H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1607640

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бальвинский, Копецкий, Маликов, Нисельсон, Шаповал

МПК: H01L 21/00

Метки: металлов, осаждения, слоев, тугоплавких

1. Способ осаждения слоев тугоплавких металлов, включающий гетерогенное активированное плазмой восстановление водородом летучих галогенидов металлов на подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения качества слоев при снижении температуры подложки, плазму пространственно отделяют от подложки, для активации водорода используют плазму СВЧ-разряда в условиях электронного циклотронного резонанса, а летучий галогенид металла подают непосредственно к подложке.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму пространственно отделяют от подложки, удерживая ее магнитным полем.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что плазму отделяют от подложки с помощью электростатических сеток.

Номер патента: 1552933

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордюкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика путем проведения повторяющихся циклов имплантации ионов азота - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур за счет повышения изолирующих свойств диэлектрика, перед проведением повторяющихся циклов проводят имплантацию ионов кислорода с дозой 0,5 - 10

Номер патента: 1435068

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Копецкий, Мессерер, Омельяновский, Пахомов, Поляков, Шаповал

МПК: H01L 21/223

Метки: активных, арсениде, галлия, кремнии, пассивации, центров, электрически

1. Способ пассивации электрически активных центров в кремнии и арсениде галлия, включающий проведение диффузии атомарного водорода ил тлеющего разряда в кремний или арсенид галлия, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и воспроизводимости пассивации по глубине полупроводника, диффузию атомарного водорода проводят путем выдержки кремния или арсенида галлия при температуре 500 - 670oС соответственно в течение времени, определяемого из формулыгде Nx - концентрация водорода в полупроводнике на глубине x, ат ...

Номер патента: 1499609

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Бузылев, Данилин, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в подложке скрытого слоя диэлектрика путем ионной имплантации азота и последующего отжига, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа при одновременном улучшении качества структур путем уменьшения дефектности приповерхностного слоя кремниевой подложки, процесс проводят повторяющимися циклами имплантация - отжиг, при этом цикл по дозе имплантации составляет 1 - 10 х 1016 см-2, а суммарная доза 2 - 6 х 1017 см-2.

Номер патента: 1565316

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Гаврин, Кислов, Маликов, Семчишен

МПК: H01L 31/18

Метки: излучения, интенсивности, коррекции, электромагнитного, элементов

Способ изготовления элементов коррекции интенсивности электромагнитного излучения, включающий формирование на прозрачной подложке корректирующего поглощающего слоя путем воздействия на подложку корректируемого электромагнитного излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности коррекции интенсивности электромагнитного излучения в ультрафиолетовом и видимом диапазонах, в том числе со сложным распределением интенсивности, сокращения длительности цикла изготовления элемента коррекции за счет уменьшения числа технологических операций, одну или обе поверхности подложки приводят в контакт с фоторазлагающейся средой, продукты фотодиссоциации которой непрозрачны к корректируемому...

Номер патента: 1508891

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Кононенко, Копецкий, Матвеев

МПК: H01L 39/20

Метки: сандвич-структура

Сандвич-структура, выполненная в виде двух проводников, разделенных диэлектрическим слоем и соединяющихся через расположенные в диэлектрическом слое проводящие микрозакоротки, отличающаяся тем, что, с целью уменьшения тепловыделения и улучшения теплоотвода, в качестве одного из проводников использован металлический кристалл с длиной свободного пробега электронов при гелиевых температурах порядка 1 мм, а микрозакоротки расположены упорядоченным образом.

Номер патента: 1725701

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бочвар, Гликман, Ильин, Лысова, Пиннекер, Старостина

МПК: H01L 21/28

Метки: дорожек, пленочных, токопроводящих

Способ изготовления пленочных токопроводящих дорожек, включающий напыление сплава алюминия с марганцем, литографию, травление, отличающийся тем, что, с целью увеличения срока службы токопроводящих дорожек за счет повышения их стойкости к электродеградации и улучшения качества их поверхности, в качестве сплава используют следующий, ат.%: марганец 17, алюминий - остальное.

Номер патента: 1452395

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бузылев, Данилин, Ерохин, Иванов, Метакса, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: многослойных, структур

Способ изготовления многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя изолятора методом ионной имплантации с последующим отжигом, отличающийся тем, что, с целью улучшения структурных и электрических параметров, имплантацию проводят последовательно ионами углерода дозой 0,8 - 3 1016 см-2, а затем ионами инертных газов дозой 1,75 - 2,5 х 1014 ехр/79(Ми - 2,3) см-2, где Ми - масса иона инертного газа, при этом соотношение энергий ионов углерода и ионов инертного газа выбирают из условия, что отношение среднепроецированных пробегов ионов углерода и инертного...

Номер патента: 1632313

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Матвеев, Матвеева, Черных

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в нанесении на кристаллическую подложку пленки высокотемпературного сверхпроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения структурных свойств, в качестве материала кристаллической подложки используют сплав висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат. %:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное

Номер патента: 1577633

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Кононенко, Копецкий, Матвеев

МПК: H01L 29/80

Метки: баллистический, транзистор

Баллистический транзистор, содержащий последовательно расположенные эмиттер, металлическую базу, коллектор и затвор, расположенный между эмиттером и коллектором, отличающийся тем, что, с целью снижения рабочих напряжений, база выполнена из сверхчистого металлического кристалла, эмиттер и коллектор выполнены в виде микроконтактов к базе, а затвор - в виде проводящей микрошины, расположенной от эмиттера на расстоянии 0,1 - 5 мкм.

Номер патента: 1639364

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борзенко, Вдовин, Касумов, Кислов, Кононенко, Кудряшов, Матвеев

МПК: H01L 39/24

Метки: планарная, сверхпроводящая, структура

Сверхпроводящая планарная структура, содержащая две сверхпроводящие пленки, разделенные субмикронным зазором и расположенные на проводящей подложке, отличающаяся тем, что, с целью увеличения критической плотности тока при большой ширине зазора, подложка выполнена или из массивных кристаллов или из кристаллической пленки сплава висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат.%:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное

Номер патента: 1584645

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Белогорохов, Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Мордкович, Сарайкин

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления многослойных кремниевых структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантации лицевой стороны подложки ионами азота - отжиг, отличающийся тем, что, с целью уменьшения толщины слоя диэлектрика при сохранении его изолирующих свойств, дополнительно проводят в каждом цикле перед отжигом имплантацию обратной стороны подложки любыми ионами с дозой 0,8 - 2 от дозы аморфизации кремния этими ионами, при этом цикл по дозе имплантации лицевой стороны составляет 5 - 50 1015 см-2, а суммарная доза...

Номер патента: 1415986

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ласкин, Левашов, Сенчуков, Толкунов

МПК: H01L 23/36

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий по крайней мере одну полупроводниковую структуру, соединенную с основанием через промежуточные слои, по крайней мере одним из которых является компенсатор из пучка металлических стержней, отличающийся тем, что, с целью повышения его надежности за счет снижения величины механических напряжений в элементах конструкции, стержни компенсатора изогнуты с величиной прогиба, выбираемой из условия сохранения изгиба стержней на краю полупроводниковой структуры при сборке и эксплуатации полупроводникового прибора, причем плотность упаковки стержней на плоской поверхности компенсатора 0,2 - 0,91, а толщина стержней меньше толщины полупроводниковой структуры.

Номер патента: 1473611

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Ерохин, Итальянцев, Мордкович

МПК: H01L 21/26

Метки: ионно-легированных, материалах, полупроводниковых, слоев, формирования

Способ формирования ионно-легированных слоев в полупроводниковых материалах, включающий имплантацию ионов в полупроводниковый материал с одновременным его облучением потоком фотонов и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров ионно-легированных слоев, облучение проводят при энергии фотонов 1,1 - 8,0 Eg, где Eg - ширина запрещенной зоны полупроводникового материала, и плотности мощности потока 0,01 - 10 Вт/см2.

Номер патента: 1593516

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Бабин, Свинцов

МПК: H01L 21/312

Метки: близости, литографии, функции, электронной

Способ определения функции близости в электронной литографии, включающий экспонирование в слое резиста структуры в виде линий различной ширины с изменяющейся вдоль линии дозой экспонирования, проявление резиста, определение критических доз экспонирования по минимальным дозам, при которых резист проявляется до подложки, и расчет функции близости, отличающийся тем, что, с целью повышения точности способа, ширину линий при экспонировании выбирают от 0,06 мкм до величины, равной не менее двух длин пробега электронов в резисте, а при определении критических доз экспонирования за минимальную дозу выбирают такую дозу, при которой проявляются центры линий.

Номер патента: 1597027

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Борун, Вылеталина, Данилин, Дракин, Малинин, Мордкович

МПК: H01L 21/265

Метки: кремниевых, многослойных, структур

Способ изготовления кремниевых многослойных структур, включающий создание в кремниевой подложке скрытого слоя диэлектрика на основе нитрида кремния с помощью повторяющихся циклов имплантаций азота и отжига с дозой в цикле (1 - 10) 1016 см-2 и суммарной дозой (2 - 6) 1017 см-2, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств слоя кремния на диэлектрике за счет увеличения глубины его залегания, температуру подложки при имплантации поддерживают в интервале 200 - 450oC.

Номер патента: 1424630

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Итальянцев, Пащенко

МПК: H01L 21/306

Метки: арсенида, галлия, монокристаллического, основе, приборных, структур

Способ изготовления приборных структур на основе монокристаллического арсенида галлия, включающий высокотемпературное полирующее газовое травление рабочей поверхности арсенида галлия ориентации <100> при 650 - 950oC со скоростью 0,02 - 30 мкм/мин на глубину 0,5 - 25 мкм в газовой смеси Ga-AsCl3-H2, ионную имплантацию атомов элемента IV группы периодической системы элементов, последующий отжиг в атмосфере водорода и паров мышьяка при температуре не менее 800oC в течение времени не менее 10 мин, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборных структур за счет улучшения электрофизических и структурных свойств ионолегированных...

Номер патента: 1651734

Опубликовано: 27.03.2000

Авторы: Зайцев, Колокольцев, Кузнецов, Молотов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: вибродвигатель, линейный

Линейный вибродвигатель, содержащий корпус, подвижный элемент, вибратор и упорные пластины, одними концами сопряженные с подвижным элементом, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости движения подвижного элемента, корпус снабжен дисковым резонатором, выполненным за одно с упорными пластинами, и грузом-противовесом, между которыми зажат выбратор, выполненный кольцевым, причем корпус, дисковый резонатор, кольцевой вибратор и груз-противовес расположены коаксиально относительно подвижного элемента, а упорные пластины расположены равномерно по окружности дискового резонатора, соответствующей зоне пучности изгибных колебаний диска-резонатора.

Номер патента: 1424634

Опубликовано: 20.04.2000

Авторы: Белецкий, Вайсбурд, Орлов, Чмух, Шемендюк

МПК: H01L 21/363

Метки: радиационной, транзисторов

Способ радиационной обработки транзисторов, включающий облучение пластин с транзисторными структурами протонами и термообработку при температуре от 400 до 450oC, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров и упрощения технологии изготовления транзисторов, пластины с транзисторными структурами облучают протонами с энергией, при которой пробег протонов не менее толщины пластины и дозой от 7 1013 до 25 1013 см-2, а термообработку проводят в течение от 20 до 30 мин.

Номер патента: 1639349

Опубликовано: 27.04.2000

Автор: Вайнер

МПК: H01L 29/765

Метки: зарядовой, инжекцией, линейном, многоэлементном, приборе, сигнала, считывания

Способ считывания сигнала в многоэлементном линейном приборе с зарядовой инжекцией, включающий подачу на фоточувствительные элементы напряжений накопления и считывания, последовательно смещенных во времени в соответствии с номером фоточувствительного элемента в многоэлементном линейном приборе, отличающийся тем, что, с целью снижения уровня перекрестных наводок, напряжение накопления на i-й элемент подается после подачи напряжения считывания на i+1-й элемент с задержкой во времени, превышающей время жизни неосновных носителей в полупроводниковом материале фоточувствительных элементов.

Номер патента: 603285

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Верещагин, Евдокимова, Новокшонов

МПК: C22F 1/18, H01L 39/12

Метки: материал, сверхпроводящий

Сверхпроводящий материал, состоящий из карбида редкоземельного элемента и имеющий стабильную кубическую объемно центрированную структуру D 5с типа Pu2C3, отличающийся тем, что, с целью повышения критической температуры перехода, сверхпроводящий материал состоит из полуторного карбида лютеция, состоящего из элементарного лютеция и углерода в стехиометрическом соотношении 2:3.

Номер патента: 1748587

Опубликовано: 27.04.2000

Авторы: Селявко, Шнейдер

МПК: H01L 39/24

Метки: bi2sr2cacuocuo8путем, кристаллизации, расплава, фазы

Способ получения фазы Bi2Sr2CaCuO8- путем кристаллизации из расплава, включающий приготовление расплава необходимого состава, охлаждение до температуры кристаллизации, отличающийся тем, что, с целью получения однофазных кристаллов, расплав приготавливают из шихты исходного состава Bi2Sr1,6+xCa1,4+xCuO8+ , где -0,1 x 0,1.

Номер патента: 858491

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Ваганов, Плохова

МПК: H01L 23/00

Метки: 100, группового, защитная, маска, монокристаллических, ориентированных, пластин, плоскости, разделения, химического

Защитная маска для группового химического разделения монокристаллических пластин, ориентированных в плоскости (100) на кристаллы, стороны которых ориентированы по направлениям <110>, с помощью локального анизотропного травления, представляющая собой совокупность прямоугольников с фигурами упреждения на вершинах прямых углов, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выхода годных кристаллов, фигуры упреждения из защитной пленки на вершинах четырех ближайших углов соседних кристаллов представляет собой систему полосок, ориентированных по направлениям сторон кристаллов <110> и соединенных таким образом, что образуют крестообразную фигуру с центром, равноудаленным от вершин четырех...

Номер патента: 496910

Опубликовано: 10.05.2000

Авторы: Акимов, Бобылев, Глущенко, Иванов

МПК: H01L 21/04

Метки: кремниевого, планарного, прибора

Способ изготовления кремниевого планарного прибора, предусматривающий проведение локальной диффузии в кремний с формированием планарного p-n-перехода, образование легированного свинцом диэлектрического слоя на кремниевой пластине и операции по созданию металлического, например алюминиевого, контакта к кремнию, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности защиты p-n-перехода от попадания в него частиц контактного металла, перед формированием p-n-перехода осуществляют легирование свинцом диэлектрического покрытия на пластине, а после формирования p-n-перехода производят термическое окисление пластины с последующей обработкой ее в растворе, содержащем плавиковую кислоту.

Номер патента: 1426352

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Горохов, Шалапаев

МПК: H01L 21/316

Метки: двуслойная, диэлектрическая, структура

1. Двуслойная диэлектрическая структура на германиевой подложке, состоящая из верхнего слоя нитрида кремния и промежуточного слоя, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела германий-диэлектрик за счет снижения плотности поверхностных состояний, промежуточный слой выполнен из оксинитрида германия.2. Способ получения двуслойной диэлектрической структуры на германиевой подложке, включающий окисление подложки германия при 820 - 870 К в течение 5 - 60 мин, осаждение слоя нитрида кремния, отличающийся тем, что после окисления подложки германия проводят отжиг структуры в аммиаке при 900 - 1000 К и атмосферном давлении в течение 10 - 50 мин.

Номер патента: 1655257

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Кляус, Новоселов, Ольшанецкая, Черепов

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

Многоканальное устройство считывания на приборах с зарядовой связью, содержащее регистр, n фотоэлектрических преобразователей, каждый из которых состоит из последовательно соединенных фотоприемника и прибора с зарядовой связью, входы фотоприемников соединены с шиной смещения, первые и вторые входные затворы каждого прибора с зарядовой связью соединены соответственно с первой и второй шинами управления считыванием, выходы приборов с зарядовой связью соединены с выходом ключа сброса и входом усилителя, выход которого является выходом устройства, управляющий вход ключа сброса является входом СБРОС устройства, а коммутационный вход - с шиной питания, отличающееся тем, что, с целью повышения...

Номер патента: 1246833

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Болдырев

МПК: H01L 29/76, H01L 29/84

Метки: полупроводниковый

Полупроводниковый преобразователь на основе полевого транзистора, содержащий полупроводниковую подложку одного типа проводимости с областями истока и стока противоположного типа проводимости, между которыми расположен канал, электрод затвора, выполненный в виде металлизированной полупроводниковой мембраны и установленный над каналом с зазором, отличающийся тем, что, с целью расширения динамического диапазона и повышения надежности, электрод затвора жестко закреплен между двумя слоями диэлектрика, которые расположены на подложке за областями стока и истока, в слоях диэлектрика над каналами выполнены отверстия, на верхнем слое диэлектрика параллельно электроду затвора установлен...

Номер патента: 615787

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Александров, Ловягин

МПК: H01L 21/31

Метки: пленок, твердых

Способ получения пленок твердых материалов путем распыления материала мишени ионами инертного газа с последующим осаждением на подложку в высоком вакууме триодной системы, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества наносимых пленок, на подложку подают потенциал термокатода, к мишени прикладывают напряжение 500 - 1000 В относительно подложки, а плазму формируют в области под подложкой, при расстоянии между подложкой и мишенью 0,5 - 1 см.

Номер патента: 854221

Опубликовано: 20.05.2000

Автор: Чаплик

МПК: H01L 49/02

Метки: излучения, приемник

Приемник излучения, содержащий рабочий элемент с вводом и выводом, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона измерений, рабочий элемент выполнен в виде структуры из двух размерно-квантованных пленок толщиной , разделенных диэлектриком с коэффициентом туннельной прозрачности 10-2 - 10-4.

Номер патента: 565593

Опубликовано: 20.05.2000

Авторы: Долгополов, Клементьев, Матюгин

МПК: H01L 23/52

Метки: диод, точечный

Точечный диод, например, типа металл-окисел-металл, содержащий корпус с выводом для подачи сигнала в линию передач и контактное устройство, состоящее из двух электродов, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности и надежности, один из электродов выполнен в виде клина, а другой представляет собой ряд металлических упругих проводов, концы которых с одной стороны соединены с выводом, а с другой - через изоляционный элемент с корпусом диода.