H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1800505

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Кагарманов, Куватов, Леплянин, Салимгареева, Толстиков, Чувыров

МПК: H01L 29/84

Метки: материал, тензочувствительный

...проведенных испытаний,представленные в табл. 1, показали, что значения электропроводности совпадают дляодних и тех же нагрузок, получаемых как впроцессе роста давления, так и при снижениидавления, Это свидетельствует об отсутствиигистерезиса и способствует повышению измерений, На тензочувствительность продуктов состава (С 2 Н)ь не влияют величиныкоэффициентов полимеризации и в пределах 1600-2100.Результаты испытаний в качестве тензочувствительного элемента продукта состава (С 2 Н)ь, где п=1600, 1920 и 2100,полученного термообработкой при 500 Сполиацетилена аморфной структуры свключением 200( кристаллической гексагональной модификации,Зависимость относительного сопротивления и относительного сжатия образца отвеличины давления при...

Номер патента: 1800506

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Петросян, Ушаков

МПК: H01L 31/07

Метки: быстродействующий, фотодетектор

...Встречное нэправление токов, протекающих по виткам спирали, создает магнитные поля противоположных знаков знацительно снижающие суммарное поле спирали. Малая величина Ь по сравнению с прототипом значительно снижает ограничения сверху по частоте изза отсутствия условий до возникновения резонанса последовательного контура ЬС, что расширяет полосу рабочих частот устройства, а следовательно, увеличивает его быстродействие,Важным параметром схемы устройства является. межвитковая .емкость С 1, Именно этот параметр в основном определяет быстродействие устройства, Постоянная времени фотодетектора тй=2, 2 йС 1, где Я - сопротивление нагрузки (500 Ом для быстродействующих фотодетекторов),На фиг. 2 плоская спираль делится диагоналями 407 и...

Номер патента: 1800575

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Алекперов, Амельченко, Балакирев, Васильев, Есин, Кислов, Невернов, Панов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: привод, пьезоэлектрический

...после этого на тормозной элемент5 подают напряжение Ов, он сжимается ирастормаживается, Начало движения является единственным моментом (не считая остановки), когда весь узел испытывает рывок.После 4 мс хода рабочего элемента 2 подаютпилообразное напряжение О 1 на рабочийэлемент 1, который также начинает равномерно уменьшаться в длине с той же скоростью, что и элемент 2. В результате элемент 15.5 оказывается в состоянии покоя относительно направляющих, поэтому с него снимают напряжение О (через 4,5 мс посленачала возбуждения рабочего элемента 2) иприводят в зацепление с направляющими, 20Одновременно с этим подают напряжениеОб на тормозной элемент 6, выводя его иззацепления с направляющими, и плавноснимают напряжение О 2 с рабочего...

Номер патента: 1800663

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Зейков, Зусмановский, Мещерякова

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, радиоэлектронный

...например, из сплава Ал 4 и замкнутых в рамку 3, На теплоотводящих элементах 2 установлены электрорадиозлементы 4, например микросхемы, На поверхность электрорадиоэлементов 4, противоположную установочной поверхности, установлен радиатор 5 с иглами 6, выполненный, например, из сплава Ал 4. На рамке 3 по всему периметру с равномерным шагом имеются штыри 7, так, же из теплопроводного материала, с фиксирующими площадками 8, которые могут быть расположены на одном или нескольких уровнях по высоте штыря 7. На теплоотводящих элементах 2 или на поле платы 1 между ними расположены дополнительные ,игольчатые радиаторы 9 иэ теплопроводного материала. Иглы 6 радиаторов 5 связаны со штырями 7 рамки 3 и иглами соседних дополнительных игольчатых...

Номер патента: 1801232

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Губа, Походенко

МПК: H01L 31/04

Метки: преобразования, света, твердотельный, фотогальванический, электрическую, элемент, энергии, энергию

...наносят на кварцевую оптически прозрачную пластину и допируют описанным выше путем,Толщина пленки допированного ПЭПК на поверхности кремния составляет порядка 200 , а ее удельная электропроводность. равняется 6 10 5 Омсм , которую определяют по стандартной методике с использованием четырехточечного зонда. На поверхность пленки допированного поли-М- эпоксипропилкарбазола методом термовакуумного напыления наносят полупрозрачную пленку золота толщиной 100 А и с помощью серебряной пасты подводят вывод из медной проволоки, В результате проведенных операций получают фотогальванический элемент с сэндвич-структурой и(ПЭПК), допированный ЯЬС 15/Ац, схематическое изображение которого представлено на чертеже, где 1 - монокристалл кремния с...

Номер патента: 1609399

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...и разводку. Область поликремниевых резисторов при этом закрытаслоем фоторезиста,Далее известными методами формируют области истоков, стоков и- и р-канальных40 .транзисторов, межслойную изоляци о, омические контакть и алюминиевую разводку,П р и м е р 2. Процесс проводят попримеру 1 до операции вскрытия резистивных участков поликремния резисторов45 включительно.Далее удаляют фотомаску в смеси Ка-ро и формируют фоторезистивную маску.для . формирования электродов затворов имежсоединений. Проводят плазмохимиче 50 ское травление слоев нитрида кремния ипервого слоя поликристаллического кремния, Область поликремниевых резисторовпри этом закрыта слоем фоторезиста. Послеудаления фотомаски создают новую для55 проведения ионной имплантации...

Номер патента: 1316509

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Гусаров, Сульжиц

МПК: H01L 27/092

Метки: интегральная, схема

...дрейфабсолютной погрешности преобразования н конечной точке шкалы/типовой Минимальное время преобразования с гарантией точности преобразования Относительная устойчивость к ВВФ мкВ/С 15 150 600 мкВ/ С 15 мкс относительные единицы. толщина затворного диэлектрика45 нм, эффективная длина канала 9 24,0 мкм для р-канальных транзисторов 1 и 2,1,8 мкм для и-канальных транзисторов,эффективная ширина канала600 мкм дпя р-канальиых транзисторови 2,320 мкм для и-канальных транзисторов 3 и "4пороговые напряжения транзисторови-канальных нагрузочных 0,7,В,и-канальных ключевых 1,0 В,р-канальных активных 1,0 В.Описанная интегральная схема была использована в изготовленной БИС8-разрядного АЦП последовательногоприближения, Имеющаяся...

Номер патента: 1499604

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Газизов, Иванковский, Красин, Луцкий, Стасюк

МПК: H01L 21/82

Метки: диэлектрической, изоляции, интегральных, многоуровневой, разводкой, рельефа, сглаживания, схем

...с планарных участков .структуры нелегированного поликремния, в 25 результате чего образуются сглаженныепристеночные области ЯО 7 элементов первого уровня разводки (фиг,4). Далее стравливают окисел с поверхности подложки и с поверхности элементов первого уров ня разводки. При этом между легированнымполикремнием и нелегированным поли- кремнием пристеночных областей остается окисел 8 (фиг.5). Формируют на поверхности подложки и поликремниевых элементов 35 первого уровня разводки изолирующийслой 9 (фиг.6). Наносят на поверхность подложки слои 10 проводящего материала, затем маску 11 с рисунком второго уровня разводки, травят проводящий материал в 40 областях, не защищенных маской (фиг.7).Примеры реализации способа.П р и м е р 1. На...

Номер патента: 1144570

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01C 17/26, H01L 21/82, H01L 27/01 ...

Метки: поликремниевый, резистор

...в соответствии с законом Ома ведет к уменьшению величины подстроечного напряжения, что существенно упрощает реализацию источника подстроечного тока, упрощает процесс подстройки и ускоряет ега за счет снижения рассеиваемой на резисторе в процессе подстройки мощности,Горизонтальный градиент распределения примеси, направленный от нелегированного (внутреннего) участка поликремния к торцевым поверхностям резистора, через которые проводилась диффузия примеси, ведет к некоторому снижению температурного коэфФициента сопротивления такого резистора по сравнению с однороднолегированным. Кроме того, возможно ввести дополнительную термообработку (разгонку примеси) при температуре 900 - 1100 С после легиравания резистора, что приведет к...

Номер патента: 1389603

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, создания, схем

...вторую термообработку. После чего удаляют второй слой кремния,ного давления при давлении 66 Па в среде азота, При этом на участках монокремния и поликристаллического кремния образуется смесь моносилицида титана и дисилицида титана, а на областях двуокиси кремния образования силицидов не происходит.Травление слоев кремния и молибдена проводят в плазме фторосодержащих соединений СР 4 в течение 4 мин, при этом слой непрореагировавшего титана не травится,Далее травят непрореагировавший в процессе термообработки слой титана. Травление проводят в смеси "Каро" (горячая серная кислота с перекисью водорода, соотношение Н 2504: Н 202 = 7:3, температура 433 К) в течение 1 мин, Слой силицида при этом не травится. Сопротивление его составляет 6...

Номер патента: 1003695

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Мухин

МПК: H01L 21/82

Метки: интегральных, резисторов, схем

...резистивные элементы шириной 32 мкм и длиной 180 мкм, Далее формируют фоторезистивную маску с использованием фоторезиста Ф П(с шириной окна 12 мкм, длиной 120 мкм), защищающую участки слоя поликристаллического кремния, прилегающие к боковым границам прямоугольных резистивных.элементов, и через фоторезистивную маску проводят ионную имплантацию богоа с энергией 40 кэВ и дозой 200 мкКул/см,Термообработку проводят при 1000 С в среде сухого кислорода в течение 30 мин и при 950 С в среде сухого и влажного кислорода в течение ЗО мин для отжига слоя поликристаллического кремния, активации примеси и формирования на поликремниевых элементах слоя защитной термической 30 г,В слое 50 г путем фотолитографии и травления вскрывают контактные...

Номер патента: 1098456

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, схем

...областях, легированных имплантацией сквозь нитридную маску за счет того, что бор с энергией 30-40 кэВ практически не проходит через маску 0,23-0,35 мкм (средний про 40 45 5 О 55 бег 0,1 - 0,14 мкм), а бор с энергией 100 - 150 кэ В (средний пробег 0,32 - 0,45 мкм) почти не задерживается этим маскирующим слоем.Имплантация через сквозные окна в первой и вто 2 оой масках бором с дозой 300- 600 мкКл/см позволяет полУчить области с уровнем легирования более 5.10 1/см, причем повышение дозы более 600 мкКл/см нерационально в связи с резким повышением времени легирования и повышением дефектности имплантированных слоев, Имплантация бора через окна второй маски сквозь первую маску с дозой 100 - 200 мкКл/см позволяет получить оптимальные для...

Номер патента: 1099791

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 29/78

Метки: n-канальный, интегральный, моп-транзистор

...эффекты, если и- канальный транзистор используется в КМОП структуре, а также более эффективно, т,е. с уменьшением потерь, передавать потенциал подложки между транзисторами в интегральных схемах.При этом, поскольку зона с повышенной концентрацией акцепторной примеси удалена от областей стоков, повышение концентрации в ней не приводит к ухудшению таких параметров, как токи утечки и пробивные напряжения, а также емкостей стоковых переходов, а это ведет к снижению потребляемой мощности, повышению надежности и быстродействия интегральных схем, использующих и-канальные транзисторы с заявляемой конструкцией.В соответствии с изобретением была изготовлена К-МОП ИС, включающая выполненные в кремниевой подложке КЭЭ 4,5 с ориентацией поверхности...

Номер патента: 1570550

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Клыков, Красин

МПК: H01L 21/20

Метки: диэлектрике, кремний, структур

...укрупнения зерен и анизотропии скорости1 их окисления, По мере увеличения толщины окисла скорость нарастания шероховатости падает. Поэтому в ряд 6конкретных случаев проводят двойнуютермообработку вместо одинарной, причем выросший после лервой термообра,ботки окисел удаляют.Другое отличие состоит в удалении 30слоя поликремния с нерабочей стороныподложки, что увеличивает эффективность .нагрева подложки и уменьшаетвероятность ее проплавления.П р и м е р, На пластине кремния . 35КЭФ 4,5 (100) в среде влажного кислорода при.температуре 1000 С выращива- .ют слой изолирующего окисла кремниятолщиной 1,5 мкм, поверх которого"вреакторе пониженного давления пиролиозом моносилана при температуре 620 .Снаращивают слой поликристаллическогокремния...

Номер патента: 1106350

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Мухин

МПК: H01L 21/265

Метки: затвором, интегральных, к-моп, поликремниевым, самосовмещенным, создания, схем

...исГла; с,ИЕЙ,)В: )сНОЙ ГХГМПЛЭТЭЦ(1 Еи ЕО(.-ссЕЪ)я сГ)БЬ(1)Е 1 ИР ВО ПрС .СЗВОГИГИГ)СТ;: Г,ЛИНЫ КЗНЗГЗ П-типа ИЛ, П ):,с , -г(ОЛ,ЗОВЗ 1,;1, ;,;1 Е.ВЕ МсХ(У 1)0;Н:;ВОГ,)" Г.-ан с,.г н Г саЧОМ ГггС( ба; ПОСКО" С"окав- И ;Г с ):.;, , с" :. ОЛО;ИНЗ ДИЗЛЕктриков НЭД Э(ИМИ,)ГласЯ 1 И В ОтлИчИЕ От протОтИПа ОЭЗГ)0 С". -,(- сн ЭЧИтЕЛЬНО (На тОЛГЦИНУ За ВОГ 1 ЧОГ.,;ИЗЛ К: ОИКЭ, ЧТО СОСТЭВЛЯЕТ "Ос 1" ОЗВОЛЯЕ. гОВ:.- СИТЬ бЫСТродЕЙГТВИЕ Ис) ЕГОЭЛЬНЫХ С;(ЕГИ ЗЭ Савт СНИЖЕНИЯ СОПРО- твл,аНИЯ ППЛИКРЕМНИЕВЫХ ЗатВОРОВ, ЛЕГИОУЕМ-,Х Дйфф Зйай фОСфОРсаа ДО УРОВНЯ ЯЗ ; П-)С ОГИ/Г, 1.-; ИЗВЕСТНОМ СПОСОбЕ ПРОИС- ходит к;пенсэция фосфора в Голикремниевых .".Этвооах р-канальных тра нзис"Оров+ООРОМ ВРИЕ:ИРОВ" н И Р-ИСТОКОВ, СОКОВ ИОЧ ЧО ИМГГГЭ-ТЗ.1 Г 011 РЗ...

Номер патента: 1575849

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/8232

Метки: моп-интегральных, поликремниевыми, резисторами, схем

...маски из нитрида кремния с окнами на резистивных участках резисторов, Удаляют маску иэ фотореэиста в смеси Каро (смесь серной кислоты и перекиси водорода, Вновь формируют маску из фоторезиста ФПТ.Для экспонирования используют темнопольный шаблон со светлым окном, содержащим темные фигуры поликремниевых резисторов, торцы которых выходят за пределы окон в нитриде кремния, вскрытых на предыдущей операции фотолитографии, Проводят плазмохимическое травление нитрида кремния и поликремния в плазме СГ 4, формируя области резисторов, оставляя нитрид кремния на контактных участках резисторов (фиг,2), Удаляют маску из фоторезиста и формируют фоторезистивную маску для проведения имплантации ионов фосфора в резистивные области...

Номер патента: 1575850

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Сульжиц

МПК: H01L 27/04

Метки: дифференциальный, интегральный, к-моп, усилитель

...входных синфазных сигналов, зисторов и режима работы ДУ, при этом использование изобретения позволяет 0 и 0 д - напряжения положительного повысить коэффициент усиления ДУ за сси отрицательного питания; С- ем счет повьппенной концентрации примеси кость затворного диэлектрика МОП- , в подложке входных транзисторов, и транзисторов, Б- пороговое напря- следовательно, повышение дифферен" жение нагрузочных МОП-транзисторов; циального сопротивления сток-исток 1 - постоянный ток генератора тока входных транзисторов, особенно еслио 23дифференциального усилителя; К , Кп, они имеют короткие каналы. В отличие К - удельная крутизна МОП-транзисто- от известных ДУ при таком повьппенниЙров генератора тока, входных и нагру- концентрации примеси в...

Номер патента: 1412533

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский, Сульжиц

МПК: H01L 21/82

Метки: делителей, интегральных, резистивных, резисторов

...в реакторе пониженного давления при 620 С осаждался слой поликремния толщинами 0,18 мкм; 0,23 мкм 0,3 мкм (три варианта), Поверх поли- кремния осаждался слой нитрида кремния толщиной 0,1 мкм. Методом фотогравировки и плазмохимического травления нитрид кремния удалялся с резистивных участков поликремния, причем нитрид оставался на будущих контактных участках. Методом фотогравировки, плазмохимического травления нитрида кремния и поликремния формировались резисторы делителя; формировалась фоторезистивная маска, защищающая краевые области резистивных участков поликремния и проводилось ионное легирование центральной незащищенной части резистивных участков фосфором энергией 100 кэВ и дозами 250 - 4 400 кмКл/см . После удаления...

Номер патента: 1595277

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Агрич, Ивановский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, межсоединений, создания, схем

...напыления 250 С.Проводят гравировку и травлениеслоев аморфного кремния методом ПХТи титана жидкостным травлением дляформирования рисунка межсоединений, 25При этом аморфный кремний и титанудаляют с областей тонкого диэлектрика т.е. затворы остаются поликремниевые, и при термообработке на нихсилицид не образуется, Кроме того,кремний и металл Удаляют с областейформирования омических контактов кполикристаллическому кремнию. Проводят термообработку при 850 С.в течение 10 мин в реакторе пониженногодавления в среде азота. При этомпроисходит уменьшение сопротивленияшин межсоединений за счет диффузииаморфного кремния и поликристалличес"кого кремния в слой титана и образования фазы дисилицида титана сте"хиометрического состава....

Номер патента: 1803943

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Джус, Муратов, Нерсесян, Эшчанов

МПК: H01L 23/00

Метки: высоковольтный, диод, кремниевый

...компаундом при формированиикорпуса. 9 - защитный компаунд (силиконовый каучук).В таблице представлены результаты испытаний диодов (после технологических обработок, в том числе камера влаги,термоциклы и др, операции).(54) КРЕМНИЕВЫЙ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ДИОД(57) Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллел ьн ых нап равлен и ях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмитте рным и коллекторным выводом в том же сочетании, 1 табл. Использование предложенного изобретения позволило разработать импульсный высоковольтный...

Номер патента: 1803944

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Арутюнов, Богатыренко, Грибов, Сорокин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядов, линейный, переносом, прибор, фоточувствительный

...ям.Секция 2 накопления содержит электроды - барьерный 9, накопительный 10 и переноса 11. В период накопления зарядов на электрод 10 подают напряжение, индуцирующее под ним более глубокую потенциальную яму, чем напряжение, поданное на электрод 9, а на электрод переноса 11 подают запирающее напряжение. Поэтому фотогенерированые заряды из фотодиодов 1 переходят в потенциальную яму под электродом 10, где и накапливаются, После завершения процесса накопления на электрод 11 подают отпирающее напряжение, а затем на электроды 9, 10, 11 последовательно запирающее напряжение. При этом накопительные заряды вытесняются в линейные регистры переноса 4 и 5. Затем на электродах 9 и 10 восстанавливают напряжения, индуцирующие потенциальные ямы, и...

Номер патента: 1804662

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Кондрашов, Мурзин

МПК: H01L 21/22

Метки: диффузионных, проведения, процессов, реактор

...трубы 1 и съемной крышки 2, изготовленных из кварцевого стекла ПНП ГО ВЩЛО.027.241 ТУ. Общая длина трубы 2000 мм, толщина стенки 5 мм, внутренний диаметр О = 135 мм. На одном конце трубы .1 имеется отверстие 3 диаметром 15 мм для подачи газа, на другом - отверстие 4 для загрузки и выгрузки обрабатываемых полупроводниковых пластин 9 и выпуска газа. Съемная крышка 2 с помощью шлифового соединения "шлиф КШ 150/75, ГОСТ 8682-70" герметично и коаксиально вставляется в выпускное отверстие 4 трубы 1 и своей удлиненной цилиндрической чэстьа наружным диаметром 90 мм и длиной 380 мм защищает внутреннюю стенку трубь в "холодной" зоне печи(Т(750 фС) от загрязнения сублимирующимся диффузантом, Необходимо отметить, что в известной конструкции...

Номер патента: 1804663

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Дерменжи

МПК: H01L 21/332

Метки: запираемого, силового, тиристора

...выполнение процессов в следующей последовательности;в кремниевую пластину 1 проводят первую стадию диффузии акцепторных примесей для создания слаболегированной области 2 управляемой р-базы (фиг.1);осуществляют селективное травление кремниевой пластины со стороны управляемой р-базы, создавая меза-рельеф со впадинами 3 и выступами 4 (фиг.2);проводят вторую стадию диффузии акцепторных примесей в кремниевую пластину со стороны меэа-рельефа, создавая сильнолегированную область 5 управляемой р-баэы (фиг.3);проводят селективную диффузию донорных примесей, создавая дискретные эмиттерные и -слои 6 и р-и -переходы 7 на выступах меза-рельефа (фиг,4).На фиг.5 представлена готовая полупроводниковая структура, изготовленная по предлагаемому...

Номер патента: 1804664

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Агрич, Иванковский

МПК: H01L 21/82

Метки: конденсаторами, моп

...области р кармана, области ка налоограничения, локальные участки изолирующей (полевой) двуокйси кремния толщиной 1 мкм и затворной двуокиси кремния толщиной 450 А. На изолирующую и затворную двуокись кремния в реакторе низкого давления осаждают первый слой нелегированного поликристаллического кремния.Легируют первый слой поликристаллического кремния диффузией из РОСз до поверхностного сопротивления 20-25 Ом/П . Осаждают первый слой Юзй 4. Осаждают второй слой нелегированного поликристаллического кремния.Далее осаждеют второй слой нитрида кремния, Используя процесс фотолитографии, формируют на поверхности второго слоя нитрида маску и проводят плазмохимическое травление второго слоя нитрида кремния и второго слоя поликремния,...

Номер патента: 1804665

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Горохов, Дученко, Потапчук

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, полупроводниковый

...или прямоугольной формы. Такие структуры можно изготовлять из одной пластины, разделяя ее методом скрайбирования на нужное число секторов; В этом случае для достижения одной и той же мощности, снимаемой с пластины, требуется значительно меньше материала на ее производство. Еще больший выигрыш будет при сборке модуля из структур разной полярности, изготовленных аналогичным образом, с использованием как прямого, так и перевернутого монтажа, т.е, достигается качественно другой уровень. повышения плотности монтажа модуля. В свою очередь это позволяет использовать для сборки круглые корпуса без потери их площади и таким образом снизить массогабариты самой сборки и в ряде случаев использовать для сборок корпуса приборов таблеточной...

Номер патента: 1804666

Опубликовано: 23.03.1993

Автор: Гарнык

МПК: H01L 27/04

Метки: триггер

...К 2 ток через пласти ну К уменьшается, ее температура снижается и уровень сигнала на выходе 1 уменьшается, а на выходе 2 увеличивается, С оставаясь высоким и после выключения на- ДЬ гревателя К 2. Такое состояние триггера со- О храняется до включения нагревателя К и Ос, т.д. Все системь, реализованные на тригге- О, рах предлагаемой конструкции, способны сохранить работоспособность при больших дозах облучения.П р и м е р. Для изготовления переклю- Од чающих элементов в логических узлах триггеров предлагаемой конструкции может быть использован монокристаллическийкремний марки БКЭ 500 с удельным сопротивлением. свыше 1000 Ом см. Из слитка требуется вырезать бруски размером 1 х 1 х х 10 мм. Эти бруски следует поместить в1804666...

Номер патента: 1804667

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Кижаев, Львов, Пашков

МПК: H01L 29/74

Метки: тиристор, фотонно-инжекционный

...в этом оптотранзисторе. Оп-. тический резонатор типа Фабри-Перо, образованный передним 12 и задним 13Э 1804667О перпор Фиг, 7 зеркалами обеспечивает положительную обратную связь в активной (слой 5) области светодиода.Фотонно-инжекционный тиристор - источник лазерного излучения с двумя оптот ранзисторами (фиг.2) представляет собой р -Р-Р.-М-п -р -Р-Р-М-и -структуру, где на + О О +подложке 1, например из р -ОаАв эпитаксиальным методом сформированы слои: РАО,з 5 Оао,кАв - 4, Р-АО,О 5 Оао,9 о 5 Ав - 5, 10 М-АО,з 5 Оао,о 5 Ав - 6, и -ОаАв - 2, р -ОаАв -3, Р-АО,з 5 Оао,65 Ав - 4 Р-АО,овОао.з 5 Ав - 5, МАО,з 5 Оао,65 Ав - 6, и -ОаАв - 7.Электроды тиристора имеют металлические контакты; катода - 8, анода - 9, управ ляющего электрода - 10,...

Номер патента: 1686985

Опубликовано: 23.03.1993

Авторы: Бушмарина, Драбкин, Парфеньев, Шамшур, Шахов

МПК: H01L 39/12

Метки: материал, полупроводниковый, сверхпроводящий

...ниже. В то же время о образце 9, состав которого соответствует формуле (Рэо,о 5 Яио,э;)о,о 44 о,гТе, температура Тс была ниже 1 Я К. 10П р и м е р. Образцы сверхпроводящего полупроводникового материала готовят ио следугощей 1 схг 4 ологии. В качестое исход. ных комг 4 о 44 е 4 тов используется промыц 4легнгые элементы РО С, Яи ОЕЗь 1-000 Е 5 , Те ТБ - Л, и Ин, Синтез пг 4 овидигс 44 из элементов, взятых в соотоегствуюцц 4 х формуле иропорцияк; в откацанных до давле - зния 2-310 мм,рт.ст, и запаянных кпарце. оых ампулах при Т = 1000 С о течение Лч. 20 Получс 4444 ь 4 е слитки отжигают при Т = 650 С о течение 360 ч в агмосфере агрв 4 а, После отжига из слитков методом горячего прессования готовят образцы для измерения электрических...

Номер патента: 1805512

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Ильичев, Масалов, Подшивалов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников, электрофизических

...потока через соленоид.Способ реализуется следующим образом, Контролируемая полупроводниковаяпластина 10 помещается около торца соленоида 1. Светодиод 5 через световод 4 освещает небольшую часть площади пластины10, находящуюся в рабочей области соленоида 1, прерывистым излучением, Частота прерываний определяется генератором 6. Под действием излучения периодически изменяется эффективная магнитная проницаемость освещаемой части полупроводника. Это приводит к периодическому изменению магнитного потока через соленоид и появлению на его выводах напряжения, которое регистрируется регистрирующим прибором 2, Переменная емкость 9 используется для подстройки резонансной частоты контура на частоту генератора 6, Параметры выходного сигнала...

Номер патента: 1805513

Опубликовано: 30.03.1993

Авторы: Арутюнов, Сорокин

МПК: H01L 27/148

Метки: зарядовой, прибор, связью, фоточувствительный

...1, генерирует электронно-дырочные пары, которые разделяются на переходе фотодиодов, Неосновные носители заряда, например дырки, уходят из фотодиодов 1 в потенциальные ямы секций переноса зарядов 2 и 3, После завершения процесса накопления заряда считывают, для чего их переводят в считывающие регистра 4. Затем эти заряды последовательно сдвигают вдоль регистров 4 до их выходного устройства б, вырабатывающего импульсы выходного напряжения соответственно величине поступающих зарядов, Выходные устройства 5 служат для ввода фоновых зарядов, повышающих эффективноСть переноса информационных зарядов по регистрам 4,Участок 7 или любой подобный ему,расположенный в другом месте, функциойирует как фотодиод в режиме короткого замыкания,...