H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1812580

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Долич, Иовдальский, Липатова

МПК: H01L 23/00

Метки: гибридная, диапазонов, интегральная, крайневысокочастотного, сверхвысокочастотного, схема

...клея ЭЧЭ-С (ЫУ 0.028,052,ТУ). Посадочная площадка расположена в углублении 6 в подложке 1 и через металлизацию боковой поверхности 7 углубления 6 соединена с проводником технологического рисунка металлизации. Металлизация может представлять собой слоистую структуру, аналогичную приведенной выше, или другую, например химическую металлизацию никелем (или медью) с предварительным активированием поверхности растворами ЯпС 2 и РОС 2 с последующим наращиванием на химически осажденный слой металла гальванических слоев меди, никеля, золота.Устройства работает следующим образом,При подаче сигнала на навесной элемент 4 в одном направлении, например, па проводнику, топалогического рисунка металлизации 2 сигнал проходит к посадочной площадке 3 на...

Номер патента: 1812581

Опубликовано: 30.04.1993

Авторы: Зак, Лепешкин

МПК: H01L 23/02

Метки: герметичный, корпус, микроэлектронного, прибора

...5 микроэлектронного прибора имеет значиосуществляется следующим образом, тельные преимущества, так как с успехомКрышку корпуса (в перевернутом виде) уста- применим для широкого класса микроэлек .навливают в оправку, закрь 1 вающую окна тронных приборов различного функцио. крыаки и изготовленную из материала, не нальйого назначения и конструктивногообладающего адгезией к используемому 10 выполнения, в том числе, что особенно важгерметику. Полость, образОванйую крыш-: но, и микроэлектронных устройств с полокой и ограничителем, заполняют порошка- сковыми выводами.образным диэлектриком (герметиком)на Заявлейная конструкция обусловливаеткрышку устанавливают основание корпуса максимальное упрощение процесса герме(плату), после чего собранный...

Номер патента: 1814107

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Брюхно, Лебедев, Фахуртдинов

МПК: H01L 21/329

Метки: интегрального, стабилитрона

...пробивного напряжения р-п-перехода. 2 ил., 1 табл,диаметром окна б = 20 мкм, После нанесения, с помощью центрифугования, на пластину КБМК проводится законка бора по режиму: Т = 1060"С, 1= 60 - 5. При этомй пар2. поверхностное сопротивление 10,5 Ом/П За последующей операцией снятия КБМК проводится разгонка бора формирования разделительной диффузии и одновременно для создания анода для стабилитрона 6 (см.фиг.2). При этом разгонка бора проводится при 1200 С е течение времени= Зч - 20 - 2 ч расходи+О пар И+О 2 2 2 2 азота 400 л/г, а кислорода 40 л/г. В этом случае поверхностное сопротивление бора 11,5 Ом/Д, глубина 15 мкм. Проводится формирование базы и эмиттера и-р-п-транзистора 11, причем одновременно с эмиттером 7 формируется...

Номер патента: 1814108

Опубликовано: 07.05.1993

Автор: Ханин

МПК: H01L 21/66

Метки: материалах, неметаллических, неупорядоченных, прыжковой, электропроводности

...носителей заряда на мертвые концы кластера состояний, Формально этоусловие может быть записано следующимобразом: где Е - напряженность электрического поля;Т - температура;К - постоянная Больцмана;е - заряд электрона.Частотная зависимость(а) описывается следующим выражением:(4) где Кс - вероятность критического прыжка, определяющая момент возникновения кластера состояний, замькающего электроды;й - боровский радиус локализованных состояний:К - концентрация узлов локализации, по которым происходит прыжковый перенос,Подставляя выражение (4) в выражение (3), переходим к следующему выражению для граничной частоты ао(максимальной частоты, на которой сказывается эфФект сильного электрического поля):- 1/З е Е Као - Э/с ехр ГХ К ( скт ф(5)...

Номер патента: 1814109

Опубликовано: 07.05.1993

Автор: Суворов

МПК: H01L 23/00

Метки: полупроводникового, прибора, сборки

...следующуюобработку: обезжиривание в трихлорэтилене, химическое травление в 500-ной соляной кислоте, промывку в деионизированнойводе, 40Процесс напыления производится наустановке УВН 2 М - 2 в вакууме(2-5) 10 ммрт.ст. при температуре подложки 170 С, Одновременно при защищенных стеклоизоляторах А 1 бйл напылен на поверхностьтраверс ножек для осуществления термокомпрессионной приварки выводов. Толщина напыленного А 1 допускалась 1,6 - 2,6 мкм.Приборы изготавливались по маршруту: обработка ножек перед напылением, напыление А 1, промывка ножек перед сборкой,.пайка кристаллов на эвтектику Ое-А 1 с помощью подвески контактно-реакционнымметодом, присоединение внутренних выводов к внешним А 1 проволокой. 55П р и м е р 1, На кристалл...

Номер патента: 1814110

Опубликовано: 07.05.1993

Автор: Суханов

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, преобразовательный

...собой.Преобразовательный блок работает в . трехфазных реверсивных выпрямителях,после подачи на объединенные токоотводы8 и 9 переменного напряжения и подключения к шине 1 нагрузки выпрямителя, и в шестифазных нереверсивных выпрямителях - после подачи на разъединенные токо- отводы 8 и 9 переменного напряжения и подключения к шине 1 нагрузки выпрямителя, При работе ток протекает по токоотводам 8 и 9, работающим гиристорам 3 и 4, охладителям 5, токоотводам б и токоведущей шине 1. Во время работы блока охладитель 5 охлаждает с одной стороны работающие тиристоры 3 и 4, а через токо- отвод 6, обладающей хорошей теплопроводностью, охлаждает также и токоведущую шину 1,В предложенном блоке для одновременного охлаждения тиристоров и общей шины...

Номер патента: 1814111

Опубликовано: 07.05.1993

Автор: Суханов

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, преобразовательный, реверсивный

...после подачи на токоотводы 1 переменного напряжения и подключения к шине б нагрузки выпрямителя. При этом вкаждой паре проводят ток либо тиристоры 2, либо тиристоры 3, Во время работы тиристоров 2 ток протекает через токоотводы 1, тиристоры 2, охладители 4 и токоведущую шину 6, а при работе тиристоров 3 - через 5 токоотводы 1, тиристоры 3, охладители 5, токоотводы 11 и шины 12 и 6,По сравнению с прототипом в предложенном блоке из-за установки каждой пары "О тиристоров с охладителями на противоположных сторонах общей токоведущей шины длина этой шины уменьшилась примерно в два раза, а в результате использования одного общего прижимного устройства в два 15 раза уменьшилось количество траверс, стяжных шпилек и гаек. Кроме того, в...

Номер патента: 1814112

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Манаков, Таурбаев

МПК: H01L 31/20

Метки: фотоприемник

...1 параметр м представляет собой толщину области эффективного собирания фотогенерированных носителей заряда для образца ФП с поглощающим контактом (й = =О), Вклад в фототок дают только электронно-дырочные пары, рожденные падающим Ф 1 и отраженным Ф 2 световыми. потоками, поглощенными в области а, Для гомогенного образца и плоского зеркального тыльного контакта наблюдается интерференция между падающим и отраженным светом и на спектральных характеристиках ФП (зависимости коэффициента собирания от длины волны) появляются относительные максимумы, положение которых определяется оптической разностью хода падающего и отраженного света, как показано на фиг. 2, Интерференционные эффекты наиболее существенны в длинноволновой области спек 10 15 20...

Номер патента: 1814113

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Алиев, Гаджиев, Илясов, Рустамов, Садыгов, Эйнуллаев

МПК: H01L 35/16

Метки: материал, термоэлектрический

...в сопоставлении с прототипом приведены в табл. 1, Как видно из табл, 1, с увеличением содержания бе в (В 2 Тез)о 97(ОузТе 4)о,в(ОугТез)о,Б)о,оз до - 05 мол,коэффициент добротности Еизменяется в пределах от 3,15 до 3,53, достигая своего максимума при 759 К Е = 3,61 10 град Для подтверждения стабильности термоэлектрических параметров были получены пять образцов с оптимальным составомЕ 50 к щТРОеедет а ее99,9 0,199,8 0,2 3,14 2,86 Э,40 3,06 3,61 Эе)8 Э,ЭВ 3,03 361 2,85 3,53 3,04 41,5 43,5 43,2 41,8 39,9 42,3 63,5 .72,5 79,5 60,2 58,2 7 Е,5 1 2 4 5 6 56,5 64,5 6 Э,5 57,5 57, 62,2 18,1 17,5 17,6 7,0 7,79 7,78 23 1 25,5 27,5 22,02 28,35 28,04 14,5 4,2 13.6 Э,Е 4 еО 13,8 Е 2,87 2,Е 4 2,40 2,75 2,69 2,80 99 в 7О399,6 0,4 99,9 Оь 5 1...

Номер патента: 1579368

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Желамский, Трохачев, Якубовский

МПК: H01L 39/02

Метки: защиты, магнита, нормальное, переходе, сверхпроводящего, состояние

...устранения перехода ненагреваечае появления нормальной фазы в одной из ".5 мых секций в нормальное состояние необсекций, ходимо выполнить условие:Устройство работает следующим обра- с+п 1 к или Ьп Лз, зом, для чего необходимо уменьшить связь меж-.При появлении нормальной фазы в од- ду секциями или увеличить их число, что ной иэсекций магнита его обмотка отключа определяется в каждом конкретном случае ется от источника питания и иэ всех секций отдельно, ,начинается выведение энергии с малой ско- Второй возможный механизм нежеларостью. Одновременно с этим в секции, в тельного появления нормальной фазы в некоторой обнаружена нормальная фаза, нагреваемых секциях - влияние скорости включается нагреватель, которыЙ перево изменения магнитного...

Номер патента: 1538834

Опубликовано: 07.05.1993

Авторы: Ашмонтас, Мармур, Оксман, Трейдерис

МПК: H01L 31/10

Метки: излучения, инфракрасного, преобразования

...рлбочеи температуры Т ъ26 Квьтекает из того, что активное поглощение происходит ца свободных носителях, поставляемых ионцзовацнымипримесями. Поэтому условие являетсяобратным условию, необходимому длявьморажцнация примесей.Верхний предел рабочей температуры вытекает из условия малости тока,создаваемого тепловыми носителямив прямом смещенном светодиоде,Пределы для прямого смешения связаны с тем, чтотребуемое преобразование излучения обусловлено квантовым процессом переброса, которыйимеет место в области спектра, длякоторой справедлив закон Фаулера.Пре"деды для величины прямого смещениясоответствуют высоте барьераотвечающей условию 0,5 Ь 1ч" бйт 2,При большой высоте барьера це будутвозникать фототок и стимулированнаяИК-излучением...

Номер патента: 1612927

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Грахов, Грахова, Кусимов, Любарский, Попов, Прохоров, Тлявлин

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: активного, биморфного, микроперемещений, монтажа, сборки, устройства, элемента

...напряжений элемент 1 изгибается так, что возникает вогнутость со стороны пластины 2, подвергавшейся до соединения напряженио растяжения, При этом в сечении пластин возникают напряжения, схематично изображенные на фиг.26 справа. После этого биморфный элемент устанавливают при помощи роликовых подшипников 5 в корпусе 4, и поперечной силой, создаваемой пружинным элементом, воздействуют на центральную часть биморФного элемента, выпрямляя его до плоского состояния, При этом в поперечном сечении пластин возникают напряжения, схематично изображенные на фиг.2 в справа.Устройствос активным биморфным элементом, собранным и смонтированным способом, описанным выше, работает следующим образом.При подключении обмотки 11 намагничивания к источнику...

Номер патента: 1671125

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Грахов, Кусимов, Лебедев, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/04

Метки: исполнительный, магнитострикционный, механизм

...Ку,;"Ку ггч Ку. Гдг Клгл, Ку Гту КуКОЭ 1)фИенть упругости цд рузки пру ицц и Глдгци- БАГЗТ(ЗСТс(К(ЛОННОГО Э "ЛЕНД 1 СГЗВЕ) СТ ПЕННО,1 ОГД; МДГНИТОСЗРИКЦОННЬ(й ДЛг)сцт С ПОЛОЧ ТЕЛЬНОй МЭГНИОГТР 1 КЦИ(;й 3 ИСХОЦ О СГ)",.ОЯ И 1 СЖГЛЭОТ Л 1 ДКСИЛДЛ Ьцой СИЛОЙБЛ(ЯИЯ ЧП Г)Ч Ой ЦЛГРУЗКИ, с) Глг)Нит(ЗГТГ)ИКЦИОНй ДЛЕ 1 ЕНТ ( ОТРЦг) Г.ИЬОй МД((ОСТРИКЦИй В ЛСХОД(ОЛ 1 СГ)Стог)(ИЛ РЭСЗЯ Иой же силой,Устрписгво рдЬгдот следу 0(цим обр;)- Кзол. Точное поз(циог)овдци нагрузки 1 Госущест 3 ляют Г)оддчей токд в Обмотки цдг;дгничивдния ,) нд;лдп(ичлв;оцих .екц.2, вьбрднн х т)п колнос) ву. Пдчиэч гссгддог нагрузкигЗПусть мд( изострикц о(нцй эл;)т .)ВЦПОЛНЕН ИЗ ЛЭТЕГДЛГ С ПО/)ОжитЕЛЬоймагг(лтостркцСЙ, д кол(лчоство цдмдгни )Р 3 (0 )х с (, ки и р д 30 и Я...

Номер патента: 1815695

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Агаларзаде, Прокопенко

МПК: H01L 21/302

Метки: канавок, пластинах, полупроводниковых, прорезания

...Абразивный диск 2 подводят к кромке 5 полупроводниковой пластины и подают по направлению 6 вдоль контура стенки 7 канавки. При этом центр кепрофилированного абразивного диска 2 движется по эквидистантной относительно контура стенки 7 траектории. Радиус кривизныг вершины 8 профиля зависит от угла наклона абразивного диска 2. По достижении заданной глубины канавки абразивный диск 2 отводят по направлению 9 (перпендикулярно оси вращения 3 полупроводниковой пластины) на расстояние, приблизительно равное глубине канавки, подводят к другой кромке 10 полупроводниковой пластины, подают по направлению 11 вдоль контура стенки 12 до заданной глубины канавки и отводят по направлению 9.Задавая программу движения абразивного диска, можно...

Номер патента: 1816331

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Варнаков, Грибов, Кирюхин, Родионов, Шевякова, Шукшина

МПК: H01L 21/324

Метки: подложек, сушки

...они неравномерно прогреваются (хужепрогрев в центральной их части), что вызы-вает снижение качества осушенной поверхности, наличие на ней сыпи, точек, потекови неравномерное распределение гидрофобности. При создании интервала "Ь" между10 новременное попадание всех точек поверхности разогретых подложек из зоны высокой относительной влажности в зону с низкой относительной влажностью, в результате чего участки подложек, находящиеся внизу, за счет теплоотвода попадают в зону с низкой относительной влажностью 15 уже значительно остывшие, но недосохшие, что приводит к снижению качества осушенной поверхности и возникновению на ней 20 потеков, сыпи, а также к неравномерному распределению гидрофобности.При скорости вертикального вытягивания...

Номер патента: 1637630

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Азнабаев, Грахов, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционный, привод

...В результате этого рабочий конец привода совершает перемещение, При изменении направления. тока в намагничивэющей катушке направ.ление магнитного. потока катушки изменяется на противоположное и тогда рабочий конец совершает перемещение в противоположном направленииДанный привод дозволяет получить большие перемещения эа счет предварительного регулируемого сжатия корпуса и стержня до усилия 10-12 кг/им и применения в качестве материала корпуса и стержня магнитострикционного материала с большим коэффициентом относительной магнитострикции, например пермендюра. При выполнении корпуса и стержня. изодного,материала температурные ошибкивзаимно компенСируются, что повышаетточность обработки перемещения,5 Фо рмул а и зоб рете ни я1,...

Номер патента: 1641168

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Азнабаев, Грахов, Грахова, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...4. Один зазор между втулкой и элементом 3 эФАективноизменяется при паразитных деформациях элементов -4, а другой - междувтулкой и элементом 2 - остается неизменным. Нагрузка 7 крепится к элементу 3. Прокладка 8 из немлгнитострикционного материала служит длявыравнивания магнитного потока в эле Оментах 3 и 4,Нл Лиг.5 изображены воздушные зазоры, образованные вторым элементоми магнитопроводящей втулкой. Рабочйзазор о намного меньше нерабочего д.,25Устройство работает следующим образом.При подаче управляющего сигнала(тока) в обмотку, намагничивания 5увеличивается намагниченность элементов 2,3, что приводит к перемещению объекта 7. При этом величинарабочего воздушного зазора О (йиг.5)остается неизменной. При возникновении противоусилий...

Номер патента: 1648225

Опубликовано: 15.05.1993

Авторы: Азнабаев, Грахов, Грахова, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: линейных, магнитострикционное, перемещений

...При этом обмотки 4, 5 продольного намагничиванияуложены в расположенные по образующимотверстия 8, выполненные в теле магнитострикционных трубок таким образом, что З 0сформировали четное число продольных частей 9, 10 и магнитопровода (фиг,З). Обмотки 6, 7 поперечного намагничиванияуложены в крайние по отношению к торцамтрубки отверстия, и их ось направлена цир- ЗБкулярно. Крайние отверстия выполнены нарасстоянии не менее половины ширины одной продольной части магнитопровода отторцов трубки, что позволяет значительноснизить магнитные потоки рассеяния при 40подключении обмотки продольного намагничивания.На фиг.4 представлена развертка одного из вариантов выполнения внутреннейтрубки. На магнитострикционном элементе 45выполнено два ряда...

Номер патента: 1671070

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Голубев, Латышев, Ломако, Огурцов, Прохоцкий, Савенок, Тарасова

МПК: H01L 21/02, H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...повреждения транзистора при использовании -обработки, так как одной из причин выхода транзистора из строя является появление последова" тельного сопротивления из-за компен сации кремния радиационными дефектами в коллекторной области.В предлагаемом способе стабилизирующий отжиг преДлагается проводить при 180-220 С. Температура (220 С) 11 ОУОна верхнем пределе опведепф на экспериментально и соответств,ет началустадии отжита радиационных дефектов,5которые ответственны за бысгруюкомпонентуизменения Ьг 1 прп попивг,зирующем излучении, те 1 пн ературы ниже180 С не обЕспечивают стабилиэацййпараметров схемы, Так как и ряде случаев после изготовления кристалловИС их необходимо нагревать лс ЗОО 350 С (например, при посадке крнсталлов в корпус на...

Номер патента: 1816816

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Буряк, Горский, Дзензерский

МПК: C30B 29/06, C30B 33/06, H01L 21/18 ...

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, элементов

...против сил трения. Скорость вращения подвижного кристалла не ограничивается конкретными значениями. Важным является только принцип, согласно которому чем больше скорость вращения, тем быстрее идет процесс сращивания. Когда температура стыка достигает точки плавления коемния ( .1467 С), между. кристаллами образуется прослойка из жидкого кремния. Момент ее образования сопровождается резким уменьшением силы трения между кристаллами, что выражается в резком падении нагрузки на двигатель. В этот момент его останавливают и образовавшийся при кинетическом разогреве жидкий слой кристаллизуется за счет ухода тепла через твердую фазу.Если сращиваются монокристаллы, то в условиях формирования на ориентированных плоскостях как на подложках (при...

Номер патента: 1817159

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Александров, Волков, Иванова, Крякин, Смирнов

МПК: H01L 21/283

Метки: арсениду, галлия, контактов, омических

...оп 5 робован в Ленинградском государственномтехническом университете на кафедре "Общая и полупроводниковая металлургия",Далее приводятся результаты. этих испытаний.10 Для изготовления омических контактовна подложках иэ арсенида галлия(САГК)предварительно создавалась металлизация, включающая следующие слои:1. Золото-германиевая15 эвтектика толщиной 0,07 мкм2. Никель толщиной 0,03 мкм3. Золото толщиной 0,15 мкмПосле подготовки исходной структурыпроводился процесс вплавления, включаю 20 щий в себя выполнение следующей последовательности технологических операций:1. Структура помещается в реакционную камеру установки для осаждения диэлектрических пленок, После чего реакционная25 камера (реактор) герметизируется и либо вакуумируется и...

Номер патента: 1817866

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Громов, Джус, Муратов, Нерсесян, Татеосов, Христич

МПК: H01L 21/225

Метки: диодов, импульсных, кремниевых, эпитаксиально-диффузионных

...области и переходе металл- полупроводник уменьшится, что позволит увеличить плотность тока с одновременным сохранением (уменьшением) граничного значения ОпрямПримерамй конкретного использования данного изобретения является изготовление диодов: 1) 2 Д(КД)2999 (Опрям 0,93 В пРипрям 20 А овос.обр. 200) на кРисталле диаметром 6,0 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 8,5 мм 2) 2 Д(КД) 2997 (Ообр 0,93 В при 1 прям = ЗОА, лоос,обр. 200) На КРИСтаЛЛЕ ДИаМЕтРОМ 8,5 мм, вместо ранее использованного кристалла диаметром 10 мм.Режим дополнительного термоотжига, с целью уменьшения падения напряжения на контактах и в прйконтактных областях, выбран был следующим: Т=1250 С, с =.(2-5) ч.Режим термообжига, согласно технологиче. ских...

Номер патента: 1817867

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Головнин, Джуманова, Рифтин, Тихонов, Церфас

МПК: H01L 21/306

Метки: диодов, полупроводниковых

...при получении диодов средней ибол . эй мощности,После соэд.ния р-и перехода путемдиффузии влюмии.,:я, бора и фосфора иа соответствуюшие стороны пластины на ее поверхность осаждают никель, Химическоеосаждение никеля с отжигом 1-.го слоя притемпературе 600-700 С в среде водородаповторяют 2-3 раза для получения качественного омического контакта, На никелированные пластины, наносят рисунок иэ слояфоторезиста с помощью фотолитографического процесса, Слой фотореэиста наносятв местных промежутков между полупроводниковыми структурами диодов. На свобод ные от фотореэиста области наносятэлектрохимическим способом слой золота,толщиной 1 - 1,5 мкм, который выполняетфункции омического контакта и одновременно является маскирующим покрытиемпри...

Номер патента: 1635843

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Александров, Зиновьев, Зубков, Прохоцкий

МПК: H01L 31/04

Метки: контакт, кремниевому, омический, солнечному, элементу

...35 мас.оь снижается адгезионная прочность контактов из-за высоких внутренних напряжений в слое.Оптимальная толщина дополнительного слоя 3 алюминийникелевого сплава с содержанием алюминия 20-35 мас, составляет 60-1000 нм, При уменьшении толщины этого слоя меньше 60 нм несколько снижается адгеэионная прочность контакта из-за несплошности слоя в виде множества проколов. При увеличении толщины слоя больше 1000 нм снижается прочность контактов из-за возрастания в слоях внутренних напряжений. Следует отметить, что слои алюминийникелевых сплавов имеют близкие коэффициенты термического расширения, что снижает термические напряжения в контактах и повышает надежность работы солнечных элементов при колебаниях температуры. Переходный слой 4 между...

Номер патента: 1581185

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Грахов, Грахова, Кусимов, Тлявлин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/04

Метки: магнитострикционное, микроперемещений

...а пластина 2 - из диамагнитного. Активный элемент консольно закреплен нв основании 4. Корпус, служащий для замыкания магнитного потока, состоит из четырех полос 5-8, на каждой из которых расположены соответственно обмотки продольного 9. 10 и поперечного 11, 12 намагничивания, Устройство работает следующим образом. При подключении обмотки 10 продольного намагничивания и обмотки 12 поперечного намагничивания возникает два магнитных потока: один - . замыкающийся по полосе 6 и пластине 1, другой - по полосе 8 и пластине 3, при этом направления манитных потоков перпендикулярны, Пластина 1 при этом в силу эффекта магнитострикции удлиняется на величину Ь 1 " =-1 Ъл, а пластина 3 укорачивается на величину Л 1=-1 Ля, где 1 - длина...

Номер патента: 1544108

Опубликовано: 23.05.1993

Авторы: Голубев, Гутько, Латышев, Ломко, Прохоцкий

МПК: H01L 21/263

Метки: биполярных, транзисторов

...Ь га обратный ток переходаколлектор - база 1,ь (при разомкнутом выводе эмиттера), напряжение пробоя ц, коллекторного и-р-пе"рехода.Обозначения в таблице следующие:ИН"аа " 1исходные значения параметров после присоединения выводов,ф, (квант/смэ) - флюенс у-квантовпри радиационной обработке транзисторов перед нанесением полиимида,Т (С) и 1;г (мин) - температура ивремл проведения операции имидиэацииполиимида, Тз (С) лл С (мин) - температура и время отжига радиационныхдефектов введенных при облученииФлюенсом Ф; Ь , 1, в , значенияпараметров после проведения всех технологических операций,Прй испытаниях радиационной стой"кости определялись максимальная скорость деградации К коэффициента усцленил при облучении11 га(ф ) - Ь г а(фг)ЕС ю...

Номер патента: 1819356

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Иванковский, Куницин, Меерталь, Остапчук, Стасюк, Фоминых

МПК: H01L 21/302

Метки: кремний-металлосодержащего, многослойных, селективного, слоя, структурах, травления

...подложке, например пластине кремния, создают диэлектрические изолирующие слои, например термически выращенную двуокись кремния (3102, нитрида кремния (3 за), фосфорно-силикатного стекла (ФСС) или их комбинации, на которых формируют кремний-металлсодержащий слой на основе кобальта (Со) и (или) титана (Т) путем, например, совместимого катодного распыления мишени из металла и мишени из кремния с последующим отжигом наносимого слоя, либо в виде металл- кремниевого (кобальт-кремниевого или титан-кремниевого) сплава в виде резистивных слоев типа РС 3000 К(Со - 30, Я 1-707 ь), РС 2310 К (Соь, Т, 3-67) и других, например путем одновременно ионноплазменного распыления их из мишени, с содержанием металла в слое не более 40, после...

Номер патента: 1819357

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Баринов, Горбунов, Гусев, Рудовол

МПК: H01L 29/92

Метки: индуктивности, катушка

...перекрывались ни 45с сердечником 6, ни между собой. Из вышеупомянутого условия следует, что минимальная ширина сердечника 6 ( ф/сер.мии)иэ ферромагнитного материала и минимальное расстояние между двумя соседними 50вертикальными областями 3, т,е, шаг витка(вт.ми.) должны быть больше удвоеннойширины (б о,о,а) области объемного зарядавышеупомянутого р-п-перехода, т.е. должны выполняться соотношения 55Ибф/сер.мн = 2 бо.о.э П Ц,аб, (2)бвт.мин = 2 б.о,о.з П 4)аб,",/ ,(3) щего слои на основе двуокиси кремния, например, боросиликатного стекла, или композиционных слоев на основе композиций двуокиси кремния и других соединений последнего или соединений других металлов, например, двуокиси кремния и нитрида кремния, двуокиси кремния и окиси...

Номер патента: 1819358

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Баранов, Достанко, Погребняков, Укадер

МПК: H01L 39/22

Метки: высокотемпературных, микромостиков, сверхпроводников, формирования

...ВТСП-пленка, 3 - фоторезист, 4 - ионы Н, 5 - область слабой связи.Предлагаемый способ формирования пленочного микромостика иэ высокотемпературного сверхпроводника реализован следующим образом.Пленки УВаСиО наносились ионно-лучевым распылением композитной керамической мишени стехиометрического состава на установке вакуумного напыления УВН на подложки из М 90, ЯгТ 10 з, УБЕ и имели характеристики с Тс = 90-92 К, Тс = 1-2 К, После формирования с помощью фотолитографии дорожки шириной 10 - 50 мкм с контактами для проведения измерений четырехэондовым методом на поверхность структуры наносился слой фоторезиста и вскрывались окна под контактные площадки, Ширинка дорожки определялась, исходя из условия стабильности пленки и ее свойств при...

Номер патента: 1819372

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Берсенев, Головяшин, Петренко, Шишов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...1 ня,Прокладка 9, находящаяся в зоне подвижного сопряжения ротора 6 и крепежного кронштейна 10 должна обеспечивать уплотнение и износостойкость к стиранию, обладать малым фрикционным сопротивлением движению.Наиболее подходящим материалом в этом смысле является войлок. Поэтому прокладка 9 выполнена из войлока.Работа предлагаемого устройства пьезопривода осуществляется следующим образом: при подключении пьевоэлемента 4 к источнику внешнего возбуждения в нем возникают акустические колебания, Эти колебания передаются в толкатели 5, которые фрикционно взаимодействуя с ротором 6, вращают его. В процессе длительной эксплуатации в области фрикционного контакта "толкатель-ротор" образуется пылевое "облако" мелкодисперсного порошка окиси железа,...