H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1634050

Опубликовано: 27.10.1999

Авторы: Волков, Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, полупроводниковых, приборов, проведения, производстве, реактор

Реактор для проведения диффузии в производстве полупроводниковых приборов, включающий кварцевую трубу диаметром D с отверстием для ввода газов на одном конце и отверстием для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин на другом, съемную кварцевую крышку с отверстием для вывода газов, цилиндрическая часть которой коаксиально входит в отверстие трубы для загрузки и выгрузки полупроводниковых пластин, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных полупроводниковых приборов и продления срока службы реактора, цилиндрическая часть съемной крышки установлена с постоянным зазором величиной g = 0,05D по отношению к стенке трубы, а со стороны отверстия для вывода газов в...

Номер патента: 730223

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Литвин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 33/00

Метки: твердотельный, экран

Твердотельный экран на основе выполненных в полупроводниковых брусках электролюминесцентных p-n-переходов с контактами, связанных между собой в строчки и столбцы металлическими шинами, отличающийся тем, что, с целью увеличения КОД при одновременном повышении контрастности, бруски расположены друг к другу однотипными областями и между ними расположена металлическая пластина, соединяющая однотипные области в сточки, контакты к областям противоположного типа проводимости расположены перпендикулярно поверхности экрана и на тыльной поверхности соединены в столбцы балочными выводами.

Номер патента: 1077512

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Марончук

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, структур

1. Способ изготовления интегральных структур, включающий проведение в исходной пластине одного полупроводника локального травления на глубину, превышающую глубину "карманов", присоединение ее с использованием диэлектрика к пластине другого полупроводника, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции компонентов схем и улучшения их электрофизических параметров путем снижения механических напряжений в структуре, в пластине другого полупроводника дополнительно производят локальное травление по технологии, соответствующей негативу технологии исходной пластине, в их присоединение осуществляют под давлением 2-10 кг/см2 до взаимного проникновения в пазы друг друга при...

Номер патента: 1077517

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Суртаев

МПК: H01L 27/14

Метки: интегральное, фотоприемное

Интегральное фотоприемное устройство, содержащее подложку из кремния с системой обработки информации, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности в ИК-области спектра, микроминиатюризации, упрощения и удешевления устройства, фотоэлементы выполнены из силицидов металлов.

Номер патента: 1304666

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Герасименко, Дульцев, Репинский, Соломатина, Цейтлин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремния, локального, окисла, слоев, сухого, травления

1. Способ локального сухого травления слоев окисла кремния, включающий обработку поверхности газообразным фтористым водородом, отличающийся тем, что, с целью повышения качества оставшейся пленки окисла и подложки в областях травливания, перед травлением участки пленки, подлежащие стравливанию, облучают ионами дозами 1013 < D < 1016 см-2, энергиями 1 кэВ < E < Емакс, где Емакс - энергия ионов, глубина проникновения которых равна толщине пленки, затем выдерживают в ненасыщенных парах воды в течение 0,1-120 мин.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени обработки, после ионного облучения проводят...

Номер патента: 1545845

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Мясников, Стась, Сухих

МПК: H01L 21/265

Метки: изоляторе, кремний, структуры

Способ получения структуры "кремний на изоляторе", включающий имплантацию в кремниевую подложку ионов кислорода (азота) с дозами и энергиями, достаточными для образования изолирующего слоя двуокиси кремния (нитрида кремния) под слоем кремния, и нагрев, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структуры, имплантацию и нагрев проводят в два этапа: на первом этапе имплантируют часть поверхности кремниевой подложки так, чтобы имплантируемые области чередовались с неимплантированными, и проводят нагрев, а на втором имплантируют только неиплантированную на первом этапе поверхность кремниевой подложки и проводят нагрев.

Номер патента: 795317

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: экранов, электролюминесцентных

Способ изготовления электролюминесцентных экранов, включающий селективное эпитаксиальное выращивание p-n структур на полупроводниковой пластине, покрытие диэлектриком и изготовление контактных выводов, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и повышения эффективности излучения экрана в полупроводниковой пластине вытравливают сквозные отверстия, на внутренней поверхности и которых выращивают p-n переходы, а оставшиеся отверстия заполняют контактным металлическим сплавом.

Номер патента: 880170

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-структур, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных р-п-структур на основе полупроводников типа AIIIBV путем принудительного охлаждения раствора-расплава, легированного амфотерной примесью, включающий создание трех температурных зон, профиль которых изменяется по длине реактора, и перемещение подложек с постоянной скоростью (1 - 5) 10-2 см/с вдоль реакционной трубы, во время которого осуществляют операции эпитаксильного наращивания, отличающийся тем, что, с целью получения резко-несимметричных р-п-переходов, улучшения качества структур и приборов на их основе, в первой зоне снижения температуры устанавливают...

Номер патента: 880198

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Лежайко, Любопытова, Ободников

МПК: H01L 31/0352

Метки: полупроводниковый, фотоприемник

Полупроводниковый фотоприемник на основе внутреннего фотоэффекта, содержащий кристалл с фотоприемной поверхностью, отличающийся тем, что, с целью расширения спектрального диапазона фоточувствительности, над фотоприемной поверхностью расположен варизонный слой, толщина которого не более обратной величины коэффициента поглощения регистрируемого излучения и не менее длины туннелирования носителей заряда, причем градиент ширины запрещенной зоны удовлетворяет соотношениюгде Eg(x) - ширина запрещенной зоны; - подвижность носителей...

Номер патента: 1031367

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Вершинина, Герасименко

МПК: H01L 21/263

Метки: кремний-двуокись, кремния, структур

Способ обработки структур кремний - двуокись кремния, включающий термообработку структур в интервале 200-300oC и одновременное облучение электронами, отличающийся тем, что, с целью пониженного избыточного положительного заряда в структурах, облучение осуществляют электронами энергией 0,18-3,5 Мэв дозой 1014-1015 эл см-2.

Номер патента: 670005

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Аграфенин, Аграфенина

МПК: H01L 21/302

Метки: полупроводниковых, соединений, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений, содержащий трехокись хрома и соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности пластин кристаллов и пленок полупроводниковых соединений типа А4В4С6 и А4В6С6, он дополнительно содержит уксусную кислоту и воду при следующем соотношении компонентов, вес.%:Трехокись хрома - 2,5 - 10Соляная кислота - 2,6 - 18Уксусная кислота - 1,86 - 12,65Вода - Остальное

Номер патента: 797459

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/302

Метки: aiiibv, полупроводниковых, селективного, соединений, типа, травления

Способ селективного травления полупроводниковых соединений типа AIII BV, включающий нанесение металла на поверхность полупроводникового соединения с последующей термообработкой, отличающийся тем, что, с целью упрощения селективного травления и увеличения глубины травления, металл, преимущественно индий или галлий, наносят в виде пленки толщиной 0,1-10 мкм на участки полупроводника, подлежащие травлению а термообработку проводят при температуре, превышающей температуру диссоциации полупроводника на 20-200oC в потоке инертного газа.

Номер патента: 1080675

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Калинин, Суртаев

МПК: H01L 21/24

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металла на кремний и нагрев структуры "металл-кремний" СВЧ-излучением с основной частотой 950 МГц - 1000 ГГц, плотностью поглощенной энергии излучения 0,2 - 2 кДж/см2 в течение 1 - 103 с, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев и упрощения технологического процесса, перед СВЧ-нагревом нанесенный металлический слой облучают ионами элементов, обладающих электроотрицательностью меньшей чем электроотрицательность нанесенного металла, причемЭм - Ээ = Э

Номер патента: 673083

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Аграфенина

МПК: H01L 21/48

Метки: aiiibv, полупроводниковых, соединений, типа, травитель

Травитель для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, преимущественно для антимонида индия, содержащий водорастворимые органические кислоты, преимущественно винную и этилендиаминтетрауксусную, окислитель и воду, отличающийся тем, что, с целью получения зеркально-гладкой поверхности травления при малых толщинах съема материала и улучшения эксплуатационных свойств травления, он дополнительно содержит соляную кислоту и кислородхлорсодержащий окислитель, преимущественно хлорноватистую кислоту, при следующем соотношении компонентов мас.%:Водорастворимые органические кислоты, преимущественно винная и этилендиаминтетрауксусная - 0,4 - 0,5Соляная кислота (37%) -...

Номер патента: 990016

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Золотухин, Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/208

Метки: aiiibv, многослойных, соединений, структур, типа

Способ изготовления многослойных p-n-структур соединений типа AIIIBV, включающий соединение пакета эпитаксиальных структур в монолитный блок при нагревании, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур и упрощения технологии их получения, пакет эпитаксиальных структур сжимают давлением 10-20 кг/см2 и перемещают в градиенте температур вдоль оси пакета 300-600 град/см в направлении уменьшения температуры со скоростью 5 10-4-10-3 см/с, причем температура составляет 850-1000 К.

Номер патента: 884481

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Соколов

МПК: H01L 21/24, H01L 21/28

Метки: металлов, силицидов, создания

Способ создания силицидов металлов, включающий нанесение металлической пленки на кремний и импульсный нагрев структуры, кремний - металлическая пленка, отличающийся тем, что, с целью повышения качества силицидных слоев при одновременном сохранении свойств исходного кремния, структуру нагревают импульсами СВЧ-излучения со следующими параметрами: длительность отдельного импульса менее 10-5 с и временные промежутки между ними 10-2 -10-1с, частота СВЧ-излучения 30 МГц - 100 ГГц, плотность поглощения энергии СВЧ-импульса рассчитывается по формулеE c

Номер патента: 884498

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Герасименко, Кибалина, Придачин

МПК: H01L 21/423

Метки: отжига, полупроводник-диэлектрик, структур

1. Способ отжига структур полупроводник-диэлектрик, включающий операцию импульсного облучения подложки с нанесенной на нее диэлектрической пленкой, отличающийся тем, что, с целью предотвращения повреждений структур, облучение проводят излучением, равномерно поглощающимся и в пленке, и в подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят электронами с энергией 5 - 10000 кэВ.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят протонами с энергией 10 - 2500 кэВ.4. Способ по п. 1, отличающийся тем, что облучение проводят ионами с энергией 15 - 1000 кэВ.5. Способ по п.1, отличающийся тем, что облучение проводят фотонами с энергией E в диапазоне...

Номер патента: 884482

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко, Ободников

МПК: C23C 14/00, H01L 21/24

Метки: диэлектриках, металлических, покрытий, полупроводниках, создания

Способ создания металлических покрытий на полупроводниках и диэлектриках, включающий нанесение металла на подложку и последующий нагрев, отличающийся тем, что, с целью исключения нагрева подложки, уменьшения глубины проникновения металла в подложку, нагрев осуществляется импульсом СВЧ-излучения мощностью импульса, обеспечивающей плотность поглощенной энергии 0,1 - 6 дж/см2, длительностью импульса менее 10-5 с и частотой излучения, определяемой по формуле: где d - толщина металлического покрытия; - проводимость данного металла;

Номер патента: 940603

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Сушко, Тузовский

МПК: H01L 21/208

Метки: автоэпитаксиального, жидкой, наращивания, полупроводников, фазы

Способ автоэпитаксиального наращивания полупроводников из жидкой фазы, включающий приготовление двух насыщенных растворов-расплавов, содержащих мышьяк, с использованием в качестве металла-растворителя галлия и индия, введение одного раствора-расплава в узкий зазор между подложками, приведение полученной системы в контакт с другим раствором-расплавом, объем которого по крайней мере на порядок больше объема расплава в узком зазоре, и изотермическую выдержку, отличающийся тем, что, с целью получения толстых слоев кремния в улучшения их качества, вводят в узкий зазор раствор кремния в галии при содержании мышьяка в растворах 1-5 вес.% и осуществляют контактирование растворов - расплавов по...

Номер патента: 940608

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/477

Метки: поверхностных, полупроводник-диэлектрик, полупроводников, слоев, структур, термической

1. Способ термической обработки поверхностных слоев полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий импульсный нагрев образцов, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных путем осуществления однородного нагрева поверхностных слоев и исключения деформаций образцов, проводят предварительный нагрев от 150 К до температуры, соответствующей максимальной проводимости полупроводника, но не превышающей температуру, при которой происходят необратимые изменения основных параметров полупроводника, а импульсный нагрев образцов производят импульсом СВЧ-излучения, помещая образцы в максимум переменного магнитного поля, причем деятельность импульса СВЧ-излучения...

Номер патента: 1083840

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Авдиенко, Богданов, Терещенко, Шелопут

МПК: H01L 21/208

Метки: монокристаллов

Способ изготовления монокристаллов твердых растворов иодат лития-иодоватая кислота наращиванием из водного насыщенного раствора, отличающийся тем, что с целью получения эпитаксиальных структур на подложках Li1-xHxIO3 X = 0,04 - 0,08 ориентаций, наращивание ведут из раствора, содержащего 2 - 26 мас.% иодноватой кислоты, при температуре 40 1oС.

Номер патента: 991878

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Васильев, Герасименко

МПК: H01L 21/423

Метки: варианты, диэлектрик, его, полупроводников, структур, —полупроводник

1. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примесей и нагрев, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности нагрева при одновременном сохранении первоначального профиля внедренной примеси и исключения деформации структур, нагрев производят постоянным СВЧ-излучением с основной частотой излучения 100 МГц - 3 ГГц, объемной плотностью поглощенной энергии СВЧ-излучения 500 - 4000 Дж/см3 в течение 10-3 - 10-2 с, причем структуры помещают в максимум распределения поля СВЧ-излучения.2. Способ обработки полупроводников и структур полупроводник-диэлектрик, включающий внедрение примеси и нагрев,...

Номер патента: 1435109

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Кутузов, Ростовцева

МПК: H01L 41/00

Метки: крепления, металлическими, пластин, пьезоэлектрических, светозвукопроводов, слоями, соединении

Способ контроля крепления пьезоэлектрических пластин и светозвукопроводов при соединении их металлическими слоями, включающий совмещение их поверхностями, на которые нанесены металлические слои, поджим друг к другу и направление на плоскость контакта светового потока, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа и повышения выхода изделий с однородными соединяющими слоями, поджим пьезоэлектрической пластины осуществляют через прозрачный элемент с меньшим, чем у пьезоэлектрической пластины, показателем преломления, размещенный на поверхности пьезоэлектрической пластины, противоположной той, на которую нанесен металлический слой, световой поток направляют под углом, большим угла полного...

Номер патента: 803747

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: полупроводниковых, структур

Способ получения полупроводниковых структур, включающий маскирование подложки, создание в маске окон, локальное травление и наращивание в процессе жидкофазной эпитаксии из раствора-расплава, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии изготовления и улучшения качества структур, травление подложки расплавом бинарной системы осуществляют через окна маски толщиной 0,2 - 2,0 мм, а наращивание проводят из слоя раствора-расплава толщиной 0,5 - 1,5 мм, нанесенного на поверхность маски.

Номер патента: 1088586

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бакланов, Девятова, Журков, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, индия, травитель

Травитель для арсенида индия, включающий бром и органический растворитель, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности процесса травления и снижения токсичности, в качестве органического растворителя травитель содержит ацетонитрил при следующем количественном соотношении компонентов, об.%:Бром - 0,1-2,5Ацетонитрил - 97,5-99,9

Номер патента: 683399

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Лисовенко, Марончук, Якушева

МПК: H01L 21/208

Метки: p-n-переходов

Способ получения p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии путем охлаждения раствора-расплава с добавкой амфотерной примеси, приведенного в контакт с подложкой, ниже температуры инверсии, отличающийся тем, что, с целью получения p-n-переходов, плоскость которых перпендикулярна поверхности подложки, выращивание производят при контакте раствора-расплава с подложкой по узкой полоске при одновременном перемещении ее по поверхности подложки, причем скорость относительного движения после достижения температуры инверсии по крайней мере в 5 раз больше, чем при температуре выше точки инверсии.

Номер патента: 1202460

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Гершинский, Миронова, Черепов

МПК: H01L 21/66

Метки: n-p-переходов, глубины, залегания, кремнии

Способ измерения глубины залегания n-p-переходов в кремнии, включающий электрохимическое травление, снятие токовременной кривой электрохимического растворения слоя полупроводника и определение количества электричества, затраченного на растворение слоя полупроводника до обнаружения границы изменения типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей способа, позволяющих измерять глубину залегания мелких n-p- или n+-p-переходов, электрохимическое травление n или n+-слоя проводят при одновременном приложении напряжения 0,5 - 3,0 В к системе кремний n-типа или n+-типа - электролит и прямого напряжения к n-p- или...

Номер патента: 1614712

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Бобылев, Марчишин, Овсюк, Орлов, Усик

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

Устройство для измерения параметров МДП-структур, содержащее генератор, блок управления, первый выход которого соединен с первым входом блока смещения, второй вход которого соединен с первым выходом формирователя временных интервалов и первым входом формирователя строб-импульсов, второй вход которого соединен с выходом первого нуль-компаратора, вход которого подключен к выходу первого синхронного детектора, первый вход которого подключен к выходу первого селективного усилителя, вход которого соединен с первой клеммой для подключения полупроводника, входами усилителя тока и с выходом блока переключаемых конденсатов, вход которого соединен с вторым входом первого синхронного детектора и...

Номер патента: 807903

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Марончук, Сушко

МПК: H01L 21/228

Метки: полупроводниковых, структур

Способ обработки полупроводниковых структур на основе соединений типа AIII BV, включающий приведение поверхности структуры в контакт с раствором-расплавом, содержащим 3-10 вес.% алюминия и 90-97 вес.% галлия и высокотемпературный отжиг, отличающийся тем, что, с целью получения варизонных гетероструктур с высоким градиентом ширины запрещенной зоны, отжиг проводят при температурах 850-1000oC в течение 10-100 минут.

Номер патента: 686542

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук, Пухов

МПК: H01L 21/22

Метки: легирования, полупроводниковых, соединений, типа

Способ легирования полупроводниковых соединений типа AIII BV, преимущественно арсенида галлия и фосфида галлия, основанный на диффузии из жидкой фазы, содержащей легирующий элемент, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества диффузионных слоев и упрощения процесса, диффузию проводят из насыщенного относительно материала подложки раствора-расплава арсенида - фосфида галлия.