H01L 21/52 — монтаж полупроводниковой подложки в корпусе

Номер патента: 149506

Опубликовано: 01.01.1962

Авторы: Волков, Новиков

МПК: H01L 21/52

Метки: выпрямляющих, пайки, элементов

...диодов иператур от - 120 до + 150.Объясняется это тем,. что выпрямляющие элементы находятсяпряженном состоянии, обусловленном разностью коэффициентов тческого расширения материала элемента и припоя,Предложенный способ лишен указанного недостатка,Сущность изобретения заключается в том, что пайка выпрямляющих элементов производится с применением прокладок из чистогосвинца,Пайка согласно предложенному способу заключаетсяЧистый свинец раскатывается в полосу толщиной 0,3такты выпрямляющих элементов и полоса свинца покрывалитическим путем тонким слоем сплава свинца и олова, Ирезаются шайбы требуемого диаметра.Пайка с этими шайбами производится так же, как и с проклиз молибдена и вольфрама при температуре 220 - 240.При этом применяются те...

Номер патента: 577590

Опубликовано: 25.10.1977

Авторы: Гурвич, Пятышев

МПК: H01L 21/52

Метки: групповой, пайки

...камеры давления. 5На чертеже схематически изображенопредлагаемое устройство.Устройство для групповой пайки деталейсодержит .камеру давления 1, рабочую камеру 2,эластичную вакуумно-плотную проклад-фку 3, торцовые крышки 4, металлическреуплотнение 5, магниты 6, крышку 7, трубку 8 для подачи сжатого газа, многоместную кассету 9, пуансоны 10, трубки 11для подачи защитного газа и корпус 12.Паяемые детали обозначены цифрами 13 и14.Камера давлении образована корпусом 14и крышкой 7 с вваренной в нее трубкой 8для подачи газа. В нижней части рабочейкамеры 2 располагается многоместная каосета 9 с паяемыми деталямж 13, 14 иприпоем, над кассетой располагаются пуансоны 10. Пуансоны изготовлены из магниьного материала,остальные детали из...

Номер патента: 1222142

Опубликовано: 15.10.1986

Авторы: Градусов, Колядинцев, Попов, Руденко

МПК: H01L 21/52, H01L 21/68

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...установлены электромагниты 10 и 11, подключенные к выходу блока 5 управления. На входном и выходном валах редуктора 7 жестко закреплены флажки 12 и 13, перекрывакщие в крайних положениях рычага 9 фотодатчики 14 и 15, подключенные к входу блока 5 управления. На свободном конце рычага 9 жестко закреплен вакуумный за:.ват 16 для снятия и переноса кристаллов 2. В верхнем положении рычаг 9 удерживается пружиной 17. Устройство работает следукзцим образом.Пластина с кристаллами 2 полупроводниковых приборов подается на позицию снятия кристаллов и ориентируется механизмом 1 подачи кристаллов. С блока 5 управления при этои подается импульс на электромагнит 11, под действием которого рычаг 9 опускается и вакууиный захват 16 захватывает один...

Номер патента: 1700639

Опубликовано: 23.12.1991

Авторы: Бобровников, Рябиков, Тучинский, Шеревеня

МПК: H01L 21/52

Метки: герметичном, интегральная, корпусе, схема

...расширения (КТР). Это происходит благодаря тому, что толщина выводов не поевышает 35 мкм, в этом случае предел текучести алюминия меньше напряжений, созн)икающих в контактных слоях при перепадах температур, т,е. меньше величин напряжений, вызванных разностью КТР материалов стеклоприпоя и выводов.(роме этоо, такая толщина выводов позволяет присоединять их к кристаллу ультразвуковой сваркой беэ модификации контактных площадок, Экспериментально Тстан влено. что.при толщине выводов свы ше 35 мкм невозможно получить ненапряженные герметичные спаи с легкоплавким 1",.,Теклом. Толщину меньше 15 мкм получить сложноувеличивается трудоемкость иэготовл 8 ния.1(роме того, с целью повышения надежности интегральной схемы под выводы...

Номер патента: 1664079

Опубликовано: 10.09.1995

Автор: Фильцов

МПК: H01L 21/52, H01L 21/58

Метки: герметизации, корпуса, полупроводникового, прибора

...да затвердевания шва,Экспериментально установлено, что при поверхностной плотности энергии менее 70 Дж/см значительно возрастает время разогрева герметика, соединяемых деталей и вследствие этого снижается нада;кность полупроводникового кристалла и ега соединение с основанием пробора.При увеличении значений поверхностной плотности энергии излучения более 300 Дж/см происходит образование эвтектиче 2ских соединений материалов выводов и корпуса палупрооодникооого прибора с их покрытием, что приводит к ухудшению качества прибора. Кроме того, наблюдается оыФормула изобретения СПОСОБ ГЕРМЕТИЗАЦИИ КОРПУСА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИБОРА, оклочающий помещение герметика на основание или на крышку па контуру соединения крышки с основанием, установку...

Номер патента: 1393248

Опубликовано: 20.08.1999

Авторы: Зоболотный, Левашов, Приймак, Яковлев

МПК: H01L 21/52

Метки: кристалла, монтажа, пайкой, полупроводникового

Способ монтажа полупроводникового кристалла пайкой, включающий нанесение на паяемую поверхность слоя металла, смачиваемого припоем, и последующую пайку кристалла на основание, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности полупроводникового прибора за счет увеличения его циклостойкости, предварительно на паяемую поверхность кристалла наносят сетку взаимно пересекающихся или концентрических относительно центра кристалла V-образных канавок глубиной 0,003-0,05 мм.