H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1748205

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Джус, Муратов, Нерсесян, Эшчанов

МПК: H01L 23/00

Метки: высоковольтный, диод, кремниевый, сильноточный

...первую заливку эпоксидногокомпаунда до эмиттерного вывода, первуюдвухстадийную термообработку, первуюстадию которой осуществляют при 80 - 85 Св течение 2 - 5 ч, а вторую стадию - при120-125 С в течение 4-8 ч, осуществляютдополнительную заливку эпоксидным компаундом до уровня верхнего торца корпусаи дополнительную двухстадийную термообработку при 80 - 85 С в течение 2 - 5 ч и при120 - 125 С в течение 4 - 5 ч, осуществляютвторую заливку эпоксидного компаунда доверхней площадкикольца и вторую дьухстадийную термообработку, первую стадию которой осуществляют при 80-85 С в течение2 ч, а вторую при 140-145 С втечение40-45 ч, при этом после второй термообработки часть кольца со стороны верхней площадки удаляют резанием,Режимы...

Номер патента: 1748223

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Баранаускас, Иванов, Юодвалькис

МПК: H01L 27/10, H03F 3/26

Метки: интегральный, мощный, транзистор

...(Ок 4 ). Приняв усилители 5 и 6 за идеальные, из-за отрицательной обратной связи через дополнительный эмиттер дополнительногд транзистора 2 можно считать, что дополнительный транзистор 2 открывается настолько, чтобы падение напряжения Ощ было равно Овз . При этом напряжение Овз из-за отрицательной обратной связи через коллектор дополнительного транзистора 2 устанавливается такой величины, чтобы коллекторный ток этого транзистора был равен току, поступающему на вход устройства. Тогда для устройства в целом можно записать:Об-зо- Об-эд, = Об-эо - Об-эдв (1) ГДЕ Од-эо, Об-зо НаПРЯжЕНИЯ баэз-ОСНОВ- ной эмиттер основного и дополнительного транзисторов 1 и 2;Об-зд Об-зд, - напРЯжениЯ база-допол 15 нительный эмиттер основного и дополнительного...

Номер патента: 1676402

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Караваев, Ткаченко, Уйманов

МПК: H01L 47/02

Метки: ганна, диод

...основнойчастоте,Поскольку в настоящих ДГ, по сравнению с ДГ работающими ца основнойЪ35частоте, частота генерации определяется уже це длиной активной области1., а периодом неоднородности е легирования, то, увеличивая длину активной области, цо оставляя период неод-нородности профиля легирования равным прежней длине активной области,на выходе можно получить СВЧ-сигналтой же частоты, но гораздо большеймощности. Т,е. для увеличения выходной мощности толщина активного слоянастоящего диода 1. должна удонлетоворять условию1(М. 1) ) ) 1,где 1, - толщина однородного активного50слоя,т.е. толщина активного слоя ДГ беэфступенек.11 ринедецные вьппе рассуждения наоснове 4 аэических представлений былипроверены расчетным путем, а именнометодом...

Номер патента: 1749952

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Политыко, Федяев

МПК: H01L 21/603

Метки: мощный, полупроводниковый, прибор

...резко снижают паразитное тепловыделение в области металлической гильзы 6, представляющей собой короткоэамкнутый виток катушки,Кроме того, стакан 8 из меди в силу большой пластичности меди требует мень.ших усилий при его сплющивании (обжиме), Длина сплющенной части стержня 7 электроввода, колеблющаяся в пределах 1,5-2 5 диаметров стержня 7, выбрана из соображений обеспечения необходимой электро- и теплопроводности с одной стороны и сохранейия прочности металлостеклянного спая с другой; 10Стальной держатель 1 непосредственно сварен с корпусом 4 за счет специальйо созданного из металла корпуса или держателя сварочного буртика.Испбльэование в качестве материала 15 держателя широко распространенных марок стали например, Ст.10)...

Номер патента: 1749953

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Виноградов, Дехтяр, Казакова, Савваитова, Сагалович

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, кремнии, примеси

...первому облучению образца при его одновременном линейном нагреве . до 300 С получена информация о точечных и структурных дефектах поверхности, в том числе и свободных связях, т.е. облучение светом с энергией фотона выше фотоэлектрической, работы выхода электрона, но ниже энергии связи кремний - водород позволяет освободить электроны, ток которйх изменяется с ростом температуры, при этом связи кремний - водород не нарушаются.Благодаря охлаждению образца до начальной температуры, при которой образец облучают светом с энергией фотона, равной .энергии разрыва связи кремний - водород, выделяется водород и образуется большое количество оборванных свободных связей. Благодаря третьему облучению образцапри линейном нагреве до ЗОООС...

Номер патента: 1749954

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Сидоров, Соха

МПК: H01L 23/48, H01L 25/00, H01L 27/00 ...

Метки: микросхема

...на расстояние не менее 0,1 мм ат термоизолированной платы обеспечивает тепловое сопротивление более 4 50000 к/Вт, что практически не оказывает шунтирующега теплового воздействия на термоизолированную плату 1.Микросхема совместима с гибридной технологией, поэтому с точки зрения технико-эканамической целесообразности возможен вариант реализации всей алектаической схемы в виде гибридной интегральной схемы, компоненты катоаай, реализующие вторичный преобразователь, размещены вне линии обрыва на фиг.1 и 2 на общей, например, паликаравой изотермической плате 9, Расстояниеопределяется из соотношения где Л - теплоправодность диэлектрической платы 8;Я - площадь поперечного сечения диэлектрической платы 8, в направлении рассматриваемого...

Номер патента: 1749955

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Идлис, Фролов

МПК: H01L 31/10

Метки: твердотельное

...что часть р - и-перехода смещена в пря- . чением потенциала подложки ур. При премом,ачастьвблизиконтакта 5-вобратном вышении Е пороговой величины Епор (Енаправлении, т,е. потенциал подложки ока Е,р) структура находится в неустойчивомзывается в пределах О ур Е. Вдоль Р-и- состоянии (азЬз) или(адЬ 4), проявляющемсяперехода по слоям 2 и 3 протекает в генерации электрических колебаний илисуммарный ток ), определяемый распреде-переключении электрического состояния,пением потенциалавэтихслоях. Вотсутст- При дальнейшем увеличении Е (Е Елор)структура опять переходит в устойчивое состояние (аьЬь), Таким образом, существуетдиапазон напряженийЕпорЕ Емакс,в котором при включении подсветки происходит возбуждение неустойчивостей. Кромеперечисленных...

Номер патента: 1749956

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Богомолов, Бродягин, Быховский, Губин, Рурукина

МПК: H01L 31/14

Метки: качества, пористых

...выходом диода 17, вход которого связан с шиной заземления источника питания, Выход диода 16 соединен параллельнос первым выводом резистора 12 и шиной заземления источника питания через конденсатор 29. Второй вывод резистора 12 связан параллельно с первыми выводами конденсатора 30, резистора 13 и базой транзистора 20, эмиттер которого, а также вторые выводы конденсатора 30 и резистора 13 соединены с шиной заземления источника питания. Коллектор транзистора 20 связан параллельно с вторым выводом резистора 2 и базой транзистора 21, эмиттер которого связан с шиной заземления источника питания через резистор 14, Коллектор транзистора 21 соединен параллельно с вторым выводом резистора 1 и резистором 15,На фиг,2 обозначены: светодиод 1, фо-....

Номер патента: 1749957

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Качалов, Колганова, Ржевский, Спорышев

МПК: H01L 35/02

Метки: генератор, органическом, термоэлектрический, топливе

...и продуктов сгорания.На чертеже изображен схематическитермоэлектрический генератор, разрез,Термогенератор содержит камеру 1 стяговой трубой 2, горелку 3 с введенной вкамеру 1 выхлопной трубой 4, снабженнуюснаружи термобатареей 5 с охлаждающимрадиатором 6 и соединенную с камерой посредством рециркуляционного воздуховода7. Камера 1 с тяговой трубой 2 снаружизаключена в обечайку 8, охватывающую также термобатарею 5 с образованием воздушного тягового кольцевого тракта 9, Камера 1на уровнеподключения к ней рециркуляционного воздуховода 7 имеет отверстие 10,расположенное ниже среза выхлопной трубы 4 горелки 3. Воздух в термогенераторпоступает через окна 11.Термоэлектрогенератор работает следующим образом,При сжигании топлива в горелке 3...

Номер патента: 1750076

Опубликовано: 23.07.1992

Автор: Детинов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор

...с его дном ре- наружного воздуха через зазоры между пучбрами 7.ками проволок 3 над ребрами 7 (в районеНа вйутренней поверхнбсти 8 стенки 5 ребер), что повышает эффективность тепловыполнены клинообразные выступы 9, Меж- . обмена и расширяет эксплуатационные возду стенкой 5 и цилиндром 4 установлены 30 можности радиатора.клинообразные сухарики 10, размещенныемежду ребрами 7, и пучки гибкйх проволок Формулаизобретен ия3, размещенные в окнах 6 симметрично от- Радиатор для охлаждения. преимущестносительно торцов стенки 5, по обе стороны венно полупроводнйковых приборов, содна стакана, Со стороны вершин 11 сухари держащий теплоотводящее основание,ков 10 на резьбе цилиндра 4 установлена выполненное в виде "стакана и вставки...

Номер патента: 1751828

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Дудник, Соловьев

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической

...ленты, имеющее по периметру цилиндрические посадочные гнезда, в которых установлены радиальные лепестки.Известный радиатор имеет уобразный 15 профиль гофров кольца и, следовательно, низкую эффективность охлаждения из-за малой площади контакта между прибором и радиатором, Кроме того, радиатор конструктивно сложен и нетехнологичен. так как 20 имеет сложный профиль гофров и сборную конструкцию.Цель изобретения - повышение эффективноети охлаждения, упрощение конструкции и повышение технологичности 25 изгОтовления радиатора. На фиг.1 изображен радиатор, вид сверху; на фиг.2 - радиатор с прибором, вид сбоку; на Фиг,3 - развертка заготовки ради атора (пунктиром отмечены линии сгиба).Радиатор содержит обжимное кольцо 1, выполненное в виде...

Номер патента: 1751829

Опубликовано: 30.07.1992

Автор: Пилюгин

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводникового, прибора

...прибора, а элемент крепления расположен на продольной геометрической оси верхней полки корпуса,На фиг,1 представлена конструкция устройства; на фиг.2 - то же, вид сбоку: на фиг.3 - то же, вид сверху: на фиг 4 - Г -образный корпус, поперечное сечение; на фиг.5 - вариант использования устройства для охлаждения группы приборов; на фиг,б - устройство для охлаждения с буквенными обозначениями,устройство для охлаждения содержит оребренный корпус 1, выполненный Г-образным в поперечном сечении, между полками 2 и 3 которого размещены теплоотводящая пластина 4 и элемент крепления 5,расположенный на продольной геометрической оси верхней полки 2 корпуса 1, Тепло- проводящая пластина 4 имеет ребра б и вырез 7 и служит для фиксации охлаждаемого...

Номер патента: 1751830

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Захаров, Кутумова, Солодов

МПК: H01L 23/44

Метки: полупроводниковый, прибор

...структурой толщиной 1-2 толщины кристалла и является зоной конденсации. Обе зоны соединены между собой артериальными фитилями 5. Между зонами образовано паровое пространство 6, боковая поверхность вставки соединена с внутренней поверхностью корпуса через мембрану 7, обрамляющую вставку. При работе прибора кристаллы 1 выделяют тепло, при этом жидкий хладагент, находящийся в зоне испарения, закипая и испаряясь, понижает температуру поверхности кристаллов. Пары хладагента поступают через паровое пространство б в зону конденсации, где, охлаждаясь, возвращаются в виде конденсата по артериальным фитилям 5 и боковым стенкам корпуса по капиллярно-пористому слою в зону испарения, а теплота отводится через стенки корпуса в окружающую...

Номер патента: 1751868

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Ким, Рожевецкий

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: высокотемпературных, термостатирования, электрорадиоэлементов

...хладагента, необходимое для охлаждения термостатируемого элементадо его рабочей температуры - стационарный режим работы устройства. Максимальные по амплитуде колебания хладагента в корпусе образуются при положении радиатора на высоте 1/4 длины корпуса от основания, Таким образом, термочувствительные элементы изменяют свои линейные размеры в соответствии с температурой термостатируемого элемента и соответственно перемещают его относительно 1/4 длины корпуса, что соответственно приводит к увеличению или уменьшению амплитуды колебания хладагента в корпусе устройства, т,е. к уменьшению или увеличению дозы хладагента на термостатируемый элемент. Частота колебаний хладагента в полости корпуса устройства равна или кратна собственной...

Номер патента: 1751872

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Гундарев, Москвичев

МПК: H01L 21/66, H05K 13/02, H05K 13/08 ...

Метки: вакуумный, захват

...и толкатель 3 посредством проводов 10 соединены с блоком измеренил (не показан), Провода 10 располокены внутри втулки 11, соединенной с управляемой вакуумной системой (не показана),Кристаллы 6 имеют возможность упасть в нужную приемную кассету 12, проходящую под вакуумным захватом после измерения их электрических параметров.Устройство работает следующим образом.Кристаллы 6, находящиеся в кассете 7, которая установлена на подкассетнике 8, снизу контактируются подпружиненными контактами. При воздействии сверху вакуумного захвата на кристалл 6 происходит замыкание цепи измерения посредством.втулки 1 и толкателя 3, с которыми присоединены провода 10, пропущенные внутритрубки 11, связывал захват с. вакуумной си 5 стемой,Толкатель 3 в этот...

Номер патента: 1753961

Опубликовано: 07.08.1992

Автор: Сасов

МПК: H01L 21/50

Метки: гибридный, многоуровневый, модуль, электронный

...закреп 4ляется механически к общей охлаждающей системе, а внешние выводные контакты 4 плат 13 имеют контакт с общейкоммутирующей платой, образуя внешниевыводы модуля,В целях увеличения плотности упаковки целесообразно использовать вы.сокую теплопроводность подложки некоторых элементов. для непосредственной.передачи тепловой энергии на теплорастекатель; На фиг.5 показан поперечный разрез такого модуля, где элемент, входящий в плату 13, имеет не-посредственный тепловой контакт степлорастекателем 18. Особенностьюданной конструкции является то, чтопроводники 5 нанесены ца изолирующийслой, закрывающий лицевую часть элемента 1. Конструкция данного модуляпредусматривает наличие промежуточнойкоммутационной платы 19 с жесткимиплацарными...

Номер патента: 1556076

Опубликовано: 07.08.1992

Авторы: Агабеков, Алексеев, Гудименко, Игнашева, Лабунов, Солдатов

МПК: C07D 265/38, G03C 1/72, H01L 21/312 ...

Метки: 9-диэтиламино-3-метакрилоилокси-5н-бензо, дицианметилен, качестве, литографии, сухой, термонапыляемого, феноксазин-5, фоторезиста

...ФРтолщиной 1,1 мкм (пример 2) обрабатывают ионами аргона с Е = 30 кэВ, Р = 110 ион/ /см, 1 = 50-80 мкЛ/см и помещают в установку плаэмохимического травления 08-ПХ 0-100 Т, где обрабатывают плазмой "Хладон" (СР) при следующих условиях: давление в камере 1 мм рт.ст мощность 1,8 кВт, ток 0,7 А, время травления 3 мцн, В этих условиях скорость травления, рассчитанная по изменению толщины пленки за Ю время воздействия плазмы, Ч = 100 А/ /мин. Селективцость транлеция, определяемая отношением скорости травления9810/Чб = 1000 Л/миц к скорости траволения маски, Б = 10. 25П р и м е р 14. Пластину 80 на КДБ-О,З с пленкой ФРтолщиной ,1 мкм (пример 2) облучают излучением лампы ДРЦ 1-000 (доза 8-10 Дж/см ) и помещают в установку илазмохимцческого...

Номер патента: 1755334

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Арро, Донцова

МПК: H01L 21/306

Метки: контролируемого, корпусов, растворения, эпоксидных

...корпусов при сохраненииметэллиэации.Для реализации способа используюткассету, которую изготавливают из фторопласта, состоящего из пяти частей; верхняячасть кассеты, нижняя часть кассеты, средняя часть кассеты, держатель и крепежныйвинт, В верхней части кассетырасйоложеноквадратное отверстие на том месте над кристаллом, где пластмассу необходимо локально растворить. В средней части кассетырасположены углубление, соответствующеепо форме и размерам корпусу, и щели дляметаллических выводов (ножек), Щели посвоей форме и размерам в средней и нижней частях, или только в средней в случаекоротких выводов, кассеты должны точносоответствовать длине и наклону вйводов.Щели в нижней части кассеты не должныбыть сквозными.Все три части плотно...

Номер патента: 1755335

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Возмилова, Пенина

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллографических, материалах, направлений, полупроводниковых, типа

...Корректор И, Шулла Заказ 2897Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г, Ужгород. ул, Гагарина, 101 водниковых материалах, включающему механическое воздействие на поверхность полупроводникового материала пирамидой Виккерса с последующим анализом образовавшихся в результате воздействия фигур, механическое воздействие осуществляют в трех точках, выбранных из условия получе-. ния неперекрывающихся фигур, с нагрузкой 30-100 г, причем диагональ пирамиды Виккерса располагают в направлении 100, подсчитывают число трещин в двух взаимно перпендикулярййх направлениях от углов полученных отпечатков, и направление...

Номер патента: 1755336

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Грибковский, Паращук, Русаков

МПК: H01L 21/66

Метки: возбуждения, гексагональных, заданного, полупроводниках, разряда, стримерного, типа

...При этом возможна селекция .: ных типов обуславливает невысокую эффектолько одного типа стримера(ез), интенсив- тивность селекции. При охлаждении же1755336 ра одногО-двух типов. В случае отрицательной полярности возбуждаются только разряды типа е 1, а их количество уменьшается гасится только один из трех возможных типов разрядов, а два остальные возбуждаются одновременно, что ограничивает электрического поля, в частности от взаим той, так как не требует низких температур,ного расположения образца и электрода. В экономией материала в связи с использоваслучае кристаллов СбЗ подведение иглово- нием тонких стержневидных образцов;го электрода со стороны плоскости (1010): . Способ может быть использован при образца при 77 К приводит к...

Номер патента: 1755337

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Волянский, Хейфец

МПК: H01L 25/00, H02M 7/10

Метки: умножитель

...первого импользовании зигзагообразных контактных 5 пульса конденсатор С 1 заряжается через элементов могут располагаться или между вентиль Ч 1 до напряжения 01 = О, 8 проконтактной поверхностью конденсатора и межутокмежду импульсамиконденсатор С 2 контактным элементомили между сторона- заряжается через диод Ч до нап ряжения, ми контактного элемента, При использова- имеющегося наконденсэторе С 1, Сприходом нии П-образныхкойтактных элементов 10 следующего импульса входное напряжение выводы вентильйых элементов расположе- суммируется с напряжением на конденсатоны между контактнымэлементом и поверх- ре С 2. Сумма этих напряжений Ос 2+ О ностью кондейсатора, заряжает через диод Чз конденсатор СЗ, ТакВведение в устройство гибкого эластич- как...

Номер патента: 1755338

Опубликовано: 15.08.1992

Авторы: Белоус, Силин, Стадник

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...металлизированные шинц 8 питания и общие шины 9, В интегральной схемеполупроводниковые области 12-14 с р-канальным МОП-транзистором 4, первым и -30 р-и-транзистором 5 и резистором 7сформированы над общим скрытым слоемвторого(п+) типа проводимости 19, выведенном на планарную поверхность интегральной схемы посредством дополнительной35 полупроеоднйковой области 21 второго (и)типа проводимости, выполненной под шиной 8 питания и соединенной с ней, Полупроводниковые области 15 и 16 си-канальными транзисторами 2 и 3 сформи 40 рованы над общим скрытым слоем 18 первого(р+) типа проводимости, выведенном напланарную поверхность интегральной схемы посредством дополнительной полупроводниковой области 22 первого (р+) типа45 проводимости,...

Номер патента: 1755339

Опубликовано: 15.08.1992

Автор: Онушко

МПК: H01L 39/16

Метки: твердотельный, усилитель

...конец спирали 5 также кондуктивно или электрически соединен свыходной линией 8 передачи и нагрузкой 9,Средняя часть спирали 5 и диэлектрическийслой 4 покрыты резистивным слоем 10,Усилитель (фиг, 1) работает следующимобразом. Источник Е внешней электрической цепи, электрически соединенный через переменный резистор й с контактами 2 на концах сверхпроводящей пленки 1, находящейся в сверхпроводящем состоянии, создает в последней направленное движение куперовских пар сверхпроводящих электронов, прИчем Движение электронных пар направлено от входа (входной передающей линии 7) усилителя к его выходу. Сверхпроводящие электронные пары в пленке 1 при движении вообще не испытывают соударений с примесями и решеткой пленки 1, причем скорость...

Номер патента: 1756976

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Добров, Жемеров, Кубышкин, Лабковский

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...вид; на фиг,2 - сечение А-А нафиг,1; на фиг,З - деталировка пружинногостягивающего устройства; на фиг,4 - сечение Б-Б на фиг.З; на фиг.5 - устройствопосле срабатывания.Полупроводниковый преобразовательсостоит иэ теплоотводов 1, коммутационных элементов и дисковых вентилей 2, сжатых прижимным механизмом, состоящимиз тяг 3, к которым с одной стороны прикреплен корпус 4 распорного устройства,призма 5, два цилиндра 6 и распорный винт7, а с другой стороны - корпус 8 пружинногостягивающего устройства, в котором размещены тарельчатые пружины 9. На корпусе 3пружинного стягивающего устройства установлен на оси якорь 10, подпружиненный 3пружинной 11, Якорь 10 удерживается в ра,бочем положении при помощи выступа 12на поводке 13, который...

Номер патента: 1756977

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Вулис, Панов, Рыбин, Черников

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...мостовой схемы он снабжен контактнымиэлементами Г-образной формы 23, одно плечо которых выведено эа пределы цилин- дрического изоляционного корпуса 1, В корпусе охладителей 3 выполнен дополнительный паз 24, вблизи которого установлен гибкий проводник 25, одним концом 26 соединенный с охладителем 3, а другим 27-с одним из упомянутых контактных элементов 23 (фиг,2), Клеммы а, Ь, с - выводы для подключения фаз сети, 9 иО - выводы выпрямляемого тока для соединения во внешней цепи с выводами на крышке и днище корпуса 1 и для подключения нагрузки (фиг.1). Контактный элемент 23 в данном варианте исполнения имеет резьбу с обеих сторон (фиг,3 и 4) и его размещение на корпусе 1 совпадает с расположением дополни тельных пазов 24 на охладителе 3,...

Номер патента: 1756978

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Горохов, Гридин, Кузьминов, Лифанова, Матанов, Фалин

МПК: H01L 25/04

Метки: модуль, полупроводниковый

...центрирующий тарельчатый пружины 13, а на другой широкой стороне в центре выполнена выемка, центрирующая положение изолятора14 и управляющего вывода 15, расположенного на изоляторе и представляющего собой плоскую пружину из фосфористойбронзы, сцентированную в месте контакта сполупроводниковым элементом 1,Таким образом, подпятник 12 упрощает как центровку всех элементов узла управления, так и его сборку и, кроме того, в данном случае, не требуется жесткое центрирование управляющего вывода 15, так как он, являясь одновременно плоской пружиной, под действием остальных элементов сам занимает нужное место в пределах допуска,обеспеченного его формой.Самоцентрирование плоской пружины 15 в пределах допуска обеспечивается наличием изолятора,...

Номер патента: 1648223

Опубликовано: 23.08.1992

Авторы: Кулаженков, Ливенцов-Ковнеристов, Ященко

МПК: H01L 31/04

Метки: координатный, кремниевый, многоэлементный, фотоприемник

...обусловлены многими факторами, начиная от стабильности параметров ФП и электронной системы до стабильности динамики органов управления,После окончания наведения центральная часть ФП затенена экраном 10 в больной цли меньшей степени н зависимости от выбранного размера экрана 10. Однако при прочих равныхРусловиях величина + О. достигает наименьшего значения при большом затенении внутренней квадратной области ФП.Выбор размеров непрозрачных затеняющих экранов круглой формы.Наименьший размер круглого экрана определяется нз соображения обеспечения непрерывности (нерелейцости) характеристики малой внутренней 4-элементной центральной квадрантной области фотоприемника, Для этого диаметр экрана должен вписываться н квадрант (фиг.4) или немного...

Номер патента: 1758710

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Бермудес, Скуратов, Сохацкий

МПК: G01N 1/32, H01L 21/265

Метки: ионной, повреждаемости, профилей, создания

...(выступов) глубиной (высотой) 1 с наклонными образующими поверхностями, облучают заряженными частицами с проек 5 10 15 20 25 30 35 40 тивным пробегом Ври в даином материале, затем электрол итически осаждают на облученную поверхность слой материала, близкий по химическим свойствам к материалу образца, толщиной Л, где Ли, и электролитически утоняют полученный образец с двух сторон до плоскости наблюдения, находящейся от первоначальной поверхности на глубине Врхи.Г 1 ри этом в электронном микроскопе исследуются проекции профиля повреждения на плоскость наблюдения вблизи наклонных поверхностей.Таким образом. если величины" К Л и глубины расположения плоскости наблюдения выбраны в указанных пределах, то в проекции профиля на плоскость...

Номер патента: 1758711

Опубликовано: 30.08.1992

Автор: Пяткин

МПК: H01L 25/00

Метки: статический

...оборудование 18, 19, 20 и коммутирующие конденсаторы 21, непосредственно установленные вкаркасе секции 2 шкафа (без применения выдвижных блочных каркасов).Блоки тиристоров инвертора и компенсатора 7 и 8 размещены в секции 1 шкафа вдвух горизонтальных рядах потри блока (почислу фаэ преобразователя) в каждом горизонтальном ряду с воэможностью соединения по отдельности шиной 22 анодньх 23 (+Од) и шиной 24 катодных 25 (-Од) групптиристоров инвертора 26, а также соединения шинами 27 фаэных(клеммы 28, 29, 30) групп тиристоров инвертора 26 и компенсатора 31, причем блоки тиристоров компенсатора 8 размещены над блокамитиристоров инвертора 7.Электрическое соединение тиристоров32 блока тиристоров 8 в компенсаторе 31 354050 управления 16 в виде...

Номер патента: 1758712

Опубликовано: 30.08.1992

Авторы: Гайсаров, Гольдштейн, Левин, Чадаев

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковый

...которого направлены вдоль ортогональных осей х, у, г, содержащем размещенные в корпусе секции блоки с охладителями,5 10 имеющими каналы для потока хладагента и установленными в ряды, оси которых направлены вдоль оси х, а соседние ряды смещены относительно друг друга в одном направлении вдоль оси у на шаг и, определяемый размерами блоков по оси у, камеруизбыточного давления и камеру разрежения, поток хладагента между которыми направлен параллельно через все охладители перпендикулярно осям блоков, а в камерах - вдоль оси у, причем в камерах избыточного давления и разрежения предусмотрены каналы, обеспечивающие нормированный для одного блока с охладителями поток хладагента и имеющие поперечное сечение, ограниченное по оси х габаритов...