Патенты с меткой «фотодетектор»

Номер патента: 585775

Опубликовано: 30.10.1980

Авторы: Беляев, Кузнецов, Медяник

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодетектор

...фотодетекторабез уменьшения его чувствительности 2и обнаружительной способности.Достигается это тем, что в устройство введен неинвертирующий усилитель, имеющий низкое выходное сопротивление и коэффициент усиления меньше единицы, вход которого соединен систоком, а выход - со стоком полевого транзистора и с другим выводом фо"топриемника,На чертеже приведена схема описываемого фотодетектора.Предложенный фотодетектор содержит полевой транзистор 1, затвор которого соединен с общей шиной черезрезистор 2, зашунтированный последовательной цепочкой, разделительную 40емкость 3, резистор 4 нагрузки, фотоэлемент 5,один электрод которогочерез резистор нагрузки соединен собщей шиной, а другой - со стокомполевого транзистора 1 и через...

Номер патента: 1800506

Опубликовано: 07.03.1993

Авторы: Петросян, Ушаков

МПК: H01L 31/07

Метки: быстродействующий, фотодетектор

...Встречное нэправление токов, протекающих по виткам спирали, создает магнитные поля противоположных знаков знацительно снижающие суммарное поле спирали. Малая величина Ь по сравнению с прототипом значительно снижает ограничения сверху по частоте изза отсутствия условий до возникновения резонанса последовательного контура ЬС, что расширяет полосу рабочих частот устройства, а следовательно, увеличивает его быстродействие,Важным параметром схемы устройства является. межвитковая .емкость С 1, Именно этот параметр в основном определяет быстродействие устройства, Постоянная времени фотодетектора тй=2, 2 йС 1, где Я - сопротивление нагрузки (500 Ом для быстродействующих фотодетекторов),На фиг. 2 плоская спираль делится диагоналями 407 и...

Номер патента: 1753901

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Аверин, Дмитриев, Эленкриг

МПК: H01L 31/11

Метки: фотодетектор

ФОТОДЕТЕКТОР, содержащий полупроводниковую подложку с расположенными на ней активным слоем и двумя встречно-штыревыми электрически проводящими электродами, образующими с активным слоем контакты с барьером Шоттки, отличающийся тем, что, с целью повышения отношения сигнал - шум при одновременном упрощении обработки сигнала, контакты с барьером Шоттки выполнены с различной высотой барьера исходя из соотношения:1 - 2 = L2qN / 2 ,где

Номер патента: 1820795

Опубликовано: 10.09.1995

Авторы: Аверин, Дмитриев

МПК: H01L 31/11

Метки: фотодетектор

...электрод выполнен в виде омического контакта 5 к активному слою 2 слоистой полупроводниковой структуры 3, Если выбрать величину концентрации основных носителей заряда активного слоя 2 и расстояние между электродами встречно- штыревой системы контактов такими, что поле, обусловленное Шоттки барьерным контактом, распространяется на все расстояние между контактами, то при освещении фоточувствительной области 6 образуется фототок, который может быть подведен к полезной нагрузке, создавая на ней измеряемый электрический сигнал, При этом расстояние между электродами встречно-штыревой системы контактовследует выбирать в соответствии с выражением Формула изобретения ФОТОДЕТЕКТОР, содержащий полупроводниковую подложку с расположенным на ней...

Номер патента: 1797418

Опубликовано: 20.09.1995

Автор: Аверин

МПК: H01L 31/14

Метки: фотодетектор

...2 и образующие с ним контакты металл-полупроводник 3, фоточувствительная область 4. Фотодетектор работает следующим образом.При освещении оптическим излучением фоточувствительной области 4 образуется фототок, который является комбинацией электронов и дырок, фотогенерированных в обедненной области обратно смещенного контакта. Этот ток .еоез развязывающую емкость подводится к полезной нагрузке й, создавая на ней измеряемый сигнал, при этом быстродействие фотодетектора с шириной электродов менее 0,5 мкм увеличивается при сохранении его эффективности, если высота электродов не превышает его Формула изобретения ФОТОДЕТЕКТОР с встречно-штыревой системой электродов, размещенных в активном слое слоистой полупроводниковой структуры и...

Номер патента: 1823725

Опубликовано: 27.02.1997

Авторы: Ветохин, Залесский, Куликов, Леонова, Малышев, Пан

МПК: H01L 31/107

Метки: лавинный, фотодетектор

...напряженность поля наиболее высока. Область развития пробоя имеет при этом очень малую площадь, т.к. грани пирамиды и углы почти идеальны. Малая площадь развития лавин практически исключает возможность возникновения микроплазмы (вероятность появления микроплазмы пропорциональна площади лавинного умножения), что соответственно снижает уровень темнового шума, Однако размеры фоточувствительной площадки оказываются больше, чем площадь развития лавины, в результате диффузии фотоиндуцированных носителей от места образования к месту умножения, Эта зона ограничена диффузионной длиной 1. неосновных носителей тока, именно поэтому расстояние между выемками не должно превышать 21., в противном случае будут наблюдаться снижение квантовой...

Номер патента: 1005610

Опубликовано: 27.06.1999

Авторы: Верходанов, Герасименко, Йожеф, Петер

МПК: H01L 31/036

Метки: фотодетектор

1. Фотодетектор на основе полупроводниковой структуры, по крайней мере с одной ячейкой, содержащей фоточувствительную зону, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности в области длин волн вблизи края собственного поглощения полупроводника и расширения диапазона чувствительности в длинноволновую часть спектра, фоточувствительная зона выполнена с дефектами в виде изолированных выделений второй фазы в количестве 0,1 - 8% от объема зоны.2. Фотодетектор по п.1, отличающийся тем, что размер дефектов - не менее длины волны края собственного поглощения полупроводника.