H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1027792

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Кострова, Максимова, Федоров

МПК: H01L 21/312

Метки: качества, позитивных, фоторезистов

...не изменяет растворимости в щелочных растворах пленки фоторезиста, ранее интенсивно облученной и прошедшей термообработку. Если фоторезист старыйи не пригоден. к работе, то в немв процессе хранения образуются "сшивки" подобные тем, которые образуютсяв фотореэисте, подвергнутом интенсивному облучению и термообработке.Наличие "сшивок" ухудшает растворимость фоторезиста в проявителе. Визуальным признаком старого фоторезиста является темно-коричневая окраска,обусловленная образованием дополнительных Т связей, й- й у сшитыхолигомеров фотореэиста.Старые фоторезисты, подвергаемыетолько дополнительному облучениюс интенсивностью ниже оптимальнойне уменьшат свою щелочестойкость,так как дополнительное облучениене окажет влияния на сшитые...

Номер патента: 1027793

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Григорьев, Карпова, Соколова

МПК: H01L 21/312

Метки: рисунка

...разрешающей способности процесса.Поставленная цель достигается тем, что согласно способу получения рисунка, включающему нанесение на подлож ку слоя фоторезиста, Формирование в нем защитного рельефа методом фотолитографии, предварительное травление подложки, термообработку до размягчения защитного рельефа и окончательное травление подложки, термообработ"65 ку проводят в парах диметилформамида при 10-50 фС, причем после термообработки проводят дополнительную сушку защитного рельефа.Термообработка слоя Фоторезиста в парах диметилформамида,обеспечивает контролируемое размягчение пленки фоторезиста вдоль края отверстия и качественное смачивание поверх" ности подложки растекающейся пленкой.Край слоя фотореэиста подвергается воздействию...

Номер патента: 1027794

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Усманов, Хамаев

МПК: H01L 21/312

Метки: отверстий, пленке, полиимидной

...взаимодействуют с материалом наносимого слоя, изменяют его свойства. В конечном итоге маскирующее 40 покрытие локально отслаивается и не выполняет своих защитных функций, что ухудшает во роиэводимость размеров получаемых отверстий, и снижает качество и надежность микро схем, в которых полиимидная пленка является изоляцией или подложкой.Цель изобретения - повышение воспроизводимости процессаПоставленная цель достигается 50 тем, что согласно способу получения отверстий в полиимицной пленке, включающему нанесение на поверхность пленки маскирующего слоя, формирования в нем рисунка методом фотолитографии и травление полиимидной пленки в кислородсодержащей плазме, перед нанесением маскирующего слоя и перед травлением полиимидной пленки...

Номер патента: 1027795

Опубликовано: 07.07.1983

Авторы: Веселов, Вьюшкин, Иванов

МПК: H01L 21/60

Метки: выводных, микросхем, подложками, рамок, сборки

...полках рычагов выполнены зацепы для концов выводных рамок.На фиг.1 изображено устройство, общий вид; на фиг.2-4 - узел совме- щения выводных рамок с подложками в различных рабочих положениях; вид спереди, на фиг.5 и б - то же, вид сбоку.Устройство содержит механизм 1 подачи подложек, механизм 2 подачи выводных рамок, узел 3 совмещения бО выводной рамки с подложкой, нагреватель 4, механизм 5 сборки, и механизм б выгрузки готовых изделий. Механизм 2 подачи выводных рамок соединен лотком 7 с узлом 3 совмеще ния, а механизм 1 подачи оснований соединен лотком 8 с направляющей 9 нагревателя 4. Узел 3 совмещения содержит ползун 10 и механизм разведения концов выводных рамок, содержащий полэун 10 и механизм разведения концов выводныХ рамок,...

Номер патента: 1029268

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Агафонов, Муцкий

МПК: H01L 21/00

Метки: обработке, поддерживания

...выточка 18, с которой при крайнем левом положении штока 10 (во время от" вода) соединяется канал 12 в штоке. Канал 17 выполнен меньшим диаметром, чем канал 12, что уменьшает пневматический удар при действии сжатого воздуха на отрезанную пластину.Полость 19 гидроцилиндра 3 сообщается через трубопровод 20 с полостью рабочего хода силового цилиндра стола станка, а полость 21 - трубопроводом 22 с полостью обратного хода стола станка,На штоке 10 выполнен паз, в который своим гладким концом входит винт23 ограничивающий осевое перемещение штока 10 в расточке поршня 9.Корпус 1 установлен на верхнем столе станка в поперечных направляющих 24 и шарнирно связан с неподвижно закрепленной на станине станка направляющей линейкой 25 посредством...

Номер патента: 1029269

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Афанасьев, Журавский, Лифлянд

МПК: H01L 21/00

Метки: ленты, перемещения, перфорированной, фиксации

...на каждой иэ которых смонтированы механизм 4 фиксации, датчик 5 наличия ленты и сварочные головки 6.Иеханизм 4 фиксации включает в себя верхний прижим 7 ленты (фиг.2), закрепленный на каретке вертикальных перемещений 8, кинематически связанной с кулачком 9 приводного механизма 10, ловитель 11, установленный наз 10292дополнительной каретке 12 горизонтальных перемещений, расположеннойперпендикулярно оси ленты, упругозамкнутой посредствомпружины 13 нарегулируемый упор 14, образующий механизм регулирования величины перемещений каретки, Горизонтальная каретка 12 закреплена на кронштейне 15,выполненном в виде Г-образного основания с консолью, контактирующей Ос одним плечом рычага 16 (вид 62,другое плечо которого несет бесконтактный...

Номер патента: 1029270

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Мясищева, Окованцев, Пирогов

МПК: H01L 21/68

Метки: диффузии, кассета

...к области то же, вид сбоку, разрез Б-Б; на изготовления полупроводниковых при- фиг.5 - разрез А-А, установка пласборов и может быть использовано для тины.проведения процессов диффузии в по- Кассета содержит держатель для лупроводниковые пластины, в частнос источника диффузии - рамку 1, накоторой выполнены выступы 2 с паза- в потоке газа-носителя. ми 3 для пластин источника диффузииНаиболее близкой к предложенной и Фиксаторы 4. Держатель для полупроводниковых пластин рамка 5 имеет10 выступы 6 с пазами 7 для полупроводниковых пластин, Пласты нарезаныпод углом 45 О к плоскости кассеты.Рамка 5 выполнена съемной и устаНедостатком известной конструкции навливается на рамку 1, при этомее выступы попадают в промежуткимежду выступами рамки...

Номер патента: 1029271

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Корнух, Кудриченко

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...что приводит к использованию их при значительно меньших мощностях.Цель изобретения - повышение эффективности охлаждения путем обеспечения равномерного теплового поля наконтактной пластине.1Поставленная цель достигается тем,что в устройстве для охлаждения полуЗ 5"проводниковых приборов, содержащемконтактную пластину с рабочими поверхностями и с каналом для охлаждаю"щей жидкости, выполненным в виде двухспиралей, бифилярно соединенных междусобой, спирали канала расположеныв одной плоскости, параллельной рабо"чим поверхностям;,контактной пластины,причем между смежными винтками спи,ралей канала выполнены сообщающиеся. с ними пазы, поперечное сечение которых меньше поперечного сечения каналаПазы ориентированы под углом на"встречу...

Номер патента: 816331

Опубликовано: 15.07.1983

Авторы: Залетин, Ножкина, Петрунина, Рогозина

МПК: H01L 21/461

Метки: иодида, полирующий, ртути, травитель

...широкоиспользуемого травителя метанол рассмотрен быть не может. Кроме того, скорость травления образцов Ндд 2 метанолом составляет не более 0,9 мкм/с, а на стран- ленной поверхности остаются четкие Фигуры роста кристалла в виде пирамид, вершины которых со временем постепенно растравливаются.Наиболее близким техническим решением является полирующий трави- тель для иодида ртути, включающий 45 галогенсодержащий компонент и воду 2.В качестве галогенсодержащего компонента используют 10-20 мас, водного раствора иодистого калия. 50Недостатками известного травителя являются: Для получения полированой поверх-ности образца необходимо снимать понескольку сот микрон материала, иприведенная скорость травления представляется...

Номер патента: 1030747

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Анишкевич, Колешко, Кривоносов, Сунка

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, характеристик

...дополнительно введена схема накопления, информационные входы которой являются входами этого блока, ее первый выход соединен с дополнительным входом первой схемы И и входом первого .элемента задержки, а второй выход подключен к второму входу схемы обработки, управляющий вход которого соединен с вторым входом сумматора 10 и входом второго элемента задержки, выход которого подключен к второму входу сумматора, причем выход первого элемента задержки соединен с вторым входом схемы И, а второй выход схе мы обработки соединен с третьим входом схемы накопления.Такое построение устройства позволяет в едином цикле оперативно произвести измерение полной гисте- р 0 резисной нольтфарадной характеристики путем измерения величины опорного...

Номер патента: 1030887

Опубликовано: 23.07.1983

Авторы: Владимирова, Иванченко, Климов, Самохвалов

МПК: H01L 29/47

Метки: диода, кольцом, охранным, шоттки

...с барьером Шоттки.Устранение утечек приводит к уменьшению абсолютной величины токов призаданном напряжении и к увеличению зависимости прямого тока от приложенного напряжения 2 3Однако этот способ довольно сло 50жен, а диоды, изготовленные этимспособом, имеют ограниченный частотный рабочий диапазон вследствиепараллельного включения емкости р-пперехода охранного кольца.Целью изобретения является упрощение изготовления и расширение частотного диапазона диода. 3Эта цель достигается тей, что согласно способу изготовления диода Шоттки с охранным кольцом, включающему нанесение на полупроводниковую пластину и-типа проводимости тылового омического контакта, формирование диэлектрического слоя и охранного кольца и электрохимическое осаждение...

Номер патента: 1032499

Опубликовано: 30.07.1983

Авторы: Дерягин, Тарасов

МПК: H01L 37/04

Метки: двигатель, магнитно-тепловой

...двигатель, общий вид.Двигатель содержит корпус 1, закрепленный на корпусе постоянныймагнит 2, кольцеобрвзный ротор 3,закрепленный нв валу 4. Ротор выполнен в виде чередующихся участков пзИнверсйонных постоянных магнитов 5 (нвчертеже заштрихованы), разделенных теплоизолируюшим материалом 6 (незаштрихованные участки). Часть ротора, прилегающая к постоянному магниту 2, находитсяв зоне 7 охлаждения, в противоположная -в зОне Янагрева, Постоянный магнит 2 мсжет быть расположен в зоне охлажденияили вне ее. Ротор расположен твк, чтонаправление намагниченности в инверсионных постоянных магнитах, прилегающих кпостоянному магниту 2 совпвдает с направлением его поля (показано стрелками),Двигатель работает следующим образом.Б...

Номер патента: 1033585

Опубликовано: 07.08.1983

Автор: Андреев

МПК: H01L 21/306

Метки: антимонидов, группы, раствор, травления, третьей, элементов

...0,4-0,5Вода ОстальноеНаличие в составе раствора изопропилового спирта позволяет повысить активность раствора. Это объясняется тем, что изопропиловый спиртпроявляет высокие поверхностно-активные свойства в связи с большой подвиж.ностью водорода гидроксильной группы.уменьшение концентрации изопропилового спирта приводит к значительному снижению скорости травления,а увеличение ведет к перерасходуреактива и снижению эффективностипроцесса травления.ФВведение фтористого натрия в количестве 0,4-0,5 вес, позволяетодновременно с повышением активности раствора стабилизировать процессхимического травления за счет окислительно-восстановительной реакцииМежду компонентами полупроводникаи азотной кислоты. Фтористый натрий в водном растворе...

Номер патента: 1033993

Опубликовано: 07.08.1983

Автор: Беренштейн

МПК: H01L 21/66

Метки: пленок, резистивных, свойств, тонких

...остаточных газов пленкой вследствие физической и химической сорбции, то электрические свойства напыленных ,резистивных пленок (удельное поверхностное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления и др.) зависят от степени их окисления.Степень окисления пленки (при фикси. рованной температуре подложки) однозначно определяется отношением количества молекул газов к количеству молекул испаряемого вещества, попадающих на единицу поверхности пленки за единицу времеви. Степеньокис ления пленки будет постоянной, если стабилизировать отношение давления остаточных газов в камере напыления к скорости напыления пленки.Цель изобретения - упрощение контроля процесса напыления и повышение60 Этот сигнал может быть использован для...

Номер патента: 928946

Опубликовано: 07.08.1983

Авторы: Залетин, Ножкина, Петрунина, Рагозина

МПК: H01L 21/465

Метки: дийодида, ртути, селективный, травитель

...соединений ртути. Это требует дополнительных мер беэопас " ности при. использовании и хранении травителя, что создает трудности в его применении и удорожает обработку кристаллов,Наиболее близким техническим решением к изобретению является селек тивный травитель для дииодида ртути,. включающий галогеносодержащий ком-.понент и воду Г 2 . Травйтель представляет собой 20-ный водный раствор КХ,Исследования селективной способ-.ности 20-ного водного раствора КЮпоказали, что скорость травления об,разцов Ндд 2 20-ным водным раство"ром иодистого калия составляет5,6 мкм/с, на протравленной поверхности образца остаются четко выявлен.ные дислокации в виде ямок травления,имеющие форму четырехугольников иразмеры 5"10 мкм.При использовании...

Номер патента: 1035682

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Зайцев, Рогов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, сортировки, транзисторов, электрическим

...20 и 21.К защелкам 18.и 19 крепятся упоры 22 и 23 соответственнд, фиксирующие угловое положение ключа транзистора. Над кареткой 3 установлены неподвижные направляющие 24 и 25, выполнен.ные из эластичного материала с большим коэффициентом трения. и защелкам 18 и 19 прикреплены ролики 26и 27 соответственно. Оба роликавзаимодействуют с копиром 28,размещенным у питателя 2, кроме того ролик 26 взаимодействует с толкателем 29, а ролик 27 - с толкателем .30, сообщая вертикальные перемещения защелкам 18 и 19 и закрепленнымна них упорам 22 и 23. Неподвижныеножи 10 и 14 примыкают к контактнымколодкам д и 9 соответственно иустановлены в плоскости движениятранзисторов при транспортированииих от питателя 2 к этим колодкам.Для прохождения подвижных...

Номер патента: 1035683

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Силин, Шмидт

МПК: G01R 1/067, H01L 21/66

Метки: головка, сопротивления, удельного, четырехзондовая

...т.езависитот неровности контролируемой поверхности, точности регулировки и постоянства упругих свойств пружин,Цель изобретения - повышениеточности измерения и технологичностиконструкции.Поставленная цель достигается, тем, что в четырехэондовой головкедля измерения удельного сопротивления материала, содержащей корпус,зонды и токосъемники, установленныена корпусе, и прижимную систему,прижимная система выполнена в видедвух равноплечих изолирующих рычагов, расположенных симь)етрично,относительно токосъемников и опирающихсясвоими плечами на середины смежныхтокосъемников, и четырехплечегорычага, два противоположных плеча 45которого установлены на корпусе шарнирно с возможностью взаимодействиядвух его других плеч с...

Номер патента: 1035684

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Козьянский, Мурадов, Нежданов

МПК: H01L 23/40

Метки: крепления, полупроводниковых, приборов

...на поверхностях прижим;ного элемента, контактирующих сзакрепленными элементами.Цель изобретения - уменьшениегабаритов и повышение надежностив работе.Укаэанная цель достигается тем,что в устройстве для крепления полупроводниковых приборов, содержащемцилиндрический корпус с опорнымиплощадками для установки полупроводниковых приборов, расположенными наего наружной поверхности, и прижимнойузел, снабженный стяжным элементом,на наружной поверхности корпусавыполненыопорные выступы, междукоторыМи расположен ; стяжной элементприжимного узла, а опорные площадкирасположены симметрично по обе стороны опорных выступов с угловым шагом,величина которого увеличивается всторону от каждого опорного выступапо следующей зависимости:и-л1 иА р 2.в"сеюи-л1-ИМ...

Номер патента: 893095

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Карпова, Корнилов, Привезенцев

МПК: H01L 27/20

Метки: полупроводниковый, элемент

...из-за того, что в кристаллах, в которыхвозбуждаются колебания тока типа реком.бинационных волн, вблизи катода локализуется активная область колебаний, Именно ее деформация буцет приводить к изменению частоты колебаний тока. Протяжность этой .области 3 1. р . Отношениерасстояния между планарными контактамик расстоянию между катодом и инценторомдолжно быть не более семи иначе возможно возбужцение колебаний от несколькихактивных областей. Это приведет кнегармоничности выхоцного сигнала ик невозможности преобразования цавленияв частотный сигнал. Размеры инцентораЭ цолжны быть заключены в пределахр С О ( Ыр. Минимальное значение Х)обусловлено йороговой чувствительностьюприбора. Максимальныйразмер выбран изтех предпосылок, что должно быть...

Номер патента: 812112

Опубликовано: 15.08.1983

Авторы: Медведкин, Руд, Ундалов

МПК: H01L 31/04

Метки: анализатор, излучения, линейно-поляризованного

...опти.- ческие оси которых лежат а плоскости гетерограницы, указанные оси параллельны между собой, причем коэффициент несоответствия параметра. ихкристаллических решеток в направле-.нии оси не более 1 ГТакое выполнение. обеспецивает поляризационную фотоцувствительность в широкой области спектра, определяемой шириной запрещенной зоны веществ слоя и подложки.1 оскольку использованные полупроводники обладают анизотропией оптических переходов, то. анализатор чувствителен к линейной поляризации, излучения в широком спектральном диапазоне, который также .определяется шириной запрещенной зоны анизотропного слоя и анизотропной подложки. Ориентация слоя в направлении оптической оси подложки необходима для выполнения соответствия правил отбора...

Номер патента: 1037360

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Гавриков, Еремеев, Золотарев, Кононов, Махаев

МПК: H01L 21/00

Метки: накопитель

...ширине наименьшего корпуса, а ширина выступа с соседним пазом и другим выступом в сумме равна ширине последующего типоразмера корпуса ДИП. Над направляющими 2 на четырех колонках 3 установлена крышка 4, образующая с выступами замкнутый канал для ИС 5, изменяющийся по высоте за счет того, что между основанием 1 и крышкой 4 установлены цилиндрические пружины б сжатия. Крышка удерживается на колонках с помощью гаек 7, Отпуская или заворачивая гайки, можно изменять зазор между крышкой и выступами направляющих в зависимости от высоты корпуса ИС. На выходе из направляющей напротив выступа каждой направляющей расположен подпружиненный стопор 8, установленный на оси 9.Пад каждым стопором установлены микровыключатели 10. В нижней части...

Номер патента: 1037361

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Бычков, Сергеева, Страхов

МПК: H01L 21/00

Метки: бескорпусной, интегральной, микросхемы, тара-спутник

...бескорпусной интегральной микросхемы, соединенный с вакуумной системой, и размещенную под 4 ней металлическую пластину, и крышку с элементом ее фИксации, снабжена прижимным диэлектрическим винтом, торцовая поверхность которого имеет форму поверхности кристалла бескор" пусной интегральной схемы и который расположен в отверстии, выполненном в центре крышки, а в металлической пластине основания выполнен выступ, который расположен в сквозном пазу диэлектрической пластины основания..На фиг. 1 изображена тара-спутниц с размещенной. в ней бескорпусной. полупроводниковой интегральной микросхемой, вид сбоку; на фиг. 2- то же, вид сверху. 6Тара-спутник содержит основание, выполненное из диэлектрической пла" стины 1 и металлической пластины 2,...

Номер патента: 1037362

Опубликовано: 23.08.1983

Авторы: Дернов, Сурнин, Ярыш

МПК: H01L 23/34

Метки: блок, преобразовательного, устройства

...цель достигается тем, что в блоке преобразовательного устройства, содержащем полупроводниковые приборы и жидкостной канал охлажде" 40 ния, составленный попеременно из изоляционных втулок, имеющих на торцах цилиндрические бурты, на внешние стороны которых установлены эластичные уплотнения охладителей, выполненных 43 в виде втулок с фланцами и элементов Фиксации, на каждой изоляционной втулке у стенок буртов, обращенных к поперечной оси симметрии втулки, выполнены кольцевые канавки, а во фланцах Я) охладителя выполнен ряд радиальных отверстий, в которых и в кольцевым канавках втулок установлены эле" менты фиксации, выполненные в виде фиксирующих вставок с проточками на Бу одном конце.На внешней стороне цилиндрической части фланца...

Номер патента: 1037363

Опубликовано: 23.08.1983

Автор: Фурсин

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральная, схема

...контактов Шоттки в 25 первой и второй р-областях,п -области которых соединены с контактом Шоттки третьей р-области,п -область которой соединена с п+-областью пятой р-области, и первым выходом интегральной схемы, второй выход интегральной схемы соединен с и -областью четвертой р-области23.Недостатком известного технического решения являются малые функциональные возможности.Целью изобретения является расширение функциональных возможностей интегральной схемы.Поставленная цель достигается тем, что интегральная схема, включающая 40 общую область п-типа, расположенные в ней первую, вторую, третью и четвертую р-области, в каждо 9 из которых расположено по одной п 1-области и контакту Шоттки, и пятую р-область 45 с расположенными в ней...

Номер патента: 1037364

Опубликовано: 23.08.1983

Автор: Горбунов

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета

...в виде съемной ращки, установленной по периметру основания, а на съемной крышке выпол-эб иены продольные пазы Ч-образной формы,при атом высота рамки экранирующего элемента выполнена не меньше суммы Высот продольного паза Ч-образной Форьы основания и продольного 60 паза Ч-образной формы съемной крышки, кроме того, экранирующий элемент выполнен в виде съемных планок, уста новленных перпендикулярно продольныМ павам Ч-образной формы. На фиг. 1 показана кассета без крышки, вид в аксонометрии; на Фиг, 2- то же, вид сбоку с крышкой, на фиг. 3 - то же, вид с торца, на фиг. 4. - кассета без крышки с вариантом экранирующего элемента, вид сверху", на фиг. 5 - то же, вид сбоку с крышкой.Кассета содержит основание 1 с гнездами для полупроводниковых...

Номер патента: 886623

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Агафонов, Бондарь, Гарбузов, Ермакова, Лебедева

МПК: H01L 21/66

Метки: внешнего, выхода, излучающих, измерений, квантового, полупроводниковых, структур, электролюминесцентных

...для электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводни ковых структур, содержащее источник питания, соединенный с зондом и плоским омическим контактом, и калиброванный Фотоприемник, соединенный с измерительным блоком 2 .Для определения абсолютных значений внешнего квантового выхода с помощью такого устройства требуется проведение специальных экспериментов по определению эффективности захвата и передачи излучения световодом. Кро 35 ме того, в измерениях всегда будет присутствовать ошибка, связанная с поглощением части излучения под капилляр" ным контактом.40Целью изобретения является повышение точности измерений.Цель достигается тем, что в устройстве для электролюминесцентных измерений внешнего...

Номер патента: 1038891

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Виткус, Лауринавичюс, Малакаускас, Пожела

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: концентрации, носителей, подвижности, полупроводниках

...4, Суммарный сигнал детеклупроводниковых образцов произволь- тируется детектором 5 и подается на, ной формы и имеет нйэкую точность. вход усилителя 15. с выхода усилителяцель изобретения - обеспечение иэ-, 15 сигнал поступает на двухкоординат.мерений параметров полупроводниковых Зо ныйсамописец 16, .на его у-вход., образцов произвольной Формы при позы- на.Х-вход которого .подается ыапряже-шении точности. ние с датчика 17 магнитного поля.указанная цель достигается тем, С изменением величины магнитного по"; что в предлагаемом устройстве измери- ля изменяются фаза и амплитуда протельное плечо образовано двумя отрезшедшего через исследуемый полупроводками металлических волноводов, на об- никовый образец 8 сигнала, На двухращенных друг к...

Номер патента: 1038984

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Иваш, Лепетило, Мурашко, Черкасов

МПК: H01L 21/50

Метки: кристаллов, основаниям, полупроводниковых, приборов, присоединения

...10 кристаллов расположен под нагревателем 3 механизма 2 подачи основний, поэтому для защиты адгезионного носителя 1 О кристаллов от воздействия температуры нагревателя 3 на тракте механизма 2 подачи оснований между нагоевателем 3 и держателем 9 адгезионного носителя 10 кристаллов закреплен узел30 16 охлаждения адгезионного носителя10 кристаллов, выполненный в виде полого экрана 17 (фиг. 3 ) с прикрепленной к нему коышкой 18 с отверсти" яйи 19 и штуцером 20 для отбора теплого воздуха от адгезионного носителя 1 О (фиг.1 и 2 ) кристаллов 21,Для компенсации возможной температурной и усталостной деформации адгезионного носителя 10 кристаллов держатель 9 адгезионного носителя 40 содержит механизм компенсации деформации адгеэионного носителя...

Номер патента: 1038985

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Головко, Мельник, Пархоменко, Цыганюк

МПК: H01L 35/34

Метки: модулей, сборки, термоэлектрических

...предлагаемоеприспособление для сборки термоэлектрических модулей, общий вид;.нафиг. 2-4 - направляющие пластины,используемые в приспособлении,Приспособление содержит корпус1, выполненный в виде цилиндрического стакана, в стенках которого выполйены прорези 2. Корпус установлен в каркасе .3, снабженном прижимным устройством , выполненным в виде толкателя 4, В прорезях корпусаустановлены две группы направляющих пластин, которые, в свою очередьсостоят из верхних и нижних направляющих пластин 5 первой группы,верхних и нижних направляющих пластин 6 второй группы и пластин 7 и 8,ограничивающих модуль по периметру,Направляющая пластина 5 первой группы (фиг.2 ) состоит из двух раздвижных гребенок, установленных в приспособлении так, что зубья...

Номер патента: 919486

Опубликовано: 30.08.1983

Авторы: Захаров, Настаушев

МПК: H01L 21/66

Метки: времени, генерационного, жизни, заряда, мдп-конденсаторах, неосновных, носителей

...частоты для исключения влияния помех. Целью изобретения является повы"шение производительности и точностиустройства.Цель. достигается тем, что в устройстве для определения генерационного времени жизни неосновных носителей заряда в МДП-конденсаторе,содержащем усилитель высокой частоты с амплитудным детектором, генератор импульсов, генератор высокойчастоты, стробоскопический детектор,два выхода которого соединены с входами самопишущего потенциометра,схему синхронизации, первый выход 55 которой соединен с первым входом стробоскопического детектора, а второйвыход соединен с генератором импульсов, выход которого соединен с пер486Устройство работает следующим образом.Импульсное напряжение с выходагенератора 1 через разделительнуюсхему 11...