Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках

Номер патента: 1715141

Автор: Мусонов

Описание

1. Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках, включающий измерение амплитуды переменного напряжения Um1, обусловленного протекания через p-n-переход переменной составляющей тока Im1 с частотой 1 и постоянной составляющей I0, соотношение между которыми A1 = (Im1/I0) поддерживают постоянным, и определение m-параметра расчетным путем по величине амплитуды измеренного напряжения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения диапазона определения m-параметра полупроводниковых приборов по постоянному току, повторяют вышеуказанные операции при предварительно установленных частоте переменной составляющей тока, равной, 1/ , и амплитуде переменной составляющей тока Im1, вычисляемой из соотношения A11/2= (Im /Io), которое поддерживают постоянным в процессе повторного измерения, измеряют амплитуду переменного напряжения Um2 на образце и определяют значение последовательного омического сопротивления R и m-параметра по формулам
R = (Um1-2Um2)/Im1
m = 2Um2q/(A22kT),
где q - заряд электрона;
k - постоянная Больцмана;
T - абсолютная температура.
A2= A11/2.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что при повторном измерении амплитуды переменного напряжения на образце устанавливают величину тока через исследуемый p-n-переход равной сумме двух гармонических сигналов и постоянной составляющей
I = Im2(cos 21t+cos 22t)+Io,
причем 21- 22= 1, где 21, 22 - частоты гармонических сигналов, составляющих величину тока.

Заявка

4791893/25, 15.02.1990

Красноярский государственный университет

Мусонов В. М

МПК / Метки

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: m-параметра, p-n-перехода, полупроводниках

Опубликовано: 20.07.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1715141-sposob-izmereniya-m-parametra-p-n-perekhoda-v-poluprovodnikakh.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ измерения m-параметра p-n-перехода в полупроводниках</a>

Похожие патенты