H01L 39/24 — способы и устройства, специально предназначенные для изготовления или обработки предусмотренных в

Номер патента: 348148

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Витовский, Вихлий, Машовец

МПК: H01L 39/24

Метки: им, институт, иоффе, ленина, рыбкинирдена, физико-технический

...ПОСО дальнеишем охлажд ческой температ ры ряда возникают в чего образуется све 5 на поверхности приала. из обретен и Предмет Способ получения 0 риала из полупрово тем его охлаждения туры, отличаоирйся чения сверхпроводя проводникового мат 5 зец из полупроводн ЛпВч охлаждают 200 К, шлифуют и ской температуры.Изобретение относится к способу получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводниковых материалов.Известен способ получения сверхпроводящего материала на основе непромышленных полупроводниковых материалов, например беТе и ЬгТОз.Цель изобретения - создание способа получения сверхпроводящего материала на основе промышленных полупроводящих материалов типа ЛтпВч,Цель достигается тем, что по предлагаемому способу...

Номер патента: 410505

Опубликовано: 05.01.1974

МПК: H01B 12/00, H01B 13/008, H01L 39/24

Метки: 410505

...сечения, вид в плане; на фиг, 2 - сечение ленты-подложки с продольными прямоугольными канавками; на фиг. 3 - ориентация ленты с продольными прямоугольными канавками по отношению к направле ци 1 о потока паров в процессе конденсациикомпонентов ицтерметаллического сверхпроводящего соединения; на фиг. 4 - сечение той же ленты с нанесенным слоем сверхпроводящего соединения; па фиг. 5 - участок ленты подложки с системой продольных непрерыв-.ных канавок треугольного сечения, вид в плане; на фиг. б - сечение ленты-подложки с продольными треугольными канавками; на фиг. 7 - ориентация ленты с продольными 20 треугольными канавками по отношению к направлению потока паров в процессе конденсации компонентов ицтерметаллического сверхпроводящего...

Номер патента: 499847

Опубликовано: 15.01.1976

Авторы: Антони, Ян

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводника

...точка плавления жидкой зоны увеличивается до тех пор, пока не превысит температуру теплообработки. Матрица затем становится твердой и кроме того происходит гомогенизация благодаря диффузии твердого состояния.Чтобы свести до минимума трудности, которые могут встретиться с зоной расплавлен. ной бронзы, предпочтительнее выполнять первоначальную часть каждой гомогенизационной термообработки при низкой температуре, например 600 С, а когда концентрация олова уменьшится диффузией, поднять температуру термообработки, например, до 800 С, Продолжительность расплавленного состояния можно затем свести до минимума, и последующая диффузия твердого состояния должна происходить при максимальной температуре.Когда получена бронза матрицы с требуемым...

Номер патента: 651433

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Бондаренко, Васин, Петросян, Скрипкина, Стенин

МПК: H01L 39/24

Метки: метастабильных, сверхпроводящих, фаз

...обеспечивающей переход в метастабильную фазу,после чего устанавливают температуру,обеспечивающую заданное время жизниметастабильной фазы, причем изменениевелйчины температуры проводят в течение времени жизни метастабильной фазы,Так как время жизни Г определяется кинетикой процесса фазовых превращений и связано по закону Аррениуса стемпературой (Т) экспоненциальноС"-А(Вт),где А, В - коэффициенты,то, изменяя температуру, время жизниможно увеличивать и управлять его про-должительностью в широких пределах(от долей секунды до десятков и сотенлет), Таким образом, реализуются возможности существенного увеличения времени жизни метастабильных фаз и управления его продолжительностью,Далее в заданное время производятнагрев слоев вьппе...

Номер патента: 753319

Опубликовано: 07.09.1981

Авторы: Ермаков, Сорокин

МПК: H01L 39/24

Метки: изучения, перехода, фазового

...(Н,Т) повторяют измеренияи таким образом изучают фазовый переход во всей области метастабильныхсостояний от кривой равновесия до границ устойчивости фаз.На фиг. 1 приведены гистограммыопытов по определению средних временжизни метастабильных фаэ в ртути притемпературе З,б Е:1 а.- нереохлаждение: Н= 30 Э,и с 255, Р = 6,7 с.551 б, - перегрев: Н= 20 Э, и202,т= 0,1 с,На фиг. 2 дана зависимость среднего времени жизни метастабильныхфаэ от напряженности магнитного поляпри температуре З,б К: 602 а - переохлаждение, 2 б - перегрев,Исследуемый цилиндрический образецрасполагают по оси магнитной системы,состоящей иэ сверхпроводящего соленоида, задающего внешнее магнитное 65 поле, вспомогательного соленоида и системы катушек, позволяющих...

Номер патента: 1001241

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Милошенко, Пантелеев

МПК: H01L 39/24

Метки: критических, магнитных, полей, сверхпроводниках

...образца, находящаяся на рас1001241 Формула изобретения слт стоянии 0,1-0,2 мм от неподвижного электрода, образовывала с ним емкость С, При подаче переменного напряжения на электрод образец начинает колебаться за счет электростатического взаимодействия. С помощью звукового генератора типа ГЗпо максималь-, ной амплитуде колебаний образца наст,раиваются на резонансную частоту . Одновременно емкость С включается в контур высокочастотного генератора 1 О и за счет колебаний образца происходит модуляция высокочастотного сигнала этого генератора. Контроль осуществляется при помощи осциллографа и частотомера. 15На фиг. 2-4 представлены результаты измерения й(,Н ).На фиг. 2 приведены зависимости Й(Н ) для пленок толщиной 0,5 мкм (,кривые 1 и...

Номер патента: 1034548

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Белоус, Габович, Лежненко, Моисеев, Уварова

МПК: H01L 39/24

Метки: джозефсоновскими, многими, переходами

...- сверхпроводник и нанесении на нее электродов, множественную структуру изготавливают спеканием несверхпроводящих порошков ВаРЬО и ВаВО до образования сверхпроводящего твердогоз 10345 раствора с зернистой макроструктурой при температуре 900-1100 К в течение 0,5-10 ч.На фиг. 1 дана схема предлагаемо- д го устройства.Устройство содержит сверхпроводящую керамику ВаРЬ, Ве.Оь 1 в виде массивного образца или пленки, электроды 2, представляющие токовые Т и потенциальные П контакты. Кроме того, 1 О на чертеже изображены зерца керамики 3 и изолирующие прослойки 4.Работает устройство следующим образом, Рабочая температура поддерживается, кдк и в обычном переходе Джозефсана, ниже Т (Т с - критическая температура перехода в сверхпрс - водящее...

Номер патента: 1199208

Опубликовано: 15.12.1985

Авторы: Наофуми, Хизанао, Хироши

МПК: H01L 39/24

Метки: внутреннего, охлаждением, сверхпроводник, типа

...фиг. 1 показан спроектированный и изготовленный сверхпроводник,Размеры поперечного сечения егоравны: ширина 46 и высота 21 мм,критический ток сверхпроводника40 кА при магнитной индукции 12 Тли температуре 5 К (К обозначает, абсолютную температуру),Согласно фиг. 1 сверхпроводниквключает в себя пару содержащихтри-ниобий-олово (ИЪ 8 п) композитных сверхпроводящих проводников 2,покрытых стабилизирующим материалом,например медью, алюминием и т,дстабилизатор 3 и пару усиливающихэлементов 4. Стабилизатор 3, выполненный из меди, алюминия или другихподобных материалов, снабжен в центральной части поперечного сеченияканалом и охладителя. Канал 4 охладителя имеет волнообразную Формубоковой стенки и снабжен множеством ребер высотой 2...

Номер патента: 778577

Опубликовано: 15.12.1986

Авторы: Еру, Песковацкий, Поладич

МПК: H01L 39/24

Метки: качества, пленки, сверхпроводящей

...длине резистивной области в поперечном сечении Я(фиг,1), При увеличении напряжения на пленке, начиная с точки "а", размер резистивной области увеличивается пропорционально величине напряжения, что приводит в конечном итоге 5 к разрушению сверхпроводимости по всей длине пленки (точка "г" на фиг, 2), Точки "б" и "в" изображают промежуточные положения границ резистивной области, Величина плотноститока 1 в формуле (1) представляетсобой критическую плотность тока восстановления сверхпроводимости 1 впленке, Участок вольт-амперной характеристики "а"-"г" (фиг, 2) и естьнабор всех критических токов восста-,новления сверхпроводимости для соответствующих поперечных сечений плен"ки вдоль ее длины,На фиг, 3 представлен в увеличенном масштабе...

Номер патента: 1557605

Опубликовано: 15.04.1990

Авторы: Ничинский, Самойленко

МПК: H01L 39/24

Метки: резонаторов, сверхпроводящих, свч, стабильности, тепловой

...внутренней поверхности резонатора и температуропроводности материала сте" .нок резонатора, по которым делают вывод о пределах тепловой стабильности исследуемого резонатора и налйчии и местоположении дефектов материала. При этом для построения 20 карты пространственного распределения температуры внутренней поверхности резонатора используют информацию о максимальной амплитуде сигнала с датчика температуры в каждой точ ке измерения, а пространственное распределение температуропроводности . материала СИР строят на основе временной зависимости величины сигнала с датчика температуры в каждой точке измерения .в интервале времени от момента включения СВЧ-генератора до достижения сигналом максимального значения и вычисления коэффициентов...

Номер патента: 1442019

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Витиня, Закутова, Саратовкина

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводящих, свч-устройств

...металла ие более 35 мкм. Это связано с тем, что сверхпроводящие соединения стехиометричес"кого состава обладают значительноболее низкой теплопроводностью прирабочей температуре, чем отдельные металлы например ниобий, КонкретныеР30условия отжига (давление, температура, продолжительность) определяютсясоставом получаемого интерметаллидаи толщиной нанесенного слоя,.Сущность способа состоит н том,Згчто в процессе отжига одновременнос образованием соответствующего интерметаллического соединения на рабочих поверхностях устройства происходит процесс контактно-реактивной,.4 Опайки в местах соединения (шнон) элементов устройства с образованиемтакже сверхпроводящего интерметаллида на этих контактных поверхностях.При этом малая толщина покрытия...

Номер патента: 1452411

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Балкашин, Пилипенко, Янсон

МПК: H01L 39/24

Метки: квазичастиц, проводниках, спектра

...амплитуда осциллирующей час- БОти неравновесной функции распределения квазичастиц, рождаемых электронами, зависит от соотношения частоты осцилляций электронной подсистемы и . частоты релаксации квазичастичной подсистемы и уменьшается, когда час" тота осцилляций начинает превышать частоту релаксации. Вместе с ней уиеньвается и та часть детектируемо"го сигнала, которая обусловлена рассеяниеи электронов на неравновесныхквазичастицах. Это приведет к зависимости величины нелинейности ВАХот частоты излучения. НелинейностьВАХ на частоте излучения определяютпутем выделения из отклика образцана внешнее излучение сигнала, пропорционального второй производной ВАХ,и измерения его с помощью соответствующего детектора 7,На фиг,2 показана эволюция...

Номер патента: 741717

Опубликовано: 30.10.1990

Авторы: Глиник, Гостищев, Хазов

МПК: H01L 39/24

Метки: выявления, криорезистивных, проводниках, размерного, эффекта

...или проконтролировать практически невозможно), наличия и характера примесей, методические измерительные погрешностей, связанные с неправильным выбором материала, размера и места установки на образцах токовых и потенциальных проводов, то становится понятной сложность выявления "размерного эффекта" таким путем.Положение неизмеримо усложняется, если рассматривать проводники сложного, например, прямоугольного, сечения, наиболее подходящие для изготов-. ления высокоэФФективных обмоток (изза воэможности обеспечения высоких коэффициентов заполнения по проводниковому металлу и простоты силового бандажирования, без чего использование высокочистых металлов, имеющих невысокую механическую прочность,невозможно), и принять во внимание,что в...

Номер патента: 1410790

Опубликовано: 15.12.1990

Авторы: Ефремов, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: резонатора, сверхпроводящего

...и устройств для высокочастотнор го удержания плазмы.Цель изобретения - исключение бра" ка за счет питтингообраэования.Сверхпронодящийрезонатор иэ ниория помещают н ванну с полирующим электролитом в качестве анода. Иежду катодом и анодом подают напряжение и снимают нольт-амперную характеристику. На каждом участке существования периодических явлений (колебаний тока) существует очень узкая область, в которой полностью исключается брак эа счет питтингообразования. Эта узкая область соответствует границе области существования странного аттрактора. Обнаружить ее можно следующим образом. При потенциале анода более высо" ком, чем потенциал, соответствующий переходу к области странного аттрактора, система совершает периодические колебания одной...

Номер патента: 1552948

Опубликовано: 15.01.1991

Авторы: Баженов, Бунков, Ефремов, Масалов, Ри, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: резонатора, сверхпроводящего, цилиндрического

...(ТКЧ), стабиль ности и воспр ности и воспроизводимости рабочей частоты резон частогы резонатора, указанные и та- положение раб блице, в слитке выби из обрет ения Значения площадипетли гистерезиса,мВт/см Воспроизводимость при т : ,2 К Стабильностьэа 1 ч ТКЧ 8,1 10" 6,2 10 2,6 10 1,8 Ы 10Э,й 10"1,02 104 8,И102,1710,й 10 160 ЫО Чередование механической обработ" ки с электрохимическим контролем продолжают до получения площади петли гистереэиса коррелирующей с требуемыми электрофизическими параметрами,отовления цилиндричесводящего резонатора изческсго слитка ниобиярен не менее 50-100 мм,щ и й с я тем, что, сения повышения стабильоиэводимости рабочейатора и его добротности,очего объема резонаторарают по площади петлигистерезиса, которая не...

Номер патента: 1276201

Опубликовано: 30.07.1991

Авторы: Погорелов, Севрюков, Севрюкова

МПК: H01L 39/24

Метки: поверхности, примеси, рабочей, резонатора, сверхпроводящего, удаления, электролит

...в СССР, поряд-ка 3,5 10 в .течение 2,5 лет. Темпе"ратурная зависимость добротностисверхпроводящих резонаторов, обработанных в данном электролите и в электролите, принятом за прототип, показала лучшую долговременную стабильность сверхпроводящего генератора,стабилизированного сверхпроводящимрезонатором, прошедшим электрохими"ческую очистку в заявляемом элек"12тролите, и составила 1 О при 2 К,что намного превосходит лучшие квар"0 цевые генераторы,При использовании ортофосфорногоЭлектролита с добавкой диэтиламиданикотиновой кислоты наибольший эф"25фект "вытягивания" тантала наблюдается при напряжении формирования30 В, соответствующем толщине окисного покрытия 675 А,. причем этотфакт в 2,77 раза выше, чем в водномрастворе аммиака при том же...

Номер патента: 1045791

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Ерохин, Куршецов, Ширшов

МПК: H01L 39/24

Метки: критических, сверхпроводников, технических, токов

...10 подключен к ой схемы сравнения 11, которой соединен с залоного апряжеия в циФ, а выход - с блоком ретока образца 13, который ботой источника тания м питания 14, управляемымпрограмматором 15, осуществляетсяввод тока в сверхпроводящий магнит16, создающий внешнее магнитное поле,Сигнал с шунта 17, пропорциональныйвеличине магнитного поля, поступаетна вход Х двухкоординатного самописца 18, вход У которого соединен с шунтом 8 в цепи питания образца 1, Источник магнитного поля 16 и исследуемый образец 1 расположены в криостате 19,При работе устройства текущее значение регулируемой величины (сигналпропорциональный сопротивлению образца Р) преобразовывается АЦП в цифровую Форму и сравнивается с заданнымзначением. Цифровая схема...

Номер патента: 1373254

Опубликовано: 30.08.1991

Авторы: Ефремов, Севрюкова

МПК: H01L 39/24, H01P 11/00

Метки: поверхности, рабочей, резонатора, сверхпроводящего, свойств, эмиссионных

...4,461 эВ, т.е, выцгрьппв работе выхода электроцон оценивается величиной 0,373 эВ. Л даже сравнительно малый выигрьпп в работе выхода электронов вызывает заметноеснижение эмиссионных токов.В реальном сверхпроводящем резонаторе, состоящем из десятка моцокристаллических зерен, картина гораздо сложнее и не поддается теоретическим расчетам, Поэтому пока единственным способом экспресс-контроля эмисиоццых свойств рабочей поверхностисверхпроводящего резонатора являетсяпредлагаемый способ контроля с помощью петель гистерезиса.П р и и е р. Выпи изготовлены трисверхпроводящих резонатора из ниобиямарки НРБ, имеющие на рабочей поверхности зерна величиной от 25 до68 мм разной ориентации, Петли гистерезиса, т.е. зависимость 1=1(11), снималцсь в прямом...

Номер патента: 1678219

Опубликовано: 15.09.1991

Авторы: Гийсбертус, Дагоберт, Корнелис, Ян

МПК: H01L 39/24

Метки: оксидного, сверхпроводящего, слоя, тонкого

...таблетки диаметром 25 мм. Затем в течение 30 мин в атмосфере воздуха сжимают эту таблетку под давлениемв100 ИПа до момента достижения плотности, которая равна 95-100% теоретической плотности, Затем тщательно полируют поверхность до образования шероховатости менее 1 мкмС помощью лазерного метода напыления в вакууме образуем на поверхностислой ВаСцО толщиной в 1 мкм. Этотслой аморфный и состоит из ВаСО , которое при последующем нагревании преобразуется в ВаСцО. Мольное отношение Ва и Сц в этом слое предпочтительно 11Затем подложку и образованный тонкий слой нагревают до 850 С со скоростью 200 С/ч и выдерживают приоэтой температуре в течение 2 ч. Затем образованныи таким образом блокохлаждают со скоростью 100 С/ч доо20 С. Вся эта...

Номер патента: 682062

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Гребцов, Домашнев, Троицкий

МПК: H01L 39/24

Метки: композиционных, сверхпроводящих, тел

...мас,ь,Предлагаемый способ дает следующиепреимущества,Характер распределения дисперсных частиц сверхпроводящего вещества в пластичной матрице, как показывают исследования, существенноне влияет на характеристики сверхпроводимости, что упрощает процессперемешивания исходных веществ, Трехкратного совместного пропускания ис.ходных порошков через сито с.ячейкой 00 мкм достаточно для обеспече-.ния хорошего формования компактовв любой форм с полУчением для данного материала сверхпроводящихСВОЙСТВ2. Большое число частиц высокодисперсного порошка сверхпроводящейФазы в единице объема позволяет получать проводящие компакты при содержании диэлектрического наполнителя, например фторопласта, вплотьдо 80 об,Ф цто упрощает процессыпрессования и...

Номер патента: 1738104

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Марица, Петер

МПК: H01L 39/24

Метки: планарного, сверхпроводящего, типа, устройства

...известным способом, например посредством нанесения на слой кремния слоя фоторезистивного покрытия,облучения укаэанного фоторезистора светом через маску с последующим его проявлением, вслед за чем проводят местное удаление слоя кремния посредством травления,Затем наносят слой окисного материала (композиция УВа 2 Сцз 06,7), например посредством напыления в вакууме; выдерживая подложку при 850 С. В области вырезов нанесенный слой является, сверхпроводящим при температуре примерно 90 К, а в области нахождения слоя кремния нанесенный слой не обладает свойством сверхпроводимости при указанной температуреПри необходимости окисный сверхпроводящий слой в дальнейшем может быть покрыт защитным слоем для сведения к минимуму воздействия...

Номер патента: 1625300

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Гололобов, Прыткова, Томило, Шиманская

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, металлокерамики, полых, сверхпроводящей, стержней

...и диаметр трубки3 16253 формула изобретения Составитель А.Семенов.Редактор НЛоляда Техред И.Олийнык Корректор Т,Малец.Ю ее Закаэ 2813,ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж,: Раушская наб., д, 415 Тираж Цроиэводственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул, Гагарина,01,выбирают таким образом, чтобы расплав за счет сил сцепления с внутренией поверхностью трубки поднималсявдоль стеноквертикально установлен"5ной трубки, затем трубку .с расплавомохлаждают со скоростью (400-500) С/миндо гсомнатной температуры и проводятотжнг изделия при температуре (820850)С в теггеггие (1,5-2,5) ч.П р и м е р. Для изготовлениякерамического полого стержня состава81. Бг Са СггОу...

Номер патента: 1575856

Опубликовано: 30.11.1992

Авторы: Котелянский, Лузанов, Магомедов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: оксидных, пленок, сверхпроводящих

...соотношений плотностей потоков этих компонент.П р и м е р 1. Пленку оксидного материала с высокотемпературной сверхпроводимостью У 1 Ва 2 СизОт-х с температурой Тф структурного фазового перехода в кристал лическую фазу, обладающую высокотемпературной сверхпроводимостью Тф= 1023 К, наносят на подложку из фианита. Для этого откачивают рабочий обаем вакуумной установки электронно-лучевого распыления до 45 предельного вакуума 2 10 Па, нагреваютподложку до температуры 1020 К Тф, включают источник потока ионов кислорода и устанавливают режим его работы, обеспечивающий получение плотности потока 1015 50 ионов см 2 с и энергией 50-150 эВ, направленного в зону осаждения, Включают электронно-лучевые источники распыления, с помощью которых получают...

Номер патента: 1095863

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Евдокимова, Козинцев, Новокшонов, Хлыбов

МПК: H01L 39/24

Метки: основе, сверхпроводящего

...за его сверхпроводящие свойства Р -Фаза состава КЬз(А, М) сосуществует с а -Фазой - твердым раствором на основе ниобия, о-фазой - соединением ВЬЮГА, М) и соединением МЬ(А, М)з.Использование давлений меньших ЗО кбар приводит к понижению температуры сверхпроводящего перехода материала; верхний предел давления обусловлен возможностями аппаратуры высокого давления, Синтез при температурах меньших 1600 С дает материал с низкими сверхпроводящими характеристиками; синтез при температурах, превышающих 1750 С, приводит к охрупчиванию материала, Экспериментально показано, что выбранные пределы зернистости исходных компонентов обеспечивают однородность смесей по всему обьему,Временные пределы синтеза обусловлены тем, что использование...

Номер патента: 1414251

Опубликовано: 15.12.1992

Авторы: Дубицкий, Нарожный, Семенова, Степанов, Яковлев

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящего

...1200-1900 С выбирают н связи с тем, что ниже 10 кБар и Т сс 1200 С не получают образцы материала достаточной прочности, давление ньнпе 85 кБар и Т ) 1900 С использовать нецелесообразно, так как не наблюдаетсл значительного улучшения свойств образцов, а материальные затраты на аппараты высокого давления возрастаютСпособ осущестгшяют в течение 1-3 мин, Могут быть использованы известные камеры высокого давления, на которых создают требуемые давления и температуры, например типа цилиндр- поршень, тороид.Калибровку камер по давлению производят известным методом, используя реперные металлы. Вг 1-11 - 25 нБарф Ва - .55 кБар, Вг Ч-ЧИ. - 77 кБар; Бп - 100 кБар, Градуиронку камер по температуре проводят по известной методике с использованием...

Номер патента: 1785056

Опубликовано: 30.12.1992

Авторы: Губанков, Дивин, Котелянский, Кравченко

МПК: H01L 39/22, H01L 39/24

Метки: сверхпроводящее, электронное

...в СКВИД.вания мостиков с разрешением менее 0,1 Койтакты 9, подсоединенные к электродаммкм;-" " 3, 4, служат для задания тока через СКВИД,Цель изобретения - понижение уровня 50 а контакты 10- для измерения напряженияшумов и повышение стабильности работы на СКВИД.сверхпроводящего электронного устройст- Также в качестве материалов мостиковва, а также повышение воспроизводимости и электродов могут быть использованы друих характеристик.- гие сверхпроводящие материалы с высокимпературУказанная цель достигается тем, что в 55 ми значениями критических темпераустройстве, содержащем сверхпроводящие (15-100 К) и малыми значениями длины коэлектроды и мостики из сверхпроводящего герентности е10-100 А. Среди них, наполикристаллического материала,...

Номер патента: 1794057

Опубликовано: 07.02.1993

Автор: Джон

МПК: C01F 17/00, C04B 35/00, H01L 39/24 ...

Метки: сверхпроводящего, соединения

...иттрия (135.5 мл, 0,075 моль У) соединяют с 511,2 мл водного раствора нитрита бария (0,15 моль Ва) и 108,3 мл водного раствора азотнокислой меди (0,225 моль Сц), Комбинированный раствор нитрата добавляют по капле в 750 мл раствор 1 М щавелевой кислоты (примерно 1,5 раза стехиометрического количества, требуемогодля превращения . всех металлов в оксалаты), в результате образуется осадок голубого цвета. Полученную суспензию хорошо перемешивают и сушат распылением для получения тонкого1794057 Составитель Э.ВетроваТехред М.Моргентал Корректор Л.Лукач Редактор Заказ 523 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент",...

Номер патента: 1639363

Опубликовано: 15.04.1993

Авторы: Литвиненко, Могилко, Павлюк, Пирогов, Семиноженко

МПК: H01L 39/24

Метки: величины, внутри, заданной, магнитного, поля, экрана

...тока в соленоиде.При охлаждении экрана до 77,4 К (температура жидкого азота) в неэкранированном пространстве в экране захватывается магнитное поле Земли с продольной составляющей 0,46 Э. При изменении внешнего магнитного поля Нвнеш создаваемого соленоидом, от 0 до - 11,0 Э поле внутри экрана остается неизменным и равным 0,46 Э,ГОСУДАРСТВЕННОЕ ПАТЕНТВЕДОМСТВО СССР1639363 Из таблицы следует, ч ния поля наЬ Н= 0,1 экрана уменьшается и чере ся равным чувствительност го датчика - 2,2 10 2 Э, С по показаниям феррозонд тается на уровне его чувст о после измене- Э поле внутри 8 мин становит- и феррозондововременем поле вого датчика осительности в теоставитель А,Семеновехред М.Моргентал Корректор С.Юск Н.Кол Реда аказ 1968 Тираж...

Номер патента: 1651704

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Котелянский, Кравченко, Лузанов, Соболев

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

...высокотемператур, ного отжига пленка может быть охлаждена до более низкой температуры (от 500 С до комнатной) в инертной атмосфере, затем вновь нагрета до 830- 950 С и охлаждена уже в кислородсодержащей атмосфере.20П р и м е р 1. На подложку НГО/ /7 Оз (фианит) с ориентацией (111) с помощью магнетрона напыляют пленку УВаСцОтолщиной 0,8 мм. Структуру пленка - подложка нагревают винертной атмосФере до 950 Г, выдерживают при этой температуре 5 мин, заменяют азот на кислород и охлаждают структуру со сГсоростью 200 О/ч, Плен" ка имеет четко выраженную текстуру ЭО с осью перпендикулярно подложке (сильные отражения типа ООЕ), температуру перехода в сверхпроводящее состояние83 К и величину Л при 77 К 5 "х 10 з А/см. 35П р и м е р 2, На...

Номер патента: 1823932

Опубликовано: 23.06.1993

Авторы: Инкин, Князев, Кулик, Махов, Павлов, Самсонов

МПК: H01L 39/12, H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, иттрия, основе, пленки, сверхпроводящей, тонкой, формирования

...с энергией менее 1 эВ; потоком тяжелых части плазмы с энергией 0,1 эВ и потоком электромагнитного излучения10 эВ). Эти воздействия обеспечивают низко- температурную нетепловую модификацию пленок буферного слоя эа время воздействия менее одной секунды. Отсутствие высокоэнергетических частиц обеспечивает формирование совершенной кристаллической структуры на поверхности и в приповерхностном слое буферной пленки, что позволяет приблизить свойства буферных слоев к свойствам монокристаллических пластин соответствующих материалов. Обеспечивается согласование кристаллических структур ВТСП пленки и буферного слоя. В сочетании с очисткой поверхности от адсорбированных слоев это создает условия для формирования вышележащих ВТСП пленок...