Способ определения параметров примеси в полупроводнике

Номер патента: 1584666

Авторы: Веденеев, Ждан, Рыльков, Шафран

Описание

Способ определения параметров примеси в полупроводнике, включающий измерение в криостате ЭДС Холла в образце Uн и эталоне Uн, и соответствующих токов I и I1, в условиях фоновой подсветки при температуре Tв из области вымораживания примесей, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа и обеспечения возможности определения концентрации основной легирующей примеси, в криостат дополнительно помещают второй этап с другим уровнем легирования и измеряют ЭДС Холла и ток I2 при тех же условиях, устанавливают температуру Tи из области истощения основной примеси и проводят измерения ЭДС Холла Uн и тока I в образце и в одном из эталонов Uн1 и I1 или и I2, вычисляют концентрацию основной примеси N и степень компенсации К по формулам

где K1, K2 - значения степени компенсации в эталонах;
N1, N2 - концентрации основной легирующей примеси в эталонах;
d1, d2 - толщины эталонов;
d - толщина исследуемого образца,

Заявка

4623460/25, 20.12.1988

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Веденеев А. С, Ждан А. Г, Рыльков В. В, Шафран А. Г

МПК / Метки

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводнике, примеси

Опубликовано: 20.06.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1584666-sposob-opredeleniya-parametrov-primesi-v-poluprovodnike.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ определения параметров примеси в полупроводнике</a>

Похожие патенты