H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 562155

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Гибадулин, Далецкий, Иванов, Летин, Тюркин, Чехович

МПК: H01L 31/05

Метки: батарея, солнечная

СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ, содержащая каркас, несущую поверхность из электроизолирующего материала и модули фотопреобразователей, скоммутированные с помощью шин, отличающаяся тем, что, с целью увеличения ее мощности, несущая поверхность образована отдельными струнами, установленными на каркасе параллельно друг другу и расположенными над коммутационными шинами.

Номер патента: 1044204

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кляус, Ли, Черепов

МПК: H01L 27/04

Метки: зарядовой, многоканальное, приборах, связью, считывания

МНОГОКАНАЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО СЧИТЫВАНИЯ НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, выполненное на полупроводниковой подложке, каждый канал которого содержит входную диффузионную область противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные на нем первый и второй входные затворы и затвор переноса, отличающееся тем, что, с целью увеличения чувствительности, в него введены коммутатор, а в каждом канале выходная диффузионная область противоположного подложке типа проводимости, зарядно-связанная с затвором переноса, при этом выходы коммутатора соединены с затворами переноса соответствующих каналов, а выходные диффузионные области электрически объединены.

Номер патента: 206734

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Балтянский, Бас-Дубов, Гибадулин, Далецкий, Згожев, Зеленков, Козлов, Кузнецов, Ландсман, Летин, Чехович, Шаврин

МПК: H01L 31/05

Метки: батарея, солнечная

СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ, содержащая несущую поверхность из гибкого материала, обладающего электроизоляционными свойствами, и полупроводниковые фотопреобразователи, отличающаяся тем, что, с целью улучщения удельных весовых характеристик, увеличения КПД за счет лучшего теплового режима, обеспечения легкости замены фотопреобразователей, электроизоляционный материал выполнен в виде сетки и натянут на каркас, а крепление фотопреобразователей и их модулей на несущую поверхность осуществлено, например, при помощи ниток (пришивкой).

Номер патента: 1771335

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Нестерова, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий наращивание на полуизолирующих арсенидогаллиевых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений элементов III группы в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка гидридных или металлоорганических соединений мышьяка буферного слоя полуизолирующего арсенида галлия и последующее наращивание легированных низкоомных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет улучшения изолирующих свойств буферного слоя и повышения воспроизводимости его параметров, наращивание буферного слоя проводят при давлении 12 30 Торр в среде водородной плазмы высококачественного тлеющего разряда при температуре подложек 530...

Номер патента: 578802

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Аникин, Воробьев, Елинсон, Панфилов, Поветин, Симаков, Смакаева, Степанов

МПК: H01L 45/00

Метки: бистабильный, переключатель

БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ с памятью, сохраняющейся при отключенных источниках питания, включающий пластину полупроводника, компенсированного примесями, дающими глубокие уровни, например кремния, компенсированного золотом, на поверхности которого расположено два металлических электрода, один из которых является барьерным контактом, а другой омическим контактом, причем под омическим контактом в пластине полупроводника сформирован сильнолегированный n+ или p+ слой, отличающийся тем, что, с целью увеличения числа переключений и снижения энергетических параметров переключения, сильнолегированная область выступает за размеры омического электрода в направлении к барьерному электроду не менее чем на 1,5 толщины слоя металла...

Номер патента: 640618

Опубликовано: 19.06.1995

Автор: Панфилов

МПК: H01H 35/00, H01L 45/00

Метки: бистабильный, памятью, переключатель

БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ПАМЯТЬЮ, сохраняющейся при отключении источника питания, содержащий активную область на основе полупроводника, компенсированного примесями, дающими глубокие уровни, например кремния, компенсированного золотом, на поверхности которой расположены два электрода, один из которых является барьерным, а другой омическим контактом, отличающийся тем, что, с целью обеспечения управления параметрами и расширения функциональных возможностей переключателя, он содержит дополнительный электрод, расположенный над межэлектродной областью и отделенный от нее слоем диэлектрика.

Номер патента: 1118245

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, свч-транзистор

ПОЛЕВОЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку, на которой сформирован буферный слой из широкозонного полупроводника, на котором расположен активный слой из узкозонного полупроводника с электродами истока, стока и затвора, отличающийся тем, что, с целью увеличения максимальных частот усиления по току и по мощности, активный слой под электродом затвора выполнен неравномерно-легированным, при этом концентрация легирующей примеси в направлении электрод истока-электрод стока монотонно возрастает от значения соответствующего концентрации остаточных примесей до значения соответствующего концентрации примесей в буферном слое, а концентрация примесей в буферном слое на 4 5 порядков превышает концентрацию остаточных примесей в активном слое.

Номер патента: 659034

Опубликовано: 19.06.1995

Автор: Панфилов

МПК: H01L 27/24, H01L 45/00

Метки: бистабильный, памятью, переключатель

БИСТАБИЛЬНЫЙ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬ С ПАМЯТЬЮ, сохраняющейся при отключенном источнике питания, содержащий пластину полупроводника, компенсированного примесями, например, кремния, компенсированного золотом, на поверхности которой расположены два металлических электрода, один из которых является барьерным, а другой омическим, причем под омическим электродом сформирован сильнолегированный слой, который выступает за границу омического электрода по направлению к барьерному не менее, чем на 1,5 толщины слоя металла барьерного электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения сопротивления в низкопроводящем состоянии, сильнолегированный слой отделен от полупроводника пластины слоем полупроводника противоположного типа проводимости.

Номер патента: 605491

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Гусельников, Крысов, Тагер

МПК: H01L 29/86

Метки: диод, полупроводниковый

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД, содержащий пластину, выполненную из нескольких пар слоев различных полупроводниковых материалов, причем в каждой паре один слой имеет меньшую величину отношения дрейфовой скорости насыщения подвижных носителей заряда к диэлектрической проницаемости, чем другой, и два контактных участка, по крайней мере, один из которых является барьерным, отличающийся тем, что, с целью увеличения эффективности умножения частоты, число упомянутых пар слоев равно кратности умножения частоты, а барьерный участок содержит слой сильнолегированного полупроводника.

Номер патента: 1277840

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Прохоров, Романова, Янсон

МПК: H01L 21/306

Метки: кремниевых, подложках, положения, полупроводниковых, скрытых, слоев, слоем, формы, эпитаксиальным

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛОЖЕНИЯ И ФОРМЫ СКРЫТЫХ СЛОЕВ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПОДЛОЖКАХ С ЭПИТАКСИАЛЬНЫМ СЛОЕМ, включающий химическую обработку, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, повышения точности и увеличения используемой площади кристалла, химическую обработку проводят путем анодирования поверхности до образования окрашенных слоев пористого кремния или двуокиси кремния, по разности окраски которых определяют проекцию скрытых слоев на поверхность эпитаксиального слоя.

Номер патента: 713426

Опубликовано: 27.06.1995

Автор: Белов

МПК: H01L 23/02

Метки: полупроводниковый, прибор

1. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР штыревого типа с прижимными контактами, содержащий выпрямительный элемент, расположенный в корпусе, состоящем из изолятора верхнего вывода и соединенного с основанием цилиндрического стакана, выполненного с буртиком, которым посредством прижимной системы выпрямительный элемент прижат к основанию, являющемуся нижним выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности, изолятор верхнего вывода в нижней части имеет выступ, между внешней поверхностью которого и внутренней поверхностью верхней части стакана, выполненного из металла, размещен пластический уплотнитель, а внутренняя поверхность выступа изолятора контактирует с прижимной системой, при этом к верхней части изолятора герметично присоединен...

Номер патента: 1071100

Опубликовано: 27.06.1995

Авторы: Алиев, Гусейханов, Рабаданов, Эфендиев

МПК: G01N 27/22, H01L 29/41

Метки: влажности, датчик

ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ, содержащий чувствительный элемент, выполненный из слоя оксидного полупроводника с двумя контактами на противоположных поверхностях, один из которых омический, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности датчика, второй контакт с барьером Шоттки, площадью, изменяющейся в диапазоне (0,1 1) 10-4 см2, сформирован на оксидном полупроводнике из окиси цинка.

Номер патента: 1814426

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Нелидов, Федулин, Шаповалов

МПК: G21H 1/10, H01L 35/02

Метки: генератор, радионуклидный, термоэлектрический

...изоляции, 15 часть которой с большим коэффициентом теплопроводности и лучшими прочностными свойствами, определенная по предложенной формуле, сохраняет эксплуатационные свойства РИТЭГ и со вместно с теплоизоляцией с малым коэффи. циентом теплопроводности уменьшает тепловые потери и увеличивает КПД РИТЭГ.Конструкция РИТЭГ приведена на чертеже и содержит герметичный корпус 1, в котором расположена комбинированная тепловая изоляция, состоящая из жесткой тепловой изоляции 2, 3 и газоэкранной тепФормула изобретения 301, РАДИОНУКЛИДНЫЙ ТЕРМОЭЛ Е КТРИЧ ЕСКИЙ ГЕНЕРАТОР, содержащий радионуклидный источник тепла, термоэлектрическую батарею, герметичный корпус с электровыводом и тепловую изоляцию, отличающийся тем, что,с целью повышения КПД за счет...

Номер патента: 1823732

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Скутин, Сычев, Тихомиров, Югай

МПК: H01L 39/24

Метки: y-ba-cu-o, высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих, травления

...на фиг.3 - зависимость среднего числа молекул Н 20 в кластере воды от давленияар воды Рно; на фиг.4 - завсоссреднего числа молекул воды и в кластереНС пН 20; на фиг,5 - зависимость скороститравления от парциального давления кластеров воды РнотоРеакционная камера 1 представляет собой вакуумированный насосом 2 сосуд, в15 которем помещается стравливаемая пленка У-Ва-Си-О 3, напыленная на подложкуиэ ЯгТОз или сапфир, Реакционная камера1 изготавливается иэ материала химическинейтрального к хлористому водороду (молибденовое стекло, кварц, полимер и др,).В начале эксперимента в предварительно откаченную камеру 1 напускают парыводы из емкости 4 до получения давленияРн,о =7 - 11 Торр, что при температуре 17 Ссоставляет (0,5-0,7)Рнонасы,ц....

Номер патента: 1829818

Опубликовано: 09.07.1995

Авторы: Григорашвили, Сотников, Фомин

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводящих

...узла на расстояние свыше 8 200 пленка обладает плохими свойствам, ввиду малой толщины и снижения эффективности использования распылительного материала, а также нестабильности работы распылительного устройства.На чертеже показано устройство для осуществления способа получения ВТСП- пленок; 1 - подложки; 2 - нагреватель; 3 - мишень; 4, - область разряда; 5 - вакуумная камера.П р и м е р 1, В качестве распылительного узла используют систему встречно размещенных магнетронов. Подложки Ег 02 или ЗгТОз диаметром до 30 мм в количестве 10 шт, нагревают до 700 С и зажигают разряд. Выходные отверстия системы напуска аргона и кислорода, нагреватель 2 подложки и входное отверстие вакуумной откачной системы, размещают на оси симметрии...

Номер патента: 795343

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Канакин, Ли

МПК: H01L 27/148

Метки: ввода, зарядовой, приборах, связью, сигнала

УСТРОЙСТВО ВВОДА СИГНАЛА НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДОВОЙ СВЯЗЬЮ, содержащее полупроводниковую подложку с входной диффузной областью противоположного подложке типа проводимости, слой диэлектрика и расположенные поверх него первый и второй входные затворы и затвор переноса, отличающееся тем, что, с целью повышения чувствительности, устройство дополнительно содержит стоковую и истоковую диффузионные области противоположного подложке типа проводимости и пять затворов, причем первый и второй затворы зарядно связаны между собой, с вторым входным затвором и затвором переноса, третий затвор зарядно связан с вторым затвором и электрически с первым затвором и истоковой диффузионной областью, которая отделена от стоковой диффузионной области четвертым...

Номер патента: 1489496

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Амирханов, Земский, Илющенко, Мельникова, Моисеева, Черемхина

МПК: H01L 21/331

Метки: интегральных, схем

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий последовательное нанесение на поверхность полупроводниковой подложки первого слоя поликристаллического кремния, первого слоя окисла кремния, проведение первой фотолитографии с травлением первых слоев окисла кремния и поликристаллического кремния, формирование второго слоя окисла кремния, реактивное ионное травление второго слоя окисла кремния, нанесение второго слоя поликристаллического кремния, проведение второй фотолитографии с удалением второго слоя поликристаллического кремния, формирование активных областей и контактов к ним, отличающийся тем, что, с целью увеличения степени интеграции и быстродействия интегральных схем, после нанесения первого слоя окисла кремния наносят слой нитрида...

Номер патента: 1496577

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Бирюков, Дудкевич, Мухортов, Свиридов

МПК: H01L 41/113

Метки: активный, деформаций, динамических, преобразователя, элемент

АКТИВНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ ДИНАМИЧЕСКИХ ДЕФОРМАЦИЙ, содержащий поляризованную сегнетоэлектрическую пленку цирконата-титаната свинца на металлической подложке, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности при изгибах и после нагревов выше температуры точки Кюри материала, толщина сегнетоэлектрической пленки находится в интервале от 0,07 до 2,0 мкм.

Номер патента: 1200758

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Гинсбург, Зильберштейн, Конаков, Кононов, Кузьминова, Юрков

МПК: H01L 29/86

Метки: колба, прибора, электронно-лучевого

КОЛБА ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО ПРИБОРА, содержащая прямоугольный стеклянный экран и сочлененный с ним по торцу стеклянный конус, поверхность которого снабжена выпуклостью в сечении по большой оси, отличающаяся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных колб за счет повышения термомеханической прочности, на поверхности конуса в сечении по диагональной оси, начиная от торца конуса, расположены две выпуклости и одна вогнутость между ними, причем отношение максимальной длины стрелы прогиба к длине хорды выбрано из соотношения:для первой выпуклости от 1/9 до 1/7для второй выпуклости от 1/15 до 1/13для вогнутости от 1/16 до 1/14,а для выпуклости в сечении по большой оси от 1/35 до 1/25.

Номер патента: 1499634

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Абатуров, Елкин, Кротова, Мишук, Плесков, Сахарова

МПК: H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГИРУЮЩЕЙ ПРИМЕСИ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, включающий формирование контакта к полупроводнику, воздействие на структуру возбуждающим высокочастотным электрическим сигналом и постоянным напряжением смещения и измерение возникающего сигнала отклика, по параметрам которого судят о профиле концентрации примеси, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и разрешающей способности измерения профиля, обеспечения возможности исследования высокоомных полупроводников и упрощения, в качестве возбуждающего сигнала используют амплитудно-модулированный высокочастотный гармонический сигнал тока через образец и измеряют амплитуду сигнала отклика в виде демодулированного напряжения на образце.

Номер патента: 1389611

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/76

Метки: легированием, планарным, полевой, транзистор

1. ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР С ПЛАНАРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ, содержащий расположенный на подложке активный слой с омическими контактами истока, стока и барьерным контактом затвора, включающий моноатомный слой с примесными атомами, отличающийся тем, что, с целью увеличения крутизны, линейности переходной характеристики и предельных частот усиления по току и по мощности, активный слой выполнен из варизонного полупроводника с шириной запрещенной зоны, монотонно убывающей от границы активного слоя с подложкой к поверхности активного слоя.2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что активный слой выполнен из нескольких слоев варизонного полупроводника.

Номер патента: 1464884

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Безрук, Шарыгин

МПК: H01L 41/12, H02N 2/00

Метки: перемещений, прецизионных

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПРЕЦИЗИОННЫХ ПЕРЕМЕЩЕНИЙ, содержащее корпус, размещенную на нем намагничивающую катушку, стержневые магнитострикционные элементы и элементы передачи движения, отличающееся тем, что, с целью увеличения диапазона перемещений и уменьшения габаритов устройства, элементы передачи движения выполнены в виде разноплечих рычагов, установленных на торцах корпуса, симметрично его оси, таким образом, что рычаги одного торца обращены к центру катушки большим плечом, а рычаги другого торца меньшим, причем рычаги одного торца последовательно соединены с рычагами другого торца магнитострикционными стержнями так, что меньшее плечо рычага одного торца соединено с большим плечом рычага другого торца, образуя систему последовательно соединенных...

Номер патента: 1422904

Опубликовано: 20.07.1995

Авторы: Прохоров, Сазонов

МПК: H01L 21/265

Метки: структур, формирования, эпитаксиальных

СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР, включающий нанесение маскирующего слоя на кремниевую подложку, вскрытие окон в слое, введение легирующей примеси, отжиг для активации легирующей примеси, эпитаксиальное наращивание, создание нарушенного слоя на рабочей стороне подложки путем имплантации ионов нейтральной примеси, отжиг для образования геттерирующих центров, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур при одновременном упрощении способа, на кремниевой подложке дополнительно формируют p+ скрытый слой ионной имплантацией легирующей примеси через маску, нарушенный слой создают ионной имплантацией через ту же маску непосредственно после введения легирующей примеси, а отжиг для образования геттерирующих...

Номер патента: 1804250

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Алаев, Венедиктов, Вовчик, Волынкин, Козлова, Лучина, Петровский, Погодаев, Проскуряков, Тагер

МПК: H01L 23/29

Метки: волоконно-оптических, герметизации, пластин, порами

...при температуре больше 150происходит термоокисления и разложениесостава,Для составов, включающих двухлористое олово, бихромат аммония и борнуюкислоту, использование концентрации ниже заявленных пределов не обеспечиваетполучение высокой ВП и ЭП иэ-эа наличия впорах пэров растворителя, Верхние значения концентрации соответствуют насыщенн ым растворам. Для компаунда санаэробным герметиком, если содержаниепервой составляющей меньше нижнего заявленного предела, второй - больше верхнего предела, то состав не отверждается идостигается ВП. При увеличении содержания первой составляющей более 0,75 об,7,и уменьшении содержания М-бис-(М-феноксифенокси)-бензола менее 0,25 об.% ухудшается адгезия и не обеспечиваетсягерметизация,В соответствии...

Номер патента: 1558263

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Голант, Снегирев, Тагер

МПК: H01L 29/861

Метки: диод, пролетный, резонансно-туннельный

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД, содержащий между эмиттером и пролетным участком многослойную квантовую гетероструктуру, выполненную из полупроводниковых материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, так что слой более узкозонного полупроводника образует квантовую яму для носителей заряда, которая ограничена с обеих сторон потенциальными барьерами, образованными слоями более широкозонных материаллов, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД и максимальной рабочей частоты диода, один из упомянутых потенциальных барьеров, ограничивающий потенциальную яму со стороны пролетного участка, выполнен по крайней мере из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциала для основных носителей...

Номер патента: 1202461

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Биленко, Ципоруха

МПК: H01L 21/66

Метки: осаждения, процессе, слоев, толщины

СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ТОЛЩИНЫ СЛОЕВ В ПРОЦЕССЕ ИХ ОСАЖДЕНИЯ, включающий регистрацию временной зависимости интенсивности собственного теплового монохроматического излучения образующейся структуры I(t) и определение толщины слоя по числу полупериодов этой зависимости и значению показателя преломления осаждаемого слоя, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и расширения класса контролируемых слоев, перед осаждением измеряют излучательную способность и интенсивность собственного теплового излучения нагретой до температуры процесса осаждения исходной структуры на длине волны монохроматического излучения и искомую величину определяют, используя вычисленный по следующей форме показатель преломления h:

Номер патента: 1568805

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Аристов, Богомолов, Боков, Иванов, Редькин, Самсонов

МПК: H01L 21/302

Метки: свч-плазменной

1. УСТРОЙСТВО СВЧ-ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ МАТЕРИАЛОВ, содержащее реакционную камеру, огибающий ее волновод прямоугольного сечения, электромагниты, газовводы, проходящие перпендикулярно оси камеры через волновод, электрод-пьедестал, выполненный с возможностью осевого перемещения, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности обработки за счет увеличения скоростей травления и осаждения, а также регулирования состава плазмы, оно содержит изолированный от корпуса электрод-газораспределитель, размещенный параллельно электроду-пьедесталу и выполненный с возможностью осевого перемещения.2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что, с целью улучшения качества обработки, электрод-пьедестал снабжен элементами подогрева и охлаждения.

Номер патента: 1568825

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Кальфа, Тагер

МПК: H01L 29/73

Метки: резонансно-туннельный, транзистор

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий между полупроводниковыми слоями эмиттера и базы многослойную квантовую гетероструктуру из материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, включающую слой узкозонного материала, образующего квантовую яму для носителей заряда, ограниченную с двух сторон потенциальными барьерами, образованными слоями широкозонных материалов, отличающийся тем, что с целью повышения быстродействия транзистора, по крайней мере один из потенциальных барьеров, ограничивающих потенциальную яму со стороны базы, выполнен многослойным из полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциалов для основных носителей заряда на гетерограницах между слоями этих материалов и узкозонным слоем,...

Номер патента: 1340492

Опубликовано: 25.07.1995

Авторы: Воронков, Енишерлова-Вельяшева, Мильвидский, Резник, Русак, Шмелева

МПК: H01L 21/304, H01L 21/322

Метки: геттерирующими, кремниевых, объеме, пластин, пластины, центрами

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПЛАСТИН С ГЕТТЕРИРУЮЩИМИ ЦЕНТРАМИ В ОБЪЕМЕ ПЛАСТИНЫ, включающий проведение двухступенчатого отжига при температурах в диапазоне 650 750oС и 950 1050oС в течение 3 4 ч на каждой стадии, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа для кремния с содержанием кислорода 5 1015 9 1017 см-3, перед отжигом при 950 1050oС с обеих сторон пластины механической обработкой создают приповерхностные области, состоящие из системы микротрещин, произвольно направленных и...

Номер патента: 1743314

Опубликовано: 25.07.1995

Автор: Варламов

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллов, микросборку, полупроводниковых, сборки

СПОСОБ СБОРКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ В МИКРОСБОРКУ, включающий нанесение термопластичного адгезива на металлический носитель, формирование сборки из полупроводниковой пластины, адгезива и металлического носителя, надрез сборки со стороны полупроводниковой пластины для разделения на полупроводниковые кристаллы, съем кристаллов с носителя и приклеивание кристаллов на предварительно разогретую плату микросборки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости, адгезив наносят слоем толщиной 0,05 0,25 мм, надрез сборки осуществляют на глубину адгезива, равную 60 92% его толщины при съеме каждого кристалла осуществляют разогрев соответствующего участка носителя до температуры на 10 50oС, превышающей температуру плавления...