H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 604057

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Горячев, Димов, Евдокимов, Хмелев

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, перемещений, пьезоэлектрический, угловых

...Балансировочный груз 7, расположенный на роторе диаметрально пьезокерамическому диску, служит для уравновешивания последнего.Ротор 2 снабжен полуосями 8 и 9, одна из которых связана с зажимом 3.Принцип действия устройства заключается в следующем. Б исходномположении ротор 2 зафиксирован зажимом 3. На электродах пьезоксрамического диска напряжение отсутствует, Импульсные угловые перемещения ротора 2 (по часовой стрелке) осуществляют в следующей последовательности. Зажимом 3 отпускают ротор 2. На электроды пьезокерамического диска 1 подают импульс напряжения прямой полярности. В результате ротор 2, жестко связанный с концом 4 пьезокерамического диска 1, поворачивается на небольшой угол по часовой стрелке вокруг ротора 2 и...

Номер патента: 604058

Опубликовано: 25.04.1978

Авторы: Бансевичюс, Рагульскене, Рагульскис, Штацас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель, вращательного, движения

...на фиг. 2 и 3 - иасоответственно основного езокерамических преобра - разрез А - А на фиг. 1. остоит из корпуса 1, ведуовленного на торсионе 3, я, выполненного в виде колец 4 и 5, между котоегментные пьезоэлементы реннего кольца 5 закрепее металлическое кольцо 4 .е. в точках наименьших й кольца) закреплено кре к дополнительному пьекоторый жестко установмый элемент 9 в подшипмонтирован в крышке 11604058 Фор аула изобретения Составитель В. Вх рсд О Пч овая Тираж 960 ефр Корректор однисное Гриценк Редактор Е. ГончарЗаказ 2106/44 1 итетп Совтений и о та Министроткрытийнаб., д. 4/о Раушска Ужгород ул. Проектная корпуса 1, пьезоэлементы подключены к источнику электрического сигнала 12.Вибродвигатель работает следующим образом, При подаче...

Номер патента: 605275

Опубликовано: 30.04.1978

Авторы: Бубулис, Вискупайтис, Рагульскис

МПК: H01L 41/00

Метки: вибродвигатель, однофазный, пьезоэлектрический

...г. Ротор 4 имеет эксцентрическое рас 20 пределение массы п надет на ось 3 со свободой вращения, Концы преобразователей 2,соединенные с осью 3, поддерживаются упругцмп опорами в целях упрочненця конструкции, Опоры могут быть изготовлены цз любо 25 го материала с достаточной упругостью ижесткостью, В частности, опоры могут бытьизготовлены цз того же самого пьезоматерцала, но только оез электродов,Вцбродвцгатель работает следующим обра 30 зом.При подаче синусоидального электрического напряжения на пьезоэлектрические преобразователи Онп начина 1 от колеОаться и двух направлениях с разностью фаз.),: Л в 1 п о)г;х, А, з 1 п(а -1- з),где х и х 2 - переменные смещения точек увершины преобразоватслсй; А г 1А 2 - амплитуды смещений точек,о) -...

Номер патента: 511770

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Зиновьев, Круглова, Пилат, Романишен, Чайка

МПК: H01L 37/00

Метки: гальваномагнитный, охладитель

...выполненного с двойниковьии прослойками, снижение температуры ниже температуры кипения жидкого азота составляет в случае цилиндрической фор мы кристалла 9 Ств случае кристалла в форме треугольной призмы экспоненциаль ного сечения 11 фС. В случае наиболее благоприятной ориентации снижение температуры может достигать 51 С. ьваномагнитный эФФекта Эттинсг рмоэлектрически ла, магнита и и хладиузена,анизотточниэобретени Гальваномагн основе эффекта щий иэ термоэле го кристалла, тания, о т л и что, с целью ув кой эффективнос кристалл выполн лойками. оя но пи(61) дополнительное к а (22) Заявлено 2607.74 (21) ка питания.Однако известный охладнтель обладает низкой энергетической эффективностьюи малой глубиной охлаждения. Так, прииспользовании...

Номер патента: 498866

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Зиновьев, Пилат, Романишен, Чайка

МПК: H01L 27/22

Метки: холодильный, элемент

...была быозволяла бы привестигорячую грань непосдагентом без прокладоподложек. таллографическая ориентация. Ток пропускают вдоль тригональной оси 1 (магнитное поле направлено вдоль биссекторной оси перпендикулярно одной иэ бинарных осей 2, а градиент температуры воз" никает вдоль этой же оси). Кроме того, холодильный элемент снабжен центральныч каналом.ЗХолодильные элементы такой формы удобны для состыковки с дроссельными .или другими холодильниками при создании многокаскадных холодильников для охлаждения ниже температуры кипения жидкого азота. Если хладагентом является жидкий азот, то на одном реб.ре температура понижается ниже температурыкипения жидкого азота, на двух других она становится намного выше температуры...

Номер патента: 498869

Опубликовано: 05.05.1978

Авторы: Ащеулов, Беликов, Пилат

МПК: H01L 29/66

Метки: термотранзистор

...эгстовлен иэмоэлектрически а тропного монталла в виде пр ольной пласт1, на торцах который созданы эмнный 2 и коллекторный 3 Р-п -пере Термозлектрически аниэотропный монокристалл кристаллографически ориентированотносительно р-в-переходов таким образом, что возникающее в нем поперечноетермоэлектрическое поле направлено пери ндикулярно плоскости р и перехо498869 формула изобретения СоставитеЮ. МукортовРедактор Е. Месропова Техред 3. фанта Корректор Н, Ковалев акаэ 2451/40 Тираж ЦНИИПИ Государственного по делам иэо 113035, Москва, Ж960 Подписноекомитета Совета Министробретений и открытий-35, Раушская наб д. 4 илкал ППП фПатент, г. ужгород, ул. Проектная, 4 термоэлектрическое поле влияет на эФФективность инжекции эмиттера, что приводит к...

Номер патента: 607297

Опубликовано: 15.05.1978

Авторы: Гуляев, Каринский, Максимов, Мондиков

МПК: H01L 41/08

Метки: акустических, волнах, поверхностных, сигналов

...7 и ряд металличес.нх полос 8, образующих противолежащий иаО П И С А Н И Е (иво 72 вт ИЗОБРЕТЕНИЯ807297 9нием в качестве опорного сигнала гармонического сигнала на частоте входного сигнала,В предлагаемом устройстве обеспечиваетсяувеличенное отношение снгнал-шум иа выходе, в то время как дополнительные паразитные 5 сигналы ослабляются. Формула изобретения раметрический электрод. Количество полос в ряду равно количеству временных дискретов входной импульсной последовательности. Металлические полосы 7 соединены с разнополюсными шинами-сумматорами 9 и 10 в полярности, соответствуюгцей обратной последовательности чередования фаэ входного сигнала, а металлические полосы 8 соединены с шинами- сумматорами 9 н 10 в полярности, соответствуюцей...

Номер патента: 571155

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Казеннов, Кремлев, Стороженко

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральная, схема

...диффуэионная область 8+ц - типа проводимости. В подложке 1 тыже расголожены области 9-12, имеющией - тип проводимости, причем области 9-12частично примыкают ко всем диффузионным Ообластям 2-7 р-типа проводимости. Все диффузионные области, за исключением области .7 имеют омические контакты, условно показвнные на чертеже пунктиром и штриховкой. Упомянутые контакты к областям 3-6служат. входами иите 1 ральной схеьы, контакт к области 8 - выходом, а контакты кобластям 2 и 12 - соответственно для подклсчения плюсовой и земляной шин источника питания схемы, Области 9 и 10используются для подавлении параэитноготранзисторного взаимодействия между областими 3 и 5 и областями 4 и 6 соответственно. Высоколегированные области 11 и 12и -...

Номер патента: 608210

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Пащинин, Семенов

МПК: H01L 21/00

Метки: подачи, радиодеталей

...чертеже изображено устройстводля подачи радиодеталей.5 Устройство содержит загрузочныйлоток 1 и отсекатель, состоящий изверхнего 2 и нижнего 3 толкателей,соединенных с приводом 4. Нижний толкатель 3 снабжен вилкой 5, установленной с воэможностью взаимодействияс приводом 4 и верхним толкателем 2,Толкатели 2 и 3 сдвинуты относительно друг друга на величину 1 перемещения толкателей и подпружинены15 пружинами б и 7.Устройство работает следующим образом.При включении привода 4 вилка 5перемещается влево, сдвигая толка 20 тели 2 и 3, причем паз толкателя 2совмещается с каналом загрузочноголотка 1, а толкатель 3 частично перекрывает канал загрузочного лотка 1.При этом транзисторы 8, находящиеся25 на толкателе 2, падают на нижний...

Номер патента: 608211

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Огорелышев, Токаренко

МПК: H01L 21/00

Метки: сортировки

...вращения бункера и отводящие каналы, закрепленные на корпусе, причем приемный бункер выполнен в виде наклонного усеченного конуса, установленного с воэможностью поочередного совмещения нижнего отверстия с входными отверстиями отводящих каналов, механизм вращения бункера выполнен в виде системы винт- гайка, при этом винт жестко закреплен в корпусе, гайка жестко соединена с бункером, а входные отверстия608211 Формула изобретения Составитель Л.ТришковаРедактор Т.Загребельная ТехредМ.Борисова Корректор Н.Тупт каз 2809/36 ЦНИИПИ Государств по дел 113035, МоТираж 960нного комитетм изобретенийква, Ж, Ра Подписноеистров СССР Совета Ми и открытий шская наб. д. 4/ Филиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектн отводящих каналов расположены по...

Номер патента: 608212

Опубликовано: 25.05.1978

Авторы: Пачаджян, Тиврикцян, Ягубян

МПК: H01L 41/22

Метки: диэлектриков, поляризации

...Т на образец подают высокое напряжение Е. Изменением накального напряжения кенотрона 4 его сопротивление (сопротивление промежутка анод-накал) подбирается так, чтобы падение напряжения на нем было бы в два и более раз выше, чем на образце. В этом режиме образец выцерживают в течение 0,5-7 часов, в зависимости от выбранного режима, При охлаждении образца до комнатной .температуры Т его сопротивление увеличивается на несколько порядков, а падение напряжения в цепи - образец-кенотрон распределяется таким образом, что почти все падение приходится на образец. Здесь важно то обстоятельство, что напряженность на образце Повышается по тому же закону, по которому увеличивается его сопротивление, а следовательно, и его3 608212 Составитель...

Номер патента: 609559

Опубликовано: 05.06.1978

Авторы: Буда, Курыло, Рагульскис, Тваронавичюс

МПК: H01L 41/09, H02N 2/08

Метки: вибропривод, синхронный

...648 Подписное 3му источнику переменного напряжения 7 который сопряжен с бпоком управпения 8,Привод работает спедуюшим образом.Преобразователи 2, прикрепленные к ротору 1, питаются от источника переменного 5 напряжения 4 посредством фазосдвигаюшей схемы 3 со сдвигом фаз на 360/и где - д количество пьезокерамических преобразоватепей (не менее трех). Пьезокерамические преобразоватепи 2 совершают колебания,10 сдвинутые по фазе соответственно их питанию, возбуждая тем самым бегушие волны деформации элемента 5, которые взаимодействуют с дополнительным пьезокерамическим эпементом 6 и обуспавпивают врашение ро 15 тора 1. Йопопнитепьный элемент 6, подключенный к доподнитепьиому источнику леременного напряжения 7, совершает колебания с постоянной...

Номер патента: 610211

Опубликовано: 05.06.1978

Автор: Бабаянц

МПК: H01L 21/48

Метки: закрепления

...корпусовэлектронных приборов.На фиг. 1 показано предложенное устройство для закрепления деталей, например,ври электрохимической обработке многовы- З 0водных корпусов приборов общий вид кафиг. 2 - крепление штырькового выводаэлектронного прибора; на фиг, 3 - схемарасположения высокопроводяших и упругих35элементов щетки; на фиг. 4 - креплениепланарного вывода электронного прибораустройства,Устройство для закрепления деталей, например при электрохимической обработке40многовыводных корпусов электронных приборов содержит основание 1, выполненноеиз химически стойкого электроизоляционного материала (например, фторопласта, эбонита, пластмассы и т.п), в котором закреп-,лены одним концом высокопроводяшие 2 а иупругие 2 б элементы...

Номер патента: 556685

Опубликовано: 15.06.1978

Авторы: Нечипорук, Семенюк

МПК: H01L 35/34

Метки: каскадный, охлаждающий, термоэлемент

...высоты 4 д симметрично расположены относительно ниэкотемпературного каскада, причем ветви одинакового типа проводимости всех термопар склеены бокоными поверхностями через электроизоляционные прослойки н многослойнЫе блоки для образования теплового контакта.На фиг.З показан каскадный термоэлемент с параллельным питанием каскадон, в котором многослойные блоки 14 и 15 р- и й - типов проводимости выполнены в виде трапеций так, что противоположные торцы всех ветвей блока лежат в плоскостях, образующих между собой прямой угол, а длина ветвей в каждом блоке уменьшается н направлении от ниэкотемпературного к высоко- температурному каскаду. К одним торцам блоков р- и И - типов проводимости присоединены, например припаяны, токо-...

Номер патента: 612316

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Гольдин, Демьянец, Коробов, Куклев, Маслов, Хлебников, Юшков

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, газовой, структур, фазы, эпитаксиальных

...ВГЫрац)ГВЕЕ,4 ЫХ ЭПИ т. ЯКСИЕГ 1 Ь-ных структур.1 ЦЕПЬО ИЗ О 6 ГтЕТЕНтня явпяэтся у;,Е-, т ГЧ - ,цие производительности устройства иповышение однородности параметров получаемых эпнтаксиальцых структур,Достигается это тем, что:; извесллв ном густройстве, содержащем нагреваТЕЛИ ИСТОЧНИКЕ И ПОДЛОЖКИ, ВЕРТИКЯ;тьный трубчатый реактор со штуцерамиддя ввода и вывода газа, расположенныйв нем блок для размещения подложек иустановленный параллецьцо ему блок дпяРаЗМЕШЕЦИЯ ТВЕРДЫХ ИСТОЧНИКОВ, ПРГНЕМблоки закреплены ца соосных штокахпроводящих через пх центр и связанныхс приводами для вращения и перемеще.ния, блоки для крепления источников иподложек выполнены в виде дисков, периферийная часть которых выполнена в виде плоских сплошных...

Номер патента: 612317

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Бочкарев, Гольдин, Коробов, Маслов, Хлебников

МПК: H01L 21/20

Метки: выращивания, газовой, структур, фазы, эпитаксиальных

...блок 10, шток 11, уппогнения 12 и 13, привод. 14, нагреватель 15, кварцевую трубку 16, штуцеры 17 и 18, смотровые окна 19 и 20, бортик . 55 21, источник 22, подножку 23, средство крепления 24, В устройстве кварцевый трубчатый реактор 1 эакаочен в метаппический водоохпаждаемый кожух 2 Граитовый бпок 5 со средством креппения 24 источников 22 выполнен в виде плоского диска с бортиками 21, ограждающими со всех сторон каждый источник, и закреппен на штоке 6, соединенном с приводом 7. Средства креппения 24 выполнены, например, в виде винта с шайбой. Над графитовым блоком 5 установлен нихромовый нагреватель 8, заключен ный в кварцевую трубку 9. Трубка 9 выполнена в виде плоской спирапи. Кварцевая трубка 9 с нагревателем 8 через уплотнение (на...

Номер патента: 510059

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Еременко, Никитенко, Пронин, Якимов

МПК: H01L 21/304

Метки: емкостью, переменной, полупроводниковых, приборов

...форлы с углом при вершине 90-140. При этом деформирование проводят таким образом, что эсь изгиба Ю 1 перпендикулярна болынему ребру образца, а угол изгиба пластинки определяется выбором формы матрицы и пуансэйа. После этого кристалл пэвгэрцэ обрабатывают вполнрующем растворе. Электрические контакты присоедицяюг к деформированному материалу в мест сэприкосцовеция с центральной опорой и к участку, расположенному вне опор, методом гермэкэмпрессии с образованием шарика либо точечной сварки, 13 качестве контактного магерцала прил.ецяют золото с сэогвегсгвуюшимн присадками эОписанный способ позволяет получить р-п-переход, плэшадх которого изменяется с напряженнем, Природа этого изменения. сост ит в следуюшем:, геометрия изгиба выбрана Ж...

Номер патента: 531433

Опубликовано: 25.06.1978

Авторы: Ибрагимов, Реутов

МПК: H01L 21/265

Метки: легирования

...регулирования скорости пбворота образца с использованием ЗВМ, чтов значительной степени усложняет методикуоблучения и является основным ее недоствком.Целью изобретения является упрощение способа и обеспечение равномерного легирования.Цепь достигается тем, что энергию ионовустанавливвют таким образом, чтобы длинапробега ионов была равна толщине облучаемого образца, а образец равномерно вращаютвокруг оси, перпендикулярной направлениюпучка ионов. МНеобходимыми требоьвниями для реализации равномерного ионного легирования являюься: равномерность потока заряженных частицпо сечению падающего пучка и "омьвание"пучком частиц поверхности обпучаемого образца.Первое требование обеспечивает равномерность облучения всей площади образца и...

Номер патента: 613421

Опубликовано: 30.06.1978

Автор: Фальков

МПК: H01L 41/113, H02N 2/18

Метки: генератор, фалкова

...и пьезоэлемент. Недостаток его состоит в узкой области технологического, применения,Известен также генератор, содержащий корпус и составной пьезоэлемент. Недостатком данного устройства также является узкая область технологического применения.Цель изобретения состоит в расширении области технологического применения и повышении эффективности.Указанные цели, достигаются тем, что в генераторе, основанном на использовании газов, использованы пьезоэлементы в виде волнообразных пластин, размещенных в корпусе с зазором, кроме того, корпус снабжен направляющими раструбно-щелевыми устройствами и по крайней мере одним крылом изменения угла атаки потока.На фиг, 1 показано строение составных пьезоэлементов предлагаемого генератора; на фиг. 2 -...

Номер патента: 613472

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Крючков, Цаценкин

МПК: H01L 41/08, H02P 8/00

Метки: двигателем, линейным, шаговым

...в следующем,В момент времени 9 (фиг. 2) подается команда на включение фиксатора 1, фиксатор 2 находится во включенном состоянии (зафиксирован), напряжение на пьезоэлементе 3 уменьшается, и он сжимается. Напряжение на пьезоэлементе 4 возрастает, и происходит его растяжение. Таким образом, в момент 1, движение приводной планки 5, связанной с рабочим органом, происходит со скоростью от пьезоэлемента 4, так как фиксатор 2 зафиксирован на направляющей 6, а фиксатор 1 не успел еще сработать. В момент времени 1, (на фиг. 2 сигналы обозначены цифрами, соответствующими номерам элементов двигателя) сработает фиксатор 1 и снимется команда с фиксатора 2. Движение приводной планки 5 осуществляется от двух элементов 3 и 4, так как оба фиксатора...

Номер патента: 460813

Опубликовано: 30.06.1978

Авторы: Матуленис, Пожела, Царенков, Юцене, Яковлев

МПК: H01L 29/82

Метки: магниторезистор

...ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ тлаС 1 ИН- ки, па рмер пзасгинкн Германия собств:пной проводимоси, грани которой имеют различ 1 ую скорость поверхностной рекомбинации.Однако изиестпыи магшггорезистор оклада е н высокой стаоилшостьо пз-за плохой сгаоильпости поверхностных своисгв полупроводника) и малым оыс гродсйствпемО -- О- С).О целью увеличения быстродейсгвия и ста- б ОИЛЬПОСТИ В ПРЕДЛ 2 ГаЕМОМ МаГНИ 10 РЕЗИСТОРЕ пластина Вьшолпена на основе варизопного ПОЛУПРОВОДНИК 2, а КОПаКТЫ РаСПОЛ 05 КЕПЫ Па стороне пласгипы, где шпрш 2 запрещеннои зоны минимальна. 20Ы качестве варизонного полупроводника могут быть использованы твердые растворы, меняющие тип минимума долины зоны проводимоси, например 2,А 1 АВ.1 редлагаемый магпиторезистор работает 2...

Номер патента: 614477

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Лавриненко, През

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...(с электрическим возбуждением продольных колебаний) имел следующие размеры: длина 33 мм, ширина 7,5 мм, толщина Змм,1 Размеры пьезоэлемента подобраны иэ условия совпадения первой моды продольных и третьей моды колебаний изгиба, что является условием оптимальной устойчивой рабоы пьезодвигателя. Пьезоэлемент предложенного двигателя с электрическим возбуждением колебаний изгиба выполняется биморфным с толщиной двойного слоя 10 мм,длиной 48 мм и начальной цириной 16 мм. После каждого измерения пьеэоэлемен т сощлифовывался по ширине на 1 мм до конечного размера по ширине 5 мм,Оба пьезоэлемента .были выполнены нз пьеэокерамики типа ПКДи на рабочих концах имели иэносостойкие прокладки иэ материала 22 ХС (на основе окиси...

Номер патента: 614478

Опубликовано: 05.07.1978

Авторы: Евмененко, Трофимов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: вибрационный, двигатель, линейный

...роль которого выполняют упорные пластины 2, один конец кажто дой из которых шарнирно укреплен на корпусе 3, а другой упирается в пьезоалекгрическую пластину под. углом 30-45 к ееповерхности. Упорные пластины прижимаются к поверхности пьезоэлектрической пласти 35 ны прижимными пружинами 4,Пьезоэлектрическая пг тстина возбуждается на резонансной частоте продольной молыколебаний. При увеличении ее длины в одиниз полупериодов колебаний перемещению плас 2( тины в правую сторону препятствуют нижние и верхние упорные пластины 2, заклинивая ее, Движению же пьезоэлектрическойпластины влево препятствйй нет, поэтомуона перемещается на величину, соответстИ вующую амплитуде колебаний, При уменьСоставитель И, Ваверая Техред З,фанта Корректор М,...

Номер патента: 615048

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Алчангян, Кмсляков, Смирнова

МПК: C04B 35/495, H01L 41/187

Метки: материал, пьезокерамический

...Ва И 13 Оиз растворов и редвариленные при ЭОО С с целнияе 1 О Получение пьеэокерамического материала проводят в трн стадии,тщательно измельченные и перемешанные. компоненты, взятые в количествах60% Во КЬзОа и 40% ВсеЧзОа1 обжигают при. 00 С в течение 24 ч,затем при 500 С в течение 12 ч, Ох-лажденные со скоростью 50 грац/чобразцы тщательно измельчают в порошок с размером частиц 60 мк, брике 20 тируют, используя в качесгве пластификатора -100% воцный раствор поливинилового спирта в количестве до 5% вес.от в 6 са шнхты. Брикеты опекают в аь.мосфере воздуха при 600 С в течениеЗ 8 ч, после чего охлаждают. Скорость,Виэп 3 ЯЮФ ЭОРО ПЕе ЗаИЬ О 40 30 14 10 3 обретенматериал, содеаобав в вйде фЖЮНН6 ИТОВ Вр ЙЪ 351 мпе- ОфнЕИ ОН...

Номер патента: 615582

Опубликовано: 15.07.1978

Авторы: Вискупайтис, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель, однофазный

...пьезоэлементом 2, Он закреплен на конце пьезоэлемента 2 осью перпендикулярно составной плоскости пьезоэлемента 2. Держатель 8 подшип ника 5 представляет винт,соединенньй со стойкой 4. Ротор 1 выпОлиен с некоторой эксцентричностью распределения массы. Подшипники 5 выполнены, например, в виде конусных отверстий в пластинке из твердого кристалла. Концы оси б ротора 1.выполнены кону сообразными.615582 ЦНИИПИ Заказ 3921/44 Тираж 892Филиал ППППатент, г. Ужгород, у писно л. Проектная,Устройство работает следующим Об" разом,При подаче однофазного переменного напряжения на пьезоэлемент 2 он начинает колебаться, изгибаясь цо профилю (фиг.2), Минимально имейтся два изгиба пьезоэлемента: один на угол (, другой - на угол ф . Причиной этого является...

Номер патента: 616597

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Карапатницкий, Терехин, Уваров

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: барьерных, емкостей, параметров, переходов

...блока 8 обработки данных, К блоку 8 обработки данных также подключе"ны источник 4 постоянного напряжениясмещения и генератор 1 синусоидального напряжения.В основе работы устройства лежит616597 Формула изобретения НИИПИ Заказ 4061/43 Тираж 1112 Подписноеилиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 анализ гармонических составляющих тока, протекающего через нелинейную барьерную емкость обратно смещенного р"и перехода под воздействием приложенного к нему синусоидального напряжения.Под действием синусоидального напряжения через подключенную к выходу ге 5 нератора 1 цепочку, состоящую иэ последовательно соединенных исследуемого р-п, перехода 2 и измерительного резистора 3, протекает несинусоидальный ток. Йесинусоидальный характер 10 тока...

Номер патента: 616599

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Алексеев, Петров, Соловьев, Тихонов, Хорунжин

МПК: H01L 21/66

Метки: ветевей, индикатор, полупроводниковых, проводимости, сплавов, термоэлектрических, термоэлементов, типа

...при разбраковке ветвей с токовым сечением ток 1 ммаЦель изобретения - повышение производительности при определении типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы.Для определения типа проводимости полупроводниковых термоэлектрических сплавов и ветвей термоэлементов на основе висмута-теллура-селена и сурьмы в качестве индикатора используют водный раствор азотнокислой меди,Известно, что при травлении медных изделий перед гальваническим нанесением металлических покрытий, изделия опускают в водный раствор азотной кислоты 2, при этом идет следующая реакцияЗСцфВННО- ЗСц(ЮО)т+2 КО+1 НОПолучающаяся в результате реакции азотнокислая медь взаимодействует с веществом,п-ветви616599...

Номер патента: 616600

Опубликовано: 25.07.1978

Авторы: Долгих, Плоткина, Румма, Таратута, Цзин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, тиристоров

...электродов управления применения сложной методики регистрации рекомбинационного излучения из неметаллизированной границы раздела управляющий электрод- катод и может использоваться только на открытых структурах, не заключенных в корпус.Наиболее близок к предлагаемому изобретению способ определения качества "изготовления тиристоров, вклю-чающий измерение отпирающих тока и 10 напряжения управляющего электрода, а также измерение потерь энергии в тиристоре в процессе включения при протеканииузкого импульса анодного тока. 15Однако при таком способе отсутствует критерий оценки качества изго- товления электродов управления, так как измеряют потери в тиристоре для одного произвольно выбранного ф значения напряжения на управляющем электроде,...

Номер патента: 504434

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Беляускас, Шеркувене, Янушонис

МПК: H01L 21/64

Метки: неоднородное, объемной, примесное, стекло, фотолитографии

...системы остается недостаточной.Цель изобретения - создание примесного стекла для объемной фотолитографии, сочетаквяего свойства, необходимые для создания качественных транзисторных структур при субмикронной толщине слоя, что в свою очередь обеспечивает создание транзисторных структур микронных размеров. Это достигается размещени ду легирующим и маскирующимэкранирующего слоя, соетояще 30-95 вес.В окиси алюминия, остальное - двуокись кремния. Скорость про никновения окислителя в экранирующем слое с предпочтительным составом 80 вес.В окиси алюминия и 20 вес.Ъ двуокиси кремния более чем на два по рядка меньше скорости проникновения в слое термической двуокиси кремния такой же толщины, поэтому экранирую 1 щий слой толщиной 0,08-0,15 мкм...

Номер патента: 447108

Опубликовано: 05.08.1978

Авторы: Вул, Денис, Иванникова, Калюжная, Репшис, Ярмалис

МПК: H01L 21/26, H01L 21/28

Метки: контакта, создания

...камеру, 15 не прерывая нагрева подложки концентрированным световым потоком, подают дозированную смесь очищенного водорода с тетрахпоридом кремния, легированным хпо ристым фосфором. Прн этом пластину крем ния располагают таким образом, что пэ верхность, на которую осуществпяется на:ращивание слоя, нагревается до более вы. сокой температуры, чем толща подложки. Найдено, что необходимым усповием рос та зеркально гладких слоев толщиной 150-200 мкм явпяется бопее высокий на 40-70 оС) нагрев поверхности растущей пленки по сравнению с обратной стороной пластины. Рост ппенки кремния ЗО толщиной 150-200 мкм происходит в спедующем режиме: температурный градиент по топщине ппасгины составляет 250- ЗООоС/см, температура роста ппенки 1000-1200...