H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1261528

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Кузнецов, Сурма

МПК: H01L 29/861

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

1. Силовой быстровосстанавливающийся диод, выполненный на основе полупроводниковой p-n-структуры, содержащей рекомбинационные центры, отличающийся тем, что, с целью снижения коммутационных перегрузок по напряжению, p-n-структура содержит два типа областей с различным содержанием рекомбинационных центров, соотношения площадей и концентраций в которых определены следующими соотношениями:где S1, S2 - суммарные площади областей каждого типа; - концентрация рекомбинационных центров в областях с различным содержанием...

Номер патента: 1384112

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: низкотемпературных, покрытий, стекловидных

Способ получения низкотемпературных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водных растворов азотнокислых солей стеклообразующих компонентов кремниевой кислоты, аммиака, сливание растворов, просушивание и растирание образующегося осадка в порошок, нанесение и оплавление слоя порошка на поверхности полупроводниковых приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности осадка, растворы сливают в следующей последовательности: раствор кремниевой кислоты, раствор аммиака, раствор азотнокислых солей - стеклообразующих компонентов.

Номер патента: 1144566

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Берлин, Колоскова, Нисневич, Попова, Почуева

МПК: H01L 21/316

Метки: алюмосиликатного, локальных, пленок, создания, стекла

Способ создания локальных пленок алюмосиликатного стекла на поверхности кремниевой пластины, включающий осаждение пленки по всей площади пластины, формирование на пленке маски из фоторезиста, травление пленки при температуре 15 - 30oC в водном растворе фтористоводородной кислоты, фтористого аммония и ортофосфорной кислоты и удаление фоторезиста, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества рисунка пленок алюмосиликатного стекла толщиной 0,3 - 1,5 мкм при содержании в нем окисла алюминия 7 - 70 мас.%, травление проводят при следующем количественном соотношении компонентов, мас.%:Фтористый аммоний - 13 - 18Фтористоводородная кислота 49o - 4 - 7

Номер патента: 1322934

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Богомяков, Дученко, Матанов, Потапчук

МПК: H01L 29/73

Метки: мощный, транзистор

Мощный транзистор, содержащий базу, коллектор с электродами, профилированный по глубине эмиттер с расположенной над ним металлизацией и выводом, отличающийся тем, что, с целью повышения рабочего тока коллектора, быстродействия и устойчивости к вторичному пробою, эмиттер состоит из чередующихся между собой участков разной глубины, причем участки большей глубины по крайней мере частично охвачены участками меньшей глубины.

Номер патента: 1387797

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Фомин

МПК: H01L 21/314

Метки: геттера, кремния, монокристаллических, пластинах

Способ изготовления геттера в монокристаллических пластинах кремния, включающий термообработку пластин для формирования бездефектной приповерхностной области пластин, отличающийся тем, что, с целью устранения эррозии поверхности пластин и уменьшения плотности структурных дефектов, перед термообработкой пластин на их поверхности формируют слой термической двуокиси кремния толщиной 0,045 - 0,05 мкм, после чего осаждают слой поликремния толщиной 0,1 - 0,5 мкм.

Номер патента: 1387824

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Данильчук, Туркот

МПК: H01L 39/06

Метки: криогенный, токоввод

Криогенный токоввод, содержащий токоведущий элемент, выполненный в виде пучка тонкостенных трубок, расположенных по винтовой линии, и коллекторов тока, расположенных на концах трубок и соединенных с ними электрически, отличающийся тем, что, с целью уменьшения габаритов и снижения теплопритоков в зону низких температур, трубки изолированы друг от друга и размещены в коллекторах тока в два слоя с числом трубок 3(n + 1), где n = 1, 2, 3 ..., причем трубки внутреннего слоя размещены равномерно по окружности, а центры трубок наружного слоя размещены в вершинах равносторонних образованных поочередно одной или двумя трубками внутреннего слоя и двумя или одной соответственно трубками наружного слоя...

Номер патента: 1001830

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Евсеев, Ефремов, Зи

МПК: H01L 29/76

Метки: полевым, полупроводниковый, прибор, силовой, управлением

1. Силовой полупроводниковый прибор с полевым управлением, например тиристор, содержащий не менее двух ячеек, каждая из которых включает базу с участками различного удельного сопротивления, p+ - анод и n+ - катод, окруженный p+ - затвором, отличающийся тем, что, с целью увеличения активной площади прибора с полевым управлением при сохранении высоких значений коэффициента запирания и быстродействия, база выполнена 3-х слойной, высокоомный слой базы расположен между низкоомными слоями, при этом удельное сопротивление высокоомного слоя базы по крайней мере на порядок выше удельного сопротивления низкоомных слоев.2. Прибор по п. 1, отличающийся тем, что...

Номер патента: 1769646

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Егоров, Родина, Серяков

МПК: H01L 39/16

Метки: нелинейный, резистор

Нелинейный резистор, содержащий сверхпроводящей активный элемент, заключенный внутри индуктивной обмотки, отличающийся тем, что, с целью повышения сопротивления нелинейного резистора в рабочих режимах при сверхкритических токах, активный элемент соединен параллельно с обмоткой, выполнен в форме ленты, сложенной в меандр, и расположен таким образом, что поверхность ленты перпендикулярна оси обмотки, причем обмотка выполнена из несверхпроводящего материала и ее сопротивление не менее сопротивления активного элемента при сверхкритических токах.

Номер патента: 1623492

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Мишанин

МПК: H01L 21/28

Метки: кремниевой, соединения, структуры, термокомпенсатором

Способ соединения кремниевой структуры с термокомпенсатором, включающий помещение припоя между кремниевой структурой и термокомпенсатором, нагрев до расплавления припоя, выдержку и охлаждение, отличающийся тем, что, с целью увеличения напряжения пробоя за счет улучшение качества соединения, охлаждение осуществляют со скоростью 0,2...1,5oC/мин.

Номер патента: 1393272

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Абрамов, Кокуркина, Селезнев, Туркот

МПК: H01L 39/00

Метки: высоковольтное, криогенное

Высоковольтное криогенное устройство, содержащее трубу для криоагента, электроды, тепловые экраны и камеру с корпусом из диэлектрика, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности и снижения расхода криоагента, труба для криоагента снабжена по крайней мере двумя вставками из диэлектрика и по крайней мере одной металлической вставкой с вакуумной теплоизоляцией, камера заполнена многослойной изоляцией, охватывающей трубу и образующей изоляционный остов, в котором размещены указанные электроды, выполненные полыми, а в корпус из диэлектрика вмонтирован полый диэлектрический экран, причем наружная поверхность корпуса выполнена с ребром и закрыта дополнительным внешним корпусом в виде двух...

Номер патента: 1512430

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Кюрегян, Шлыгин

МПК: H01L 31/0232

Метки: фотодиод

Фотодиод, содержащий полупроводниковую структуру p+-n-n+-типа или p+-p-n+-типа с участком для доступа света, расположенным на свободной от электрических контактов поверхности n-слоя или p-слоя, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности измерения абсолютной интенсивности широких пучков света при сохранении внутреннего квантового выхода, близкого к единице, свободная поверхность для доступа света образована плоскостью, расположенной под углом к плоскостям p+-n- или p-n+-переходов, или в виде углубления сферической формы с радиусом R со стороны слоя,...

Номер патента: 1153765

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Конюхов, Кузнецов, Синицын

МПК: H01L 23/02

Метки: контактами, полупроводниковый, прибор, прижимными, силовой

Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами, содержащий выпрямительный элемент с массивными основаниями, в одном из которых расположены изоляционная втулка, через которую проходит управляющий вывод, и пружина, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности прибора и снижения трудоемкости его сборки, втулка имеет центральную полость, в которой расположена пружина, причем втулка изолирована от основания направляющим фторопластовым стаканом, а со стороны выпрямительного элемента втулка имеет конусообразный торец для самоустановки вывода.

Номер патента: 525380

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Болховитянов, Мельников, Строителев

МПК: H01L 21/368

Метки: полупроводников, слоев, эпитаксиальных

Способ получения эпитаксиальных слоев полупроводников из раствора-расплава при постоянной температуре роста, отличающийся тем, что, с целью повышения однородности эпитаксиальных слоев, раствор через определенные промежутки времени (1 - 100 с) вводят в контакт попеременно с источником и подложкой, причем температуру раствора при контакте с подложкой поддерживают на 0,5 - 10oC ниже, чем при контакте с источником.

Номер патента: 1101098

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асина, Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Рухамкин, Уверская, Юдицкий

МПК: H01L 29/36, H01L 29/86

Метки: быстровосстанавливающийся, диод, силовой

Силовой быстровосстанавливающийся диод, содержащий в базовой области рекомбинационную примесь, концентрация которой уменьшается от эмиттера вглубь базы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения коммутационного перенапряжения и обратного тока утечки при сохранении нагрузочных характеристик в проводящем состоянии, в качестве рекомбинационной примеси вводят платину, распределение концентрации которой удовлетворяет следующим условиям:;0,3 NB Npt(xj) ...

Номер патента: 757048

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Золотухин, Максимов, Марончук

МПК: H01L 21/28

Метки: балочных, выводов, контактов, металлических, омических, покрытий, полупроводниковым, структурам

Способ изготовления металлических покрытий, балочных выводов и омических контактов в полупроводниковым структурам, включающий нанесение расплавленного контактного металла на поверхность полупроводниковых структур и последующее вплавление, отличающийся тем, что, с целью увеличения однородности покрытий, структуры собирают в пакет с зазором 0,2 - 1 мм, который заполняют расплавом контактного металла при температуре на 10 - 20oC меньше температуры вплавления, после вплавления охлаждают до температуры не ниже температуры плавления контактного металла и удаляют излишний металл из зазора.

Номер патента: 1823730

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Серяков

МПК: H01L 39/16

Метки: аппарат, коммутационный, обмоткой, сверхпроводящий

Сверхпроводящий коммутационный аппарат с обмоткой управления, содержащий активный элемент из сверхпроводникового материала, источник импульсного питания, подключенный параллельно обмотке управления, причем активный элемент расположен внутри обмотки управления, отличающийся тем, что, с целью снижения энергоемкости системы управления аппаратом и повышения надежности его работы, в него дополнительно введен соленоид, соединенный параллельно с активным элементом, причем активный элемент расположен внутри соленоида, а обмотка соленоида выполнена из электропроводящего материала, не обладающего сверхпроводимостью при рабочих температурах.

Номер патента: 1274560

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Белоногова, Дерменжи, Кузьмин, Куузик, Приходько, Шмелев

МПК: H01L 23/48

Метки: контактами, полупроводниковый, прибор, прижимными, силовой

Силовой полупроводниковый прибор с прижимными контактами и металлизированными контактными площадками к эмиттерным и базовым областям, отличающийся тем, что, с целью снижения электрических потерь во включенном состоянии и повышения выхода годных приборов, металлизация контактных площадок к эмиттерным областям выполнена из последовательно нанесенных слоев фосфорсодержащего никеля, гальванического никеля и алюминия, а толщина металлизированных контактных площадок к базовым областям не превышает суммарной толщины слоев фосфорсодержащего никеля и гальванического никеля.

Номер патента: 1459538

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Васильев, Герасименко, Мойзеш

МПК: H01L 21/268

Метки: арсениде, галлия, контактов, омических, формирования

Способ формирования омических контактов на арсениде галлия, включающий нанесение на полупроводниковую подложку проводящего покрытия и термообработку ее СВЧ-излучением, отличающийся тем, что, с целью повышения качества контактов и повышения процента выхода годных за счет уменьшения контактного сопротивления с одновременным устранением опасности разрушения подложки в процессе СВЧ-обработки, термообработку СВЧ-излучением проводят с частотой 0,95 - 10 ГГц при времени обработки 30 - 300 с при нерастающей плотности мощности излучения от (2 - 10) до (10 - 200) Вт/см2 в течение времени, равного 10 - 50% времени обработки.

Номер патента: 1056815

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защитных, кремния, пленок, поверхности, свинцово-силикатных

Способ изготовления защитных свинцово-силикатных пленок на поверхности кремния, включающий нанесение на поверхность кремния слоя порошка окиси свинца, оплавление порошка и последующий отжиг пленки при 500oC, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности свойств пленок путем управления их составом, порошок окиси свинца наносят слоем толщиной 0,06 - 0,5 мм, а оплавление проводят при 750 - 900oC в течение не менее одного часа.

Номер патента: 1162357

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Дерменжи, Шмелев

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор

Полупроводниковый прибор, содержащий последовательно соединенные неразъемным омическим контактом тиристорную и диодную структуры с боковыми конусными поверхностями, отличающийся тем, что, с целью повышения эксплуатационной надежности прибора и снижения затрат на его изготовление, соединение выполнено единственным общим армирующим термокомпенсаторным элементом, являющимся основанием для боковых конусных поверхностей структур, диаметр которых уменьшается в направлении от этого элемента.

Номер патента: 1281085

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: бария, дифторида, монокристаллов, полирования, травитель

1. Способ полирования монокристаллов дифторида бария, включающий подачу травителя на тканевый полировальник, вращение полировальника вокруг оси и прижатие обрабатываемых монокристаллов к полировальнику, отличающийся тем, что, с целью повышения качества обработки поверхности, травитель на полировальник подают с расходом 5 10-8 - 1,66 10-7 м3/с, а полировальник вращают вокруг своей оси с угловой скоростью 1,0 - 1,66 об/с.2. Травитель для полирования монокристаллов дифторида бария на основе водных растворов соляной и серной...

Номер патента: 1833056

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Серяков

МПК: H01L 39/16

Метки: аппарат, коммутационный, сверхпроводящий

Сверхпроводящий коммутационный аппарат, содержащий активный элемент из сверхпроводящего материала, соленоид, внутри которого размещен активный элемент и источник импульсного питания, отличающийся тем, что, с целью снижения энергоемкости систем управления и повышения надежности его в работе, соленоид подключен параллельно активному элементу, источник импульсного питания подключен по крайней мере одним выводом к промежуточной точке соленоида, а другим - к одному из выводов соленоида, обмотка соленоида выполнена из проводящего материала, не обладающего сверхпроводимостью при рабочих температурах.

Номер патента: 1635819

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Серяпин, Смирнов

МПК: H01L 21/268

Метки: кремний-на-изоляторе, структур

Способ изготовления структур кремний-на-изоляторе, включающий нанесение диэлектрической пленки на подложку из монокристаллического кремния, нанесение слоя поликремния на диэлектрическую пленку и рекристаллизацию поликремния путем предварительного подогрева структуры и облучения сканирующим сфокусированным лучом, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества структур при одновременном упрощении способа, предварительный подогрев ведут со стороны слоя поликремния, а облучение сканирующим лучом ведут со стороны подложки при мощности излучения, достаточной для начала образования на облучаемой поверхности островков жидкой фазы, но недостаточной для образования сплошной расплавленной зоны.

Номер патента: 1690535

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Коваль, Подоскин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

1. Охладитель для полупроводниковых приборов, содержащий полое основание с выполненными из теплопроводного материала опорными противоположными стенками для размещения полупроводниковых приборов и боковыми стенками, соединенными между собой с образованием герметичной полости, которая заполнена рабочим веществом с температурой плавления не более максимально допустимой рабочей температуры полупроводникового прибора, и по крайней мере одну перегородку из теплопроводного материала, установленную в полом основании перпендикулярно его опорным противоположным стенкам и соединенную с ними с обеспечением теплового контакта с ними и с образованием полых секций, ориентированных вдоль геометрической оси...

Номер патента: 774462

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Асадов, Бахышев, Исмаилов, Максимов, Марончук, Соловьев

МПК: H01L 21/365

Метки: галлия, пленок, полупроводниковых, халькогенида

Способ получения полупроводниковых пленок халькогенида галлия в открытой газотранспортной системе с использованием жидкого источника галлия, включающий взаимодействие галогенсодержащего вещества с галлием, транспортирование галогенида галлия в зону роста, подачу в зону наращивания элемента VI группы потоком газа-носителя и наращивание монокристалла на подложку, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения качества пленок, наращивание осуществляют в системе HCl-Ga-Se-H2 при температурах зон источников галлия и селена 400 - 600oC и 230 - 300oC соответственно, температуре зоны наращивания 700 - 750oC, потоке водорода над источником...

Номер патента: 596097

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Теплова

МПК: H01L 21/24

Метки: контактов, материал, омических

Материал для омических контактов к арсениду галлия n-типа на основе олова, отличающийся тем, что, с целью снижения температуры и времени его выжигания, он содержит дополнительно галлий и медь при следующем соотношении компонентов, мас.%:Олово - 54 - 55Галлий - 36 - 36,5Медь - 9 - 9,5

Номер патента: 1410776

Опубликовано: 20.06.2000

Автор: Бротиковский

МПК: H01L 21/316

Метки: защиты, исходного, покрытий, полупроводниковых, приборов, свинцово-силикатных, стекловидных

Способ получения исходного материала для изготовления свинцово-силикатных стекловидных покрытий для защиты полупроводниковых приборов, включающий приготовление водного раствора солей стеклообразующих компонент, основным из которых является свинец, и кремниевой кислоты, осаждение водным раствором аммиака гидрооксидов, просушивание и растирание осадка, отличающийся тем, что, с целью улучшения защитно-пассивационных характеристик покрытий путем повышения гомогенности процесса стеклообразования, свинец вводят в раствор солей стеклообразующих компонент в виде его ацетата.

Номер патента: 1349615

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Агафонов, Беленков, Бономорский, Куузик, Макаров

МПК: H01L 29/74

Метки: запираемый, тиристор

Запираемый тиристор, содержащий четырехслойную p-n-p-n структуру, состоящую из катодного и анодного эмиттеров, узкой и широкой баз, а также металлических электродов к ним, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона рабочих токов и напряжений, узкая база выполнена секционной с расстоянием между секциями, не превышающим удвоенную ширину широкой базы, а в приповерхностной части широкой базы вдоль и посередине между секциями узкой базы, а также с внешней стороны периферийных секций сформированы связанные между собой дополнительные области того же типа проводимости, что и широкая база с концентрацией примеси, превышающей концентрацию примеси в широкой базе не менее чем на порядок,...

Номер патента: 719390

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Алферов, Бакланов, Герасименко, Донин, Ловягин, Мурадов

МПК: H01L 21/265

Метки: n-p-переходов

Способ изготовления n-p-переходов с неплоским профилем в кремниевой пластине р - типа, включающий операции ионной имплантации донорной примеси и последующего гермического отжига, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров n-p-переходов, формирование профиля n-p-перехода производят после отжига, для чего на пластину, нагретую до температуры 700 - 800oC, направляют луч лазера с длиной волны излучения 0,46 - 0,51 мкм, работающего в непрерывном режиме на мощности 0,1 - 1,0 Вт, фокусируют его по оси изготовленной диодной структуры в пятно диаметром, составляющим 0,5 - 0,6 диаметра n-p-перехода, затем плавно в течение 2 - 3 мин увеличивают мощность до значения 5...

Номер патента: 376029

Опубликовано: 20.06.2000

Авторы: Ободников, Серяпин, Серяпина

МПК: H01L 21/316

Метки: p-n-переходом, кремния, окисления

Способ окисления кремния с р-n-переходами в электролите при подаче на пластину кремния анодного напряжения, отличающийся тем, что, с целью селективного окисления n-области, пластину кремния предварительно обрабатывают в химическом травителе и при окислении анодное напряжение подают на n-область.