H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 274839

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Челноков, Шмелев, Якивчик

МПК: H01L 27/00

Метки: многослойная

...рабочей частоты слс;Овация импульсов тока, я та 1(же искл 10- чсцпя искрения и эрозии поверхности цлчИзвестна многослойная структура полуп 1)ОВОдппкОВОГО прибора, содержащая 11 с мсцсс четырех слоев, чередующихся цо типу проводимости, и выход по крайней мере от одной из базовых областей, к которому примыкает слой эмиттерцой области, свободной от омического контакта.Цсль изООретспия - создяцис копстрмкии, кОГОРЯ 51 позВОл 51 сГ Умецп 1 иь ВРС.51;Я винного роста тока цри вклк)чсции тцристоря, я с(сдОГ 1(1 тсл 1 ИО, ускорить рост яцОДИОГЙ тока и узспьшить цсрсгрсв вклк)чсццой зоПредлагаемая структура отличается тем, что ца свободной от омического контакта части эмипсра имеется участок с улучшенным отводом тепла, отделенный от...

Номер патента: 285713

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Думаневич, Молибог, Якивчик

МПК: H01L 29/74

Метки: 285713

...заштрихованнойчасти эмиттрра значительно больше, чем участканаходящегося под ним. Поэтому при10 включении структуры первоначально анодныйток протекает по эмиттерной области с малымсопротивлением. Величина диффузионногосопротивления определяется геометрией эмиттера, уровнем и профилем его легирования,15 При заданной геометрии сопротивление полевой части лепко можно изменить, меняя величину удельного поверхностного сопротивленияв этой части структуры, Кроме того, сопротивление увеличивается п 1 ри уменьшении глуби 20 ны диффузионной области, поэтому в районеполевой части глубина а-эмиттера может, бытьменьше, чем в центре. В качестве сопротивлений полевой части структуры могут быть выбраны,прямоугольные и клинообразные высту 25 пы...

Номер патента: 435925

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Катюков, Пекарев, Ушаков, Чист

МПК: H01L 21/304

Метки: 3hoileptq8i, алмазоподобной, кристаллическойрешеткойвп, монокристалловс, тбфонд, шлифовки

...на определенный угол. Однако полностью исключить отклонение от прямолинейного направления шлифовки и неравномерность съема материала невозможно,Цель изобретения - улучшение качестваповерхности и повышение скорости шлифования,молинейное движение с периодичесротом на заданный угол без отрываот шлифовальника. Способ шлифовки состоит в том, что подложка движется поступательно относительно шлифовальника по многоугольнику. Каждая сторона многоугольника - это кристаллографическое направление (1 Л/1 Ч), входящее в семейство заданных направлений (1.1 Ъ%). При этом все точки поверхности подложки шлифуются кристаллографически одинаково, Например, для подложки, ориентированной поверхностью по (111), задано направление шлифовки (110). Тогда...

Номер патента: 436303

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Институт, Кумис

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: выпрямляющих, контактов, сопротивления

...пользуяоник г=4 Уо З 12 Известен способ выявления выпрямляющих контактов, основанный на 1 подаче переменного напряжения на два,контакта образца, измерении постоянной составляющей тока, протекающего через образец, и вычислении эффективного коэффициента выпрямления контактов. Однако в известаом способе эффективный коэффициент не дает возможности непосредственно вычислить величину сопротивления симметричных выпрямляющих контактов.Цель изобретения - повышение точности измерений,несложных выкладок можно п(5) 10 Очевидно, что при другой зависимости г(У)амплитуда измеряемого напряжения тоже будет апределяться выражением (9), только (6) под г следует подразумевать разность междупрямым и обратным сопротивлением,выпрямляющето контакта. 6= -(...

Номер патента: 436408

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Войцехов, Черн

МПК: H01L 23/367

Метки: радиатор

...их основных параметров таких, как коэффициент усиления, обратное сопротивление р-и-переходов и т, д., что отрицательно оказывается на работе аппаратуры на полупроводниковых элементах.1 436408 ных охлаждающих расутствие температурной тепловьоделяющих элеа, находящегося в непосредконтакте с охлаждаемым проходит,капнллярный каного канала 4 соеди ы охлаждения 1, а выхо ожегин у выходного конц убка 6.. Шубина дакт Тираж 760овета Миниоткрытийаб., д. 4/5 Изд.1827сударственного комитета С по делам изобретений и Москва, 5 К, Раушскан н Заказ 3304/9ЦНИИПИ Г ПодписноеСССР пография, пр. Сапунова, 2 Г 1 ринцип действия предложенного устройства состоит в следующем.Охлаждающий воздух, поступает в патрубок системы охлаждения и выходящая из него струя...

Номер патента: 436409

Опубликовано: 15.07.1974

Авторы: Кириченко, Курбанов, Угай, Черников

МПК: H01L 21/306

Метки: выявления, грабитель, дислокаций, кремнии

...при,комна гной температуре растворяют в 28 мл дистиллированной воды и добавляют 2 мл концентрированной,серной кислоты, затем добавляют 20 мл плавиковой кислоты (49 - 50%-ной). Нагревают до 35 С н в течение 5 мин с перемешиванием травят на дислокации.,Пример 2. 3,5 г К Сг.О, прои комнатнойтемпературе растворяют в 35 мл воды и до бавляют 4 мл концентрированной серной кислоты, затем добавляют 30 мл плавиковой кислоты (49 - 50%-ной). Нагревают до 30 - 35 С и в течение 3 - 5 мин с перемешиваннем травят на дислокации.15 Насыщенный, раствор, соли двужромовой кислоты в серной кислоте, являясь более сильным окислителем, усиливает гальваничсский эффект растворения кремния в местах выхода дислокаций на поверхность, что позволяет вы являть все...

Номер патента: 389732

Опубликовано: 25.07.1974

Авторы: Вишневская, Евстропов, Именков, Коган, Попов, Рубисова, Царенков

МПК: H01L 29/20

Метки: диод

...концентрацией ловушек, а время его рас 2 п сасывания - временем выброса носителейзаряда из ловушки в зону свободных неосновных носителей. Это позволяет выбором уровня легирования управлять величиной накопленного заряда и временем его рассасывания 25 при фиксированном времени жизни неосновных носителей и фиксированных токах заряда и разряда,Пример. В качестве исходного материала был взят фосфид галлия. Легирование Зо фосфида галлия азотом производилось из389732 20 Предмет изобретения Составитель А. Кот Корректоры: Л. Корогод и В. ПетроваТехред 3. Тараненко Редактор Т. Орловская Заказ 3507;6 Изд.73 Тираж 760 Подписное ЦНИИПИ Государственного комигета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб.,...

Номер патента: 438946

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Пожела, Ряука, Толутис

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, коэффициента, металлах, полупроводниках, холла

...в виде тонкой плоскопараллельной пластинки толщи ной д, примерно в 5 раз меньшей других размеров, Обычно пластинке придают форму квадрата, Если материал анизотропен или квазианизотропен, плоскости пластинки выполняют параллельными кристаллографичес ким плоскостям, в которых проводимость изотропна, т. е. компоненты теизара электропроводности Ьи Л, соответствующие любым перпендикулярным направлениям О, и Ов плоскости образца, равны (Я=Я). Напри мер, для л - бе это плоскости (100). Образецпомещают в постоянное магнитное поле Во, перпендикулярное плоскостям образца. Величину Во подбирают такой, чтобы выполнялось условие Во) р -(или просто увеличивают 25 до возникновения незатухающих колебаний).При Во) р- в образце могут распространяться...

Номер патента: 438950

Опубликовано: 05.08.1974

Авторы: Гельман, Дубовицкий, Шипков

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вентилей, испытания, полупроводниковых

...амплитуды испытательного напряжения от напряжения класса испытуемого вентиля со сравнивающего устройства 22 выдается сигнал, пропорциональный величине рассогласования, на усилитель 24, который подает усиленный сигнал рассогласования на вход блока управления 7 защитным тиристором для изменения угла задержки включения тиристора 2. При этом напряжение на конденсаторе 1 изменится до величины, при которой амплитуда вторичного испытательного напряжения будет равна напряжению класса испытуемого вентиля.После прохождения однополярного испытательного импульса конденсатор 1 перезаряжается через диод 6, индуктивность 4 и первичную обмотку согласующего трансформатора 10, вызывая перемагничивание сердечника трансформатора в обратном...

Номер патента: 439035

Опубликовано: 05.08.1974

Автор: Лурье

МПК: G03F 7/32, H01L 21/306

Метки: состав, удаления, фоторезистов

...ос. чаноламин енин иремниевых КТ 326 для удалевался состав, где ледующих объем. мет изобретения Состав для удаления фот нове органических раствори ющи й ся тем, что, с целью логии и повышения качеств состоит из перекиси водоро амина, взятых в следующихПерекись водорода (30Моноэтаноламин 0 резистов елей, о т упрощенияловерхяо а и моно соотношен на ос- лича- техности, он этаяолиях:- 35%-ная5 - 7 мл Изобретение относится к техниграфин и может быть использовизводстве полупроводниковых прИзвестно использование раствове органических соединении д 5фоторезистов,11 редложенный состав обеспечивает ка.чественное удаление фоторезиста, задубленного при высоких температурах, без дополнительного нагревания на всех операциях фотолитографии,...

Номер патента: 439770

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Батогов, Кадеш, Мартынов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: допустимым, значениям, коммутирующего, нарастания, разбраковки, симисторов, скорости

...мым значениям скорости нарастания коммутирующего напряжения, содержащее источник тока, источник коммутирующего напряжения, блок визуальной синхронизации момента приложения к симистору коммутирующего напряжения с моментом достижения максимума тока восстановления, симистор, блок регулирования скорости спада тока при его переходе через нуль, блок коммутации симистора и блок управления.Известное устройство имеет существенный недостаток из-за наличия блока визуальной синхронизации момента приложения к симистору коммутирующего напряжения с моментом достижения максимума тока восстановления симистора, осуществляемой вручную с наблюдением формы тока и напряжения на двухлучевом осциллоскопе, что приводит к субъективным ошибкам: низкой точности...

Номер патента: 439862

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Алекперов, Мамедов

МПК: H01L 21/288

Метки: висмутом, слоев, сплава, теллура, тонких, электрохимический

...сплава теллура с висмутом па платине и титане с целью получения равномерной и компактной пленки проводят из раствора, содержащего 5 - 00 лслсоль/,г ТеС 4 и 20 - 115 лслсоль/,г ВС 12 в уксусной кислоте.Процесс электролиза ведется при добавлении и электролит 0,75 лсоль/л 1.С и плотности тока 0,5 - 5 лса/слс 2. Электролиз проводят в стеклянном герметично закрытом электролизере с двумя анодами из платины или графита, прокаленного при 300 - 350 С. Катодом служит гитаповая или платиновая пластинка. Состав и компактность осадка зависит от соотношения концентрации ТеС 1 и ВсС 1 электролите. 1-1 апр имер,сплава висмут -тановой основеэлектролита с2 о . 1 до 1 . 5 пПреим 1 щестляется то, чтококристалличесмерно покрываО сплава висмут -технологии...

Номер патента: 439874

Опубликовано: 15.08.1974

Авторы: Васильев, Десюкевич, Моргун, Сенин

МПК: H01B 12/16, H01B 7/42, H01L 39/00 ...

Метки: кабель, сверхпроводящий

...элементами 6 и оболочкой 5 выполнен зазор а. Токоведущая часть с изоляцией, находящаяся в зоне герметичной оболочки 5, состоит из перфорированной ме 1 о таллической трубки 10, пористой электроизоляцпи 11 и пористых токоведущих элеменов 12. Трубка 10 выполнена с отверстиями по поверхности и является каналом для циркуляции хладагента (гелия) и одновременно не сущей частью конструкции токоведущих элементов 12 и электроизоляции 11. Размер трубки 1 О, количество и размер отверстий в ней зависят, соответственно, от тока кабеля и его требуемой эквивалентной проницаемости в ра днальном направлении.439874 7 ляпин жидким гелием существенно повышает ее электруческую прочность.Проводящие и электроизолирующие слои при изготовлении кабеля можно...

Номер патента: 441615

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Костюк, Торба

МПК: H01L 21/465

Метки: окислов, пленок, сурьмы, травитель

...относится кники и может быть испольлитографии и травлении динок окислов сурьмы, испольв технологии изготовления(ИС).Цель изоувеличениелов сурьмы.Цель достигается использлеция пленок окиси сурьмделах 40 в 1 С) смеси вилот при следу 5 ощем сооттов, вес. %:Винная кислота С 4 Н 60Серная кислота Н 2504Вода НОТравление, например, с истава, вес, %:С,Н 606Н 2504Н,О областиованолектричзуемых,интеграл исходит со скорои темпе электрори фотоских плеапример, ных схем бнарусмеси ЬЬОз ая пот этом невоздействия фии плено ровность к 0,5 мкм. стью окол жив аются на фоторе тол щинои лучаемого бретения - улуч скорости травл ие качества ц пленок окиседмет цзоорете 10 ованием для травы горячей (в иреной и серной кцсошении компонецкислов сурьмы на цной...

Номер патента: 441684

Опубликовано: 30.08.1974

Авторы: Демидов, Иванов, Овсянкина, Плужников, Токарев

МПК: H01L 41/04, H04R 17/00

Метки: емкостный

...роль управляющего емкостьюсегнетоконденсатора пьезопривода, а также обеспечивающих реализацию режима термо автостабилизации сегнетоконденсатора.На чертеже показаны две проекции емко стного преобразователя напряжения.441684 а,каз 2275/12ЦНИИ ПодписноеСССР Изд.1278 Государственногопо делам изо Москва, Д-".,Тираж 679 Совета Минист открытий иб д, 45митет тений ушска нпографпя Сапчнова. 2 31;мкостной преобразователь напряжения представляет собой сегнетоконденсатор, реализованный в виде сегнетоэлектрического параллелепипеда 1, акустически связанный с двумя пьезоэлементами, представляющими собой заполяризованные пьезокерам ические бруски 2 и 3 и работающими на продольных по длине конструкции колебаниях. Сегнетоконденсатор и...

Номер патента: 409631

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Акимов, Логунов, Цырлин

МПК: H01L 21/443

Метки: 409631

...(10 - 30) к поверхности диэлектрика, причем направление потока атомов распыляемого металла перпендикулярно к образующей ступенек в слое диэлектрика, а толщина напыленного слоя не превышает высоту последних.При напылении металл наносят лишь на поверхности, образующие положительные углы с направлением напыления, а именно, на внешнюю поверхность рельефа, передние склоны канавок и примыкающие к ним участки оснований последних. Задние склоны канавок, образующие с направлением напыления отрицательный угол, и экранируемые ими участки оснований канавок, остаются непокрытыми металлом, в результате чего между электродами образуются зазоры субмикронных размеров, величина которых определяется высотой ступенек и углом напыления.5 Предлагаемый способ...

Номер патента: 442398

Опубликовано: 05.09.1974

Авторы: Белановский, Коломейчук, Малин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: поверхностной, полупроводниках, рекомбинации, скорости

...возникающий бо в конденсаторных обкладках 11 и 12: в результате освещения полупровод-ника 13 и поступающий после усили-теля 1 Ф на вход пластин вертикального отклонения осциллографа 15, 55 не имеет одинаковой фазы с возбуждающим светом. Он запаздывает иа фазовый угол, который определяется временем жизйи неосновййх 1 носителей тока и частотОЙ модуляции, т., е. скоростью позерхностиой рекомбйыации. 4Чтобы определить фазовый сдвиг,иа вход пластик горизоитального отклонения осциллографа 15 с помощьюэлектронного формирователя импульсов тока 1 подается электрический -экспоиенциальный опориый сигиал,постоянная времени которого определяется Ж-цепочкой 16; При этом опорный сигнал не совпадает по фазе овозбуждающим светом.Так как сигналы,...

Номер патента: 443339

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Овчаренко, Севостьянов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: контакта, металл-полупроводник, сопротивления, электрического

...спруктуры,Сущность предлатаемого способа заключается в следующем. При подаче на сток по 15 стоянного напряжения Р и на затвор постоянного напряжения Ро имеющего р - и-переход в прямом направлении (переключатель Вв положении 1), в цепи стока протекает ток201 о, а в цепи затвора - ток 1 о .1Ток затвора устанавливается так, что вы.,полняется условие 1 р, 7 а,. Напряжение настоке выбирается так, чтобы верхний и нижний р - и-переходы были смещены почти по5 всей длине и прямой ток затвора протекал через нижний р - и-переход преимущественнопод контактом истока,Направление преимущественното протека.ния тока затвора показано на чертеже стрел 30 кой с обозначением Уа443339 Предмет изобретения Отсюда Лзс -Л 1 о: о Составитель Т. Дозоров Редактор...

Номер патента: 443341

Опубликовано: 15.09.1974

Авторы: Дмитриев, Малкин, Мастеров, Царенков

МПК: H01L 21/66

Метки: закона, измерений, квазиконтактного, перехода, потенциала, примесей, р-п, распределения

...частоты 5, детектор б, сравнивающее устройство , первый генератор экспоненциально падающего напряжения 8, блок синхронизации 9, второй генератор экспоненциально падающего напряжения 10, управляемый ключ 11, переключающее реле 12 и осциллограф 13.Устройство работает следующим образом, Блок синхронизации (СИНХР) периодически с частотой /=400 Гц запускает оба генератора экспоненциального напряжения ГЭНи ГЭН. Зависимость напряжения (У 1) на выходе ГЭНимеет вид:г.гг= г.гог ехртгде тг - постоянная времени спадания напряженич, которая дискретно (или непрерывно) может быть пзменена оператором, но выбирается такой,1чтооы т 1 (Зависимость напряжения (г.,г 2) на выходе ГЭНимеет вид;(/02 ехртггде т 2 - постояиная времени спадания напряжения,...

Номер патента: 401298

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Берковская, Кириллова, Меськин, Пекный, Подласкин, Равич

МПК: H01L 33/00

Метки: 401298

...В соответствии с цз.лененц8 М Ве 11-ЛНЫ Е ВОрстЛепт НЗМВНЛгтсяСДНС ттЯРтоС Т СМеШецня ЦЯ и ЧЕ гтСЯХ И ОСУ гЦЕ,слвтяеся скя 11 црованц Излуч 8 гия, про фцесс продолжается Вредс Т, равное нерцопу чзменения напряжения ЕЗа это врес тслмя высвечивается весь набор излучающихконфигураций К, где г равно тислуЗг.Ет 81 ТЯРНЫХ ЛЧЕЕК.ЯТас., простейшем случае при линейномДЕЛНТЕЛЗ НаНРЛт 8 НИЯ 1, , ", -., ЛЦг-г 4Нтзтгпог ИЗд.:81 ЕНгц анрякеПЛя 1- = ", г.СМ СМ. 0щг раВНОМериой раСВЕТКЕ ВСЕХ фОТОПИОДОВ и ПОГ,:18 ДОтатеЛтОД РаСПОЛОжЕНИИ СВС Тот ПОДО тгВ СПНСгй СТООКЕ За ВрЕЛя 1 Грапцпа тг 81 т ттг). Ю 1 Л 1".: Элед 8 НТОВ РЯВНОт 8 Рто ПЕРОМ 8 Цае" с од;сно края излучателя к другомуЯ ГтцскрвттЬХ НОтОг 81 цт,.,ЬН 1 тянгтлгпепгтт...

Номер патента: 439240

Опубликовано: 25.09.1974

Авторы: Глазков, Козлов, Макаревич, Мельников, Райхман

МПК: H01L 21/268

Метки: генерирования, микроприборов, микросхем, рисунков, топологии, электронно-лучевого

...путем экспонирования электронно-чувствительного слоя системой неотклоняемых электронных пучков, создаваемых короткофокусными электронно-оптическими системами. Растровая развертка лучей по поверх ности экспонируемого слоя осуществляется засчет перемещения подложки, закрепленной на координатном столе, совершающем синусоидальные колебания вдоль одного из направлений и шаговые перемещения в ортогональ ном направлении с дискретностью, соответствующей ширине электронного пятна. При этом мгновенное положение стола контролируется по индикации вторичной эмиссии электронов, возникающей при сканировании одного или 20 нескольких электронных пучков по растровымзнакам, расположенным на каретках стола.На координатном столе 2 закрепляют...

Номер патента: 446853

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Касперович, Курлович, Пыж

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: замыканий, коротких, обрывов, транзисторов, фиксации, электродов

...прикладывается на вход усилителя 7, сигнал с которого вызывает сра батывание триггера 8, и включает индикатор9, Включение индикатора 9 сигнализирует о том, что испытуемый транзистор 3 и само устройство исправны. При включенном токе эмиттера испытуемый транзистор 3 находится 20 в режиме усиления.Перед проверкой на отсутствие коротких замыканий и обрывов прп испытаниях на механическую прочность необходимо сбросить триггер 8. При последующем возникновении 25 короткого замыкания или обрыва испытуемого транзистора 3 в точке А возникает испытуемый сигнал, который поступает на вход усилителя 7 и вызывает включение индикатора 9, срабатывание которого сигнализирует о воз никновении обрыва или короткого замыкания. Шубина Техред М, Семенов...

Номер патента: 446854

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Петров, Руменник, Смолянский, Штанин

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, конструкции, полупроводниковых, приборов, соединений, элементов

...отличается от прогрева кристалла у бездефектного образца, В связи с этим скорость изменения измеряемого температурно- чувствительного параметра у дефектного образца больше, чем у бездефектного образца,446854 Предмет изобретения о 6. дрейя Фиг 45 0 г Составитель 3, Челноковаедактор И. Шубина Техред М. Семенов орректор А. Дзссов аказ 962,19 Тираж 678ЦНИИПИ Г Совета Министров ССи открытийя наб., д. 4/5 Изд.1211осударствен ного комитета по делам изоб 1;гтений Москва, Ж, Раушска дпнспос ипография, пр. Сапунов На фиксации различий указанных скоростей иоснован способ контроля качества соединений,На фиг. 1 показаны осциллограммы изменения температурно-чувствительного параметра 5для дефектного и бездефектного образцов; нафиг, 2 - скорости...

Номер патента: 447110

Опубликовано: 15.10.1974

Авторы: Глазков, Михневич, Никифоров, Хворостина

МПК: H01L 21/3105

Метки: изображений, линейных

...менее 1 - 2 мкм.С целью получения линейных изображений субмикронного размера по предлагаемому способу по окончании операции нанесения фоторезиста формируют один край линейного изооражеиия, после чего на протравленную поверхность наносят негативный фоторезистна который накладывают подложку поверхностью, имеющей слой с наружным отражением, и формируют второй край линейНа прозрачной подложке 1 с предварительно нанесенным тонким слоем маскирующей пленки 2 способом фотолитографии формируется один край 3 линейного изображения, после чего на ту ке поверхность подложки 1 наносят слой негативного фоторезиста 4, а затем накладывают подложку 5 с отражательным слоем 6, обращенным в сторону фоторезиста, Экспонирование производят через подложку 1,...

Номер патента: 327884

Опубликовано: 25.10.1974

Авторы: Бабенко, Боева, Виолин, Водаков, Иванова, Кмита, Круглов, Ломакина, Новиков, Павличенко, Рыжиков, Холуянов

МПК: H01L 27/00, H01L 33/00

Метки: 327884

...превышает 5 по крайней мерв в 10 раз сопротивление этого слоя по нормали к переходу.На чертеже изображен многоэлементный индикатор на карбиде кремния еВ пластине 1 карбида кремния,легированной азотом, формируют дввобласти: высокоомную р-область 2толщиной,напримвре Ое 2-Ов 5 мкм и 25 1 слаболегйрованную компенсированнуюсоставитель ЯЛОпешкин Редакгор 1 ЛарИНа ехред Н.СЕг 1 ИНЭ Корректор И Л 6 НИйа11 одиигиое зааз Дг/ над 11 з г о 1 Тираж 1) 1111111111 Государствеииого комитета Совета Мииисгров СССР ио делам изобретений и открытий Москва, 113035, Раушская иаб., 4 Предприятие Патеит, Москва, Г.59, 1 ережковская иаб., 24 область 5 толщиной не более 0,5- 1,2 мкм. Со стороны р-области вышлифовывают ступеньку Ф на глубину порядка 10-15...

Номер патента: 449322

Опубликовано: 05.11.1974

Автор: Терентьев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, приборов

...во времени. Затем определяют спектральную: мощность разностного сигнала, которая позволяет судить о величине нестабильности и ее распределении по частотному диапазоОписываемый способ позволяет получить более полную информацию о поведении транзистора во время испытаний, формированне фазоманипулирозанного сигнала обеспечивает высокую точность и помехоустойчивость последующих преобразований;фазоманипулированный сигнал является хорошим приближением для теоретически оптимального сигнала, обеспечивающего при измерении наибольшее отношение сигнал/помеха; использование простых преобразователей развертывания, вычитания упрощает аппаратурную реализацию способа.Предмет изобретенияСпособ измерения параметров полупроводниковых приборов, например...

Номер патента: 451027

Опубликовано: 25.11.1974

Авторы: Щербаков, Щербакова

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, свч-транзисторов

...оказываются для режима большого сигнала недостаточно т целью повышения точности измеренеменно с подачей сигнала на вход стора на его выход подают вс ный сигнал, отличаюшийся по мплитуде от рабочего сигнала особ осушествляется след мерительного сигнала в выходной и вход-,ной СВЧ-цепях транзистора. При этомдля оЬеспечения высокой точности йзмерений мощность измерительного сигналаустанавливают такой величины, чтобы онсущественно не влиял на режим работытранзистора, задаваемый рабочим сигналом,а расстройку частот измерительного и ра,бочего сигналов выбирают минимальной,но достаточной для уверенного разрешенияизмерительного сигнала частотно - избирательной аппаратурой,На чертеже схематически показан одиниз вариантов осуществления...

Номер патента: 452792

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Гончаренко, Королев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: времени, жизни, заряда, мдп-структуры, неосновных, носителей, полупроводнике

...как постоянным поддерживается объем обедненного слоя. Для поддержания постоянной емкости необходимо изменять напряжение, приложенное к МДП- структуре, пропорционально количеству накопленного вблизи границы раздела эврядв, генерированного во всем объеме обедненного слоя. Время жизни ( неосновных носителей заряда связано с изменением напряжения на МДП-структуре следующей формулой ческих свойст луп ерени особы из гх носите я времени ряда в лов подаче н егистрвции жизни неосновнлупроводниках,МДП-структурьизменения егоНедостаток ей звгиеся кпючаю напряже о времен и и,бо стоит в х спос значительном объе счетов и снижении математических раезупьтвте этого то эультатов,лью повышения т ост С це согласно МДП-ст путем и ности измерений,пособу,...

Номер патента: 452793

Опубликовано: 05.12.1974

Авторы: Матвеев, Сурин

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, двухслойных, параметров, полупроводниковых, структур, электрофизических

...исследуемой ие структуры.Поставленная цельтому, что измеряют веструктуры, соответстви минимальным потеряпри синфазном и протиях осевой компонентынитного поля, затем рп игается бл агодаряия ичину смеше юшую максимм, последовате льным н офазном напр апряженности ределяют иско влепи мамый И плос параметр шения стСушно ется черОбраз казыва руктуры, сть предложе тежо м. тству инфаз соотО(при ясняго спосо в 1, 2,аторагполеесостоя ший из с такс помешаюми 3,4ными вбольшой Т МЕЖДУ СООСНЬэлектромагнит иде плоских спплотностью вит тми конце ного поля,гдем иральных к ков в центр е ум го зависимости от величины смеисимости от смешения структурычто величина смешения Кмаксюшая максимальным потерямном включении), равна:412 Ф 2 (2 бД+б 1 2452793...

Номер патента: 453538

Опубликовано: 15.12.1974

Авторы: Андрущенко, Вайнер, Водолагин

МПК: F25B 21/02, H01L 35/28

Метки: 9пое, l-•-с, каскадный, микрохолодильникуз, термоэлектрический

...ны накидной гайка Изобретение относится к области холодильной техники.Известны каскадные термоэлектрические микрохолодильники, содержащие термобатареи, разделенные теплопроводящей смазкой,С целью упрощения сборки в предлагаемом каскадном термоэлектрическом микрохолодильнике одна из термобатарей выполнена на плате с технологическими штырями, а другая - заключена в цилиндрический корпус, снабженный установочными отверстиями в плоскости сопряжения термобатарей и резьбой на наружной поверхности, и каскады объединены накидной гайкой.На фиг. 1 изображен предлагаемый каскадный термоэлектрический микрохолодильник; на фиг. 2 - изображена одна из батарей микрохолодильника на плате и с накидной гайкой; на фиг. 3 - батарея микрохолодильника,...