Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Номер патента: 1715141
Автор: Мусонов
Описание





R

m = 2Um2q/(A22kT),
где q - заряд электрона;
k - постоянная Больцмана;
T - абсолютная температура.
A2= A11/2.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при повторном измерении амплитуды переменного напряжения на образце устанавливают величину тока через исследуемый p-n-переход равной сумме двух гармонических сигналов и постоянной составляющей
I = Im2(cos


причем





Заявка
4791893/25, 15.02.1990
Красноярский государственный университет
Мусонов В. М
МПК / Метки
МПК: G01R 31/26, H01L 21/66
Метки: m-параметра, p-n-перехода, полупроводниках
Опубликовано: 20.07.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1715141-sposob-izmereniya-m-parametra-p-n-perekhoda-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках</a>
Предыдущий патент: Экранный узел индексного электронно-лучевого прибора
Следующий патент: Способ получения металлического порошка
Случайный патент: Генератор окружностей для телевизионного устройства отображения информации