H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1269930

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Павлынив, Полухин, Романовский, Сердюк

МПК: B23K 1/12, H01L 21/02

Метки: полупроводниковых, приборов

...кристалл подвергают травлению, производят контроль параметров прибора., нанесение защитного покрытия и герметизацию прибора.25Проведение травления после пайки, а также введение промежуточной термообработки позволяют снизить остаточные механические напряжения в спаях и полупроводниковом кристалле, что повышает качество приборов и стабильность их характеристик.Пример. Г 1 олупроводниковый кремниевый кристалл с тиристорной структурой в нем паяют с основанием корпуса и выводами (арматура тиристора) в водородной конвейерной печи одновременно - за один температурно-временной цикл, Все паяные швы выполняют припоем одного и того же состава (марки ПОС 2, температура полного расплавления которого близка к 320 С.Пайку ведут при 400+- 10...

Номер патента: 876006

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Сатрапинский, Француз

МПК: H01L 39/14

Метки: постоянного, сверхпроводниковых, трансформатор

...является сверхпроводник (как правило,нагрузкой вторичной обмотки такоготрансформатора является "слабаясвязь сверхпроводникового квантового интерферрометра, которая при токах 11 кр является сверхпроводником), а все сверхпроводящие соединения 8, кроме одного-го разомкну ты, то поток в этом отверстии остается постоянным при любых измененияхвнешнего потока за счет изменениятока 1; , циркулирующего вокруг отверстия в верхнем 5 и нижнем 6 эле ментах и проходящего через-оесверхпроводящее соединение 8 и нагрузку.Коэффициент трансформации токав таком трансформаторе зависит от 20 коэффициента связи между первичнойи вторичной обмотками, индуктивностей этих обмоток, а также от взаимнойиндуктивности каждого отверстия совсеми остальными и...

Номер патента: 606475

Опубликовано: 15.11.1986

Авторы: Вул, Петросян, Сайдашев, Шмарцев

МПК: H01L 31/08, H01L 43/00

Метки: датчик, фотогальваномагнитный

...полупроводника (например п-типа), помещеннойв магнитное поле, со стороны широкозонной области на контактах, располо 5 женных в плоскости, перпендикулярнойнаправлению изменения ширины запрещенной зоны, возникает фотомагнитнаяЭДС,Использование в качестве фотогальваномагнитного датчика пластиныполупроводника с переменной ширинойзапрещенной зоны расширяет функциональные возможности датчика, поскольку в этом случае амплитуда и знак фотомагнитной ЭДС зависят от длины волны падающего света,Действительно, при варизоннойструктуре датчика свет разных частотпоглощается в разных точках полупроводниковой пластины. Так, например,свет с энергией фотонов Ь), 3 Ео(Е, - максимальная ширина запрещенной зоны полупроводниковой пластиныу передней,...

Номер патента: 860639

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Мартынов, Мухачев, Татаринов, Хрунов

МПК: H01L 21/02

Метки: алмазных, варианты, детекторов, его, излучений, качества, ядерных

...от технических условий надетекторы и может отличаться ц определенных пределах, например, для счетных и спектрометрических детекторов. Экспериментально установленное пороговое значение для работоспособных счетных детекторов составляет 20-402 от амплитуды сигнала при обычной регистрации того же излучения тем же детектором, но при нормальном электрическом напряжении наконтактах 15 По второму варианту способ контроля включает в себя следующие операции: алмазный детектор подключают 20к источнику электрического напряжения и одновременно облучают ионизирующим излучением, затем облучение прекращают, электрическое поле убирают, а после затухания переходных 25 процессов в регистрирующей системе вновь облучают ионизирующим излучением, например,...

Номер патента: 1272377

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Пеньковский, Постнова, Репина

МПК: B30B 15/02, H01L 21/56

Метки: изделия, нанесения, покрытия, порошка, пресс-форма

...7 подпружинен пружиной 16, а стержень 8 - пружиной 17. Верхний пуансон 3 снабжен эластичной прокладкой 18. Пресс-форма работает следующим образом.Перед началом работы (перед засыпкой порошка) рукоятка 10 находится в положении 11 (фиг.2). В этом положении нижний пуансон 7 и стержень 8 одновременно подняты вверх, при этом они не доходят до верхней плоскости матрицы 6 на 1,1 мм. В этом положении происходит засыпка порошка. После окончания засыпки порошка сверху на него укладывается изделие 19 (фиг.3) центральным углублением 20 вниз. Затем переводят рукоятку 10 в положение 1. При этом нижний пуансон 7 и стержень 8 (фиг.1) находятся внизу. В этом положении происходит прессование. Затем рукоятку 10 переводят в положение 111. В этом положении...

Номер патента: 1272378

Опубликовано: 23.11.1986

Автор: Львов

МПК: H01L 21/68

Метки: головки, многозондовой, сборки

...фиг.2 б и 2 в представлены схемы установки зондов в сборочное приспособление. А - точки соприкосновения тела зонда с опорным элементом, В - точки соприкосновения контактного конца с имитатором топологии, С - центр тяжести зонда, 6 - вектор силы веса зонда. Центр тяжести зонда С расположен между точками А и В и ниже линии, их соединяющей.На фиг.За - и представлс ны конструктивные варианты исполнения зондов с изгибом; на фиг,Зк - вариант исполнения зонда с дополнительным грузом 6.Сборка многозондовой головки осуществляется следующим образом.Зонды укладывают в сборочное приспособление так, как показано на фиг При этом они под действием силы тяжести устойчиво самоустанавливаются в пространстве так, что их контактирующие концы лежат в...

Номер патента: 1018549

Опубликовано: 23.11.1986

Авторы: Липовченко, Мухачев, Протасов, Татаринов, Хрунов

МПК: H01L 21/66

Метки: алмазных, детекторов, излучений, ионизирующих, контактов

...дырки, на инжектирующий контакт подают положительное напряжение, для проверки контакта, инжектирующего электроны, на инжектирующий контакт подают отрицательное напряжение, После выключения поля детекторная структура подключается к электрометрическому усилителю. В простейшем случае для этого необходимо просто выключить напряжение и закоротить клеммы источника питания в схеме измерения тока через детектирующую структуру с прижимным электродом вместо запорного. Далее алмазную пластинку освещают светом из области фоточувствительности алмаза и регистрируют ток фотодеполяризации. Дальнейшее осуществление контроля контакта может быть реализовано двумя способами. Задают постоянную интенсивность света и регистрируют максимальное...

Номер патента: 1273224

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Астафьев, Городенский, Ксенофонтов, Панкратов, Чикин

МПК: B23K 31/02, H01L 21/02

Метки: кремния, основе, полупроводниковых, приборов

...507. серебра - 570 С. Так как тонкая серебряная прослойка предварительно вплавлена в полупроводниковую структуру, в этом месте золотой припой смачивает серебряную поверхность, но не вплавляется глубоко в кремний. За технологическое время пайки полупроводниковой структуры золото и серебро не успевает значительно перемещаться, и в месте вплавления в кремний образуется сплав серебро - золото с преимущественным содержанием серебра, высокой температурой взаимодействия с кремнием и малой глубиной вплавления. Вжигаемый серебряный сплав отделяет поверхность кремния с электронной проводимостью от припоя с акцепторной примесью или поверхность с5 дырочной проводимостью от припоя сдонорной примесью, что позволяетуменьшить прямые падения напряженияи...

Номер патента: 1274032

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Демченко, Романовский

МПК: H01L 31/00

Метки: действия, коэффициента, полезного, солнечных, элементов

...от центра около 2/3 радиуса. солнечного элемента, Для уменьшения нагрева проводов термопары солнечным излучением они изолированы лавсановой пленкой и сверху обмотаны алюминиевой фольгой. Термопара выполнена таким образом, что сигнал с нее на потенциометр 9 поступает по медным проводам, образующим спаи вдифференциальной термопаре. Зеркало 1 и диафрагма 2 закреплена на цилиндрической опоре 10, конструкция которой позволяет осуществить качание в вертикальной плоскости в угле около 60 . Опора 1 Озакреплена на валу 1, поддерживаемом посередине его длины опорой сподшипником 12, а снизу закрепленном на валу редуктора 13. Такая кон1274 Вычисляют КПД СЭ по отношению к поглощаемому излучению по формуле КПД = в -.1 ОЕ. РФормула изобретения...

Номер патента: 1274166

Опубликовано: 30.11.1986

Авторы: Мармер, Салмин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: блок, радиоэлектронный

...3перпендикулярна ребрам 8 соответствующего радиатора 5 и равна его ширинеВ. Прилегающая к стороне Ь сторона1; выполнена не менее высоты. Ь ребер8 и не более их длины Ь. Шриховымилиниями условно показан воздуховоддля подвода воздуха к радиоэлектронному блоку. Стрелками показано направление движения охлаждающего воздуРадиоэлектронный блок работаетслецующим образом.Охлаждающий воздух подводится квходным отверстиям 3 стенки 4 и далее к радиаторам 5 перпендикулярноих основаниям 6.В пространстве между ребрами 8радиаторов 5 каждый из воздушныхпотоков разделяется на два, претерпевая поворот на 90". Турбулизованные за счет поворота потоки воздуха движутся вдоль ребер 8 от середины кпротивоположным сторонам радиаторов5, осуществляя их...

Номер патента: 1032951

Опубликовано: 07.12.1986

Авторы: Баублис, Мартюшов, Морозов, Самсонов

МПК: G01T 1/24, H01L 31/04

Метки: детектор, излучения, ионизирующего

...в любой точке не превышает 10 (Тр ( 1 О ), причем детектор снабжен деформирующимприспособлением и закреплен в немтой частью, на которой отсутствуетобласть р - и-перехода поверхностнобарьерной структуры.Предлагаемое изобретение основанона неочевидном и неизвестном ранеефакте, заключающемся в том, что если кривизна кристалла при деформации Т/103,то поверхностно-барьерная структура, нанесенная на такой кристалл, остается работоспособной, Необходимость соблюдения такого условия быпа определена и доказана опытным путем. Условием, также обеспечивающим работоспособность детектора, является определенное закреп-.ление его в деформирующем приспособленин, а именно вне области р - и-перехода поверхностно-барьерной структуры (отсутствие...

Номер патента: 1277441

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Саркисов, Тер-Ионесян, Цыпкин

МПК: C25B 13/00, G12B 15/00, H01L 23/46 ...

Метки: аппаратуры, охлаждения, радиоэлектронной

...34, а выходной трубопровод 27 конденсатора 23 соединен 45 с выходным трубопровоДом 11 испарителя 1 трубопроводами 51 и 12 и вентилем 50,При окружающих температурах, нео50превышающих +40 С, теплоноситель изблока 10 через тепловой: разъем 9,трубопроводы б, 5 и 36, открытыйвентиль 34 и трубопровод 33 посту"пает в конденсатор 23, где охлаж-дается воздухом, продуваемым вентилятором 37. Далее теплоноситель через трубопроводы 51 и 12 и открытый вентиль 50 всасывается насосом13, В указанном режиме работы вен 1277441тили 16, 4, 3, 21, 25, 39, 42, 49, 46, 45, 20, 26 и 31 закрыты.При окружающих температурах более +40 С для охлаждения теплоносителя0используется искусственный холод, вырабатываемый паровой компрессионной холодильной...

Номер патента: 778577

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Еру, Песковацкий, Поладич

МПК: H01L 39/24

Метки: качества, пленки, сверхпроводящей

...длине резистивной области в поперечном сечении Я(фиг,1), При увеличении напряжения на пленке, начиная с точки "а", размер резистивной области увеличивается пропорционально величине напряжения, что приводит в конечном итоге 5 к разрушению сверхпроводимости по всей длине пленки (точка "г" на фиг, 2), Точки "б" и "в" изображают промежуточные положения границ резистивной области, Величина плотноститока 1 в формуле (1) представляетсобой критическую плотность тока восстановления сверхпроводимости 1 впленке, Участок вольт-амперной характеристики "а"-"г" (фиг, 2) и естьнабор всех критических токов восста-,новления сверхпроводимости для соответствующих поперечных сечений плен"ки вдоль ее длины,На фиг, 3 представлен в увеличенном масштабе...

Номер патента: 1121724

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Еру, Песковацкий, Поладич

МПК: H01L 27/18

Метки: дифференциальным, отрицательным, сверхпроводниковый, сопротивлением, элемент

...содержащемгальванически соединенные сверхпро"водящую и резистивную пленки.на изолирующей подложке, пленки соединеныпоследовательно и поперечное сечениесверхпроводящей пленки монотонно уве-.личивается к границе пленок,На чертеже изображен сверхпроводниковый элемент с отрицательным дифференциальным сопротивлением.Сверхпроводниковый элемент состоит из подложки 1, на которой расположены пленка 2 сверхпроводящего металла.и пленка 3 резистивного металла.Пленка 2 сверхпроводящего металлаимеет монотонно увеличивающуюся ширину от меньшего значения М до большего - Ч где она гальванически соеЭдинена с .резистивной пленкой 3, То 1724 2 торых существует отрицательное дифференциальное сопротивление, пропорционален длине пленки, и при длинепленки...

Номер патента: 1278993

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Вишневский, Лавриненко, Полонский, Хаин

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: привод

...между поверхностью осциллятора, на которой они 1 О установлены, и поверхностью ротора. Поэтому толкатели изогнуты и прижаты к поверхности ротора. При применении привода для механизмов намотки в процессе эксплуатации со стороны нагрузки может быть приложен момент, направленный в сторону, противоположную направлению вращения наматывателя. В этом случае толкатели могут перегнуться в противоположную сторону и при включении пьезоэлектрического двигателя ротор начинает вращаться в противопложном направлении, что недопустимо для механизмов намотки, Другим недостатком привода является то, что при многократных перегибах толкателей они могут сломаться. Поэтому известный привод является недостаточно надежным в работе, 25Цель изобретения -...

Номер патента: 1278994

Опубликовано: 23.12.1986

Авторы: Вишневский, Каверцев, Карташев, Лавриненко, През

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...которого размещен статор 2 - полый цилиндрический элемент из пьезоактивного материала с радиальной поляризацией, Между корпусом 1 и статором 2 размещены резиновые прокладки 3, На внутренней поверхности цилиндрического элемента - статора 2 нанесен износоустойчивый слой 4, например из хрома, акустически связанный со статором 2, этот же слой 4 вместе со слоем металлизации наружной поверхности (не показан) образует электроды пьезоэлемента, присоединенные к токоподводам 5. Внутри статора 2 и соосно с ним помещен ротор 6 - цилиндрический элемент с консольно закрепленными в его теле упругими металлическими пластинами 7, свободные концы которых выполняют функции толкателей. Пластины 7 установлены к поверхностям статора 2 под углом, отличным...

Номер патента: 1281182

Опубликовано: 30.12.1986

Авторы: Алан, Жан, Роланд, Сильвиан

МПК: F25D 3/10, G01T 1/24, H01L 39/00 ...

Метки: высокочувствительного, детектора, криостат, фотонов

...Внутренняя поверхность кожуха 1,наружная и внутренняя поверхности трубы 5и поверхность стержня 4 могут бытьотполированы, позолочены или покрыты фольгой,Криостат работает следующимобразом.40Перед каротажем через отверстиеб вводят хладагент, например жидкийазот или холодный штифт гелиевойхолодильной машины. В результатестержень 4 и труба 5 охлаждаютсядо точки кипения жидкого азота илиниже, После замены хладагента на сухой инертный гаэ - азот или гелий -для предотвращения конденсации влагиотверстие 6 закрывают пробкой, подсоединяют необходимые соединитель 50ные кабели (не показаны), Устройствовставляют в скважину и проводят необходимые измерения. Во время измерений детектор 2 поддерживается придостаточной для его нормальной рабо...

Номер патента: 1282241

Опубликовано: 07.01.1987

Автор: Берковская

МПК: H01L 31/16

Метки: одномерного, оптического, пространственно-частотный, сигнала, фильтр

...слою 6, выбирают с учетом аппроксимированного импульсного отклика и формы ВАХ элементарной ячейки.Конструкциямультискана, используемого в качестве фильтра оптического сигнала, должна обеспечивать симметричность ВАХ элементарных ячеек как относительно светового воздействия, так и относительно напряжения питания управляющего квантовой эффективностью. Такая ВАХ обеспечена равенством фотоприемных площадок трех фотодио 1282241дов каждой элементарной ячейки, образованных р-дискретным базовым слоем 2 с одной стороны, и и-сплошными делительными 5 и 6 слоями с общим 3 слоем, с другой стороны, Физические параметры делительных и общего слоя выбраны одинаковыми. Отведенные под контакты участки делительных слоев экранированы от воздействия света....

Номер патента: 1283874

Опубликовано: 15.01.1987

Авторы: Пригожин, Скуратов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: встроенного, глубины, залегания, канала, концентрации, мдп-транзисторов, примеси, р-п-перехода

...потенциалов между встроеннымканалом и подложкой;Е- концентрация примеси вподложке.Начальное значение р быпо выбрано равным 900 см /В с.Значение констант в формупах (1)и (2) таковы:- 1 610 Кл= 12 о8 85 10 Ф/см, Ц = 0 7 В.Расчет привел к значениям К6 -Эс2,45 10 см, Х = 0,43 мкм.По графику эавнсймости(И,)для кремния находят значение шсоответствующее полученному значению И, : р = 1140 см /В с,Подставляют это число в формулы(1) и (2), проводят расчет вновь иполучают М = 1,710 см , Х0,45 мкм.Дальнейшие итерации не проводятк. заметному изменению результатов.При этом измерения по способу-прототипу заняло около трех часов, тогда как измерения предлагаемым способом были выполнены в течение10 мин,Формула изобретения Способ определения...

Номер патента: 1285168

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Войченко, Котырло, Лексунов, Страдомский, Стрекопытов

МПК: F01N 5/02, H01L 35/32

Метки: внутреннего, выхлопа, глушитель, двигателя, сгорания, шума

...2 -сечение А - А на фиг. 1,Глушитель шума содержит цилиндрический корпус 1 с впускным 2 и выпускным 3 10отверстиями, внутреннюю соосную выхлопную трубу 4, образующую с корпусом 1кольцевую полость, термоэлектрическийпреобразователь, выполненный в виде термоэлектрической батареи, образованной радиальной окантовкой 5 из термоэлектрического материала секторов поперечных перегородок 6 и соединенной при помощи пластин горячих 7 и холодных 8 спаев, размещенных соответственно в выхлопной трубе 4и с наружной стороны корпуса 1, причем 20поперечные перегородки 6 выполнены ввиде отдельных секторов, образуют резонансные камеры 9 и продольные каналы 10,выхлопная труба 4 выполнена перфорированной, а радиальная окантовка 5 секторовперегородки 6...

Номер патента: 1285545

Опубликовано: 23.01.1987

Авторы: Берковская, Кириллова, Подласкин, Столовицкий, Суханов

МПК: H01L 31/18

Метки: мультискана

...1 мкм. Затем производят осаждение поликремния при 1100 С. После этого производят прецизионную шлифовку пластины со стороны, противоположной нанесенному рельефу, Предусмотрены специальные реперные изолирующие области, которые 35 протравливают на глубину 12 мкм. С помощью этих реперов шлифовку останавливают за 4 мкм до выхода на дно изо- лирующих областей: сигналом к прекращению шлифовки является выход на 4 О дно реперных областей.Лицевую сторону пластины отмывают и окисляют в атмосфере сухого кислорода в присутствии хлорсодержащих веществ, что обеспечивает фиксированный 45 заряд на поверхности 10 см и плотмность поверхностных состояний 10 смэВ. Затем вскрывают окна в окисле под токоотводящие 5 и делительные б и 7 слои, 11 роводят диффузию...

Номер патента: 865071

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Большаков, Зенкович, Мистейко, Сегаль

МПК: H01L 21/58

Метки: кристаллов, монтажа, основания

...способ требует затраты значительного времени и не обеспечивает однородное присоединение по всей поверхности кристалла.Известен способ монтажа кристаллов на основании, включающий способ монтажа кристаллов, нагрев основания, совмещение его с кристаллом,нагружение соединяемых элементов и их соединение с подъемно-поперечным перемещением по границе соединения,Недостатком данного способа является большое количество газовых включений и окислов в зоне соединения, что ухудшает его механические и электрические свойства. Кроме того, образование соединения требует значительного времени.Цель изобретения - повышение качества и сокращение .длительности подсоединения. 35Поставленная цель достигается тем, что в способе монтажа кристаллов на...

Номер патента: 965248

Опубликовано: 30.01.1987

Авторы: Губич, Лифлянд, Мазаник

МПК: B05C 1/02, H01L 21/70

Метки: гибридных, интегральных, кристаллов, подложки, преимущественно, схем, установки

...механизма подачи и установки кристаллов.Устройство работает следующим образом. 40 45 50 55 На фиг.1 изображено предлагаемое устройство; на фиг.2 - узел Т на фиг.1; на фиг.3 -то же, нанесение клея; на фиг.4 - вид А на Фиг.2.Устройство содержит подвижное основание 1, на котором установлены координатный столик 2 для подложек 3 и координатный столик 4 для кристаллов 5, и механизм 6 для нанесения клея, включающий установленную с возможностью вращения при помощи привода 7 ванночку 8 для клея. Над ванночкой8 для клея неподвижно установленакрышка 9, на которой закреплен скребок 10 для формирования слоя клеяна дне ванночки, установленный с зазором относительно дна ванночки, величину которого можно регулировать. В дне ванночки выполнена кольцевая...

Номер патента: 1195856

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Имамов, Колчанова, Яссиевич

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводников

...центра Е вслучае полупроводника р-тип..3 лупроводника и-типаи акцепторной - в случае полупроводникар-типа; 40 П тгс ГИИПИ Заказ 7828/2 Тираж 721 Подписи Произв.-полигр, пр-тие, г. Ужгород ул. Проектная,Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для определения энергиисвязи носителя заряда на мелком нейтральном центре в полупроводниках,елью изобретения является расширение функциональных возможностейспособа путем обеспечения определения энергии связи носителя зарядана мелком нейтральном центре,10Изобретение поясняется чертежом,где приведены зависимости поперечного коэффициента Нернста-Эттингсгаузена от температуры для двух образцов из СаЛя п-типа проводимости сразличным содержанием примеси,П р и...

Номер патента: 928942

Опубликовано: 07.02.1987

Авторы: Есина, Зотова, Матвеев, Рогачев, Стусь, Талалакин

МПК: H01L 21/208

Метки: основе, переходом, полупроводников, структур, типа

...кон 6 - 3 центрации дырок не менее 5 10 см / /мкм).В соединениях А В подвижностьш чэлектронов значительно больше подвижности дырок, например для 1 пАз их отношение составляет 50 при 300 К. Это обуславливает преимущественную инжекцию электронов в р-область.Поскольку вероятность излучательной рекомбинации можно считать пропорциональной концентрации дырок на диффузионной длине от р-п в перехо, то эффективность излучения р-п-перехода с резким профилем распределения дырок вблизи р-п-перехода значительно (по крайней мере, на порядок) выше, чем в р-п-переходах, полученных известным способом, а наиболее оптимальный интервал легирования, как показывает опыт, находится в пределах 510 - 110 смй . в -3 Указанный состав жидкой фазы определяют на...

Номер патента: 1292072

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Москвин, Прохорчева, Свирский

МПК: H01L 23/26

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...счастичным вырезом; на фиг.2 - то же,вид сверху.Охладитель включает в себя верхнюю часть 1 основания, которая имеет внутреннюю полость с радиальнымивыступами 2 и штырями 3, нижнюючасть 4 основания с радиальными выступами 5 и штырями 6, В сочленениипо радиальным выступам 2 и 5 обоих.резьбовым хвостовиком 10 и фланцем11. Сборка охладителя осуществляется путем стягивания верхней части 1и нижней части 4 основания с помощьюштуцера 8, причем так, что штыри 3верхней части находятся по впадинахнижней и образовывают шахматный,трехрядный участок штырей с требуемым зазором, а радиальные каналыштуцера находятся соосно с радиальными выступами 2 и 5.5 При присоединении охладителя ксистеме принудительного охлажденияхладагент через штуцер 8 и...

Номер патента: 1292075

Опубликовано: 23.02.1987

Автор: Хуберт

МПК: H01L 31/06

Метки: фотодиод

...того, непоглощающий слой,прилегающий к слою аморфного кремния, при четном ш имеет низкий показатель преломления, а при нечетномвысокий,Непоглощающий слой,.прилегающийк полупроводнику, состоит из электрически проводящего материала, прозрачного для получения с длинойволны М. На чертеже показан предлагаемыйфотодиод,П р и м е р. Фотодиод сформирован на основе аморфного кремниевогоперехода, созданного по одной из известных технологий изготовления, причем запирающий слой известным способом образуется рп-структурой,состоящей из области 1 проводимостир-типа с высокой степенью легирования, области 2 собственной проводимости полупроводника высокой чистотый легированной области 3 проводимости п-типа. Обнаруживаемое или измеряемое излучение 4...

Номер патента: 1292215

Опубликовано: 23.02.1987

Авторы: Лукьянов, Шутов

МПК: H01L 23/46, H05K 7/20

Метки: блоков, охлаждения, радиоэлектронных

...охлаждения радиоэлектронных блоков с выдвинутым блоком, общий вид; на фиг.2 - то же, в рабочем положении.Устройство для охлаждения радиоэлектронных блоков содержит нижний теплообменник 1 и верхний теплообменник 2 с ребрами 3. Между радиоэлектронным блоком 4 и верхним теплообменником 2 размещена оребренная теплосъемная планка 5, на торцах которой выполнены передний 6 и задний 7. скосы и продольные овальные отверстия 8.,Теплоотводящая планка 5 соч" леняется своей оребренной частью с оребренной частью верхнего теплообменника 2. Прижимные элементы выполнены в виде установленных на осях 9 переднего 10 и заднего 11 сухарей со скосами, а оси 9 выполнены с хвостовиками 12, расположенными на скосах сухарей 1 О и 11. Хвостовики 12 размещены в...

Номер патента: 1293453

Опубликовано: 28.02.1987

Авторы: Галяткин, Костенко, Формозов

МПК: F25D 3/00, H01L 31/00

Метки: аппарате, космическом, параметров, преобразователя, расположенного, стабилизации, фотоэлектрического

...1 система стремится к новому тепловому равно-. весию. При этом наличие плавящегося вещества в теплообменнике 1 обеспечивает за счет скрытой теплоты плавления стабилизацию его температуры на уровне температуры плавления Т . Ю и, следовательно, стабилизацию параметров преобразователей 2 и 10. После окончания плавления вещества в теплообменнике 1 его температура начинает повышаться и при достижении 15 температуры, равной температуре Т, начинается процесс плавления вещества, размещенного в контейнерах 3 и 12, При этом большая теплоемкость теплообменника 1 из-за наличия в нем рас плавленного вещества увеличивает тепловую инерцию системы, способствует замедлению процесса плавления вещества в контейнерах 3 и 12 и тем самым...

Номер патента: 1295467

Опубликовано: 07.03.1987

Авторы: Ахметова, Герасимова, Ставицкий, Тихонова

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, вентилей, полупроводниковых

...3 в Фиксирующий ключевой паз 12, Между радиаторами 2 устанавливаются полугроводниковые вентили 9 дисковой Формы, которые 67 2ориентируются в углублении 11 основания 1 строго по оси сжатия.Основание 1, две торцевые пластины6, четыре. стяжные шпипькис гайкамиобразуют жесткую конструкцию. Необходимое усилие сжатия обеспечиваетсяз,зтяжкой осевого прижимного устройства со сферическим упором,Замена отказавших в эксплуатациивентилей осуществляется непосредственно в силовой преобразовательнойустановке без демонтажа блока ослаблением осевого устройства, Любой извентилей 9 свободно извлекается изблока и замевяется новым, после чеговновь затягивается прижимное устройство 8.Блок также позволяет произвестизамену в аналогичньх условиях и...