Способ определения параметров примеси в полупроводнике
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание



где K1, K2 - значения степени компенсации в эталонах;
N1, N2 - концентрации основной легирующей примеси в эталонах;
d1, d2 - толщины эталонов;
d - толщина исследуемого образца,

Заявка
4623460/25, 20.12.1988
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Веденеев А. С, Ждан А. Г, Рыльков В. В, Шафран А. Г
МПК / Метки
МПК: H01L 21/66
Метки: параметров, полупроводнике, примеси
Опубликовано: 20.06.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1584666-sposob-opredeleniya-parametrov-primesi-v-poluprovodnike.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров примеси в полупроводнике</a>
Предыдущий патент: Основа для кинофотоматериалов
Следующий патент: Двухкаскадный взрывомагнитный генератор
Случайный патент: Устройство для запирания транспортного трубопровода