H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1371475

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Вербицкая, Еремин, Клячкин, Маляренко, Строкан, Суханов

МПК: G01T 1/24, H01L 21/02, H01L 31/08 ...

Метки: детектор, заряженных, короткопробежных, частиц

1. Детектор короткопробежных заряженных частиц, состоящий из p+ - n - n+-структуры на основе кремниевой монокристаллической подложки со слоем двуокиси кремния, ограничивающим p+-область, и контактов, отличающийся тем, что, с целью улучшения разрешающей способности детектора, подложка выполнена из кремния с удельным сопротивлением 100 Ом см , и толщиной l, удовлетворяющей соотношению / S( l - b - W )

Номер патента: 1810025

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Короткий, Усов

МПК: H01L 21/326, H05B 7/00

Метки: дисперсного, плазменной

СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ДИСПЕРСНОГО МАТЕРИАЛА, включающий подачу в разрядную камеру высокочастотного индуцированного плазмотрона плазмообразующей среды, формирование в ней от высокочастотного источника питания индукционного разряда и подачу в область разряда дисперсного материала, отличающийся тем, что, с целью повышения удельной производительности при обработке высокотемпературного дисперсного материала за счет повышения устойчивости разряда, в рабочем объеме разрядной камеры высокочастотного индукционного плазмотрона дополнительно формируют от низкочастотного источника питания совмещенный с высокочастотным индукционным разрядом сильноточный электродуговой разряд, подачу дисперсного материала осуществляют в область совмещенного...

Номер патента: 1811328

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Ефимов, Зуева, Карелин, Корсаков, Николаева, Плавич, Саратовских, Титков

МПК: H01L 21/312

Метки: пленки, полианилина

...промывают, обрабатывают раствором аммиака (0,12 М), сушат в вакууме при 60-70 С. Полученный порошок полианилина-основания растворяют в концентрированной муравьиной кислоте (99,7 Я,). После удаления нерастворившейся части центрифугированием получают раствор полианилина концентрацией 30 г/л. Из этого раствора отливают пленки на подложки из стекла или кремния, закрепленные на вращающемся столике центрифуги (скорость.вращения 5-7 тыс, об/мин). Полученные пленки имеют неравномерную толщину и окраску, При разбавлении муравьиной кислотой с целью получения более тонких пленок качество их остается тем же. Толщина пленки 0,4-0,6 мкм, по данным сканирующей электронной микроскопии,П р и м е р 2. Операции выполняют по примеру 1, но с тем отличием,...

Номер патента: 749293

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Булгаков, Косоплеткин, Красножон, Толстых

МПК: H01L 21/306

Метки: двуокиси, ионно-химического, кремния, нитрида, травления

СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ в потоке фторсодержащих ионов и электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения селективности травления по отношению к кремнию, травление проводят в потоке положительных ионов фтористого водорода и продуктов диссоциации аммиака.

Номер патента: 1003702

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Андреев, Задиранов, Зимогорова, Ивентьева, Мырзин

МПК: H01L 31/04

Метки: солнечный, фотопреобразователь

СОЛНЕЧНЫЙ ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, содержащий p - n - p(n - p - n)-полупроводниковую гетероструктуру на основе твердых растворов алюминия - галлия - мышьяка с омическими контактами ко всем слоям, в которой ширина запрещенной зоны n-слоя (p-слоя) больше, чем ширина запрещенных зон p-слоев (n-слоев), и нагрузочный элемент, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД при одновременном расширении спектра фоточувствительности, в фотопреобразователь дополнительно введены два нагрузочных элемента, слой на основе твердых растворов галлия - мышьяка - сурьмы с содержанием антимонида галлия 15 - 30 мол. % с омическим контактом к нему, при этом дополнительный слой расположен на тыльной стороне фотопреобразователя, а нагрузочные элементы включены между...

Номер патента: 1725700

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Загоруйко, Карпова, Комар, Терейковская

МПК: H01L 21/28

Метки: aiibvi, контактных, кристаллов, оптических, поверхности, полупроводниковых, слоев, создания, типа

СПОСОБ СОЗДАНИЯ КОНТАКТНЫХ СЛОЕВ НА ПОВЕРХНОСТИ ОПТИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AIIBIV, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20 - 30 мин при 18 - 25oС, металлический слой наносят при 10 - 15oС путем осаждения серебра из смеси щелочного раствора аммиаката серебра следующего состава, мас. % :Азотнокислое серебро 1,57Гидрат окиси калия (45% -ный) 2,27Водный аммиак (25% -ный) 17,79

Номер патента: 1101081

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/22, H01L 27/02

Метки: компенсацией, полупроводниковый, резистор, температурной

1. Полупроводниковый резистор с температурной компенсацией, содержащий резистивный элемент из монокристаллического кремния n-типа с диффузионной областью, сформированной введением примеси, две контактные площадки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения температурного коэффициента сопротивления, элемент легирован редкоземельным металлом, распределенным по объему, приближающемуся к закону дополнительной функции ошибок, с концентрацией носителей Na 5 1018 см-3 и имеющим отношение концентрации носителей в легированной области к концентрации носителей в нелегированной

Номер патента: 1681694

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Губин, Катин, Острецов, Стадник, Шамардин

МПК: H01L 21/00

Метки: корпус, микросхемы

КОРПУС ДЛЯ МИКРОСХЕМЫ, содержащий керамическую плату с контактными площадками и выводную рамку с наружными и внутренними частями выводов, соединенными с контактными площадками, отличающийся тем, что, с целью улучшения технологичности, керамическая плата выполнена пирамидальной, с боковыми гранями в виде ступеней одинаковой высоты, на которых размещены контактные площадки, образующие симметричные группы, состоящие из центральной площадки, расположенной на верхней ступеньке, и пар зеркально симметричных площадок на нижележащих ступеньках платы, при этом внутренние части выводов выполнены в виде обнисок.

Номер патента: 1777517

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Гришмановский, Козлова, Лебедева, Плаксенков

МПК: H01L 21/48

Метки: выводных, заготовок, полупроводниковых, приборов, профильных, рамок

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРОФИЛЬНЫХ ЗАГОТОВОК ВЫВОДНЫХ РАМОК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий соединение ленточных материалов выводов и теплоотвода, резку и штамповку, отличающийся тем, что, с целью экономии материалов и снижения трудоемкости, на ленточном материале выводов размещают одну или несколько полос ленточного материала теплоотвода и прокладку, предотвращающую сварку, наматывают полученную слоистую структуру на оправку, выполненную из жаропрочного материала с высоким температурным коэффициентом линейного расширения, на сформированный рулон наматывают металлическую ленту из материала с низким температурным коэффициентом линейного расширения и нагревают рулон с оправкой в защитной среде до температуры, равной 0,8 величины,...

Номер патента: 1635817

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

...формирование контактных площадок и межсоединений и получение омического контакта посредством вжигания алюминия,П р и м е р 3. На кремниевой пластине, марка КЭФ, плоскость кристаллографической ориентации 110), методом термического окисления создается маскирующий слой двуокиси кремния толщиной 0,5-0,8 мм, затем групповым методом фотолитографии вскрывают окно первой области, Затем на пластину методом центрифугирования наносят гидролиэно-поликонденсационную пленку двуокиси кремния, содержащую 20 мас. 7 ь ангидрида - диффуэанта донора глубокого уровня - железа, Проводят термодеструкцию пленки при 600 С в течение 3 мин в потоке инертного газа (аргона) и удаляют с поверхности маскирующего слоя ЯЮг легированную железом пленку, Затем...

Номер патента: 1284415

Опубликовано: 15.05.1994

Авторы: Глущенко, Красножон

МПК: H01L 21/331

Метки: n-p-n, вч-транзисторных, кремниевых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ n-p-n ВЧ-ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР, включающий формирование в кремниевой полупроводниковой подложке базовой области, легированной бором, нанесение маскирующего слоя, стойкого к окислительной среде, например нитрида кремния, гравировку, при которой маскирующий слой, стойкий к окислению, остается в местах расположения будущих эмиттеров, термическое перераспределение базовой примеси в окислительной среде, вскрытие эмиттерных окон удалением маскирующего слоя и формирование эмиттерной области, отличающийся тем, что, с целью улучшения частотных и усилительных свойств транзисторных структур при увеличении выходной мощности, после формирования в полупроводниковой подложке базовой области перед нанесением маскирующего...

Номер патента: 1531753

Опубликовано: 15.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/225

Метки: компенсацией, полупроводниковых, структур, температурной

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР С ТЕМПЕРАТУРНОЙ КОМПЕНСАЦИЕЙ, включающий формирование на поверхности монокристаллического кремния двух соприкасающихся областей путем диффузионного легирования примесями одинакового типа проводимости, при этом первую область легируют примесью глубокого уровня, а вторую область - примесью мелкого уровня до концентрации примеси мелкого уровня, значительно большей концентрации примеси глубокого уровня, и глубины p - n-перехода примеси мелкого уровня, значительно меньшей глубины p - n-перехода примеси глубокого уровня, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения температурного коэффициента удельного сопротивления слоев кремния p- и n-типа и упрощения технологии...

Номер патента: 1378720

Опубликовано: 30.05.1994

Автор: Ковалев

МПК: H01L 23/34

Метки: преобразовательное

ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО, содержащее таблеточные полупроводниковые приборы, установленные на групповые охладители контактными поверхностями полых индивидуальных охладителей, подвижно соединенных один с другим посредством диэлектрических втулок, отличающееся тем, что, с целью снижения габаритных размеров устройства и повышения удобства обслуживания, втулки смещены от оси, проходящей через центры полупроводниковых приборов, на расстояние ld/2 l d/2 + l1,где d - диаметр полупроводникового прибора;l1 - расстояние между двумя соседними шинами.

Номер патента: 1627012

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Калянин, Новиков, Фунда

МПК: H01L 23/00

Метки: герметизации, устройства, электронного

...герметичного соединения деталей корпуса 40 еобходи",о иметь стекпопорошки с удельной поверхностью 3000 - 10000 см /г. Чем тоньше слои припоечного стекла, тем мельче должен быть стекпопорошок, т,е, иметь большую гранупометрическую удельную по верхность.Использование более мелкодисперсных порошков с удельной поверхностью более 10000 см г, во-первых, экономически2не оправдано (излишняя трудоемкость при 50 помоле), во-вторых, приводит к образованию мелких воздушных пузырьков при оппавлении пасты из сгекпопорашка, что снижает надежность гермегичного соединения деталей корпуса.55 При удельной поверхности порошканиже 3000 см /г (наличие крупных гранул)гпри оплавлении тонких слоев пасты образуются возвышения (неровности) в виде центров...

Номер патента: 1783930

Опубликовано: 30.05.1994

Автор: Кремнев

МПК: H01L 21/26

Метки: легирования, полупроводников

СПОСОБ ЛЕГИРОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ, включающий нанесение на поверхность полупроводника источника примеси, размещение полупроводника на одном электроде, нагревание полупроводника, приложение между электродами напряжения постоянного тока, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества полупроводников за счет снижения дефектности их кристаллической решетки, обеспечения возможности введения примеси на любую глубину и взрывобезопасности способа, полупроводник размещают на плоском электроде, нагревание осуществляют до 300 - 800oС, напряжение прикладывают в течение времени, необходимого для получения требуемой глубины легирования, а величину напряжения выбирают из условия обеспечения зажигания коронного заряда.

Номер патента: 1410783

Опубликовано: 30.05.1994

Авторы: Гогиберидзе, Красножон, Паринов, Хворов

МПК: H01L 21/82

Метки: мдп-интегральных, структур, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР МДП-ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий последовательное формирование на рабочей стороне кремниевой подложки слоев двуокиси кремния, фоторезиста, нитрида кремния и поликремния, плазмохимическое травление этих слоев, формирование областей МДП-транзисторов и контактов к ним, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур за счет предотвращения электрического пробоя слоев двуокиси кремния толщиной до 75 нм на рабочей стороне подложки при плазмохимическом травлении, перед плазмохимическим травлением на обратной стороне подложки формируют слой двуокиси кремния в виде равномерно распределенных по площади участков толщиной не менее, чем на рабочей стороне подложки.

Номер патента: 1433333

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Борзунов, Лапатин, Медведев, Монич, Петров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: поверхностной, полупроводников, фотоэдс

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОЙ ФОТОЭДС ПОЛУПРОВОДНИКОВ, содержащее импульсный источник света, конденсаторную ячейку с полупрозрачным электродом, импульсный усилитель, соединенный с индикатором, отличающееся тем, что, с целью повышения точности измерения величины и определения знака поверхностной фотоЭДС, в него дополнительно введены последовательно соединенные генератор тестовых импульсов, первый управляемый коммутатор с переменой знака выходного напряжения, первый управляемый электронный ключ, резистор, второй управляемый электронный ключ, второй управляемый коммутатор с переменой знака выходного напряжения и схема сравнения с блоком опорного сигнала; компаратор, генератор синхронизации с тремя выходами и третий управляемый...

Номер патента: 1757400

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Карасев, Скрылев, Фрост

МПК: H01L 21/82

Метки: виртуальной, зарядовой, прибора, связью, фазой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПРИБОРА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ С ВИРТУАЛЬНОЙ ФАЗОЙ, включающий создание ионным легированием стоп-каналов, формирующих каналы переноса, скрытого канала и областей виртуальной фазы, нанесение подзатворного диэлектрика, проводящего слоя, формирование в проводящем слое тактовых электродов, формирование виртуального затвора, вскрытие контактных окон и создание металлизированной разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения степени интеграции и упрощения технологического процесса за счет сокращения числа операций фотолитографии и ионного легирования, при создании стоп-каналов, формирующих каналы переноса, одновременно создают стоп-каналы, формирующие скрытый канал со встроенным потенциалом, а при формировании тактовых...

Номер патента: 1195849

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Алейникова, Емельянников, Родионов, Сутырин, Федоров, Хриткин

МПК: H01L 21/28

Метки: контактных, многослойных, систем, создания

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ, состоящих из базового слоя из окисляемого металла и основного слоя, содержащего по крайней мере один неокисляемый металл, включающий ионное травление основного слоя в смеси кислорода и инертного газа через защитный слой из окисляемого металла и химическое травление базового и защитного слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения точности воспроизведения размеров элементов, перед химическим травлением с поверхности базового и защитного слоев удаляют окисленный слой ионным травлением в среде инертного газа.

Номер патента: 895244

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Кузнецов, Марков, Пресс

МПК: H01L 21/312

Метки: многослойной, полупроводниковой, структуры

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ, включающий получение защитных выступов на полупроводниковой подложке и последовательное формирование рисунков диэлектрических и проводящих слоев с помощью контактной фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур и повышения технологичности процесса, получение защитных выступов проводят в процессе каждой фотолитографической операции формирования рисунков диэлектрических и проводящих слоев, причем выступы выполняют из материалов этих слоев.

Номер патента: 693903

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Вето, Левин, Марков, Пресс, Скрылев

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, основе, приборов, регистр, связью, сдвиговый

СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР НА ОСНОВЕ ПРИБОРОВ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий полупроводниковую подложку, диэлектрик, три изолированные поликремниевые системы электродов с замыкающими шинами, выполненными в виде трехслойных гребенок, вложенных одна в другую, отличающийся тем, что, с целью обеспечения передачи информационного заряда одновременно в продольном и поперечном направлениях, регистр содержит два разрешающих затвора, расположенных параллельно замыкающим шинам систем электродов, причем замыкающие шины двух систем электродов расположены на противоположных сторонах сдвигового регистра, а замыкающая шина системы электродов, расположенной в верхнем слое, размещена между замыкающими шинами первых двух систем электродов.

Номер патента: 755104

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Вето, Колотков, Кузнецов, Левин, Пресс, Рубинштейн, Седунов, Угрюмов, Шилин

МПК: H01L 27/148, H01L 31/00

Метки: видеосигналов, движущегося, зарядовой, изображения, приборах, связью, формирователь

ФОРМИРОВАТЕЛЬ ВИДЕОСИГНАЛОВ ДВИЖУЩЕГОСЯ ИЗОБРАЖЕНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащий светочувствительную матрицу, выходной сдвиговый регистр и тактовые шины, расположенные на одном полупроводниковом кристалле, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих освещенностей воспринимаемого изображения, он дополнительно содержит фотодетекторы и электронные ключи, сформированные на том же кристалле, а светочувствительная матрица разделена в направлении движения изображения на секции, электрически связанные между собой, кроме секции, контактирующей с выходным сдвиговым регистром и тактовыми шинами через соответствующие электронные ключи, электрически связанные с фотодетекторами.

Номер патента: 1639341

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Енишерлова-Вельяшева, Русак

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, кремния, поверхности

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ, включающий очистку поверхности кремния с ориентацией (100) и травление в составе, содержащем хромовый ангидрид, плавиковую кислоту и воду, отличающийся тем, что, с целью расширения выявляемых типов микродефектов в тонких приповерхностных слоях, травление проводят в составе, дополнительно содержащем азотную кислоту, при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Хромовый ангидрид 15 - 32Плавиковая кислота (45%-ная) 4 - 25Азотная кислота (72%-ная) 8 - 50Вода 10 - 36время травления составляет 5 - 15 мин, при этом количество хромового ангидрида в зависимости от толщины обрабатываемого слоя составляет, мкм:Более 10 15 - 4010 - 2 40 - 50

Номер патента: 1738035

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Аросев, Комкова, Рогов, Шереметьев

МПК: H01L 21/304

Метки: полупроводниковых, структур

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий наклейку пластин на план, утонение пластин до заданной толщины путем обработки нерабочей стороны, разделение пластин на отдельные структуры, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей способа и повышения выхода годных, перед наклейкой пластин на план на рабочей стороне пластины по ее периферии дополнительно жестко закрепляют кольцевой держатель, внутри которого наклеивают диск с зазором, и одновременно шлифуют торцевые поверхности кольцевого держателя и диска до их выравнивания, а перед разделением пластин удаляют диск путем его отклеивания и проводят металлизацию нерабочей стороны пластины, при этом диск выполняют из того же материала, что и...

Номер патента: 1168022

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Ковалев, Левитин, Фридман

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, полупроводниковый, преобразовательный

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬНЫЙ БЛОК, содержащий полупроводниковые приборы и предохранители, установленные каждый на своей снабженной токоподводом с одной стороны токопроводящей шине переменного и постоянного токов, одна из которых выполнена П-образной, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности и уменьшения расхода цветного металла путем улучшения токораспределения между полупроводниковыми приборами и компенсации электромагнитных полей, вторая шина выполнена также П-образной, а полупроводниковые приборы и предохранители расположены на обоих плечах соответствующих П-образных шин и соединены так, что n-й полупроводниковый прибор одного плеча одной шины соединен с n-м предохранителем противоположного плеча другой шины.

Номер патента: 1695812

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Грахов, Кусимов, Лебедев, Прохоров, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционный, магнитострикционным, преобразователем, составной, составным

1.Способ управления составным магнитострикционным преобразователем, заключающийся в том, что при отработке требуемого перемещения формируют импульсное продольное поле на выбранной исполнительной группе секций магнитострикционного элемента, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности управления, длительность импульса продольного поля выбирают равной интервалу времени первого достижения требуемого перемещения механической системы магнитострикционный элемент - нагрузка.2.Способ по п.1, отличающийся тем, что для возвращения в исходное положение формируют противоположно направленное импульсное продольное поле той же длительности на той же исполнительной группе секций.3.Способ по п.1, отличающийся тем, что для возвращения...

Номер патента: 1123474

Опубликовано: 15.06.1994

Авторы: Власов, Гопкало, Самойленко, Тетерьвов

МПК: H01L 21/304

Метки: круглых, пластинах, фаски

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ФАСКИ НА КРУГЛЫХ ПЛАСТИНАХ, содержащее притир, имеющий возможность вращаться вокруг своей оси, головку с наклонными цилиндрическими отверстиями, стальные цилиндрические держатели обрабатываемых пластин, имеющие возможность входить в отверстия головки, и привод вращения держателей, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, каждое цилиндрическое отверстие снабжено подвижной немагнитной втулкой, соосно с которой в верхней и нижней частях головки установлены электромагниты.

Номер патента: 1083848

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Иноземцев, Итальянцев, Кузнецов, Мильвидский, Мордкович, Смульский

МПК: H01L 21/322

Метки: кластеров, кремнии, монокристаллическом, ростовых, экстракции

СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ РОСТОВЫХ КЛАСТЕРОВ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ КРЕМНИИ, включающий термообработку пластин кремния при температуре 1000 - 1250oС в атмосфере неокисляющего газа, содержащего добавку хлористого водорода, отличающийся тем, что, с целью увеличения производительности процесса, в качестве неокисляющего газа используют водород, содержание хлористого водорода выбирают в диапазоне 0,5 - 2 об.%, а термообработку проводят в течение 3 - 10 мин.

Номер патента: 1217214

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Акопян, Мымриков

МПК: H01L 39/02

Метки: криостат

КРИОСТАТ, содержащий металлический гелиевый сосуд, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и надежности измерения в криостате уровня жидкого гелия, в гелиевый сосуд введен коаксиальный с ним металлический экран, электроизолированный от него прокладками в верхней и нижней части, кроме того, к гелиевому сосуду и к металлическому экрану подсоединены по два электрических ввода.

Номер патента: 1276197

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Аванесов, Ваваев, Китаев, Кузнецов, Манагаров, Пресс

МПК: H01L 27/14

Метки: зарядовой, матричная, связью, схема, фоточувствительная

ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНАЯ МАТРИЧНАЯ СХЕМА С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащая матрицу фоточувствительных элементов с чередующимися электродами переноса, разделенных высоколегированными участками, расположенными параллельно направлению переноса, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности считывания информации изображения при работе в сканирующих малокадровых телевизионных системах, на фоточувствительной поверхности матрицы размещен экран, по крайней мере однослойный, непрозрачный в рабочей части спектрального диапазона, с окнами, расположенными над фоточувствительными элементами симметрично их центрам, причем размеры окон кратны соответствующим размерам фоточувствительных элементов и меньше половины соответствующего размера фоточувствительного...