H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1010997

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Андреев, Сулима

МПК: H01L 21/66

Метки: выявления, дефектов, повышенными, полупроводниковых, структурах, токами, утечки

...меньшей напряжения отсечки до величины большей напряжения отсечки.Ограничение Оп с Оц обеспечивает стабильность пленки анодного окисла в процессе электрохимического осаждения металла, так как,пленка 3 . 101099 направлении, при котором ток через -11-переход течет только в местах дефектов 4 с повышенной утечкой тока, Силовые линии тока показаны .штриховыми линиями. 5Приведем обозначения величин напряжений, используемых в описании: 0 - напряжение при анодном окислеЦнии 0 - напряжение при электрохиф. ммическом осажцении металла, 0-, напряжение пробоя-Ь-перехода, 0 напряжение отсечки-Ь-перехода.Напряжение Ц 1, прикладываемое к электродам 7 и 8, падает в основном на-Ь-переходе в местах, 15 свободных от утечек. Для того, чтобы не...

Номер патента: 1074336

Опубликовано: 23.11.1985

Авторы: Волков, Липко, Царенков

МПК: H01L 21/66

Метки: варизонного, параметров, полупроводника

...его фотолюминесценции при возбуждении со стороны широкозонной поверхности,.полупроводник охлаждают от комнатнойтемпературы до сверхнизких температур, при различных температурах Тизмеряют спектры неполяризованной иполяризованной фотолюминесценции,по измеренным спектрам определяютдлины смещения неравновесных носителей , и их спинов, находят коэффициент оптических потерь поформуле6 наснаса внутренний квантовый выход излучения находят по формуле 55 336 2гдеи .- значенияинасна участке низкотемпературного насыщения зависимостей , Т) и, (т)При освещении варизонного полупроводника, например-типа, с широкозонной стороны неполяризованным светом, в нем возбуждаются неориентированные электроны. Эти электроны движутся под действием...

Номер патента: 670019

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Булгаков, Выгловский, Лебедев, Сонов

МПК: H01L 21/82

Метки: больших, интегральных, мдп, схем, транзисторах

...6 методомфотолитографии. Слой реэиста 6 покрывает активные области и служит маской при последующей ионной имплантации бором. Ионную имплантацию проводят при энергии ионов бора 100 кэВпри дозе 2 мкКул/см. При этом нанеактивных областях поверхности кремния образуется область 7 с повышенной концентрацией бора, который предотвращает образование инверсионных 9 2областей между диффузионными шинамии увеличивает пороговое напряжениепаразитных транзисторов. Затем снимают окисел 5 с нитрида кремния 2 надобластями 7. Травление окисла происходит в буферном травителе в течение 2-2,5 мин, Далее снимают фоторезист в серно-перекисной смеси истравливается нитрид кремния 1 надобластями 7. Травление происходитв ортофосфорной кислоте при температуре 140 фС...

Номер патента: 1195307

Опубликовано: 30.11.1985

Авторы: Гончаров, Романов, Смирнов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, мощных, подключения

...анодный вывод может своей плоской частью двигаться либо вдольтраектории движения оси вывода, либопод любым произвольным углом к этойтраектории. При этом в первом случаевывод диода 4 свободно входит междуконтактными пружинами 7 и 8, а во 15 втором случае, не доходя точки контактирования на определенное расстояние, плоская часть анодного вывода касается пружины 7 и эа счет принуди. тельного перемещения диода 4 диском транспортера 2 происходит разворот диода 4 так, что плоская часть анодного вывода располагается вдоль траектории движения оси диода 4 и анодный вывод беспрепятственно входит в контактный узел. При этом катодный резьбовой вывод диода заходит на позицию контактирования между двумя плоскими пружинами 9 и 10, изогнутыми в точке...

Номер патента: 1141952

Опубликовано: 30.11.1985

Автор: Берковская

МПК: H01L 31/06

Метки: фоточувствительный, элемент

...смещения на Фоточувствительном элементе.Что касается выбора физическихпараметров трех слоев из условия (11,то решение этой задачи в общем видедля конкретнойневозможно. Однако, если задаться рядом физическихпарйметров,таких,как: й, р, Ь, Ьр ,, р, Р, Рр, положить известными ЫсЛ 1, р, то можно на ЭЦВМ рассчитать, например, И = Ид(М) и Юр == Ц р(1).Расчеты осложнены тем обстоятельством, что Ир и И не являются независимыми величинами Ю= У р (И ро)Выбор У и У также зависит от конрцентрации неосновных носителей в рслоях п и в п-нелегированном слоерДля расчетов положили: па1200 см В " С "; с = 250 см В фхС-; Ь= 0,04 см; Ьр 0,3 см;0 =31 см с "; Рр 6,5 смф С "1 смс. Мр/У для сокращения объема вычислений придавалисьследующие первые...

Номер патента: 1196784

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Пузин, Хорунжий

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: диодов, емкости, исследования, полупроводниковых, процессов, релаксации

...постоянного напряжения. Измеритель 1 емкости выполнен в виде измерительного контура 12 и 2 Т моста 13, вход которого соединен свыходом измерительного контура 12,первый вход которого соединен с первым входом измерителя 1 емкости, авторой вход измерительного контура12 соединен с вторым входом измерителя 1 емкости. При этом измерительный контур 12 выполнен в виде .пере 15 20 менного измерительного конденсатора 14, параллельно которому подключены последовательно соединенные индуктивность 15 и конденсатор 16, точка соединения которых подключена к второму входу измерительного контура 1, а точка соединения конденсаторов 14 и 16 контура подключена к общей шине, с которой также соединена вторая клемма 4 для подключения исследуемого...

Номер патента: 830991

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Базаров, Меркулова, Сиповская, Сметанникова, Шелонин

МПК: H01L 31/02

Метки: приемник, фотомагнитный

...приемник, содержащийкорпус, выполненный в виде пологотела с окном, пропускаюшИм излучение, внутри которого установленыпостоянные магниты, соединенныемагнитопроводом с расположенныммежду ними чувствительным элементом,Огнако при эксплуатации такого1устройства в аппаратуре при наличии вибраций и движущихся металлических частей (например, деталипрерывателя излучения) происходитпересечение последними рассеянногомагнитного потока. Зто приводит кзначительньм электрическим помехам,что является существенным его недостатком.Целью изобретения является повышение помехоустойчивости,Поставленная цель достигаетсятем, что в известном фотомагнитномприемнике содержащем корпус выУ50полненный в виде чолого тела с окном,пропускающим излучение, внутри...

Номер патента: 252482

Опубликовано: 07.12.1985

Авторы: Грехов, Крюкова, Шуман

МПК: H01L 21/66

Метки: тиристор

...в течение процесса включения.В настоящее время используют эмиттер с поперечным полем. Особенностью такой конструкции является наличие достаточного протяженного участка И -слоя, свободного от металлического контакта, при этом возможность увеличения д 3(д 1 обосновывается пали чием двух областей включения, т.е. увеличением площади включения.Однако такая конструкция для диффузионного эмиттера не эффективна, так как про. текание достаточно большого тангенциального тока вдоль участка эмиттера, свободного от металлического контакта, приводит к появле нию искрения и постепенной потере запирающих свойств тиристора,Целью изобретения является исключение возможности возникновения тангенциального тока через в -слой эмиттера с большим...

Номер патента: 1198571

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Котов, Сорокин

МПК: G11C 11/42, H01L 27/10

Метки: информации, оптической, считывания

...10. На управляющей шине 11, т.е. на четвертых электродах 12 и первых затворах тетродов 6, устанавливают постоянное напряжение на все время работы матрицы, Первый затвор тетродов 6 и четвертые электроды 12 соединены между собой для того, чтобы уровень потенциальной ямы под ними был одинаков. Этот уровень определяет минимальный уровень, до которого столбцовые диффузионные шины 3 могут быть заполнены подвижными зарядами. При открытых тетродах 6 подвижные заряды уходят из столб 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 цовых диффузионных шин 3 в управляющую шину 11, а при открытых третьих электродах 13 уходят в потенциальные ямы под вторыми электродами 14. В итоге уровень заполнения диффузионных столбцовых шин 3 подвижными зарядами опускается до...

Номер патента: 1199208

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Наофуми, Хизанао, Хироши

МПК: H01L 39/24

Метки: внутреннего, охлаждением, сверхпроводник, типа

...фиг. 1 показан спроектированный и изготовленный сверхпроводник,Размеры поперечного сечения егоравны: ширина 46 и высота 21 мм,критический ток сверхпроводника40 кА при магнитной индукции 12 Тли температуре 5 К (К обозначает, абсолютную температуру),Согласно фиг. 1 сверхпроводниквключает в себя пару содержащихтри-ниобий-олово (ИЪ 8 п) композитных сверхпроводящих проводников 2,покрытых стабилизирующим материалом,например медью, алюминием и т,дстабилизатор 3 и пару усиливающихэлементов 4. Стабилизатор 3, выполненный из меди, алюминия или другихподобных материалов, снабжен в центральной части поперечного сеченияканалом и охладителя. Канал 4 охладителя имеет волнообразную Формубоковой стенки и снабжен множеством ребер высотой 2...

Номер патента: 1162341

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Зарипов, Петухов, Хайбуллин

МПК: H01L 21/265

Метки: излучения, поглотителей, черни

...стехиометрическим .соотношениям для соединений, Кроме того,если растворимость легирующих атомов 20в полупроводнике мала, а скорость ихдиффузии велика, то внедряемые вподложку атомы либо выпадают в осадок,либо образуют соединения. Причем таккак в процессе ионной бомбардировки 25образуются также микропоры и выделение вторичных фаз происходит на них( в общем случае на всех протяженныхдефектах структуры), то вторичныефазы образуются в мелкодисперсном З 0виде. При этом максимум распределения по глубине находится примерно нарасстоянии среднего проецированногопробега от поверхности. Одновременнос процессом синтеза при ионной бомбардировке происходит интенсивноераспыление поверхности, При большихдозах бомбардировки поверхностныйслой...

Номер патента: 860650

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Колчанова, Сметанникова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66, H01L 37/00

Метки: коэффициента, кристаллах, нернста, полупроводниковых, поперечного, эттингсгаузена

...область температуре 2эо 1 с)де ОпрстРлениР РГО изклассического термомагнитцого эффекта принципиллено невозможно,551;ель дости.лется те.(, что берутматериал, кое(цент рация рдгцг)геснеехносителей тока е;кгтсрсм гдов)етВоряет услое)ию:(2)р, огреву электроцнс(го гдзд по тсмперятуры Те, грев(,юцей темпрятуру решетки т цд величицу зтохлажпают его по температуры с(,2 -150 К, а градиент температуры соз -дают путем освещения кристалла сц( -том иобласти собс твенного ног оше -Ония, энергия которого 1. уговлетвс -ряет условию2 0сА) 3 ;,1(с,(о " Яо(3)где С - ширицд здпрешеццой эоны15по.ТуГ ро 30; (с кдсс - энер гия процольцого оптиоческ ого фотона Б Го:упреввслцике,Г - заряп электрона,2 г,Г(1 - эффективная масса рдвс(цсного цоситечя тока;и -...

Номер патента: 234521

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Грехов, Крылов, Линийчук, Тучкевич, Челноков, Шуман

МПК: H01L 29/74

Метки: вентиль, кремниевый, силовой, управляемый

...Р -п-,р-пструктуры позволяет технологическипросто создать вентили с малыми 10величинами прямого падения напряжения при номинальном токе и высокиминапряжениями загибаи переключения,причем напряжения переключения почтине зависят от температуры, мощность 15управления мала из-за малого напряжения управления.На чертеже изображена структурапредлагаемого вентиля, где 2 3,35, р-переходы.Для создания полупроводниковойструктуры из специального источника на воздухе производится диффузия бора в о-кремнии, При 1300 Собразуются достаточно глубокие 25(х =35-60 мк) переходы 3 и Ээ скойцентрацией атомов бора на поверхности "-, 1:3 .10 8 см. На внешнюю поверхность перехода 1 ь напыляетсяводный раствор борной кислоты иооплавляется при 1250 С, Из...

Номер патента: 598470

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Алферов, Андреев, Гарбузов, Каган, Корольков, Ларионов, Нуллер

МПК: H01L 31/06

Метки: солнечный, фотоэлемент

...поле за счет градиента концентрации алюминия в направлении, перпендикулярном к плоскости гетероперехода 3. Однако этот Фотоэлемент не обеспечивает значительного увеличения КПД вследствие большой скорости поверхностной рекомбинации носителей тока, генерированных коротковолновой частью спектра солнца, При типичном значении скорости поверхностной рекомбинации 1 Оьсм/с "тянущее" электрическое поле обеспечивает прирост Фототока лишь при толщине твердого раствора меньше 1 мкм, что делает приборы непригодными для эксплуатации из-за большого сопротивления растекания. Кроме того, при столь малом расстоянии р-и-перехода от облучаемой поверхности не обеспечивается надежная зашита р-л-перехода.Целью изобретения является увеличение КПД...

Номер патента: 723986

Опубликовано: 23.12.1985

Авторы: Белов, Кондратьева, Эрлих, Юшков

МПК: H01L 21/20

Метки: полупроводниковых, структур, эпитаксиальных

...описанием примера его осуществления.П р и м е р 1, Проводят обработку слитка кремния (ЭКЭС,01-86) диаметром 40 мм до резки последнего на пластины. Слиток разрезают на три части (а, б, в). Боковая поверхность слитка (части а) шлифуется на круглошлифовальном станке алмазным инструментом с номинальным размером зерна 40 мкм (нарушенный слой 20-25 мкм). Часть слитка б подвергают травлению в полирующем травителе типа СРдля удаления нарушенного слоя. Часть слитка в (ростовая поверхность слитка) шлифуют алмазным абразивом с номинальным размером зерна 10 мкм, Затем по известной технологии изготавливают пластины кремния толщиной 250 мкм, ориентации (11 1)2, Процесс эпитаксиального наращивания осуществляют методом восстановления четырех-...

Номер патента: 1202077

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Ломакин, Тришенков, Эскин

МПК: H01L 31/00, H04N 5/335

Метки: зарядовой, излучения, импульсного, помощью, преобразования, прибора, связью, сигнал, электрический

...Толстыми сплошными линиями (фиг.2) показан профиль потенциала на поверхности полупроводника в начале интервала времени между последовательными сбросами неинформативного заряда иэ фоточувствительных ячеек 1 в области 2 стока зарядов. Уровень неинформативного заряда к концу указанного интервала обозначен тонкой пунктирной линией (фиг,2) В соответствии с этим выбирают высоту потенциального барьера между фоточувствительными ячейками 1 и регистрами 3 сдвига. По окончании ука-, занного .интервала времени, выбираемого соответствующим длительности Т импульсного излучения, потенциальный барьер между Фоточувствительными ячейками 1 и областями 2 стока зарядов устраняют (толстая пунктирная линия на фиг,2), подавая импульс напряжения на...

Номер патента: 766471

Опубликовано: 30.12.1985

Авторы: Берковская, Кругликов, Подласкин, Столовицкий

МПК: H01L 31/04

Метки: полупроводниковый

...30 45 транзисторов.На фиг. 1 изображена принципиальная блок-схема; на Фиг. 2карта суммирования Фототоксв элементарных ячеек с учетом знака Фототокадля положения ключевых элементов,в ,показанного на фиг. 1.ФК общей подложке 1, снабженнойобщей шиной 2, выполнена матрицаэлементарных ячеек 3. Каждая элементарная ячейка содержит фотоприемный элемент 4 и два Г 1 ОП-транзистора 351(ключи) 5 и 5 , имеющих исток 6,сток 7, затвор 8. Матрица снабженадвумя системами взаимно-ортоганальных токоотводящих шин: вертикаль 1/них 9 - Х и 10 - Х , а также 40Йгоризонтальных 11 - Г, и 12 - 11Истоки ключей 5 подключены к фотоприемным элементам 4. Затворы 8ключей 5 - и шинам О. Стоки 7ключей 5 подключены к шинам 11,а стоки 7 ключей 5 - к шинам 12.Линейка...

Номер патента: 1145847

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Аристов, Бабин, Ерко

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: коррекции, литографии, экспозиции, электронно-лучевой

...и недоста точной точностью. Целью изобретения является увеличение точности и упрощение процесса.45 Цель достигается тем, что в известном способе коррекции экспозиции при электронно-лучевой литографии, включающем нанесение ревиста на подложку, экспонирование тестовой струк туры, проявление резиста,и определение доз экспонирования, экспонирование проводят с линейно нарастающей дозой до получения теса.овой структу.ры прямоугольной формы, после чего 55 экспонируют по прямоугольной структуре прямую линию с размером не более 0,1 мкм и с постоянной дозой,Недостатком этого метода является невысокая точность. 1 ос кольку в р езисте происходит сложение формы, то для экспонирования линии и клина экспозиции, образуемого при экспонировании тестовой...

Номер патента: 1103762

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Борисов, Васенков, Полторацкий, Ракитин, Сурис, Фукс

МПК: H01L 29/78

Метки: полевой, транзистор

...влиянию)в приповерхностных областях подложки под туннельно-прозрачным диэлект 30 риком электродов истока и стока образуются слои, обогащенные свободныминосителями. Эти слои примечательнытем, что являются хорошими инжекторами свободных носителей в индуцированный канал (в отличие от барьеровШоттки под электродами истока и стока известного транзистора). Поддействием электрического поля электрода затвора свободные носители вы 40 текают из-под электрода истока всторону электрода стока, двигаясьпо индуцироваяному поверхностномуканалу и ускоряясь полем, создаваемым напряжением, прикладываемым меж 45 ду электродами стока и истока, Восполнение носителей под туннельнопрозрачным диэлектриком электродаистока происходит благодаря протеканию...

Номер патента: 1162352

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Гаврилюк, Гуменюк, Ланская, Мансуров, Чудновский

МПК: H01L 21/385

Метки: пленочных, структур

...интервала температур наблюдается плохая адгезияслоя ЧО к слою оксида переходногометалла. При температуре подложки,25 превышающей 90 С, слой МО получается сильно восстановленным. Этоприводит к возникновению большихнапряжений в слое УО, в результатечего перетекания водорода из сильЗО но напряженного слоя ЫО в слойоксида переходного металла не происходит.Скорость нанесения слоя ИОсоставляет 20-50 А/с. При скоростяхнанесения меньших 20 А/с в слойтрноксида вольфрама захватываетсябольшое количество примесей из остаточной атмосферы технологическоговакуума, что приводит к уменьшениюкоэффициента диффузии водорода вслое ИО и снижению эффективностиего перетекания. При скоростяхнанесения больших 50 А/с атмосферныеЮ получаются сильно напряженными,что...

Номер патента: 1111266

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Вълчанов, Демидов, Заборонский, Мейксон, Събов

МПК: A01C 7/00, H01L 31/00

Метки: датчик, фотоэлектрический

...датчика, 40Датчик содержит фотоприемник 1,установленный внутри светоотражателя2, который закрыт защитным стеклом3. В отверстии защитного стекла Закреплен светонепроницаемый экран 4,имеющий защитную светопрозрачнуювставку 5, против которой установленсветовой излучатель 6, например светодиод, работающий в импульсном режиме, который обеспечивается импульсным генератором 7. Светонепроницаемый экран 4 со светопрозрачнойвставкой 5 установлен так, чтобыстекло экрана 4 располагалось в зонемежду световым излучателем 6 и фотоприемником 1, а. торец светонепроницаемого экрана со светопрозрачнойвставкой 5 был в одной плоскости с 266 2наружной поверхностью защитного стекла 3.Выход фотоприемника 1 соединен с выходом усилителя 8 через...

Номер патента: 1061591

Опубликовано: 07.01.1986

Автор: Сергеев

МПК: H01L 21/66

Метки: легирующей, полупроводниковых, примеси, профиля, структурах

...составит не более 3 ч.Целью изобретения является увеличение надежности и быстродействияустройства.Цель достигается тем, что в устройство, содержащее шины для подключения исследуемой структуры, к одной из которых присоединен источникобратного смещения, а к другой -параллельный колебательный контури входы фильтров первой и второйгармоник сигнала, фильтр первойгармоники выполнен в виде последовательно включенных селективного усилителя, детектора и дифференциального усилителя, второй вход которого соединен с источником опорногонапряжения, фильтр второй гармоникивыполнен в виде последовательновключенных селективного усилителя,детектора и фазового детектора, выход фильтра первой гармоники соединен с управляющим входом...

Номер патента: 1061658

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Волков, Липко, Царенков

МПК: H01L 21/322

Метки: полупроводниковых, растворов, твердых

...чтодля прямоэонных полупроводников вслучае примеси, создающей водородоподобные центры,- 10 / М, а оо , для концентрации легирующейпримеси получаем соотношение М10 /ь,Концентрация легирующей примеси естественным образом ограничена сверхузначением М соответствующим предельной растворимости вводимой примеси. Создание ч Е в условиях фотонного переноса приводит к возникновению фотонного дрейфа ННЗ, направНаиболее близким по технической сущности и достигаемому результату к изобретению является способ получения полупроводниковых твердых растворов для силовых диодов и солнечных элементов, на основе по крайней мере двух полупроводниковых соединений, образующих непрерывный ряд твердых растворов, включающий управление градиентом ширины...

Номер патента: 1064816

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Кайданов, Немов, Парфеньев, Шамшур

МПК: H01L 39/12

Метки: материал, полупроводниковый, сверхпроводящий

...дополнительно вводимой в РЬТ 1 Теакцепторной примеси А был использован,натрий, содержание примесейталлия х и натрия у варьировалось45 в пределах 0,01 к х0,02,0,00075 4 у 6 0,025. Конкретныепримеры составов изготовленныхобразцов приведены в таблице. Образцы были изготовлены авторами методом горячего прессования. Синтез вещества, отвечающего приведенной выше химической формуле при различных содержаниях примесей таллия и натрия, осуществлялся сплавлением 5 исходных компонентов (РЪ, Т 1, Иа,Те), взятых в соответствующих пропорциях в эвакуированных до 10 торркварцевых ампулах при температуре106486 Т = 930 оС. Слитки дробились до размера гранул менее 300 мкм из котоорых при температуре 420 С прессовались образцы под давлением Р =184 10...

Номер патента: 656432

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Ассесоров, Булгаков, Горохов, Кожевников, Кочетков

МПК: H01L 29/70

Метки: мощная, свч, структура, транзисторная

...во входную цепь транзистора. Поэтому при конст 5 10 15 20 25 30 миссные решения, в результате чего возможности транзисторной структуры в отношении мощности рассеивания и выходных эксплуатационных параметров в полной мере не реализуются.Вместе с тем при работе транзистора центральная часть каждой ячейки структуры и центральная часть всего кристалла нагреваются сильнее вследствие того, что теплообмен крайних участков происходит более интенсивно, и они лучше охлаждаются,В результате на кристалле всегда существуют тепловые пятна-участки с более высокой температурой. Существование их и экспоненциальной зависимости тока эмиттера от температуры способствуют возникновению положительной обратной связи, приводящей к тому, что наиболее нагретые...

Номер патента: 724000

Опубликовано: 07.01.1986

Авторы: Асеев, Косой

МПК: H01L 27/02

Метки: мощный, свч, транзистор, широкополосный

...тем,что в широкополосном СВЧ транзисторе эмиттерные области транзисторов, выполненные в виде гребенчатой структуры, охватывающей базовой области, и крайние секции конденсаторов охватывают по периферии со стороны общей базовой металлизации секции согласующих МДП-конденсаторов, соединены металлической дорожкой между собой и индуктивно связаны только с общей базовой металлизацией. На чертеже схематически показанпредлагаемый мощный широкополосныйСВЧ транзистор.Он содержит корпус 1, базовый,эмиттерный и коллекторный выводы 2,1/3 и 4 соответственно, контактнуюплощадку под МДП конденсатор 5,кристалл транзистора 6 и кристалл МДПконденсатора 7. Кристалл транзистора 6 состоит из трех ячеек 8, каждая из которых имеет ряд транзисторных...

Номер патента: 986236

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Волынчикова, Красницкий, Савотин

МПК: H01L 21/82

Метки: инжекционных, интегральных, схем

...диф,фузии сквозь диэлектрическую илии ную маску создают сначала пф -области эмиттерного контакта 3 и эмиттерных охранных колец,4, а затем в об;ф. ластях базы 5, инжектора 6 и резистора 7 формируют л -слой (см. Фиг. 1).Далее методом имплантации или диффузии, используя диэлектрическую, резистивную или комбинированную маску, формируют р -пассивную базу 8,-инжектор 9 и р -охранные кольца к резисторам, 10 (см, фиг. 2). После этого в маске, закрывающей поверхность элементов, одновременно лито- графически создают контактные окна к коллекторным и базовым областям и резисторные окна, в которые методом имплантации или диффузии вводят примесь О -типа проводимости низкой концентрации и формируют л -области ,коллекторов 11 и л -резисторов 12....

Номер патента: 764548

Опубликовано: 23.01.1986

Авторы: Верстак, Загорельский, Рычага, Староверов

МПК: H01L 21/00

Метки: тара

...сортировки.,Цель изобретения - расширение.функциональных возможностей,Это достигается тем, что в тарепреимущественно для интегральных микросхем, содержащей стапелированныеи выполненные с возможностью фикса-.,ции кассеты, в каждой из которыхвыполнены гнезда для размещения микросхем, гнезда для размещения микросхем выполнены в виде направляющихП-образной формы с пазами междуними для размещения выводов, причем45каждая кассета снабжена размещеннымпо ее периметру буртиком, выполненнымсо скосом с внутренней стороны, иребрами, размещенными по ее краямсо стороны направляющих и параллель"50но им, выполненными со скосом с наружной стороны. На фиг. 1 показана тара; нафиг, 2 - стопка кассет; на фиг, Эсечение А-А на фиг, 2,Тара выполнена в виде...

Номер патента: 886672

Опубликовано: 30.01.1986

Авторы: Гуле, Климовская

МПК: H01L 29/86, H01L 47/00

Метки: дифференциальной, отрицательной, полупроводниковый, прибор, проводимостью

...ностным полем: носители заряда одного знака вытягиваются на геометрическую поверхность, носители другогознака удаляются от нее. Когда к пластине вдоль ее поверхности прикладыЗ 0 вается электрическое поле, то в этомполе возникает добавочная поляризация флуктуации в направлении поля.Концентрация свободных носителейзаряда, локализованных на геометри/ческой поверхности при условии, чточастота захвата носителей больше частоты выброса .(практически все носители, вызвавшие флуктуацию, захватились поверхностными центрами), независит от координаты или же в области флуктуации меньше, чем за ее пределами.Тогда ток, создаваемый носителями,локализованными на геометрической по 45 верхности, за пределами флуктуацииравен886672 Редактор С.Титова Техред...

Номер патента: 1211228

Опубликовано: 15.02.1986

Авторы: Хмыров, Цукерман

МПК: C03B 35/20, H01L 21/68

Метки: переноса

...опустилисьна 1,5-2 мм ниже поверхности захватываемой пластины. При этом сжатыйвоздух, например под давлением0,1 МПа, подается в коллектор 2 итрубки 1 разжимаются. Далее давле,ние воздуха в коллекторе 2 делаетсяравным атмосферному или, если перенос происходит в среде с контролируемой атмосферой, давлению этойсреды. За счет сил упругости трубки 1 возвращаются в исходное положение, упругие элементы мягко касаются пластины 6, так как давление,прикладываемое к пластине со стороны упругого элемента, гораздо меньше усилия, необходимого для сколапластины. Это обеспечивается за счетрасположения захватов по окружнос,ти, диаметр которой определяетсяв соответствии с соотношением10 20 30 35 50 где Э - диаметр окружности, на которой расположены...