H01L 21/205 — разложением газовой смеси с выходом твердого конденсата или химическим осаждением

Номер патента: 330811

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Государственный, Зотов, Конов, Маслов, Нисельсон, Проектный, Тель, Черномордин

МПК: H01L 21/205

Метки: пленки, эпитаксиальной

...металлов третьей группы периодической системы элементов дают широкий круг комплексов с триметильными производными элементов пятой группы в соотношении 1:1. Достоинством этих соединений является то, что в них исходные компоненты, образующие полупроводниковое соединение, находятсяРедактор Т. Орлова Корректор О, Тюрина Заказ 44234 Ивд. Хе 646 Тираж 406 ПодписноеЦИПИПИ Комитета по делам ивоорстеипй и откр.батин ири Совете Министров СССР Моски, Ж, Раупскап иаб., д 4/5 Тииографи, пр. Саик;ова, 2 В СТРОТ, С СХЦОМСтг Ц Ч СКОМ,.ОС Ге В ЬЛ 51 Ола ря цизкой температуре цлавлецця и кцпсция их легко можцо подвергать предварцтельцой очистке методам ректификацци и зоццой перекристаллизаццц. Кроме того, оци обладаот 5 мецьшей токовостьо цо сравнению с...

Номер патента: 508824

Опубликовано: 30.03.1976

Авторы: Анохин, Бакун, Лапидус, Рябов

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокисикремния, осаждения, слоев

...в камеру-реактор5 через время, равное или большее 60 сек, послеввода гомогенной смеси,Сущность способа осаждения слоев двуокисикремния для создания планарных полупроводниковых структур заключается в том что10 на поверхности полупроводника формируютлегированный фосфором слой при температурах ниже 500 С осаждением из газовой фазы,применяя гомогенну 1 о смесь моносилана, паров триметилфосфата, реагирующих с вводи 15 мымв определенном соотношениикислородом.На чертеже представлена схема устройствадля реализации предлагаемого способа.Перед процессом осаждения камеру-реактор 1 продувают аргоном для удаления воз 20 духа, затем нагревают полупроводниковыеподложки 2, расположенные на вращающемсяпъедестале 3 до температуры процесса (200 -500 С) и...

Номер патента: 490388

Опубликовано: 05.02.1977

Авторы: Аверкиева, Прочухан, Руд, Таштанова

МПК: H01L 21/205

Метки: авс, класса, кристаллов, свойствами, электрическими

...избыток элементов Ц или Г группы.Согласно предлагаемому способу берути Фкристаллы соединений класса А В Ср помещают в вакуумированную кварцевую ампулу совместно с чистым компонентом, избыток которого необходимо растворить в твердой фазе. Ампулу затем помещают в двухтемпературную электропечь и устанавливают темЗаказ 806/111 Тираж 1002 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета .Министров СССР по делам изобретений и открытий 113035, .Москва, Ж, Раушская наб., д. 4/5Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Проектная, 4 пературу кристалла, прн которой раствори -2 лмость взятого компонента в соециненииАВСдостаточна для наступления конверсии.Температуру источника установливают такой, чтобы обеспечить требу.емую величину д )ц . Время...

Номер патента: 500714

Опубликовано: 25.12.1977

Авторы: Гудзь, Лисенкер, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев

...реакторов,2цепь изобретения - разработка способа снижения уровня неконтролируемого пегирования растущих слоев бааз кремнием.Это достигается тем, что в зону роста эпитвксиапьных слоев Ьо А 6 при температуре роста подаются пары гидразина (ипи вм ми вка) .Гидразих (ипи аммиак) при взаимодействии с хпоридвми кремния обрвзуют комплексы типа ЬЙ Я (нвпримеп,Ы Я), которые при встраивании их в решетку растущего слоябаАьявпяются, в отличие от 3 ь, электрически неактивными.Сущность предпвгаемого способа звкпючается в следующем.Хпориды кремния, образующиеся в зоне роста, связываются гидразином ипи аммиаком с образованием нитрида кремния, что уменьшает концентрацию эпектрически активного кремния в растущем слое Ьо Аь П р и м е р. Устройство...

Номер патента: 588579

Опубликовано: 15.01.1978

Авторы: Гарба, Грибов, Данилков, Дубровин, Иванов, Ильин, Кощиенко, Логинов, Малинин, Марин, Панин, Румянцева, Суханов, Шевченко

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждением, покрытий, фазы

...8 реактора соединены под углом 1 - 20 и разделены решетчатой перегородкой 9. Рост пленки происходит в камере 8 щелевого типа прямоугольного или овального сечения. Дно 10 камеры 8, являющееся одновременно нагревателем подложек 2, выполнено из теплопроводного материала, например меди. Остальные грани камеры 8 могут быть стеклянными, металлическими, кварцевыми и т, д, При необходимости может быть предусмотрено воздушное или водяное охлаждение этих граней, Обе части камеры 8 соединяются между собой при помощи уплотнения. Такая конфигурация реактора 1 делает удобными загрузку, разгрузку реактора и его очистку.Для нейтр ализации эффекта истощения рабочей смеси площадь проходного сечения в камере 8 не остается постоянной, а уменьшается по ходу...

Номер патента: 791114

Опубликовано: 07.02.1982

Авторы: Гапонов, Лускин, Салащенко

МПК: H01L 21/205

Метки: пленочных, структур, эпитаксиальных

...выбор той или иной установки опгеделяется требованиями, прельявляемыми к толщине пленок и их электрофизическим свойствам.Установка содержит два лазера, один из которых работает в режиме свободной генерации, а другой в режиме модулированной добротности с интенсивностью излучения на поверхности испаряемого материала не менеее 109 Вт/см. Второй лазер используется в качестве источника высокоэнергетичных частиц. Монокристаллическая подложка, на которую наносят компоненты гетероструктуры, и вращающийся столик, на котором размещены образцы напыляемых материалов, установлены в вакуумной камере. Режим работы установки задается блоком управления.Подложка представляет собой моно- кристалл или любую многослойную структуру, поверхность которой...

Номер патента: 1001234

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Девятых, Домрачев, Жук, Кулешов, Лазарев, Хамылов, Чурбанов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждения, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, фазы

...этого, снижение давления позволяет интенсифицировать десорбцию и отвод из эоны осаждения продуктов реакции, что также способствует увеличениюскорости осаждения.Выбор рабочего давления определяется летучестью элементов А и В и свойствами осаждаемого слоя. П р и м е р 1 . Подложку из сапфира размещают на пьедестале, который вводят в реактор. Вокруг подложки и пьедестала размещают дополнительную поверхность цилиндрической формы диаметром 28 мм, которая одновременно является нагревателем реактора. Реактор откачивают до давления 1 Па и включают нагреватель, Дополнительную поверхность и пьедестал нагревают370 оС, затем пьедестал охлаждаютодо 250 С. Точность поддержания температуры составляет + 5 С. Подают сеоленоводород, а затем пары...

Номер патента: 322115

Опубликовано: 30.01.1984

Авторы: Жигач, Лапидус, Сирятская, Скворцов

МПК: H01L 21/205

Метки: слоев, эпитаксиальных

...недостатков. Метод жидкостноголегирования связан с использованиемвзрывоопасного трибромида бора иочень летучего трихлорида бораКроме того, получение заранее заданного номинала удельного сопротивления затруднено обменной реакциейтрибромида бора и тетрахлорида 25кремния.Цель изобретения - создание способа получения из газовой фазы легированных бором полупроводниковыхматериалов, обладающего высокой воспроизводимостью, щироким диапазономлегирования, простотой техническогооформления, надежностью и стабильностью при эксплутации.Предлагаемый способ отличаетсяот известных тем, что в качестве35легирующего соединения бора используют карборановые соединения, в частности изопропилкарборан,Низкая упругость насыщенного паракарборана...

Номер патента: 845680

Опубликовано: 15.04.1987

Авторы: Гридчина, Сухов

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, пленок, поликристаллического

...проводят с тжиг в течение5-20 мин и диращивание п:ецки цо тре -буемой толщины при температуре царащи -вания затравочтого слоя 3 тттт Ьт)"т ат,т К р (,т 3 1 13 тт ГГ т З И:";Р.т Я Г Я (Т ЯЦР 13Ож1тт ,3 гтттттт;т(ттт " тт" тт г. -т Ц, тЬг" )3 г Г1, ) 1т Т "1 Р т т т11Х Рт:7;)( (И а 1 ЛИ а И г 3, 1; ( тт.3"г Р -Р 333 М ЗГ( ИР ЕЦК ) Р( ".:13 Гт:3 Ц(М ". РтР;)17 г;О.т,т:т" ,Г Г(т ЯЦЯЮ 7 Г Я 1 (г гИ (тг Г"Гт.т1 (тдг:Г 3 Мт)Ь.Г Иата Ь 1 а 3 Т РИИ Г ;в 13 ц ц(г(Х)ти; ЛЛ 51 Т 1 ИТбтт ( - Р 1" ТИ 7 1 (Ц У Ц(1 КЭИГТа тгти.т(.КГ -И К)ГМИИ я 1 НРбх 5 ИМИЙ ТИ(тт 33 т, ,аРГ"ц 1ЦКИ 1.1 3 й (Тгтпитт Т 1 Ь)Р го тле(; У)т тг)И тЕЕ 3 Г ; Ра т)Ц(тт(т,Гт г,3 т( ( , ( т, т 1 ггтг"51 ст) 3(Й Г ч 13:.(тттт 7 т К г Рг( ,"3 г 33;И тЕПИТап. 3 гтг3(пттни тРг)гти...

Номер патента: 1541689

Опубликовано: 07.02.1990

Авторы: Веселы, Микишка, Слезак

МПК: H01L 21/205

Метки: реактор, эпитаксиальный

...в рассеивателе диаметр отверстий в заслонке в два раза больше величины диаметра в рассеивателе, причем шаг расположения отверстий в заслонке меньше шага расположений отверстий рассеивателя на величину диаметра отверстия последнего, а выходной фланецснабжен трубчатым охладителем газов.На Фиг. 1 приведен эпитаксиальныйреактор, общий вид в Фронтальнойпроекции; а на Фиг. 2 - то же, в горизонтальной проекции; на фиг. 3входной Фланец, фронтальная проекция;на фиг. ч - то же, горизонтальнаяпроекция; на фиг. 5 - разрез А-А наФиг, .; на фиг, 6 - взаимное распо 1ложение рассеивателя и заслонки; наФиг. , - выходной фланец, фронтальная7проекция, на Фиг. 8 - сечение Б-Б наФиг. 7.Реактор содержит опорную системувходной фланец 2, кварцевую трубу 3,...

Номер патента: 1839713

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Альбрехт, Герхард, Зигфрид, Йоханн, Рольф

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, слоев

...носителей заряда. ели,",на которой равна или больше 1 см х хВ с . Предпочтительно время пребывания молекул углеводорода в зоне плазмы составляет 50 - 500 мс.Время пребывания указанного вышепорядка величины может быть достигнуто 5 при заданном поперечном сечении использующегося для плазменного напыления реакционного сосуда только при определенном соотношении между давлением газа, т.е. парциальным давлением реакционного газа, и 10. массовым расходом, В случае соответствующего изобретению способа давление газа со-ставляет по этой причине 5-400 Па, предпочтительно 20-200 Па., а массовый расход - предпочтительно 0,05 - 2 10 Пав 15 хсм с . Кроме того, в случае соответствующего изобретению способа существенно то, что подложка, на которую...

Номер патента: 1056807

Опубликовано: 15.01.1994

Авторы: Брюхно, Матовников, Огнев, Половенко

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий осаждение на монокристаллическую кремниевую подложку поликристаллического слоя кремния, его шлифование, удаление части подложки параллельно шлифованной поверхности поликристаллического слоя кремния, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет уменьшения плотности дефектов на их монокристаллической поверхности и упрощения процесса изготовления структур, нанесение на поликристаллический слой кремния защитного покрытия проводят после шлифования слоя поликристаллического кремния.

Номер патента: 1264440

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Брюхно, Кобазева, Максименков

МПК: H01L 21/205

Метки: полупроводниковых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР, включающий шлифование и полирование монокристаллической кремниевой пластины, наращивание на одну сторону пластины слоя поликристаллического кремния, удаление части слоя поликристаллического кремния, утонение монокристаллической пластины, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных за счет уменьшения вероятности образования в нем дендритов и пустот, слой поликристаллического кремния наращивают на пластину после шлифования, а утонение монокристаллической пластины производят до толщины, равной сумме глубины нарушенного слоя после шлифования одной стороны пластины и толщины монокристаллического кремния, необходимого для формирования структуры.

Номер патента: 1105075

Опубликовано: 30.01.1994

Авторы: Бакун, Брюхно, Долгих, Матовников, Огнев, Четвериков

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, монокристаллических, подложек, пьедестале, размещения

СПОСОБ РАЗМЕЩЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК НА ПЬЕДЕСТАЛЕ при газофазном осаждении на них полупроводниковых слоев, включающий установку подложек на пьедестал с закреплением на стержнях, съем подложек с осажденными слоями с пьедестала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных подложек с осажденными слоями за счет уменьшения вероятности их разламывания при съеме, при установке подложек на пьедестале биссектрису угла между двумя смежными плоскостями преимущественного разрушения каждой подложки ориентируют параллельно плоскости, проходящей через оси стержней.

Номер патента: 1753885

Опубликовано: 30.08.1994

Авторы: Водаков, Мохов, Роенков

МПК: H01L 21/205

Метки: излучающих, области, светодиодов, спектра, фиолетовой

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОДИОДОВ, ИЗЛУЧАЮЩИХ В ФИОЛЕТОВОЙ ОБЛАСТИ СПЕКТРА, включающий эпитаксиальное наращивание в среде инертного газа на подложке карбида кремния слоя SiC n-типа проводимости, легированного азотом с концентрацией (2 - 10) 1018 см-3, слоя SiC p-типа проводимости, легированного алюминием, и нанесение омических контактов, отличающийся тем, что, с целью расширения области применения способа за счет возможности использования подложки карбида кремния любого политипа, в качестве подложки выбирают пластину с ориентацией (000 )C с углом разориентации не более 30

Номер патента: 1316486

Опубликовано: 30.09.1994

Авторы: Брюхно, Сафронов

МПК: H01L 21/205

Метки: кремниевых, структур

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР, включающий операции затравливания, осаждения поликристаллического кремния из газовой фазы на монокристаллическую кремниевую пластину, выравнивания поликристаллического слоя параллельно обратной стороне монокристаллической пластины, удаления части монокристаллического слоя до достижения заданной толщины, нанесения защитного покрытия на поликристаллический слой кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных структур путем увеличения механической прочности слоя поликристаллического кремния, в процессе осаждения поликристаллического кремния проводят дополнительные операции затравливания по достижении толщины поликристалла d (мкм), изменяемой в пределах 30

Номер патента: 1771335

Опубликовано: 19.06.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Нестерова, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, включающий наращивание на полуизолирующих арсенидогаллиевых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений элементов III группы в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка гидридных или металлоорганических соединений мышьяка буферного слоя полуизолирующего арсенида галлия и последующее наращивание легированных низкоомных слоев, отличающийся тем, что, с целью повышения качества структур за счет улучшения изолирующих свойств буферного слоя и повышения воспроизводимости его параметров, наращивание буферного слоя проводят при давлении 12 30 Торр в среде водородной плазмы высококачественного тлеющего разряда при температуре подложек 530...

Номер патента: 1820783

Опубликовано: 27.10.1995

Авторы: Захаров, Лымарь, Пашенко, Шубин

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, слоев, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ p типа проводимости, включающий наращивание искомых слоев на нагретых подложках методом пиролиза металлоорганических соединений галлия в среде водорода при пониженном давлении в присутствии избытка арсина, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества слоев за счет повышения концентрации носителей и повышения воспроизводимости их параметров, наращивание проводят при температуре подложек 530 690oС, давлении 2 10 торр, при этом расход металлоорганических соединений галлия и арсина задают таким, чтобы соотношение образовавшихся в процессе их термического распада мышьяка и галлия в газовой фазе составляло (5-35) 1.

Номер патента: 1256608

Опубликовано: 20.11.1995

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, кадмия, слоев, сульфида, фазы, эпитаксиальных

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ СУЛЬФИДА КАДМИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ, включающий размещение кремниевых подложек в зоне роста, загрузку порошка сульфида кадмия в зону испарения реакционной камеры, ее вакуумирование, испарение сульфида кадмия в водороде, осаждение эпитаксиальных слоев на подложках, отличающийся тем, что, с целью повышения качества эпитаксиальных слоев за счет обеспечения постоянства их стехиометрии по толщине, перед осаждением эпитаксиальных слоев на подложки порошок сульфида кадмия испаряют в вакууме при давлении не более 10-1.10-2 мм рт.ст. на поверхность реакционной камеры с градиентом температуры в направлении потока паров кадмия и серы не менее 40oС/см, после чего...

Номер патента: 940601

Опубликовано: 20.05.1996

Авторы: Емельянов, Ильичев, Инкин, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 21/205

Метки: диэлектрических, покрытий

1. Способ получения диэлектрических покрытий на подложках арсенида галлия и твердых растворов типа CaAlAs, включающий размещение подложек в реакторе, их нагрев, формирование пассивирующих и диэлектрических слоев, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических свойств границы раздела диэлектрический слой подложка за счет уменьшения плотности поверхностных состояний, диэлектрический слой формируют методом осаждения из газовой фазы, содержащей триметилалюминий, арсин, кислород при мольных соотношениях алюминия, мышьяка и кислорода 1:(5-10):(10-3 10-5) соответственно и температуре подложек 600 650oС.2. Способ получения диэлектрических покрытий по п. 1, отличающийся тем,...

Номер патента: 1597018

Опубликовано: 27.05.1996

Авторы: Варламов, Емельянов, Ильичев, Инкин, Липшиц, Матына, Олейник, Пекарев, Полторацкий

МПК: H01L 21/205

Метки: мдп-транзисторов

Способ изготовления МДП-транзисторов, включающий формирование на подложке арсенида галлия n-типа проводимости областей истока и стока, осаждение слоя диэлектрика методом пиролиза, формирование электрода затвора, отличающийся тем, что, с целью повышения крутизны транзисторов, слой диэлектрика осаждают пиролитическим разложением диэтилдитиокарбамата цинка при температуре подложки 290 350oС и температуре испарителя диэтилдитиокарбамата 200250oС.

Номер патента: 1820781

Опубликовано: 27.07.1996

Авторы: Вискуп, Кабаков, Козлов, Красницкий, Петрович, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...тем, чтопродувку реактора проводят кислородом ссодержанием озона 2-6 при давлении 5-60Па в течение 3-10 мин при температуре650-770 С,В предлагаемом техническом решенииповышение качества пленки двуокиси кремния обусловлено следующим. Перед осаждением пленки двуокиси кремния проводятпродувку реактора озонированным кислородом при температуре осаждения при соответствующих давлениях и длительности,происходит формирование более совершенного слоя термического окисла, чем припродувке просто кислородом. Кроме того,продувка реактора озонированным кислородом с указанными режимами способствуетболее полному, по сравнению с чистымкислородом, удалению, связыванию илипереводу в неактивное состояние рядапримесей, способствующих коллоидо-...

Номер патента: 1814468

Опубликовано: 10.08.1996

Авторы: Кравцов, Лесникова, Макаревич, Сарычев, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

...трудоемкость из-за необходимости изменения температуры при доращивании. При отжиге подслоя при температуре выше 650 С, давлении более 13,3 Па, времени более 1 мин при соотношении %Р -инертный газ более 1:20 происходит полное потребление 81 из зародьппа на восстановление %Р что впоследствии затрудняет процесс формирования рельефного микрорисунка в нихележащих слоях без масочным травлением и появляются отклонения от куполообразной формы зерен при доращивании, Кроме того, увеличивается трудоемкость процесса из-за необходимости изменения температуры при доращивании,П р и м е р. Осахдение пленок поликристаллического кремния осуществляли5 1814468 на установке Изотрон 4-150 с горизонтальным трубчатым реактором с горячими стенками,...

Номер патента: 1820782

Опубликовано: 27.11.1996

Авторы: Дударчик, Кабаков, Козлов, Красницкий, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: двуокиси, кремния, пленок, формирования

...моносилана при осаждении не превышала 50 см /мин, а закиси азота - 3000 см /мин, Величина давлениязпри осаждении составляла 133,3 Па. Температура при продувке реактора и осаждении составляла 800+1 С (пр, 24-7), 650 С (пр,1), 850 С (пр. 3); в примере 8 температура продувки реактора и осаждения составила 680 С, а в примере 9 - 820 С,Всего проведено 10 процентов.Процесс включал следующие стадии:ПР а ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ размещение кремниевых подложек в продуваемом азотом реакторе;- вакуумирование реактора;- продувку реактора закисью азота; - плавное установление потока моносилана, подачу его в реактор, осаждение 31 Ог;- прекращение осаждения, вакуумирование реактора;подача в реактор кислорода (при достижении необходимой температуры) и...

Номер патента: 766418

Опубликовано: 10.12.1996

Авторы: Буттаев, Гасанов, Магомедов

МПК: H01L 21/205

Метки: aiibvi, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений типа AIIBVI, включающий вакуумирование рабочей камеры до 1 10-1 1 10-2 мм рт. ст. продувку водородом, создание давления водорода 90 110 мм рт. ст. нагрев зоны источника до 750 800oC и зоны подложек до 600 620oC, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров слоев за счет изменения полярности ориентации, предварительно перед нагревом зон источника и подложек проводят их отжиг в течение 2 3 мин при давлении 1

Номер патента: 1119523

Опубликовано: 27.12.1996

Авторы: Ильичев, Маслобоев, Полторацкий, Родионов, Слепнев

МПК: H01L 21/205

Метки: изолирующих, покрытий

Способ получения изолирующих покрытий по авт. св. N 940601,отличающийся тем, что, с целью увеличения времени хранения заряда в диэлектрических слоях при формировании диэлектрических слоев из газовой фазы, в нее дополнительно вводят триметилгаллий при мольном отношении к триметилалюминию (0,3 oC 10) 1 и моногерман при мольном отношении к триметилгаллию и триметилалюминию (10-4 10-6) 1.

Номер патента: 1649956

Опубликовано: 10.03.1997

Авторы: Александров, Баранов, Дягилева, Лебедев, Цыганова

МПК: H01L 21/205

Метки: кадмия, оксида, пленок

Способ получения пленок оксида кадмия путем осаждения из парогазовой смеси, содержащей элементоорганическое соединение кадмия и окислитель на поверхность подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности пленок за счет снижения температуры осаждения, в качестве элементоорганического соединения используют диметилкадмий, а в качестве окислителя пары воды, при этом осаждение пленок проводят при атмосферном давлении, температуре подложки 20 40oС, давлении паров диметилкадмий 28 87 мм рт.ст. и давлении паров воды 12 20 мм рт.ст.

Номер патента: 1591751

Опубликовано: 10.07.1999

Авторы: Белобровая, Биленко, Медведев, Мокеров, Пылаев, Слепнев, Ципоруха

МПК: H01L 21/205

Метки: арсенида, галлия, основе, структур, эпитаксиальных

Способ получения этипаксиальных структур на основе арсенида галлия, включающий осаждение на нагретую подложку арсенида галлия буферного слоя с последующим осаждением рабочих слоев, освещение структуры в процессе осаждения буферного и рабочих слоев оптическим излучением с длиной волны = 0,6328 мкм и регистрацию временной зависимости интенсивности отраженного монохроматического излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения качества осаждаемых рабочих слоев, осаждение буферного слоя прекращают после достижения интенсивностью регистрируемого отраженного излучения постоянного уровня в момент времени t3,...

Номер патента: 830962

Опубликовано: 10.11.1999

Автор: Герасименко

МПК: H01L 21/205

Метки: наращивания, пленок, полупроводниковых, эпитаксиального

Способ эпитаксиального наращивания полупроводниковых пленок на монокристаллической подложке, включающий нанесение слоя металла на поверхность подложки, нагрев до температуры эпитаксии и введение компонентов ростового вещества в расплав из сепарированного ионного пучка, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и предотвращения испарения летучих компонентов, наносят на слой металла защитную пленку, стабильную в условиях наращивания.

Номер патента: 782605

Опубликовано: 10.11.1999

Авторы: Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/205

Метки: aiiibv, выращивания, многослойных, основе, соединений, структур, типа

Способ выращивания многослойных структур на основе соединений типа A IIIBV с использованием химических газотранспортных реакций, включающий загрузку в реактор источника элемента третьей группы, подложек, подачу газовой смеси, содержащей галогенид пятой группы и пары воды, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества структур в источник элемента третьей группы добавляют кремний в количестве, превышающем предел растворимости, а концентрацию паров воды изменяют в интервале 10 - 500 ррт.