Архив за 2012 год
Аппарат для высокотемпературного электролиза воды
Номер патента: 1840818
Опубликовано: 27.01.2012
Авторы: Демин, Кузин, Куцепин, Липилин, Перфильев, Серебряков, Шаров
МПК: C25B 1/02
Метки: аппарат, воды, высокотемпературного, электролиза
Аппарат для высокотемпературного электролиза воды, включающий ряд электролизных ячеек с твердым электролитом, и источник тепла, отличающийся тем, что, с целью снижения объемно-весовых показателей и увеличения производительности, аппарат выполнен в виде концентрически размещенных труб, причем источник тепла помещен в центральной трубе и выполнен в виде радиоизотопного источника, а между центральной трубой и периферийными трубами помещены электролизные ячейки, имеющие общие патрубки вывода водорода и ввода электролита, соединенные соответственно с периферийными трубами, выполненными в виде змеевиков, имеющих общую поверхность контакта.
Высокотемпературная батарея с твердым электролитом, способ ее изготовления и используемое при этом вещество электроизоляционного слоя
Номер патента: 1840819
Опубликовано: 27.01.2012
МПК: H01M 8/12
Метки: батарея, вещество, высокотемпературная, используемое, слоя, твердым, электроизоляционного, электролитом, этом
1. Высокотемпературная батарея с твердым электролитом с последовательно соединенными элементами, выполненным в виде волнообразных слоев (гофров) электролита и электродов, соединенных разделительной перегородкой, реакционные полости элементов коммутируются газовым коллектором, отличающаяся тем, что, с целью улучшения удельных характеристик, упрощения конструкции и сборки, каждый элемент выполнен в виде прямоугольного блока-пластины с прямоугольными гофрами, вдоль одной из сторон которого, перпендикулярной гофрам, на торцовой поверхности имеются отверстия газового коллектора одного из реагентов, газовые каналы другого реагента сообщаются с внешним объемом батареи через отверстия в боковой стенке, причем смежные элементы повернуты...
Установка для регенерации газовой атмосферы обитаемых гермообъектов и способ регенерации газовой атмосферы
Номер патента: 1840820
Опубликовано: 27.01.2012
Метки: атмосферы, газовой, гермообъектов, обитаемых, регенерации
1. Установка для регенерации газовой атмосферы обитаемых гермообъектов, включающая испаритель, конденсатор, нагреватель и последовательно соединенные высокотемпературные электролизеры с твердым электролитом на основе диоксида циркония с газодиффузионными электродами и патрубками ввода и вывода газов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения срока ее службы, установка снабжена газореверсивным устройством, соединенным с испарителем, конденсатором и патрубками ввода и вывода газов в электролизерах, и размещена вне зоны конденсации воды.2. Способ регенерации газовой атмосферы обитаемых гермообъектов путем электролиза через последовательно соединенные электролизеры, с твердым электролитом на основе двуокиси циркония, отличающийся...
Высокотемпературная батарея топливных элементов
Номер патента: 1840821
Опубликовано: 27.02.2012
Автор: Липилин
МПК: H01M 8/00
Метки: батарея, высокотемпературная, топливных, элементов
1. Высокотемпературная батарея топливных элементов с твердым электролитом из элементов, последовательно соединенных по току и газу с центральной газоподводящей трубкой с отверстиями, отличающаяся тем, что, с целью улучшения удельных характеристик, твердый электролит выполнен в виде двухсторонней спирали, например Архимеда, в витки которой вставлены плоские спирали-токоотводы, закрепленные с одной стороны электропроводными материалами, свободной же стороной опирающиеся на электропроводящую пластину, образующую с токоподводами каналы продвижения газов, а с твердым электролитом смежных элементов в центральной и периферической части соединенную герметично. 2. Батарея по п.1, отличающаяся тем, что, с целью равномерной подачи газа, в...
Высокотемпературная батарея
Номер патента: 1840822
Опубликовано: 27.02.2012
МПК: H01M 8/12
Метки: батарея, высокотемпературная
Высокотемпературная батарея из элементов с твердыми электролитом в виде двухсторонней спирали Архимеда, соединенных последовательно по газу и току через электронопроводящие пластины, отличающаяся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления, уменьшения аэродинамического сопротивления, повышения надежности и расширения области применения с одновременным снижением металлоемкости, элемент имеет четыре отверстия, по два в центральной и периферийной частях смежных витков спирали, а пластины - два отверстия, которые совмещают при сборке с двумя рабочими отверстиями элемента, при этом пластина перекрывает два нерабочих отверстия.
Силовой полупроводниковый прибор
Номер патента: 1485963
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Авксентьев, Мартыненко, Чумаков
МПК: H01L 29/74
Метки: полупроводниковый, прибор, силовой
Силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой четырехслойной p-n-p-n-структуры, содержащий основную и вспомогательную структуры и разветвленный управляющий электрод основной структуры, при этом край эмиттера основной структуры зашунтирован по внутреннему периметру посредством дискретных поперечных шунтов базовых областей, отличающийся тем, что, с целью снижения перегрузки вспомогательной структуры и улучшения динамических параметров включения за счет снижения тока управления основной структуры, под управляющий электрод основной структуры введены выступающие из-под него дополнительные участки одноименного с эмиттером типа проводимости, отделенные от эмиттера и друг от...
Способ металлизации магнийсодержащих железорудных материалов во вращающихся печах
Номер патента: 1489189
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Ватолин, Горбачев, Дмитриев, Киселев, Кобелев, Леонтьев, Сапожникова, Ченцов, Шаврин, Шариков
МПК: C21B 13/08
Метки: вращающихся, железорудных, магнийсодержащих, металлизации, печах
1. Способ металлизации магнийсодержащих железорудных материалов во вращающихся печах, включающий предварительный окислительный обжиг, восстановление совместно с восстановителем, десульфуратором и хвостами магнитной сепарации, охлаждение и магнитную сепарацию, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной производительности и качества металлизованного продукта и снижения тепловых затрат, перед восстановлением флюсотопливную смесь предварительно нагревают до 600 - 1000°С, смешивают с окисленным железорудным материалом крупностью более 5 мм и восстанавливают при 1200 - 1500°С. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что окислительному обжигу подвергают материал крупностью...
Способ переработки оловосодержащих хлоридов
Номер патента: 671409
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Дергачев, Дьяков, Евдокимов, Корюков, Меринов, Селиванов, Семенов, Топтыгина
МПК: C22B 25/00, C22B 3/10
Метки: оловосодержащих, переработки, хлоридов
Способ переработки оловосодержащих хлоридов, включающий выщелачивание солянокислым раствором, нейтрализацию раствора и отделение оловянного кека от раствора, отличающийся тем, что, с целью получения оловянного концентрата, свободного от мышьяка и железа, выщелачивание ведут солянокислым раствором с концентрацией 35-40 г/л HCl, затем осаждают сульфиды цветных металлов при конечном значении pH 0,5-1, отделяют сульфидный кек от раствора хлоридов железа, выщелачивают кек солянокислым раствором с концентрацией 200-300 г/л HCl и нейтрализацией раствора осаждают коллективный оловянный концентрат.
Способ переработки оловянных концентратов, содержащих тантал
Номер патента: 851988
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Галеев, Дьяков, Карташова, Черешнев
МПК: C22B 25/02
Метки: концентратов, оловянных, переработки, содержащих, тантал
1. Способ переработки оловянных концентратов, содержащих тантал, включающий электроплавку концентратов в смеси с восстановителем и основным флюсом, отличающийся тем, что, с целью повышения концентрации тантала в шлаке, концентраты смешивают с основным флюсом до соотношения в шлаке суммы двуокиси кремния, двуокиси титана, трехокиси вольфрама и пятиокисей тантала и ниобия к сумме окиси кальция и железа, равного 1,0-1,2, и плавят в режиме накопления шлака, а затем перед выпуском шлака увеличивают расход восстановителя и основного флюса до соотношения суммы двуокиси кремния, двуокиси титана, трехокиси вольфрама и пятиокисей тантала и ниобия к сумме окиси кальция и железа, равного...
Способ переработки шламов оловосодержащего сырья
Номер патента: 672915
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Алексеева, Городецкий, Дьяков, Кулиева, Тихомиров
МПК: C22B 25/06
Метки: оловосодержащего, переработки, сырья, шламов
Способ переработки шламов оловосодержащего сырья в виде пульпы, включающий введение поверхностно-активного вещества и распылительную сушку, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь олова и затрат на переработку, шламы смешивают с пульпой камерного продукта флотации в соотношении 1:(0,1-0,8).
Способ рафинирования сурьмы от примесей
Номер патента: 989884
Опубликовано: 10.03.2012
Автор: Дьяков
МПК: C22B 30/02
Метки: примесей, рафинирования, сурьмы
1. Способ рафинирования сурьмы от примесей окислением в присутствии щелочного шлака с отделением его от металла, отличающийся тем, что, с целью концентрирования олова в шлак, пригодный для извлечения олова из него, после окисления сурьмы в присутствии щелочного шлака и отделения его от металла, окисление ведут в присутствии кислого шлака.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при окислении сурьмы в присутствии щелочного шлака в последний добавляют известь.3. Способ по пп.1 и 2, отличающийся тем, что при окислении сурьмы в присутствии кислого шлака в последний добавляют одно из веществ, выбранное из группы, содержащей двуокись кремния, двуокись титана, пятиокись фосфора,...
Способ переработки вольфрамсодержащих оловянных концентратов
Номер патента: 676009
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Галеев, Дьяков, Макаров, Роднин, Семенов, Шемякин
МПК: C22B 34/36, C22B 4/00
Метки: вольфрамсодержащих, концентратов, оловянных, переработки
Способ переработки вольфрамсодержащих оловянных концентратов, включающий шихтование исходного концентрата с углеродосодержащим восстановителем, электроплавку и последующее фьюмингование шлака, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения вольфрама, шихтование ведут с добавкой в шихту полупродукта магнитной сепарации вольфрамсодержащего оловянного концентрата при поддержании в шихте соотношения - окиси железа к трехокиси вольфрама 0,6-2 и окиси кальция к окиси железа 0,5÷1,3, а плавку ведут на железосодержащем шлаковом расплаве с соотношением суммы окислов кремния и вольфрама к сумме окислов кальция, железа и олова 0,7÷1,2.
Способ переработки оловосодержащего сырья
Номер патента: 563822
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Березинский, Дьяков, Звонкова, Сизых
МПК: C22B 25/06
Метки: оловосодержащего, переработки, сырья
Способ переработки оловосодержащего сырья в виде пульпы, включающий обработку его едкой щелочью, отличающийся тем, что, с целью снижения потерь олова при переработке плавкой оловосодержащих шламов, в пульпу вводят поверхностно-активное вещество и подвергают ее распылительной сушке.
Магниторезистор
Номер патента: 1085460
Опубликовано: 10.03.2012
МПК: H01L 43/08
Метки: магниторезистор
Магниторезистор, выполненный в виде полупроводниковой пластины с растром, состоящим из металлических полосок, расположенной на концентраторе магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в области слабых магнитных полей, концентратор выполнен в виде пленки из магнитомягкого материала с высокой намагниченностью насыщения, находящейся в однодоменном состоянии, при этом ось легкого намагничивания концентратора направлена под острым углом к продольной оси полосок.
Способ переработки отходов индий-никелевых сплавов
Номер патента: 999631
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Барышникова, Бельский, Дьяков, Звягин, Константинова, Корюков, Селиванов, Яковлев
МПК: C22B 58/00, C22B 7/00
Метки: индий-никелевых, отходов, переработки, сплавов
Способ переработки отходов индий-никелевых сплавов, включающий расплавление, фильтрацию, выкручивание в присутствии алюминия с получением чернового индия и анодное рафинирование его в водном растворе, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса, расплавление проводят одновременно с фильтрацией при температуре 156-400°С и давлении 1,1-5 атм с последующим выкручиванием непосредственно расплава.
Способ выплавки олова из оловосодержащих материалов
Номер патента: 896920
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Двуреченская, Дугельный, Дьяков, Климантов, Корюков, Кувшинов, Новопашин, Семенов, Сутурин, Черкасский, Швед
МПК: C22B 25/02
Метки: выплавки, олова, оловосодержащих
Способ выплавки олова из оловосодержащих материалов, включающий электроплавку шихты, содержащей флюсы и восстановитель, отделение металла от шлака и рафинирование металла от железа и мышьяка центробежной фильтрацией с получением рафинированного олова и оборотных съемов, отливающийся тем, что, с целью снижения выхода олова в оборотные съемы, оловосодержащие материалы смешивают с оборотными съемами, электропечными пылями до отношения в шихте железа к мышьяку 2÷10 и загружают на расплавленный шлак, содержащий 4÷10% железа в восстановленной до закиси форме при отношении олова к сумме примесей железа и мышьяка в шихте не менее 8,0.
Способ рафинирования цинка от железа
Номер патента: 1005480
Опубликовано: 10.03.2012
МПК: C22B 19/32
Метки: железа, рафинирования, цинка
1. Способ рафинирования цинка от железа, включающий расплавление его, вмешивание в расплав алюминия и съем дроссов, отличающийся тем, что, с целью снижения выхода цинка в дроссы, вмешивание алюминия в расплав ведут до содержания его 3-9%, расплав подвергают центробежной фильтрации при 690-420°С, затем обрабатывают карналлитовым флюсом.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что фильтрацию ведут сначала при 690-500°С, а затем, после снижения содержания алюминия, при 420-460°С. 3. Способ по пп.1, 2, отличающийся тем, что первую стадию фильтрации ведут при содержании алюминия, на 1-4% превышающем содержание железа, а вторую - при отношении содержания алюминия к...
Устройство для рафинирования расплавленных металлов
Номер патента: 902473
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Дугельный, Дьяков, Корюков, Селиванов, Соловьев, Степанов, Сутурин, Токарев
МПК: C22B 9/02
Метки: металлов, расплавленных, рафинирования
Устройство для рафинирования расплавленных металлов, содержащее обогреваемую ванну, фильтр, погруженный в ванну, металлопровод, внутри которого установлены поперечные перегородки, а снаружи - С-образные магнитопроводы, и источник постоянного тока, соединенный токоподводами с ванной и металлопроводом, отличающееся тем, что, с целью снижения выхода металла в съемы, в металлопроводе выполнены основной и отводящий каналы, направленные в одной плоскости вверх под острым углом к оси металлопровода, а магнитопроводы установлены под углом 30-60° к оси металлопровода.
Способ рафинирования олова от примесей мышьяка, железа и цинка
Номер патента: 647942
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Двуреченская, Дьяков, Корюков, Лелюк, Сутурин
МПК: C22B 25/08
Метки: железа, мышьяка, олова, примесей, рафинирования, цинка
Способ рафинирования олова от примесей мышьяка, железа и цинка, включающий отделение твердых примесей фильтрацией при температурах 260-340°С, отличающийся тем, что, с целью снижения выхода олова в съемы, перед фильтрацией в металл вмешивают железооловянный сплав, а затем металл обрабатывают измельченным сульфидом железа при температуре 350-450°С.
Способ переработки оловосодержащих материалов
Номер патента: 653923
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Дьяков, Кожнова, Корюков, Сутурин
МПК: C22B 25/02
Метки: оловосодержащих, переработки
Способ переработки оловосодержащих материалов электроплавкой их в смеси с коксиком и флюсом в присутствии материала, содержащего окись марганца, отличающийся тем, что, с целью повышения степени извлечения олова, в качестве материала, содержащего окись марганца, используют съемы рафинирования олова марганцем.
Оксидный материал для последовательного соединения топливных элементов высокотемпературной топливной батареи
Номер патента: 1351474
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Гильдерман, Земцов, Неуймин, Пальгуев
МПК: H01M 4/66
Метки: батареи, высокотемпературной, материал, оксидный, последовательного, соединения, топливной, топливных, элементов
Оксидный материал для последовательного соединения топливных элементов высокотемпературной топливной батареи, содержащей твердый электролит, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности соединений в восстановительной и окислительной среде, он содержит окислы с электронной проводимостью в виде двуокиси титана (TiO2) и пятиокиси ниобия (Nb2O 5), мол.% соответственно 85-99 и 1-15.
Способ переработки материалов, содержащих олово, индий и цинк
Номер патента: 609336
Опубликовано: 10.03.2012
Авторы: Дьяков, Корюкова, Семенов
МПК: C22B 25/02
Метки: индий, олово, переработки, содержащих, цинк
1. Способ переработки материалов, содержащих олово, индий и цинк, включающий их восстановительную плавку с получением индийсодержащих возгонов и восстановительную плавку возгонов, отличающийся тем, что, с целью повышения извлечения индия в черновое олово и снижения потерь олова, исходные материалы смешивают с хлорсодержащим реагентом, взятым в соотношении хлор-индий как (6-22):1, и плавят на шлаке с кислотностью 1,5-2,8, затем полученные возгоны очищают от хлора и цинка известным способом, а восстановительную плавку возгонов проводят на шлаке с кислотностью 0,6-1,4. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве хлорсодержащего реагента используют оловосодержащую пыль с...
Способ создания омических контактов к кремнию
Номер патента: 795321
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Кунашкевич, Портнов, Снитовский
МПК: H01L 21/28, H01L 21/285
Метки: контактов, кремнию, омических, создания
Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку
Номер патента: 1484193
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть
МПК: H01L 21/205
Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую
Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...
Способ создания омических контактов к кремнию
Номер патента: 1709864
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Баранов, Воробьев, Сенько, Снитовский
МПК: H01L 21/28
Метки: контактов, кремнию, омических, создания
Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10-4 Па, введения фторсодержащего газа BF 3, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF3 вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%: Четырехфтористый углерод
Способ формирования рисунка в полиимидной пленке
Номер патента: 1757395
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Воробьев, Коршунов, Кульгачев, Сенько, Снитовский
МПК: H01L 21/268
Метки: пленке, полиимидной, рисунка, формирования
Способ формирования рисунка в полиимидной пленке, включающий нанесение на полупроводниковую подложку пленки полиамидной смолы, обработку участков пленки и травление не обработанных участков пленки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет исключения фотолитографии, обработку проводят путем одновременного фотонного облучения дозой не менее 0,6 МДж·м-2 при мощности потока излучения (0,01-2,0) МДж·с-1 ·м-2 и нагрева подложки до температуры не менее 80°С.
Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела si sio2
Номер патента: 1662298
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Зеленин, Сенько, Снитовский
МПК: H01L 21/66
Метки: величины, границе, локальных, механических, напряжений, образцов, приготовления, раздела
Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO 2, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышения скорости травления, травление осуществляют при температуре 950-1220°С при концентрации хлористого водорода 0,5-10 об.%.
Способ формирования пленок нитрида кремния
Номер патента: 1715138
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Макаревич, Турцевич
МПК: H01L 21/318
Метки: кремния, нитрида, пленок, формирования
Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя не более 15 монослоев, последовательно чередуя операции осаждения и отжига в аммиаке в течение 2-10 мин при давлении 6,65-66,5 Па при температуре осаждения пленки нитрида кремния.
Мощный свч-транзистор
Номер патента: 683402
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Портнов, Снитовский
МПК: H01L 29/70
Метки: мощный, свч-транзистор
Мощный СВЧ-транзистор с гребенчатой конфигурацией эмиттерной области, состоящий из кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем, с одной стороны которой выполнен невыпрямляющий контакт к коллектору, а с другой - планарные области эмиттера и базы, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения ее надежности, эмиттерная область выполнена так, что ее длина ориентирована по кристаллографическому направлению <110>.
Способ изготовления кмдп интегральных схем
Номер патента: 1669333
Опубликовано: 20.03.2012
Авторы: Воронин, Герасимчик, Кречко, Круковский, Снитовский, Чертов
МПК: H01L 21/265
Метки: интегральных, кмдп, схем
Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и...