перехода. Зеркало расположено на расстоянии г/к от,просветленной грани диода, где г = 8 а/1, а Х - длина волны излучения диодного блошка. Зеркало связанно с диодным блоком,полигармоническим прямоугольным волноводом,длинной 2/к и сторонами а и Ь. По другую сторону к диодному блоку, примы,кает волновод той же длины и того же сечения. Выход этого волновода является выходом генератора 3.Для сложения излучения этого генератора и усилителейк нему примыкают один,или несколько усилителей, состоящих,каждый из диодного блока, такого же, как оговорен выше, заключенного с двух сторон,в прямоугольные волноводы длиной г/к со сторонами а и Ь.Для удобства выполнения выходной волновод генератора и входной;волновод усилителя могут быть выполнены...

Номер патента: 243370

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белов, Зильбер, Калинин, Москалев, Провалин, Сепп, Швецов

МПК: H01L 21/00

Метки: конвейерной, промывки, струйной

...по заданному шагу; ведущей звездочки 3; цепи 4 для закрепления и перемещения кассет 5 с промываемыми де талями б; звездочки 7 для натяга цепи; форсунок 8 для направления струй воды на промываемые детали; одной пары форсунок 9 для сдувания капель воды подогретым азотом перед сушкой.0 Количество пар форсунок 8 равно количеству кассет 5,в зоне промывки.Устройство работает следующим образом.Кассеты 5 с промываемыми деталями б, закрепленные в зажимах конвейерной цепи 4 в 5 зоне загрузки у звездочки 7, движутся непрерывно с переменной скоростью относительно форсунок 8.При промывке, когда струи воды попадаютна детали б, конвейер движется медленно, при 0 проскоке .промежутков деталями - быстро.Шаговое непрерывное переменное...

Номер патента: 243679

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Белевцев, Ковальский, Яхац

МПК: G01R 27/08, H01L 35/28

Метки: сопротивления, термоэлектрических, устройств

...непосредственно как В 1,где 1/ - падение напряжения на образце.Предложенный способ может быть использован для измерения сопротивления как образцов, так и скоммутированных термобата рей. мого триение относится к вания тепловой э ласти п ии в эл змере- выша- эффек- еления ля и ов по ено пред акон а Ома ощую, ффекэтого помо- а кон- ствуювля ю образца прмпературу. с соотвею),агрев производится при ние возможно произвои той же температуре зоб р етен и едм способу,сопротивлатур, уравют путемез устройсрадиент те целью возния в широнивание темпропускания во, на спаях иератур блаледуюаключаетс Изобрет обпреобразо нергческую.Применение постоянного тока дния сопротивления полупроводникет точность измерения, но затруднтом Пельтье. Для...

Номер патента: 243738

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бубнов, Лурье, Токарев, Филаретов

МПК: H01L 29/772

Метки: пленочный, полевой, триод

...структур снижается релаксация плено триода, Стабильность получ триодов по сравнению с изв тельно возрастает. Относител ность полученных пленочных п составляет 0,02 - 0,2. ник элект мет изобретени Пленочный полевой триод со структурой ме талл-диэлектрик-полупроводник, напримералюминий-окись кремния-сульфид кадмия, отличающийся тем, что, с целью стабилизации его параметров, между полупроводником и диэлектриком расположен подслой обедненной 20 кислородом моноокиси германия. 1Изобретение относится к области электронной техники и может быть применено в вычислительных устройствах.Известны тонкопленочные полевые триоды, у которых параметры нестабильны, что объясняется адсорбцией воды и кислорода на поверхности полупроводника из атмосферы...

Номер патента: 243740

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Преображенцев, Шваров

МПК: H01L 21/40

Метки: контакта

...вник. В образующейся жидкои вплавляемый материал - пол ктура наносимых слоев мета сплавления не сохраняется,Для металлизации могут применяться металлы, обладающие большой свободной энергией образования окислов, например титан, ниобий, гафний, хром и другие, а в качестве второго слоя - никель, серебро и другие коррозионностойкие при повышенных температурах металлы, которые предохраняют первый слой от окисления.Пример. Пластины кремния перед нанесением титана промывают в дионизованной воде и обезжиривают в СС 1 Титан наносят при температуре подложки 500 - 800 0 С в вакууме 10 "мм рт. ст., а затем наносят пленку никлея, Общая толщина слоев меньше 1000 А,Перед сплавление кристаллы кремния обезжиривают, Электродный материал, например...

Номер патента: 244503

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Чеснавичюс

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: импульсный, мост, параметров, перехода, р-п, электрических

...точность измерений. На чертеже показана принципиальная схема описываемого моста.Позициями 1 и 2 обозначены переменные сопротивления, 8 - переменная емкость, 4 - 7 - ом ические сопротивления, 8 - измеряемый образец с . р - п-переходом, 9 - генератор П-образных импульсов уравновешивания;10 - генератор переменного напряжения (например звуковой), 11 - ограничитель и 12 - осциллограф с дифференциальным входом. Импульсный мост уравновешивают по переменному напряжению и ио амплитуде П-образного импульса напряжения уравновешивания в следующем порядке.5 Регулированием сопротивления 1 на экранеосциллографа вершину импульса уравновешивания совмещают с вершиной импульса смещения.Регулированием сопротивления 2 и емкости10 8 синусоиду на экране...

Номер патента: 244511

Опубликовано: 01.01.1969

Автор: Чеснавичюс

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, р—п-перехода

...импульса, генератор 11 прямоугольных импульсов напряжения уравновешивания с длительностью -. р, генератор 12 прямоугольных импульсов йапряжения смещения с длительностью т, т р, сумматор 13 и осциллограф 14 с дифференциальным входом, один канал осциллографа включен в измерительную диагональ, а другой - в диагональ питания моста.Принцип работы устройства состоит в следующем.В диагональ питания моста поступает прямоугольный импульс напряжения уравновешиРедактор А. Пе а Заказ 2507/17 Тираж 480 Подписное ЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, пр. Серова, д. 4 пография, пр. Сапунова вания с амплитудой, достаточно малой, чтобы вызванные им изменения параметров р - и-перехода были малы...

Номер патента: 244515

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Герцик, Егоров, Набиуллин, Родионов, Сладков

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, преобразователей, травления, фотоэлектрических

...шатуна укреплены изолированные захваты 9, контактные иглы 10 которых подключаются к преобразователям (на чертеже,не показаны), Открытие захватов 9,производится клином 11. Рычаги 7 и 8 укреплены на шестернях 12 и 13, находящихся в зацеплении с зубчатыми секторами 14 и 15, укрепленными на валу 16, на котором укреплен также трехплечий рычаг 17. Плечо 18 рычага 17 снабже но роликом 19, опирающимся на копир 20,управляющий, шатуном б. Плечо 21 рычага 17 соединено с возвратной пружиной 22 и масляным демпфером 23, обеспечивающим плавное перемещение шатуна б. Плечо 24 рычага 1 17 в крайнем левом положении нажимает намикровыключатель 25, выключающий блок контроля. В процессе работы копир 20 опускает плечо 18 вниз, вал 1 б,поворачивает шестерни...

Номер патента: 245922

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Вальд, Мартиросов, Тагер

МПК: H01L 29/06

Метки: 245922

...ставленного из различных полупроводниковыхи диэлектрических материалов, отличающихся значениями ширины запрещенной зоны таким образом, что запорный слой располагается частично в полупроводнике (диэлектрике) с узкой запрещенной зоной и низкой пробивной напряженностью электрического поля, а частично в полупроводнике (диэлектрике) с широкой запрещенной зоной и высокой пробивной напряженностью электрического поля. В 0 этом случае даже при однородном распределении напряженности электрического поля по толщине запорного слоя можно в широких пределах варьировать отношение ширины слоя умножения и ширины пролетного пространства и следовательно отношение О /с/. В частности, в структуре с однородным полем можно сделать слой умножения очень тонким по...

Номер патента: 246624

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ананьева, Угрюмова

МПК: H01L 41/187

Метки: сегнетоэлектрик

...ЕТОЭЛ ЕКТ изготовленнь обатной сист готов к при т часа, п ладаю езоэле ав введешихта со - 44,5; пямута:или ций 0,9 -из иее туре принные табелают за,4. Известны сегнетоэлектрики, на основе однокомпонентной ни мы, например ниобата свинца,Цель изобретения - улучшить пь рические свойства сегнетоэлектрика,Достигается это тем, что в его сост ны фтористый кальций и висмут, а держит, вес. %: окись свинца 45,6 гиокись ниобия 55,2 - 53,5; о,кись вис лантана 0,05 - 0,01 и фтористый каль 0,4.Шахту неремешивают, прессуют таблетки и обжигают их при темпера мерно 1000 С в течение 1 час. Спече летки размельчают и прессованием д и требуемой формы, которые обжигают емпературе примерно 1260 С в течение олучая керамику, лишенную пор и общую высоким...

Номер патента: 246625

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ананьева, Угрюмова

МПК: H01L 41/187

Метки: сегнетоэлектрик

...сегнетоэлектрики на основе двух. компонентной ниобатной системынапример, ниобата бария-свинца.Цель изобретения - повысить величину пьезоэлектрического модуля в сильных электрических полях,Достигается это тем, что в состав предложенного сегнетоэлектрика введен хромат бария-свинца. Сегнетоэлектрик содержит в мол. %;. окись свинца 23,5 - 30, карбонат бария 14,5 - 21, пятиокпсь ниобия 55,5 - 53 и окись хрома 0,3 - 1,7.Шихту перемешивают, прессуют из нее таблетки, которые в течение 30 мин обжигают при 1000 - 1050 С. Спеченные таблетки размельчают и прессуют из полученного порошка полуфабрикаты требуемой формы. Полу фабрикаты обжигают при температуре 1250 - 1280 С в течение 30 мин.Полученные предложенным способом сегнетоэлектрики имеют...

Номер патента: 246626

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Ананьева, Угрюмова

МПК: H01L 41/187

Метки: сегнетоэлектрик

...из порош ормы. Заготовки о 1250 - 1280 С в те ично изготавливаю батами висмута, с блетки размалыа заготовки трежигают при темение 30 мин.сегнетоэлектриинца, лангана и что в его состав вве ия, висмута, лантана етения редме з Сегнетоэлектрик наной ниобатной систбария в свин илиотличающийся тем, чпьезоэлектрическихсвойств, в упомянутотретьего компоненталия, натрия, висмуткадмия. мпонентниобата в натр, лучшения рических качестве гобат канца или основ мы, на ниобат то, с и м мате исполь ланте двухко пример, а калия е диэлект риале в ован н ана, сви Известны сегнетоэлектрики, изготовленный на основе двухкомпонентной ниобатной системы, например, ниобата бария - свинца или ниобата кадмия в натр.Цель изобретения - улучшить...

Номер патента: 247406

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Институт, Левитас, Могильницкий, Пожела, Сащук

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, электропроводности

...трансформатор, первичной обмоткой которого служит образец из исследуемого материала; питающий трансформатор снабжен дополнительной обмоткой, связанной через переменный резистор с компенсирующей обмоткой, установленной на компенсирующем трансформаторе, вторичная обмотка которого замкнута на измеритель электрического тока.На чертеже изображена схема описываемого устройства, содержащего питающий трансформатор 1, образец 2, компенсирующий трансформатор 3 и нулевой индикатор 4. Трансформатор 3 имеет компенсирующую обмотку 5, подключенную к дополнительной обмотке б трансформатора 1 через переменный резистор 7. Образец 2 является вторичноц обмоткой трансформатора 1 и первичноц обм откой тр анс форм атор а 3.Напряжение, поданное на...

Номер патента: 247412

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Глазков, Ивакин, Шадурский

МПК: H01L 21/00

Метки: объектив, растровый, широкопольный

...Однако поле, которое обеспечивает каждая элементарная линза растра, не превышает 0,5 Х 0,5 мм в пространстве изображений. Это затрудняет внедрение растров в производство твердых схем и отдельных полупроводниковых приборов, размеры которых достигают 1 Х 1 мм и больше.Предлагаемый широкопольный растровый объектив обеспечивает качественное изображение на большом поле за счет того, что каждая из ячеек линзового растра включает в себя несколько элементарных линз, расположенных одна от другой в ячейке на расстоянии, равном рабочему полю, рисуемому элементарной линзой.Строгое равенство расстояний между отдельными элементарными линзами обеспечивает качественную стыковку частей целого изображения, полученного по частям,На чертеже...

Номер патента: 247413

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Василенко, Завгородний

МПК: H01L 21/68

Метки: кассет, стальных

...производства, в частности к обработке технологических кассет для придания их поверхности несмачиваемости расплавами А 1, А 1 - Я, Ап - Яб - Я.Известен способ изготовления стальных кассет, предназначенных для работы в вакууме, заключающийся в том, что кассету обезжиривают, хромируют и получают окисную пленку в протоке влажного водорода. Этот способ сложен, длителен, неэкономичен, связан с большим расходом водорода и необходимостью хромирования поверхности.Цель настоящего изобретения - упрощение и ускорение процесса. Достигается она тем, что в качестве материала для изготовления кассет используют хромистые стали, например Х 12 (ГОСТ 5950 - б 3), что позволяет исключить операцию хромирования, Обработку ведут в протоке паров воды при...

Номер патента: 248086

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Бченко, Гордиенко, Дидевич, Некрасов, Смирнов

МПК: H01L 21/04

Метки: германиевых, переходов, р-п

...относится к технологии получения полупроводниковых приборов.При существующих способах получения термостабильных германиевых р-п переходов изменяются объемные свойства полупроводникового кристалла в процессе термической обработки, что приводит к ухудшению некоторых параметров приборов, в частности появляется текучесть обратных токов, ухудшаются усилительные свойства транзисторов.Предлагаемый способ устраняет указанные недостатки и позволяет улучшать термостабильность приборов без их дополнительной обработки.Сущность способа заключается в том, что в германий с удельным сопротивлением 5 й 1 ом, см,и легированный сурьмой, идущий на,изготовление монокристаллов для р-п переходов, вводятся добавки кремния от 0,5 и более вес. %.Введение атомов...

Номер патента: 248847

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Кайдалов, Кщнс, Михалович, Осокин

МПК: H01L 27/06

Метки: «не—или», полупроводниковая, схема, твердая

...Кроме того, это соотношение в режиме открывания схемы дает возможность получить оптимальную связь между остаточным напряжением схемы и ее сопротивлением нагрузки.На чертеже схематически изображен кристалл полу.проводниковой твердой схемы НЕ - ИЛИ с обозначением типов проводимости каждой области,Кружками обозначены места присоединений электродных выводов, Электродные выводы от р+-областей 1 и 2 - выводы (электроды) земли. Выводы (электроды) от и-областей 3 и 4 - входы твердой схемы, Схема имеет общий выход 6, минимально отдаленный от р+-областей. В общей р-области расположено сопротивление нагрузки между выходом 5 и электродом б, присоединенным к.минусу источника питания.К общей части и-типа к выводу (электроду) 7 прикладывается...

Номер патента: 249435

Опубликовано: 01.01.1969

Авторы: Лезгинцева, Молокова, Фельдман

МПК: C04B 35/491, H01L 41/187

Метки: керамический, материал, сегнетоэлектрический

...РЬО 60 - 70, ТЮ 2 5 - 25, Хг 025 - 25, добавку щелочноземельного металла - не бо. лее 4 - б и Сг 208 - не более 2, кроме того, сверх 100% 5102 О, 03 - 0,3.Введение 0,58/8 3102 приводит к повышению 15 температуры Кюри на 3, При выращивании монокристаллов ВаТЮз из расплава с добавкой Я 02 последняя способствует образованию более равновесных форм кристаллов, Поскольку ион кремния имеет меньший по 20 сравнению с ионом титана ионный радиус (по Полингу соответственно 0,41 и О,б 8), введение 5102 улучшает температурную стабильность материала. Кроме того, небольшая добавка ЬЮ 2 способствует лучшему спеканию кера мики.Образцы синтезировали из окислов РЬО, ТЮ Хг 02 и углекислого стронция ЯгСОз дважды при температуре 910. Сг 20 з и %02 вводят при...