Верходанов

Номер патента: 1005610

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Йожеф, Петер

МПК: H01L 31/036

Метки: фотодетектор

1. Фотодетектор на основе полупроводниковой структуры, по крайней мере с одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в области длин волн вблизи края собственного поглощения полупроводника и расширения диапазона чувствительности в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона выполнена с дефектами в виде изолированных выделений второй фазы в количестве 0,1 - 8% от объема зоны.2. Фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что размер дефектов - не менее длины волны края собственного поглощения полупроводника.

Номер патента: 686563

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко, Домахин, Зайцев, Логинова

МПК: H01L 31/0288

Метки: фотоприемник

1. Фотоприемник на основе полупроводниковой подложки с по крайней мере одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности и расширения ее спектральной области в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона содержит изоэлектронную примесь с концентрацией 1018 - 1021 см-3.2. Фотоприемник по п.1, отличающийся тем, что полупроводниковая подложка выполнена из кремния, а фоточувствительная зона содержит примесь элемента, выбранного из IV группы Периодической системы, преимущественно германия.

Номер патента: 786712

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий механическую обработку поверхности и термический отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров кремния за счет снижения концентрации дефектов, перед отжигом пластины облучают ионами кремния дозой 5 1014 - 5 1016 см-2 и энергией, обеспечивающей выполнение условия:R d,где R - глубина проникновения ионов в пластину.d - толщина нарушенного механической обработкой приповерхностного слоя...

Номер патента: 1289294

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Едренов, Мясников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин

Способ обработки кремниевых пластин, включающий обработку поверхности кремниевых пластин импульсом электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности операции сглаживания краев пластин, обработку всей поверхности пластин проводят импульсом некогерентного излучения при длительности импульса от 1 до 250 мс и удельной мощности от 0,3 до 140 кВт/см2.

Номер патента: 824831

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 29/02

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор на основе кристалла с p-n-переходом, содержащего область с дефектами структуры, отличающийся тем, что, с целью уменьшения токов утечки и собственных шумов, указанная область выполнена на расстоянии от p-n-перехода, не превышающем диффузионную длину примеси, и имеет дефекты типа введений второй фазы, объем которых в ней 1 - 10%.

Номер патента: 1190857

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Мясников, Ободников

МПК: H01L 21/268

Метки: кремниевых, пластин, полупроводниковых

Способ очистки полупроводниковых кремниевых пластин путем воздействия на поверхность лазерным излучением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения очистки поверхности пластин от механических загрязнений, кремниевые пластины подвергают воздействию лазерного излучения с длиной волны 1,06 0,000365 мкм, удельной мощностью 318 Вт/см2 - 15 кВт/см2 и длительностью воздействия 50 - 200 мс.

Номер патента: 795319

Опубликовано: 20.06.1999

Авторы: Верходанов, Гаштольд, Герасименко

МПК: H01L 21/265

Метки: памяти, элементов

Способ изготовления элементов памяти, включающий последовательное формирование на полупроводниковой подложке первого туннельно тонкого слоя диэлектрика, второго слоя диэлектрика, обладающего эффектом запоминания, и электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения времени хранения записанной в элемент памяти информации, перед формированием электрода производят ионное легирование второго слоя диэлектрика ионами элементов из группы веществ, атомный вес которых превышает атомный вес каждого из составляющих диэлектрик элементов, включающей фосфор, аргон, галлий, мышьяк и криптон, с дозой (5 1014 - 1

Номер патента: 1767535

Опубликовано: 07.10.1992

Авторы: Верходанов, Гладких, Евтин, Латышев, Славнова, Эрмантраут

МПК: G11C 17/00

Метки: памяти, элемент

...область каналатранзистора с переменным пороговым напряжением проводят по маске фоторезиста5 ионную имплантацию мышьяка 6 энергией 100 кэВ, дозой 0,06 мкКл/см до вытравливания отверстий, Затем после снятияфоторезиста и обработки пластин в полученных отверстиях выращивают туннельно-прозрачный диоксид кремния 7реакцией закиси азота с кремнием в РПДреакторе при 700 С, толщиной 18 А, в томже реакторе на всей поверхности пластинывыращивают слой нитрида кремния 8 при700 С, толщиной 600 А разложением тетрахлорида или дихлорсилана кремния в среде аммиака, После формированияконтактов напыляют алюминий 9 и методами фотолитографии формируют металлизированную разводку и затворы транзисторовсхемы, Затем по маске алюминия проводятионную имплантацию...

Номер патента: 707446

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Герасименко, Калиников, Камбалин, Федченко

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, областей, разделительных, создания, схемах

...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...

Номер патента: 921387

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Власов, Гаштольд, Калиников, Кольдяев

МПК: H01L 27/04, H01L 29/78

Метки: полупроводниковое

...затвора в области канала,На чертеже изображено сечение полупроводникового устройства, состоящее из полупроводниковой подложки 1, например, р-типа проводимости, эпитаксиального слоя 2 противоположного типа проводимости, областей 3, 4 верхнего, нижнего. затворов, областей 5 каналов, областей б истока (стока), легированной области 7 канала.Как видно из чертежа, канал состоит из двух областей: неравномерно легированной и нелегированной.В эпитаксиальной области 5 канала легирующая примесь распределена однородно и соответствует уровню легирования исходной эпитаксиального слоя М, тогда как в области 7, которую создают с помощью операций диффузии или ионного легирования, концентрация примеси не постоянна, а уменьшается от значения, соответст"...

Номер патента: 668502

Опубликовано: 23.04.1988

Авторы: Верходанов, Гаштольд

МПК: H01L 21/18

Метки: геттер, уменьшения, уровня, шумов

...повыше ния эффективности очистки, но цриэтом ухудшить качество других электрофизических параметров изготавливаемого устройства,4. Ограниченность применения, поскольку геттер может использоватьсяв производстве очень небольшой номенклатуры изделий, которые должны удовлетворять следующим условиям; во-первых, не иметь электрического контакта со стороны подложки, посколькуслой геттера является диэлектриком,во-вторых, изготавливаться только спомощью метода термической диффузии.Целью настоящего изобретения является повышение воспроизводимостии эффективности геттера,Поставленная цель достигаетсятем, что в качестве геттера используют соединения типа БдК, где К -металлоиды 1 Ч, Ч и Ч 1 групп периодической системы, преимущественно углерод или...