H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам
Устройство для мойки микроминиатюрных деталей
Номер патента: 576623
Опубликовано: 15.10.1977
Авторы: Денисова, Седых, Сидоров, Тикунова, Типаева
МПК: H01L 21/00
Метки: микроминиатюрных, мойки
...стенках сосуда, в котором размещены отмываемые детали 5, выполнены капиллярные от верстия 6. Размеры отверстий недостаточныдля свободного прохождения через них моющего раствора. Стенка 7 сосуда примыкает к плоскости стенки 8 ванны 3, перпендикулярной направлению действия вибрации.0 До включения вибратора моющий растворне натекает через стенку 7, поскольку отверстия в ней малы и она выполнена из материала, не смачиваемого моющим раствором, например фторопласта.5 При включении вибратора стенка 7 сосуда2 и стенка 8 ванны 3, расположенныс в исходном состоянии в непосредственной близости друг от друга, расходятся, образуя зазор б, и затем сходятся, как бы захлопывая этот за зор. При этом моющий раствор в зазоре оказывается под большим...
Устройство управления установкой электролитического травления
Номер патента: 576624
Опубликовано: 15.10.1977
Автор: Окружнов
МПК: G01R 31/26, H01L 21/3063
Метки: травления, установкой, электролитического
...через которое поступает электролит 11. В устройство загружается заготовка полупроводникового прибора, содержащая кристалл 12 и электрод 13. Поверхность кристалла 12 в начале травления имеет форму 14, изображенную сплошной линией, а в конце травления - форму 15, изображенную штриховой линией.Устройство работает следующим образом.После загрузки заготовки сигнализатор 3 выключается, включая ток травления коммутатором 8 и ток первого источника тока 2, Наг,76024 Заказ 2280/16 Изд.813 Тираж 995 Подписное Типография, пр, Сапунова 2 участке цепи обратной связи операционного усилителя 1, состоящем из электрода 13 и входа операционного усилителя 1, устанавливается ток, равный алгебраической сумме тока травления, протекающего по цепи: вход...
Вибродвигатель
Номер патента: 576625
Опубликовано: 15.10.1977
МПК: H01L 41/09, H02N 2/12
Метки: вибродвигатель
...содержит резонатор 1 радиальных коле часть которого сопряжена с трсильев и А.-А. И. Зубас ктно-конструкторское и технологическое бюрмалых электрических машин(54) В ИБРОДВИ ГАТЕЛ керамическим элементом 2, а к выпуклои егочасти наклонно подпружинены стержни 3,расположенные в роторе 4, установленном соосно с неподвижно закрепленным резонатором1 радиальных колебаний. Электроды пьезокерамического элемента соединены с выходомисточника высокочастотного напряжения (начертеже не показано).Резонатор 1 радиальных колебаний можетиметь коническое, катеноидальное или ступенчатое осевое сечение,При возбуждении от пьезокерамическогоэлемента 2 резонатора 1 в нем возникают иусиливаются радиальные высокочастотные колебания, которые, воздействуя...
Вибродвигатель
Номер патента: 576648
Опубликовано: 15.10.1977
Авторы: Бекша, Васильев, Жвирблис, Зубас
МПК: H01L 41/09, H02N 2/12
Метки: вибродвигатель
...вибратора, приводные стержни ступенчатого преобразователя продольных колебаний выполнены с наклоном, противоположным наклону приводных стержней первого преобразователя, и коц тактирующими с подпружиненным к их торцам ротором, имеющим общую ось вращения с первым ротором.Предлагаемый вцбродвцгатель (см. чертеж)содержит два ротора 1 ц 2, установленные на одном валу 3 ц подпружиненные посредством пружины 4 к ступенчатым преобразователям продольных колебаний 5 ц 6, Преобразователь 5 сопряжен с одним торцом пьезокерамического трубчатого вцбратора 7, а преоб.20 разователь 6 - с другим его торцом. При.водные стержни 8 преобразователя 5 выполнены с наклоном, противоположным наклону приводных стержней 9 преобразователя 6, Это обеспсшвает...
Полупроводниковый поверхностнобарьерный прибор
Номер патента: 460831
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Гольдберг, Царенков, Яковлев
МПК: H01L 31/00
Метки: поверхностнобарьерный, полупроводниковый, прибор
...целью получения координатно-чувствительного фотоответа в предлагаемом приборе потенциальный барьер расположен на той поверхности варизонно" го кристалла, которая по крайней мере по одной иэ координат имеет градиент ширины запрещенной эоны. 15Прибор представляет собой кристалл варизонного полупроводника(Са, АСАь ) с расположенными на нем выпрямляющим и омическим контактами, причем выпрямляющий контакт располагается на поверх 20 ности, которая по одной иэ координат имеет градиент ширины запрещенной эоны. Освещение прибора производится через слой металла, образующего выпрямляющий контакт, который делается достаточно тонким.Так как величина фототока прибора сильно зависит от ширины запрещенной эоны или энергии падающих фотонов, то...
Полупроводниковый поверхностно-барьерный прибор
Номер патента: 401267
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Гольдберг, Царенков, Яковлев
МПК: H01L 31/00
Метки: поверхностно-барьерный, полупроводниковый, прибор
...ностно-барьерный прибор; на зана зависимость ширины з401267 Составитель Г, КорниловаРедактор И, Груэова Техрец Н, Андрейчук Корректор А, КравченкоЗаказ 3358/4 Тисвж 976 По е еНИИПИ Государственного комитетапо делам изобретений113035, Москва, Ж, Раушск ДПИСНО 8Совета и откь Министров СССРр етийая наб., д. 4/5, Поверхностно-барьерный прибор выполнениз слоя 1 металла, например золота, создавшего Вьепрямляео 1 ций контакт к слоео полупроводниковогоматериана 2, споа Зметаппа,например индия, соэдаеошего Омич 8 ский. контакт к полупроводниковому материалу; и,тоКоподводов 4 и 5 к металлическим слоям.Прибор работает следующим образом.К токоподводам прикладываеФся напряркение. Если положительньы полюс батареи щасоединен к тркоподводу 5 то чеэез...
Полирующий травитель для монокристаллов тройных твердых растворов ртутькадмий-теллур
Номер патента: 577589
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Зданович, Пухов, Соколов
МПК: H01L 21/465
Метки: монокристаллов, полирующий, растворов, ртутькадмий-теллур, твердых, травитель, тройных
...ржит азотную , а компоненшении (об,%)30-40 30-35 ислот истоводородна 30-35мпонентов от уквь. кислотаОтклонение значензанных пределов приввврхности образцов. т к окислению поОбразны, вырезанные изйТ 6, шлифуют микропольно промывают водой Пример 1 кристаллов С 3 рошком М, и химически полир о,2 6 тшат Изобретение относится к обработке полупроводниковых материалов и может быть использовано как при исследовании выращенныхкристаллов, так и при изготовлении приборовиз этих кристаллов, в частности, тройных 5твердых растворов ртуть кадмийдтеллур,Известен полируюший травитель монокристаллов, представляюший собой 5 О/ ный раствор брома в метиловом спирте 1.Однако при полировании этим травителем Она поверхности образцов остаются трудноудалимые следы...
Устройство для групповой пайки
Номер патента: 577590
Опубликовано: 25.10.1977
МПК: H01L 21/52
...камеры давления. 5На чертеже схематически изображенопредлагаемое устройство.Устройство для групповой пайки деталейсодержит .камеру давления 1, рабочую камеру 2,эластичную вакуумно-плотную проклад-фку 3, торцовые крышки 4, металлическреуплотнение 5, магниты 6, крышку 7, трубку 8 для подачи сжатого газа, многоместную кассету 9, пуансоны 10, трубки 11для подачи защитного газа и корпус 12.Паяемые детали обозначены цифрами 13 и14.Камера давлении образована корпусом 14и крышкой 7 с вваренной в нее трубкой 8для подачи газа. В нижней части рабочейкамеры 2 располагается многоместная каосета 9 с паяемыми деталямж 13, 14 иприпоем, над кассетой располагаются пуансоны 10. Пуансоны изготовлены из магниьного материала,остальные детали из...
Пьезоэлектрический двигатель
Номер патента: 577591
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Буда, Жукас, Рагульскис, Улозас
МПК: H01L 41/09, H02N 2/12
Метки: двигатель, пьезоэлектрический
...пьезокерамического преобразователя 1, которыйпод острым углом взаимодействует с роторами 5, 6, установленными в подшипники 25 ошим образом.При подаче переменного напряжения с генератора 4 к пластинам пьезокерамичеокого преобразователя 1, который поляризован в поперечном направлении и иэ-за обратного пьезоэффекта совершает продольные колебания с наибольшей амплитудой на кон пах. Узел колебаний находится в середине преобразователя, где амплитуда колебаний является наименьшей или равна нулю, Преобразователь 1 закреплен:в П-образном держателе 2, который посредством пружины 3 соединен с корпусом. Пружина 3 с определенной силой прижимает преобразователь 1 к роторам 5 и 6. При продольных колеба ниях пьезокерампческого преобразователя 1...
Поверхностно-барьерный фотоприемник
Номер патента: 549054
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Волков, Гольдберг, Царенков
МПК: H01L 31/04
Метки: поверхностно-барьерный, фотоприемник
...ограниченный,с дпинновопновой стороны значением минимальной ширины запретной зоны подупроводника,а с коротковолновой стороны - значениемширины запретной зоны на расстоянии 1 от Пбарьерного контакта (фиг. 2).Работа прибора происходит следующимобразом,Свет падает на широкозонную поверхность полупроводника и погдощается в толще кристалла. При этом генерируются неравновесные носители заряда. Внутоеннее электрическое поле, вызванное градиентом ширины запретной зоны, заставляет эти носителисмещаться в сторону барьерного контакта, 25Если длина смещения меньше Расстоянияот освещаемой поверхности до барьерногоконтакта, то до барьерного контакта дойдеттолько та часть носителей тока, котораясоздана светом, поглощенным в области,...
Диод
Номер патента: 552865
Опубликовано: 25.10.1977
Авторы: Дубровская, Именков, Попов, Равич, Царенков
МПК: H01L 29/06
Метки: диод
...варизонную область 1, выполненную из р-Са, А 1 АЭ, гвтероинжектор 2, выполненный из п-Са, АРАБ,омические контакты Э и 4 - и -переход 5,Носители, которые инжектируются в вБризонную облвсгь гетероинжектором оквзыввются в ней под воздейсгвием тормозящего электрического поля, при:-.имяюшего ихк гетероинжекгору и способсгвуюшего ихэксгракции, Это поле, равное градиенту ширины запретной зоны варизонной области, деленному на заряд электрона, можно увеличивать в широких пределах и таким образом достигнуть высокого быстродействия диода. Величина электрического поли не уменьшает. ся по мере удаления ог .р-,И -.перехода, чем улучшаются условия экстракции неосновных носителей и повышаегбя эффективность диода.р- и -переход может располагаться...
Устройство для испытания интегральных схем
Номер патента: 578662
Опубликовано: 30.10.1977
Авторы: Гуреев, Долин, Кормилкин, Филатов
МПК: H01L 21/66
Метки: интегральных, испытания, схем
...контакты связан с системой измерения. Наличие скользящих контактов снижает надежность работы известного устройства.5 Целью изобретения является повышение надежности устройства.Указанная цель достигается тем, что носители интегральных схем закреплены на пружинных подвесках в съемных кассетах корпу 10 са с возможностью радиального перемещенияна позиции контактирования.На чертеже схематически изображено предложенное устройство, общий вид с частичными вырезами для лучшего показа конструк 15 ции,Устройство содержит корпус 1, контактноеустройство 2, кассеты 3 с ностелямп 4 интегральных схем, поворотный пневмоцилиндр 5,фиксирующий пневмоцилпндр 6, прижимной20 пневмоцилиндр 7, пружинные подвески 8.Устройство для испытания интегральныхсхем...
Вакуумный питатель
Номер патента: 578663
Опубликовано: 30.10.1977
Авторы: Крошинский, Янович
МПК: H01L 21/68
...2 - сечениепо А - А на фиг. 1; на фпг. 3 - сечение поБ - Б па фиг. 1.В корпусе 1 вакуумного питателя установ 15 лены вакуумные присоски 2 и пружины 3. Внптателе меются также столики 4 с ловителями 5 и центральными отверстиями б, гибкиенаправляющие 7 (например две параллельнонатянутые проволоки), закрепленные на ры 20 чагах 8, установленных на осях 9 корпуса 1и подпружиненных пружинами 10.Работа вакуумного питателя заключается вследуюп,ем.Для захвата деталей, уложенных рядамн в25 загрузочной кассете (число деталей в ряду соответствует количеству вакуумных захватов),вакуумный пнтатель перемеш,ают до соприкосновения поверхностей 11 столиков 4 с поверхкостью деталей. При этом ловители 5 взанмо 30 действуют с центрпрующпми отверстиями...
Распределительное устройство для нанесения фоторезистивных покрытий
Номер патента: 579666
Опубликовано: 05.11.1977
Авторы: Барышев, Введенский, Каплин
МПК: H01L 21/00
Метки: нанесения, покрытий, распределительное, фоторезистивных
...на кронштейне 11 винтами17. Для фиксации поворота шарнирного элемента 12 служит винт 18. Запирающий механизм закреплен на поворотной оси 19 штифтом 20, причем на каждую ось воздействуетпневмоцилнидр 21 с помощью штока 22,Распределительное устройство работаетследующим образом,В трубопровод 1 через штуцер 2 подпостоянным давлением подается фоторезист. В момент подачи воздуха в каждый пневмоцилиндр21 его шток 22 воздействует на поворотнуюось 19, и оиа поворачивается на определенный угол (фиг. 2)11 ри этом поворачиваетсяжестко связанный с ней поворотный рычаг 7, 25который натягивает пружину 8. Кронштейн11, поворачиваясь, отводит закрепленный внем шарнирный запирающий элемент 12 отконтактной площадки 6 трубопровода 1, апружина 16...
Детектор электромагнитных сигналов
Номер патента: 579667
Опубликовано: 05.11.1977
Авторы: Дмитренко, Иванов, Юрченко
МПК: H01L 39/22
Метки: детектор, сигналов, электромагнитных
...в виде сверхпроводящего Джоэефстновского перехода параллельно или последовательно Джозефсоновскому переходу подклкь чен полупроводниковый диод,На фиг. 1 представлена принципиальнаяэлектрическая схема детектора с параллельным включением полупроводникового диНа фиг. 2 - то же,с поспедоватепьночением диода. араллельном соединении с Джозефсоновского переход ковым диодом 2 для слаб лов, в случ квадратичног о режима детектирования, диод практически не реагирует на сигнал и его большое при этом внутреннее сопротивление не влияет на работу Джозефсоновского перехода, С повышением мощности сигнала, когда разрушается сверхпроводимость в Джоэефсоновском переходе, начинает работать диод. В этом случае Джозефсоновский переход...
Фоточувствительный приемник
Номер патента: 286773
Опубликовано: 05.11.1977
МПК: H01L 31/00
Метки: приемник, фоточувствительный
...хх может лежать в различны тра. В небольших пределах (порялка 100 А) точ.кой инверсии можно управлять, изменяя прило.женное напряжение.На фиг. 1 показан поперечный разрез фото.чувствительного приемника; на фиг. 2 изображена спектральная характеристика тока корот.кого замыкания,На монокристаллическую пластинку 1 кремния (Я) толщиной порядка 100-200 мк напылением в вакууме или иным известным образомнанесен слой 2 теллурида кадмия (СдТе) спроводимостью р-типа, толщиной на лва по.рядка меньше.На слой СОТе распылением в вакууме наносится слой, который впоследствии служитэлектрическим контактом 3. В результате прогрева в вакууме, диффузией 1 и в теллуридекалмия создается область 4 с л-типом проводимзсти,Электрическим контактом к кремнию...
Устройство для получения постоянного тока на базе пьезоэффекта
Номер патента: 580602
Опубликовано: 15.11.1977
Авторы: Антонова, Павлов, Степанов, Эфрос
МПК: H01L 41/08
Метки: базе, постоянного, пьезоэффекта
...23 также заполнено жидкостью. Перпендикулярно рычагу 12 установлен двуплечий рычаг 27, на коротком зокварцевая пластина 29 фиксируется устройством, состоящим из кронштейна 30, поворотного рычага 31 и стопорной гайки 32. Рычаг 27 уравновешен противовесом 33 при помощи микровинта 34. Контроль уравновешивания осуществляется по уровню 35, расположенному на конце длинного плеча рычага 27.На поверхность длинного плеча рычага нанесена шкала 36. Нулевая отметка шкалы 36 расположена в одной плоскости с осью 37 двуплечего рычага 27. В уравновешенном положении рычага 27 зазор между упором 20 с нониусом 21 и поверхностью рычага 27 не превышает 0,01 - 0,02 мм. Вся система рычагов расположена на массивной платформе 2, горизонтирование которой...
Состав и способ изготовления полупроводникового нагревательного элемента
Номер патента: 581893
Опубликовано: 25.11.1977
МПК: H01L 21/324
Метки: нагревательного, полупроводникового, состав, элемента
...только тогда проявляют свое действие, если их вводят путем смешивания и совместного плавления или плавления и размельчения, а затем все вещество вновь подвергают нес 50 кольким подогревам до температуры, близкои температуре плавления смеси, и интенсивному дроблению при одновременном быстром охлаждении. Тогда наступает равномерное и активное размещение примесей буфера в основной решетке базового материала.55Из приготовленной таким образом смеси можно получить электропроводящие пленки с сопротивленим до 1 ом на квадратную единицу и нагрузку мощности свыше 20 вт/цм.Приготовление и активация полупроводника с электрическим буфером осуществляется 0 посредством предварительного смешивания компонентов изготовляемой смеси либо путем...
Способ изготовления мдп-структур на основе арсенида галлия
Номер патента: 444507
Опубликовано: 05.12.1977
Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко
МПК: H01L 29/00
Метки: арсенида, галлия, мдп-структур, основе
...разложения тетраэтоксисилана,В другом известном способе слоокиси кремния Ят О выращиваетссениде галлия в результате термичразложения тетэтоксисилана притуре более 550 С.Однако границы раздела адиэлектрик, полученные извсобами, неудовлетворительныплотности поверхностных состоянийболее 10 см.Белью изобретеграницы раздела птрик с низкой плосостояний. образования промежуточногоначиная с критической толщи4445После выращивания промежуточного слоя 5 а И создающего хорошую границу раздела, выращивают слой основного диэлектрика, который обеспечивает высокие рабочие- напряжения, Основной слой диэлектрика5 получают любыми известными иизкотемперв турными способами.В газотранспортной системе, использую щейся для выращивания слоев диэлектрика,...
Способ очистки поверхности эпитаксиальных слоев, легированных кремнием
Номер патента: 513575
Опубликовано: 05.12.1977
Авторы: Марончук, Пухов, Сушко
МПК: H01L 21/20
Метки: кремнием, легированных, поверхности, слоев, эпитаксиальных
...легированнь ченных методом жидкос личаюшийс яте ворения избыточного кр шают в,раствор-расплав 3-10 вес. % алюминия галлия при 800-850 С рхностих кремнитной эпи итаксиальм, полуксии о т м, что,емния,, содери 90-9 елью р омеес, % в течение Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для получения эпитаксиальных р-и структур на основе арсенида галлия, предназначенных для изготовления ИК-светодиодов. 5Известен способ получения р-и структур из ограниченног раствора-расплава, Использование этого способа при получении сильно легированных кремнием эпитаксиальных слоев приводит к образованию на поверхности слоевО арсенида галлия дентритов кремния.Целью изобретения является получение р-п структур арсенида галлия...
Полупроводниковый прибор
Номер патента: 432840
Опубликовано: 05.12.1977
МПК: H01L 29/76
Метки: полупроводниковый, прибор
...йз ссцовной плас На чертеже изображе прибор, который состоит тины 1, выполненной из ду выводами ходит излуче ый поглошв я при поглошеяда диффундиластины 1, о ирокозоцного поа, например вр 2-5 истока и сто ся пластин нии неосновн руют и дрейф лупроводникового матер сенида, галлия, областе уют в области Изобретение относится к полупроводниковых приборов использующих режим ицверс Для увеличения крутизнь ной характеристики в предл боре основная пластина вып рокозонного материала, в отов состоят из двух частейпроводимости одинаковой шиной зоны, образуя электрор а-переход, излучающий свепоглощается каналом. тип проводимости оложец ему. Облвсазуют истоковый и цно) электролюминесНа пластину 1 наце, сверху которого ектрод 7 из метвлол п...
Прибор на основе арсенида галлия
Номер патента: 376030
Опубликовано: 05.12.1977
Авторы: Лисенкер, Марончук, Сеношенко
МПК: H01L 29/00
Метки: арсенида, галлия, основе, прибор
...сущест"венно улучшить характеристики полевыхприборов на основе баАз, например,увеличить максимальную рабочую часто. -ту полевых транзисторов и МДП-варика 2 О пов . трук в нающих кон ройс поль рмула изобретения Прибор изолиров ю щ и й ния его дом галл ложен до Зогаллия с тли ч ю улусе . арсеннка распс" трида г;-.з арсенидодом, ос целк междиэлектрслой н на основе иным элект я тем, чт арактерист я и слоем д олнительныгаетс диэле Изобретение относится к с циям полупроводниковых уст т основе арсенида галлия, ис зу принципы эффекта поля.Известна конструкция полевого транзистора на основе арсенида галлия с использованием однослойного диэлектрика из нитрида кремния (МДП-структу ры) еИзвестные МДП- структуры не позволяют получить плотность...
Термоэлектрический преобразуатель
Номер патента: 584365
Опубликовано: 15.12.1977
МПК: H01L 35/00
Метки: преобразуатель, термоэлектрический
...одинаковой величины обеспечивалось равенство Е = Е, где Е и Е - ТЭДС спаев. За счет такого выполнения устройства достигается высокая точность преобразования подвум нагревателям.На фиг. 1 изображен предлагаемый термо 0 электрический преобразователь; на фиг, 2 -график зависимости вольт-ваттной чувствительности 5 в/вт 1 термопреобразователя оттеплопроводности газовой смеси,Термоэлектрический преобразователь содер 5 жит единый герметичный корпус 1, идентичныенагреватели 2 и 3, тепловые контакты нагревателей с полупроводниковым термоэлементом4 и 5, перегородку 6, разделяющую корпус надве герметичные секции, полупроводниковый0 термоэлемент 7, вакуумные переходы 8, элек584368 фиг. 1 трические выводы нагревателей и термоэлемента...
Устройство для отбраковки излучающих полупроводниковых структур
Номер патента: 557701
Опубликовано: 25.12.1977
Авторы: Лисенкер, Марончук, Пухов
МПК: H01L 21/66
Метки: излучающих, отбраковки, полупроводниковых, структур
...содержит подвижный капиллярныймикрозонд, заполненный электролитом, поцентральной оси которого расположен световод с фотоприемником,Микрозонд может легко перемструктуре, а фотоприемник при эрует вет ичину квантового выходав соответствующей тоЧке,На чертеже приведена структурная схемапредложенного устройства,Устройство содержит измерительную пластину 1, на которой установлен капиллярныймикрозонд 2, заполненный прозрачным электролитом, который является омическим контактом 3. По центральной оси микрозондарасположен световод 4 с фотоприемником 5,Пластина размещена на норвижном держа557701 Подписноеа Совета Министрооткрытийшская наб., д. 4/ 4 Филиал ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Прое теле, р6 об азца Микроэонд и держатель образца...
Контактное устройство
Номер патента: 585562
Опубликовано: 25.12.1977
МПК: H01L 21/00
Метки: контактное
...вид; на фиг. 2 - разрез А - А на фиг, 1.Контактное устройство содержит выполненные в виде полуцилиндров потенциальный контакт 1 и токовый контакт 2, разделенные по оси 25 диэлектрической прокладкой 3, пружины 4, винты 5, корпус 6.Диэлектрическая прокладка 3 изолирует контакты 1 и 2 друг от друга и постоянно перемещается вместе с контактом 1, входя выступом в поперечный паз контакта, Боковому смещению прокладки 3 препятствуют сами контакты и стенки отверстия в корпусе 6 контактного устройства.Выполненные плоскими пружины 4 одними концами жестко закреплены на корпусе 6, а другими входят в пазы контактов 1 и 2, выполненные перпендикулярно оси контактов.Пружины 4 фиксируют и поджимают токовые контакты 2 и потенциальные контакты 1 так,...
Тара-спутник
Номер патента: 585563
Опубликовано: 25.12.1977
МПК: H01L 21/20
Метки: тара-спутник
...точности фиксации корпусов при- боров повышения точности взаимной фик сов в таре-спутнике, преимушест лоских корпусов полупроводнико в с выводными рамками, выполнен ной в виде ленты с отверстиями для корпусов и фиксируюших штырей, лента выполнена из жестко соединенных и сориентированных между собой выводных рамок.На чертеже изображена тара-спутник, общий вид.Она состоит из плоских корпусов 1 полупроводниковых приборов с выводными рамками 2, в которых имеются фиксирующие отверстия 3.Сборка тары-спутника осуществляется следуюшим образом.Корпусы 1 полупроводниковых приборов укладываются на штыри по фиксирующим отверстиям 3 в выводных рамках 2. Перекрываюшиеся части рамок 2 двух соседних корпусов 1 соединяются между собой контактной...
Способ выявления микродефектов в монокристалическом кремнии
Номер патента: 585564
Опубликовано: 25.12.1977
Авторы: Авраменко, Веселовская, Данковский
МПК: H01L 21/306
Метки: выявления, кремнии, микродефектов, монокристалическом
...занимающихся производством кремниевых монокристаллов,В полупроводниковой промышленности требуются кремниевые бездислокационные моно- кристаллы, не содержащие микродефектов типа кластеров из-за отрицательного влияния кластеров на электрические и другие характеристики полупроводниковых приборов,несколько способов выявления путем травления кристаллов в вой кислотыи раствора хромово- в воде, отличающихся некотом объемов составных частей этих выявления микродефектов ом кремнии, включающий ку образцов в закрытом м растворе, содержащемкислоту и водный расидрида с концентрацией л, взятых в соотношении585564 Формула изобретения Составитель Н. ХлебниковТехред О. Луговая Корректор Ц. Макаревич Тираж 976 Подписное Редактор Е. Гончар Заказ 5058/43...
Способ фиксации полупроводниковых пластин
Номер патента: 585565
Опубликовано: 25.12.1977
Авторы: Власов, Зайцева, Полисан, Томашевский
МПК: H01L 21/68
Метки: пластин, полупроводниковых, фиксации
...к технологии изготовления полупроводниковых приборов и можетиспользоваться при обработке, транспортировке и хранении полупроводниковых пластин.Известен способ фиксации полупроводниковых пластин при групповой обработке, предусматривающей их установку в радиальные пазыкассеты, 1. Однако он не совершенен из-занедостаточной надежности фиксации пластинпри транспортировке и хранении.Наиболее близким к изобретению техническим решением является способ фиксацииполупроводниковых пластин, включающий растягивание цилиндрических пружин между продольными ограничителями рамы, установкупластин между витками пружины и сжатиепружины 2,Известный способ позволяет зафиксироватьпластины при технологической обработке, однако, при хранении и транспортировке...
Устройство для присоединения выводов радиоэлементов к печатным платам
Номер патента: 585566
Опубликовано: 25.12.1977
Авторы: Воробьевский, Гавриков, Осенков
МПК: H01L 21/98, H05K 13/04
Метки: выводов, печатным, платам, присоединения, радиоэлементов
...с пластинчатыми электродами 1 и 2, параллельно которым установлены дополнительные электроды 3 и 4. Под сварочный инструмент подводят ленту 5 с интегральной схемой 6, выводы 7 которой вырублены, а выводы 8 не вырублены, Выводы 7 и 8 совмешают с контактными площадками 9 перфорированной печатной платы 10.Способ монтажа на печатной плате 10 интегральных схем 6 сводится к следуюшему.Интегральные схемы 6, собранные на ленте 5, частично вырубают, оставляя два невырубленных вывода 8 по разные стороны схемы. Ленту 5 с интегральной схемой 6 перемешают на позицию присоединения и производят совмешение выводов 7 и 8 с контактными площадками 9 печатной платы 10. Затем подают импульс электрического тока так, чтобы ток проходил по невырубленным выводам...
Способ получения слоев арсенида галлия
Номер патента: 500714
Опубликовано: 25.12.1977
Авторы: Гудзь, Лисенкер, Марончук
МПК: H01L 21/205
Метки: арсенида, галлия, слоев
...реакторов,2цепь изобретения - разработка способа снижения уровня неконтролируемого пегирования растущих слоев бааз кремнием.Это достигается тем, что в зону роста эпитвксиапьных слоев Ьо А 6 при температуре роста подаются пары гидразина (ипи вм ми вка) .Гидразих (ипи аммиак) при взаимодействии с хпоридвми кремния обрвзуют комплексы типа ЬЙ Я (нвпримеп,Ы Я), которые при встраивании их в решетку растущего слоябаАьявпяются, в отличие от 3 ь, электрически неактивными.Сущность предпвгаемого способа звкпючается в следующем.Хпориды кремния, образующиеся в зоне роста, связываются гидразином ипи аммиаком с образованием нитрида кремния, что уменьшает концентрацию эпектрически активного кремния в растущем слое Ьо Аь П р и м е р. Устройство...