H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 143068

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Финогенов, Шмелев

МПК: H01L 35/34

Метки: многослойных, соединения, термоэлементов

...образовавшийся подплавленный слой будет составлять значительную часть общей высоты тер1430 б 8моэлемента, что ограничивает возможности применения известного способа,Кроме того, при заливке по окисленной поверхности на границе полупроводник-коммутационный сплав в образовавшемся промежуточном слое возникают пузыри.Для исключенйя окисления коммутируемых поверхностей и уменьшения толщины переходного слоя предложен новый способ соединения термоэлементов путем заливки коммутационного сплава или полупроводникового вещества в вакууме, инертной или восстановительной среде.На чертеже изображена схема установки для осуществления предложенного способа.Графитовая, керамическая или кварцевая опока, состоящая из основания 1, крышки 2 и вкладыша 3, с...

Номер патента: 143161

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Геллер, Зайцев, Корзюков, Левин, Прохоров, Яхно

МПК: H01L 21/08

Метки: выпрямительных, селеновых, элементов

...до температуры, превышающей температуру окружающего воздуха на 15 - 25, что дает возможность получить элементы с большей плотностью тока,На чертеже показана вольтамперная характеристика селеновых выпрямительных элементов.Выпускаемые нашей промышленностью селеновые элементы с закрытым запирающим слоем допускают плотность тока не более 25 ма/см,Согласно принятой технологии, при нанесении селена на алюминиевую кадмированную основу температуру последней искусственно поддерживают близкой к комнатной. Авторы рекомендуют перед нанесением селена на алюминиевую кадмированную основу, последнюю подогревать до температуры, превышающей температуру окружающего воздуха на 15 - 25. Остальные технологические операции и режимы остаются без...

Номер патента: 143447

Опубликовано: 01.01.1961

МПК: H01L 35/08

Метки: материал, соединения, термоэлел1ентов

...единый тсрмоэлсмснт, обеспечивающих длительный срок их службы при раоо:1 их температурах горячего сная, такие наиболее эсррсктиВные термоэлсктри 1 сскис мяте эиа.ты, :,ак тройные сплавы Вь 1 еа - 5 ЬзРса и В)а 1 е - В 2.5 са, а также ссрпиггый свинец, селениггый свинец, тсллуристыи свипец и твеодыс растворы на их сснове, вге еще нс нолтили практического применсш 1 я для непосредственного п 1 эеВ 1 эа 1 щснп 51 1 с 1510 ВОЙ энс 1 эГии В эг 101(т;эи 1 ескую.Кк известно, срок слэ жоы те 1 эмоз:1 емснта Опрсдс;151 етг 51 иэсжде вгс 0 Физико-хпмп:Сгкими процессами, протекающими н" границе контактирующих между гобои 1 эязьопмснпых мяте 1 эиялОВ. Й результате этих процссг 013 на границе комму тационного сгПава - пол)проВодника Возпикаст Осльшос...

Номер патента: 143481

Опубликовано: 01.01.1961

Авторы: Луцкий, Сидорко

МПК: H01L 27/16

Метки: стабилизации, температурной, фотодиодов

...обычных методов стабилизации (например, применение термочувствительного сопротивления) может обеспечить неизметъ ной на выходе величину напряжения при изменении температуры, одна ко приводит к изменению чувствительности ячейки, поскольку при оди наковом изменении освещенности независимо от температуры получается примерно одинаковый прирост тока А фотодиода. (Под чувствительностью ячейки понимается отношение изменения выходного напряжения к изменению освещенности, то есть частная производная выходного напряжения по освещенности). Изменение величины сопротивления при изменении температуры приводит к тому, что выходное напряжение,получаемое за счет прироста тока М, будет зависеть от температуры.С Целью получения высокой стабильности...

Номер патента: 143932

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Авакьянц, Геллер, Гринберг, Заугольникова, Книгин, Мурыгин, Смирнов

МПК: H01L 21/12

Метки: выпрямителей, селеновых

Номер патента: 144241

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Ямпольский

МПК: H01L 31/0232

Метки: дифференциальным, фотосопротивлением

...реле не по тупает. Освещение фотосопротивления производят светом, отраженным от зеркала б, укрепленного на стрслкс 7 измерительного прибора. Зайчик света освещает обе част фотосопр(оивлеий, но каждая часть фотосопротивления снабжена светонепроницаемой шторкой 8 и 9. Если зайчик попадает на участок, закрьпый шторкой 8, то освещается только нижняя часть 2 фотосопротив.1 енЯ и с 1 нЯл подаетс 51 на зажим 4. ПолЯризОВанное реле срабатыВает В одну сторону. Если зайчик попадает на участок фотосопротивления, лакрытыи шторкои 9, то освещается верхнЯЯ часть фотосопротиВленЯ 1, (1 сигнал подяетс 5 а зажим 3. В случае нахождения зайчика ня участке фОТОСОПРОТИВ;1 ЕНИЯ, НЕ ЗЯКРЫТОГО ШТОРКЯХи, СИГНЯЛ ПОДЯЕТСЯ На ЗЯЖН- мь( 8 4 одновременно....

Номер патента: 144883

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Зорин

МПК: F25B 21/02, H01L 35/30

Метки: генератора, повышения, термоэлектрического, холодильника

...термоэлемент 1, выходит через этот проход из прорезей 1 б и смешивается с проходящим между ребрами потоком газа.Длина витков спирали рассчитывается так, чтобы температуры обоих смешиваемых потоков в этом месте были одинаковыми,Распределение газа, проходящего по термоэлементам, в соответствующих количествах для каждого термоэлемента производится путем подбора гидравлических сопротивлений (измененпем входных сечений прорезей).Для уменьшения теплопотерь горячая торцовая сторона генератора может быть закрыта изоляцией или, что лучше, к ней может быть присоединена такая же сторона второго генератора.Чтобы исключить окисление элементов проходящим газом, предлагается использовать инертный газ в герметично замкнутом контуре.Часть газа,...

Номер патента: 144912

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Геллер, Гринберг, Книгин, Мурыгин, Прохоров, Смирнов, Яхно

МПК: H01L 21/105

Метки: выпрямителей, селеновых

...методо месь кадмия с последующим ава, содержащего кадмий, чис изготовления с елью повышени морфного или к вводится при ектрода из спл металлов. Известны различные способь 1 изготовления селеновых выпрямителей. Для получения выпрямляющего контакта обычно на поверхностный слой селена наносится сплав, содержащий кадмий, после чего производится термическая обработка выпрямителя. По другому способу перед нанесением катодного сплава на поверхность кристаллического селена наносится тонкий слой кадмия методом испарения в высоком вакууме.Предлагаемый способ отличается от известных тем, что позволяет повысить допустимую плотность тока выпрямителя. Это достигается тем, что в поверхностный слой аморфного или кристаллического селена методом...

Номер патента: 144913

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Грехов, Лебедева, Портной, Темпман, Тимошик, Учайкин

МПК: H01L 29/00

Метки: вентиль, германиевый, малогабаритный

...электронно. дырочный переход 2 при небольшом расходе охлаждающей жидкости и, с другой стороны, сохранить большую теплоемкость конструкции за счет выступов 5 и 6 оснований 3 и 4 и, следовательно, изготовлятЬ вентили с улучшенными перегрузочными характеристиками.Применение полиэтиленовых изолирующих колец 7 и эпоксидного клея 8 для герметизации вентиля и использование для подвода охлаждающей жидкости штуцеров 12, совмещенных с токосъемными и крепежными шпильками, обеспечивает компактность конструкции вентиля.Симметричная конструкция последнего и гибкий токосъемник вывода 13 позволяют очень удобно компановать предлагаемый вентиль в различные схемы с применением последовательного и параллельного соединений.Предмет...

Номер патента: 144914

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Лашин

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, гибких, обжима

...перемещаться по диагоналям шестиугольника, образованного их гранями, к его центру, обеспечивая при этом постепенное угеньшение площади шестигранного рабочего отверстия. Применение предложенного устройства позволяет получать более полный и надежный обжим гибких выводов.На фиг. 1 изображено устройство; на фиг 2 -система по одному из возможных вариантов.В шестиугольное отверстие плиты ос установлены ь призм 2, снабженных штифтами 3.Кулачковая система из шести призм, установленных в шестиугольном отверстии основания, приводится в движение поворотом диска 4, имеющего удлиненные отверстия 5 для штифтов 3 и рычаг б для приложения к нему внешнего усилия.Конструкция кулачковой системы может быть видоизменена следующим образом.В плите...

Номер патента: 145665

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Заргарьянц, Попов, Таубкин

МПК: H01L 23/00

Метки: глубины, залегания, переходов, р-п

...чем обеспечивается постоянство давления. С целью ослабления динамических нагру145665зок и устранения опасности повреждения образца, применен воздушный демпфер 9,Столик б (фиг. 3) с креплением для образца может поворачиваться на небольшой угол а вокруг оси 10 относительно каретки 5.Поворот столика в вертикальной плоскости осуществляется специальным винтом 11 и пружиной 12, угол поворота указывается индикатором 1 ", горизонтальное перемещение каретки 5 со столиком б производится микрометрическим виконтом 14 (фиг. 2), а величина перемещения фиксируется индикатором 15,Оптическая система 7, предназначенная для измерения угла косого среза образца, представляет собой тубус с объективом от микроскопа и окуляром.Измерение глубины залегания р -...

Номер патента: 146411

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Горохов

МПК: H01L 31/11

Метки: инерционных, оценки, свойств, фототриодов

...и частота, при которой выходное напряжение равно 7,01 милливольт, является граничной, т, е. У=Поз).Погрешность в оценке инерционных свойств по предлагаемому спота чувствительности, то; то - постоянные времени, При ( 1оусловие выполняется для всех фототриодов) величина погрешности не превышает погрешности известных способов, а для диффузионных фото- триодов предложенный способ обеспечивает более высокую точность определения частотной характеристики, так как инструментальная по. грешность не превышает 1 - 3%.Предлагаемый способ может быть использован и при наличии постоянной засветки. При изменении уровня засветки изменяется режим это Ьа,собу определяют из равенства = -- гдето, - граничная частооз(г146411по постоянному току...

Номер патента: 146757

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Жилевич

МПК: H01L 31/04

Метки: видеосигналов, изображений, оптических, преобразования, серию

...чего полупроводниковые слои оказываются под действием электрического поля, Материалы полупроводников подбцрают4 б 757ся такими, чтобы их максимумы спектральной чувствительности находились в различных областях спектра,Если изображение 9 спроектировать объективом 10 на полупроводциковый слой 4, то на освещенных участках этого слоя проводимость увеличится пропорционально освещенности и через слой 4 к границе раздела слоев 4 и 5 начнут идти заряды с проводящей пленки б. Спектральный состав проектируемого изображения выбирается таким, чтобы он не содеркал лучей, к которым чувствителен полупроводниковый слой 5, вследствие чего на границе раздела слоев 4 и 5 будут скопляться электрические заряды, образуя потенциальный рельеф, соответствующий...

Номер патента: 146883

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гершензон, Козлов, Кузнецов, Перепеч, Разин, Сычев, Циркин

МПК: B23K 3/053, H01L 21/60, H05B 3/02 ...

Метки: выводов, индиевым, нагревательное, полупроводниковых, приборов, припайки, электродам

...нагревательного элемента (пластинка) с треугольными вырезами в области рабочей зоны.Нагревательное устройство представляет собой нагревательный элемент, подключаемый к источнику электрического тока с неболыппм напряжением (3 - 5 в). Элемент выполнен в виде пружиняшей пластинки 1 с уменьшенной шириной в области рабочей зоны. Пластинка изготовлена из тугоплавкого материала с высоким омпческим сопротпвлснием, например нихрома, и изогнута под острым углом в области рабочей зоны. Для уменьшения ширины в этом месте пластинка снабжена треугольными вырезами, име 1 ощими в плане форму, изображенную на фиг, 2. Уменьшение сечения пластинки в области рабочей зоны создает высокую температуру в месте ее непосредственного контакта с вывоЛо 146883...

Номер патента: 146884

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Гутин, Пусеп

МПК: H01L 21/04

Метки: полупроводниковых, приборов, точечных, формовки

...ленте, нагреваемой импульсом переменного тока,На чертеже изображен эскиз устройства.Перпендикулярно контактной игле 1 приварена танталовая лента 2, нагреваемая импульсом переменного электрического тока. Контактная игла 1 опирается на поверхность полупроводниковой пластинки-кристалла 3. Сильно разогретая лента передает импульс тепловой энергии контактной игле. В результате этого происходит локальный разогрев кристалла у контакта создается область с дырочной проводимостью на кристаллс, и образуется р - и переход, обуславливаюгцнй выпрямительное действие диода.Отсутствие электрического поля при этом позволяет наблюдать за вольтамперной характеристикой диода в процессе формовки. Предмет изобретения Устройство для формовки точечных...

Номер патента: 147257

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Петров, Плотников

МПК: H01L 21/00

Метки: автоматической, выводов, полупроводниковых, приборов, припайки, установки, центр, электродам, электродных, электродов

...все координатные перемещеня кареток 4 при помощи коромысла 8, длина плеч которого устанавливается .в зависимости от кратности увеличения кристалла Электродная проволока 9, сварочные электроды 10 и ножи 11 укреплены па монтажной каретке 12 и перемешаются вместе с ней. УСТРОЙСТВО ДЛЯ УСТАНОВКИ ЭЛЕКТРОДНЫХ ВЫВОДОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ В ЦЕНТР ЭЛЕКТРОДОВ И АВТОМАТИЧЕСКОЙ ПРИПАЙКИ ВЫВОДОВ К ЭЛЕКТРОДАМ147257Проекционное устройство 13, печь 14 нагрева газа и осветители б неподвижны, На чертеже слева показано положение исполнительных механизмов в момент поиска электродов. После того, как фотоэлемент 7 своей чувствительной частью установился в центр проекции электрода на экране, механизм координатного перемещения поисковой каретки...

Номер патента: 147258

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Ахламенок

МПК: H01L 21/00

Метки: выводов, полупроводниковых, приборов, электродов

...производительность труда и снизить брак. Предмет изобретения Составитель описания Г. А Емельян ед А. А, Камышникова 1(орректор В, Андрианов Кутафина дакто бум. 70(108/иж 1000и открытий при СЧеркгсскии пер., д.Мо Форма Объем 0,18 изд л. Цена 4 коп. вете Министров СССРПодп. к печ. 7 У 1-62 г.Зак. 6006ЦБТИ 1(омитета по делаМоск 1 изобрете а, Центр, М. пография ЦБТ сква, Пгтоовка, 14 1. Устройство для изготовления выводов (электродов) для полупроводниковых приборов, включающее в себя механизм для продвижения и обрезания проволоки определенных размеров, отличающее с я тем, что, с целью получения на конце вывода (электрода) шарика требуемого диаметра, проволока используется в качестве одного из перемещающихся электродов по отношению к...

Номер патента: 147687

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Зубрицкий

МПК: H01L 29/78

Метки: канальный, полупроводниковый, тетрод

...достигнуто тем, что в нем применен дополнительный электрод-ловушка неоснованных носителей тока.На чертеже изображена конструкция предлагаемого тетрода,Тетрод снабжен кольцеобразным наружным затвором 1, выполненным в виде р - п перехода и снабженным выводом 2, истоком 3 с выводом 4 и стоком (коллектором) б электронов с выводом б. Канал 7 тетрода выполнен в виде трубки из полупроводника типа и. Внутри трубчатого канала расположен стержневой дополнительный электрод - ловушка 8, выполненный из полупроводника типа р, снабженный выводами 9,который при подаче на него смещения управляет шириной канала 7.Вследствие того, что электрод-ловушка имеет большую площадь р - иперехода и расположен в области канала и стока (коллектора), он является...

Номер патента: 148143

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Логунов

МПК: H01L 29/88

Метки: диодов, емкости, основанный, перехода, площади, туннельных, уменьшении, уменьшения

...в том, что рабочую плошадьр - п перехода туннельного диода уменьшают за счет изменения электрической структуры исходного материала, для чего на полупроводникнаносят тонкий слой материала того же типа, но с меньшим удельнымсопротивлением.Во время вплавления выпрямляющего контакта происходит проплавление поверхностной пленки и образование надежного р - и перехода как с пленкой, так и с основной массой полупроводникового кристалла.Применяя тонкие поверхностные слои низкоомного материала, можно получить туннельные диоды с очень малой емкостью. На полупроводниковый кристалл поверхностный слой наносят, например, при помощидиффузии примесей или осаждением низкоомного материала из газовойфазы и т. д.Государственный комитет...

Номер патента: 148144

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Березина, Бочарова, Геллер, Евдокимов, Ильницкая, Кочин, Омеров, Салынский

МПК: H01L 21/10

Метки: вольтамперной, выпрямительных, крутой, селеновых, характеристикой, элементов

...основной слой селена при температуре подложки 100 - 12Способ, согласно изобретению, осуществляется по следующнологии:подготовка элементов, отбивка песком, висмутированиеэлектрода;нанесение первого слоя селена толщиной 10 - 15 микрон инературе подложки 60 - 80,нанесение слоя селена толщиной 5 микрон с присадкой галтемпературе подложки 100 - 120;нанесение основного слоя селена при температуре подложк120";нанесение катодного сплава, содержащего галлийМногослойные селеновые элементы со средним слоем селдержащим галлий, имеют малое сопротивление в пропускном нании и большую крутизну вольтамперной характеристики.Благодаря этому при утроенном значении плотностиционного тока 75 ма/сиР, величина прямого падения напрявых элементоВ нИже,...

Номер патента: 148145

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Носов

МПК: H01L 21/477

Метки: вплавления, кремний, олова

...размеров диаметра шара, соответствующего по весу навеске олова, Это позволяет получить равномерный фронт вплавления олова в кремний по всей поверхности их соприкосновения.На чертеже изображено устройство для осуществления предлагаемого способа вплавления олова в кремний.Оловянный шар 1, предназначенный для вплавления, немного расплющивается и помещается на кристалл кремния 2. Затем кремний с оловом помещается между двумя жестко связанными между собой пластинами 3 и 4, Расстояние между пластинами 3 и 4 должно быть меньше суммы размеров толщины кристалла кремни 2 и диаметра оловянного шара 1 до его расплющивания. После этого стройство помещают в нагревательную печь.По мере нагревания олово расплавляется и за счет сил поверхностного...

Номер патента: 148154

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Седов

МПК: G03G 13/00, H01L 21/02

Метки: изображения, переходов

...проходят объектив 8 микроскопа, оптическое устройство 4, проекционную линзу 5 и фокусируются на флуоресцирующий,экран б, на котором через окно 7 ведут наблюдение за состоянием р-и перехода.Под экраном б размещена фотокассета 8 с набором фотопластинок, которые могут последовательно подаваться под экспозицию, в результате чего осуществляется фотографирование изображения с экрана б. Вакуум внутри микроскопа обеспечивается диффузионным 9 и форвакуумным 10 насосами. Питание к электродам микроскопа н ионной пушке 2 подводится с высоковольтного выпрямителя 11,При смене объекта исследования или фотокассеты внутрь микроскопа впускается воздух, который во время наблюдения откачивается насосами 9 и 10.М 148154 Объект исследования...

Номер патента: 148157

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Горохов

МПК: H01L 31/11

Метки: включения, фототриода

...эмиттера включают конденсатор С, препятствующий пготе. канию постоянного тока, а в цепь базы - двухполюсник 2, который имеет малое сопротивление постоянному току и большое сопротивление на час 1 оте сигнала. В такой схеме постоянный ток эмиттера равен нулю и не зависит от уровня светового фона, а шумы обусловлены только составляющей обратного тока коллекторного перехода. Емкость С выбирается такой, чтобы на частоте сигнала ее сопротивлением можно было пренебречь, а сопротивление двухполюсника на частоте сигнала было намного больше, чем дифференциальное нулевое сопротивление эмиттера. В этом случае эмиттер и коллектор будут закорочены по переменному току (если пренебреч сопротивлением У), а база - разомкнута. Чувствительность...

Номер патента: 149153

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Пашкевич, Самохвалов

МПК: H01L 21/33

Метки: диффузионных, кристаллических, триодов

...р загружа Известен оподов типа р - и -вые сопротивленпряжения,Предлагаемских триодов отлной на ней рискобразования эмися в атмосферения диффузии клективное травлреходами.Такой спасо особ изготовления диффузионных кристалличе ся использованием пластинки германия с нанесен которую вносятся вещества, предназначенные для ого и базового контактов. Диффузия производит да при повышенной температуре, а после оконча одам припаиваются контакты и производится се ерманиевой пластинки с полученными на ней пе149153 Предмет из обретения Способ изготовления диффузионных кристаллических триодов типа р - и - р, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что для упрощения технологии производства на пластинку германия наносится риска, в которую вносятся...

Номер патента: 149506

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Волков, Новиков

МПК: H01L 21/52

Метки: выпрямляющих, пайки, элементов

...диодов иператур от - 120 до + 150.Объясняется это тем,. что выпрямляющие элементы находятсяпряженном состоянии, обусловленном разностью коэффициентов тческого расширения материала элемента и припоя,Предложенный способ лишен указанного недостатка,Сущность изобретения заключается в том, что пайка выпрямляющих элементов производится с применением прокладок из чистогосвинца,Пайка согласно предложенному способу заключаетсяЧистый свинец раскатывается в полосу толщиной 0,3такты выпрямляющих элементов и полоса свинца покрывалитическим путем тонким слоем сплава свинца и олова, Ирезаются шайбы требуемого диаметра.Пайка с этими шайбами производится так же, как и с проклиз молибдена и вольфрама при температуре 220 - 240.При этом применяются те...

Номер патента: 149507

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Кондрашева, Носов, Русскова

МПК: H01L 21/40

Метки: алюминиевой, вплавления, кремний, проволоки

...р - и перехода по предлагаемому способу вплавления алюминиевой проволоки в кремний,В графитовую кассету 1 устанавливают вплавляемую алюминиевую проволоку 2 так, чтобы ее конец выступал над дном гнезда кассеты, на конец проволоки помещают кремниевый кристалл 3, Над кристаллом устанавливают графитовую пробку 4, а сверху груз 5, прижимающий кристалл 3 к алюминиевой проволоке 2, Затем полученную кассету в сборке выдерживают при температуре порядка 600 - 630, т, е, ниже температуры плавления алюминия.Хороший механический прижим и низкая температура вплавления обеспечивают получение плоского фронта вплавления алюминия в кремний и позволяют избежать появление трещин в р - и переходе после его охлаждения,149507ЪПредлагаемый способ может найти...

Номер патента: 149817

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Зарецкий

МПК: H01L 35/32

Метки: термоэлектрогенератора-аккумулятора, эксплуатации

...резервуар 1 заполнен веществом 2, аккумулирующим теплоту, температура плавления которого не выше максимальной рабочей температуры термоэлементов 3, покрывающих всю поверхность резервуара. Горячие спаи термоэлементов располагаются на поверхности резервуара 1, а холодные спаи охлаждаются радиатором 4.Для приведения термоэлектрогенератора-аккумулятора в работу, к зажимам 5 необходимо подключить источник электрического тока.В результате протекания постоянного тока в горячих спаях термоэлектробатареи, работающей в качестве теплового насоса, выделяется теплота, которая нагревает, а затем расплавляет вещество 2. После полного расплавления, последнего подача электрического тока прекращается,...

Номер патента: 149835

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Журавлев, Киреев

МПК: H01L 21/311

Метки: кремния, поверхности, рельефа

...путем осаждают никель, который покрывают слоем желатина и фотоспособом вытравливают с пробель. ных мест никель до кремниевой подложки, получая рисунок заданной конфигурации. г 1 ля травления используют раствор, состоящий нз 1 части Нр 10 1 части Н,804 и 8 частей СНаСООН, не разрушающий желатинового покрытия, После удаления оставшегося на поверхности желао типового слоя заготовку обрабатывают при температуре около 1000 .В процессе термообработки происходит вплавление рисунка в кремний и образование на незашишенной пове 1)хности кремния окисноЙ пленки, Затем заготовку обрабатывают в шелочном травителе, напри-. мер в кипящем 30%-ном растворе КО 1-1, В процессе обработки стравливается эвтектика кремний - никель до получения рельефа...

Номер патента: 150176

Опубликовано: 01.01.1962

Автор: Левинзон

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, полупроводниковых, потенциальный, проводимости, типа

...боковые отверстия в стенках заполняется жидким газом.Включается зонд по обычной схеме потенциального зонда, Через ко такт зонда со слитком 5 пропускается переменный ток от источника регулируемого напряжения,Падение напряжения на контакте и на сопротивлении Р 1, включенм последовательно слитку, подается соответственно на горизонтальный и вертикальный усилители электронного осциллографа 6, на экране которого наблюдается вольтамперная характеристика.Для проведения измерения зонд опускают в сосуд Дюара, где онохлаждается в течение 20 - 30 сек. Затем зонд приводится в контакт сослитком. Хорошая теплопроводность контакта создает в слитке локальную область примесной проводимости, т. е. собственные носители заряда в этой области практически...

Номер патента: 150177

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Давидович, Кучинская, Фиалков

МПК: G01K 7/02, H01L 35/34

Метки: термопар, углеграфитовых

...и знак носителей, т, е. р-и переход.Углеграфитовый орусок прямоугольного или круглого сечения прорезают вдоль алмазным диском и на конце оставляют перемычку толшиной 10 - 15 ял. Таким образом получаются два стержня.Оба стержня помещают в печь в среду инертного газа с примесью бора и нагревают до температуры около 1000, затем стержни продол150177жают нагревать только в инертной среде до 3000. После этого стержни помещают в атмосферу хлора также при температуре до 3000, при этом происходит удаление из обоих. стержней всех примесей, кроме бора. Далее один стержень защищают от воздействия среды и нагрева (охлаждают проТрчной водой), а второй нагревают в атмосфере фреона опять-таки до 3000; чем обеспечивается удаление бора из...