H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 407251

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Богом, Ермолаев, Жарков, Кустов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 571)11

...напряжений со средней точкой 15, а триод 12 включен последовательно с первыми двумя и управляется измеряемым сигналом, поступающим на вход 1 б. Напряжение на базу каждого триода поступает через диодно-конденсаторную цепочку, в которой исходный синусоидальный сигнал. Шубина Техред Т, Миронова Корректор А. Степанова Редакто аж 678та Министров Сытийд. 4/5пография НИИМАШ, ст. Щербинка Заказ 535 Изд.1043 Тир ЦНИИПИ Государственного комитета Сове по делам изобретений и откр Москва, Ж, Раушская наб., ПодписноеР преобразуется в импульсы с амплитудой, достаточной для отпирания триодов. Импульс является вершиной синусоиды, обрезанной за счет запирающего смещения на диоде 17, которое создается при заряде конденсатора 18, при этом длительность...

Номер патента: 407409

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01L 21/00

Метки: испаритель, паро-газовой, смеси

...нижнего и верхнего оснований в 30 пределах 0,1 - 0,3, причем нижние части экра 3нов погружены в испаряемую жидкость, образуя канал для движения парогазовой смеси, а отношение диаметра камеры к ее высоте изменяется от центра к периферии от 1,0 до 0,1,На чертеже показан описываемый испаритель, продольный разрез.Испаритель изготовлен из стали Х 18 Н 10 Т и состоит из камеры 1, трубопровода 2, экранов 3, выполненных в виде спирали Архимеда, и натекателя 4, конус которого закреплен на мембране 5 и перемещается червячным механизмом 6.Нижняя часть камеры 1 коническая, причем отношение диаметра камеры к ее высоте изменяется от центра к периферии от 1,0 до 0,1. Такая конструкция улучшает условия термостатирования галогенида, а также...

Номер патента: 408115

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Белевцев, Карасева, Кочкарев, Лебедев, Ратнер, Симонов, Эпштейн

МПК: F25B 21/02, H01L 35/28

Метки: средств, термоэлектрический, транспортных, холодильник

...акт Предмет из тен и я Изобретение касается холодильников малойемкости для транспортных средств, напримеравтомобилей,Известны термоэлектрические холодильники для транспортных средств, содержащиетеплоизолированную камеру с равномернораспределенными по ее периметру термобатареями, снабженными ребрами,Цель изобретения - повысить эксплуатационную надежность холодильника.Это достигается тем, что ребра выполненыв виде теплораздающих пластин, образующихстенки камеры, а с каждой из термобатарей- -автономные охлаждающие блоки, электрически изолированные один от другого,На фиг. 1 изображен предложенный термоэлектрический холодильник со стороны однойиз боковых стенок, общий вид; на фиг. 2 -то же, с распределенными по периметру охлаждающими блоками,...

Номер патента: 408409

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кан, Маркс, Рахубовский

МПК: H01L 39/00

Метки: коммутации, токов

...этого устройство содержит магнитоуправляемый контакт со сверхпроводящей обмоткой возбуждения, которая подключена параллельно вентилю управляющего криотрона.На чертеже приведена схема устройства,Устройство для коммутации токов содержит магнито-управляемые контакты (МУК) 1, обмотку 2 возбуждения МУК, изготовленную из сверхпроводящего материала, вентиль 3 5 управляющего криотрона, управляющую обмотку 4 криотрона.Устройство работает следующим образом.В исходном состоянии все устройство охлаждено до температуры, при которой обмот ка 2, вентиль 3 и обмотка 4 находятся всверхпроводящем состоянии. Ток питания схемы протекает при этом через вентиль 3.Обмотка 2 обесточена, контакты МУК разомкнуты и сопротивление между ними бес конечно...

Номер патента: 409318

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Куйбышевский

МПК: G01D 21/00, H01L 29/00

Метки: автотракторных, например, полупроводниковых, режима, теплового

...устройства и по тарпровочным графикам позволяют произвестиколичественную опенку температурного режи 15 ма выпрямителей. С целью упрощения регистрации и суммирования продо 1 кительноститепловой перегрузки неэлектпческие величины (температура окружающей среды и интенсивность воздушного охлаждения) преобразу 20 ются (например, с использованием терморезисторов и измерителя частоты вырабатываемого генератором тока) в соответствующиеэлектрические величины, которые легко обрабатываотся автоматически.25 В автоматичеоком устройстве происход;тобработка непрерывно поступающей информации и вырабатывается необходимый сигнал.В процессе эксплуатации выпрямительногоблока режимы тепловой перегрузки наступаютЗа дискретно и отличаются...

Номер патента: 409453

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/16

Метки: выпрямитель, медиозакисный

...изооретепия Составитель Г, Корнилова Редактор В, Левятов Техред. Г. Васильева Корректор Т, ГревиоваЗаказ 1674 Изд.1144 Тираж 780 Подписное ЦНИИПИ Государственного комитета Совета Министров СССР по делам изобретений и открытий Москва, Ж, Раушская наб д, 4/бЧереповецкая городская типография пой мере зависят от примесей, содержащихся В ПСКОДНОй МЕДИ.Наличие опредсленнык примесей в искодной мсдп особенно резко влияет па заппракицсс 1 ягряэкене, которос лОжет оыть снижеО эт 51- мп примесями даже при сравнительно коротком Времени повторного отжига, нап 1 энме 1 э с 0,48 до 0,25 в. Существенным моментом является то, что благодаря этим примесям могут оыть повышснь. одновременно стабильность блокпруОщего тока и блокирующее сопротивление...

Номер патента: 409454

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Автор, Джон

МПК: H01L 29/76

Метки: запоминающее, устройство12

...петлю гистсрезиса, Ес. ,н при.1 Оксн нос ннр 51 кение б) дст имсть до статочно большую отрицательную величину О емкое)ь ска)ко) Перейдет 1 Оо;ьшсзу знд. снио и )стс)нстс 51 и) этом уроВне иос,е сия.орицятс)нного изИхльс). Ес,и иаирже нис ид затворе будет иметь достаточно боль шую положительную величину, то емкость пе рсйдст на низшии уровень,При подаче на затвор достаточно большогс отрицательного импульса электроны путе) туннельного прохокаления к зоне проводимо сти кремния могут покидать ловушки, находя щисс в слое нитрида кремния вблизи его по всрхиости раздела со слоем двуокиси крем ни 51. Г 10 с,с 10 ГО кдк э,сктроны покидд 10 т ло409454 Сосчавичсль О. Федюкина Техред 3, Тараненко Редактор В, Левятов Корректор Н, Торкина...

Номер патента: 409456

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дата, Опубликовано

МПК: H01L 35/32

Метки: гдр

...термического шунтирования и обеспечение мс хаиичсскои;рочиости ири небольшом сечении 15 полупроводников. Достигается этом тем, что металлическая фольга имеет тиснения, например, зиговки и участки для рясиолд)кения кд- мутяционных шин.Фольга ири малом поперечном сечении цд 20 лупроводииков остается в готовой батарее и используется в качестве несущего элемента. В качестве материала для фольги может быть использозан алюминий с окезной пленкой. Коммутац;оцные шины перед пайкой скреп ляются с фольгой между зиговками с помощью тсцлосто 5 Кого клея.В продольном направлении зиговка действует как элемент, увеличивяющии жесткост. В поперечном направлении зиговка комиенси- ЗО)озщкающи чз вар ацт 1 Рс,1 м ЗООРСТСЦИ 5 относится к...

Номер патента: 361413

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: G01N 1/32, H01L 21/308

Метки: послойного, стравливания

...острой кромкой, упругого прижимаемой к поверхности образца.Стакан выполнен, например, из полимерного фтороорганического соединения, химически стойкого к агрессивным средам и сохраняющего упругость в широком интервале температур. Профиль стакана задается контуром травления поверхности.На чертеже показано предложенное устройство.Устройство состоит из расположенных соосно реакционного сосуда 1 и корпуса 2, предметного столика 8, на котором размещен образец 4, и резиновой подушки 5, Реакционный сосуд имеет профиль, сечение которого в точности соответствует контуру травления.Нижняя кромка реакционного сосуда скошена так, что в сечении образуется зуб с углом50 - б 0.5 Гермстичный прижим реакционного сосудак образцу осуществляют при...

Номер патента: 361474

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дмитриев, Меркулов

МПК: H01C 7/18, H01G 4/40, H01L 49/02 ...

Метки: rc-структура, неоднородными, параметрами, распределенными

...как вдоль длины ГсС-структ параметром является тольк емкость. С целью увеличения рактеристик, па резист ры нанесена укорочепн которая образует допо цое сопротивление и дл пе диэлектрической п цад цей. На чертеже изображена схема КС-структуКС-структура содержит резистивный слой 1, диэлектрические пленки 2, 3, проводящие пленки-обкладки 4 и 5 и дополнительную резистивную пленку б, расположенную между слоем 1 и диэлектрической пленкой 3.Дополнительная укороченная резистивная пленка 6 уменьшает удельное сопротивление слоя 1 на участке перекрытия, что приводит к образованию по длине неоднородности резистора КС-структуры, причем чем больше неоднородность, тем выше крутизна частотных характеристик КС-структуры,5 Крутизна частотных...

Номер патента: 361486

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01L 31/18

Метки: покрытий, суспензия

...частиц суспензий полупроводников частицами термодинамически устойчивой латексной системы, применяемой в качестве дисперсионной среды. Мелкодисперсные частицы латекса адсорбируются на более крупных частицах полупроводника и образуют защитную оболочку, которая препятствует сближению частиц на расстояния, на которых преобладают силы молекулярного притяжения, предотвращая таким образом агрегацию. Кроме того, адсорбция частиц латекса приводит к образованию мицелл с пониженной эффективной плотностью, при этом увеличивается кинетическая устойчивость суспензий,В предложенной суспензии применяется латексная система поливинилбутираля (ПВБ) в ацетоне, получаемая путем растворения ПВБ в бутаноле и диспергирования раствора в аце тоне....

Номер патента: 361487

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Гаврилкин

МПК: H01L 27/00

Метки: подложка, полупроводниковая

...как в отраженном видимом свете, так и в проходящих лучах для ближней ИК - области спектра. Однако он изменяет положение своих фотометрических осей при несимметричном заполнении его профиля различными веществами, например фоторезистом, в процессе технологических операций изготовления интегральных схем.Стабильность фотометрической осн глубинного реперного знака достигается благодаря тому, что канавка заполняется химически неактивным материалом полупроводниковой подложки веществом 4 и значительно отличающимся оптическими свойствами как для видимого света, так и для ИК - области спектра. Таким требованиям удовлетворяет ситалл, который совершенно непрозрачен в ИК - области спектра и обладает диффузным отражением для видимой области,...

Номер патента: 361502

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ананьева, Угрюмова

МПК: C04B 35/49, H01L 41/187

Метки: материал, пьезокерамический

...прочности на изгиб. Борный ангидрид 0,05 - 0,4 Окись висмута 0,0 1 - 0,2 Ниже приводится пример приготовления предложенного пьезокерамического материала,В состав, содержащий 95 мол. % РЬО, 5 мол. % БгСОз, 53 мол. % ХГОе, 47 мол. % Т 10 г и 1 вес, % Таг 05 вводится добавка в количестве 0,5 вес. %, содержащая в вес. % 30 51 Ог, 40 РЬО, 10 ВеОз, 20 В 40,. Для приготовления такого состава берут 155,5 г РЬО, 27,5 г Т 10 г, 49,35 г ХгОг, 5,43 г ЯгСОз, 2,33 а Таг 05, шихту смешивают, прессуют брикеты, обжигают при температуре 920 С в течение 1 час. Спеченные брикеты вновь измельчают. К приготовленному таким образом порошку в количестве 240 г прибавляют 0,48 г РЬО, 0,36 г ЯОг, 012 г ВгО, 0,24 г В 1 гОз тщательно перемешивают и прессуют...

Номер патента: 363149

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Ивашкин, Ланганс, Пастернак, Спасова, Сухарев

МПК: G01L 23/10, H01L 41/113

Метки: гидрофон

...например резиной, и подвешены на пружинах, закрепленных на корпусе.На чертеже показан предложенный гидрофон, вид сбоку, в разрезе.Гидрофон содержит пьезокерамическую оболочку 1 с электродами 2 и 3, присоединенными к гибкому кабелю 4. Крепление последнего осуществляется с помощью жесткой втулки 5 и эластичной втулки б, причем к жесткой втулке прикреплены амортизационные пружины 7, закрепленные на 8.Пьезокерамическая оболочка 1асплошным эластичным матерна к корпусу 8 прикреплены защитны и 5 10, 11.Работает гидрофоц следующим образом.Пьезокерамическая оболочка 1 воспринимает звуковое давление в диапазоне звуковых частот, примерно 100 гц - 20 кгтт, а так жс помехи, возникающие за счет вибраций иза счет тепловых излучений.Исключение...

Номер патента: 363943

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, переноса, полупроводниках, явлений

...1 образца, блок 2 питания, блок у температурного режима, блок 4 формировкц контактов, пульт 5 управления, блоки б, 7, 8, 9 компенсации и коммутации, блоки 10, 11 усиления, блок 12 автоматического измерения, олок 18 автоматического управления магнитом, электромагнит 14, компенсатор 15, самопишущий потенциометр 1 б, высокоомный усилитель 17.Устройство работает следующим образом.С помощью блока температурного режима на образце устанавливается стабильная температура. После этого с пульта управления подключают блоки измерения интегральной термоэлектродвижущей силы ц температуры торцов образца, где автоматически измеряются и записываются эти величины, С пульта управления блоки 15, 1 б, 17 отключаются и включаются блоки измерения...

Номер патента: 364047

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Громов, Лобиков, Салон, Стрсменов, Шутилин

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллов, подготовки, сборке

...после разделения кремниевой пластины3, имеет вид, изображенный на фиг, 3. Каждый кристалл 9, содержащий структуру одноймикросхемы, приклеен к спутнику 1 тонкимпрямоугольным слоем 10 глифталиевого лака.Спутник 1 имеет канавки 11 глубиной0,1 - 0,2 люлс, расположенные с шагом, равньвшагу структур кремниевой пластины, в видекоординатной сетки и образуемые прп резкекремниевой пластины 3 проволочками или специально подготовленные заранее. Спутник 1вместе с приклеенными и разделенными крисгаллами 9 отмывают от продуктов разделешгясинтетическим стиральным порошком в теплойводе и сушат. Защитный слой 4 глпфталневоголака снимают ацетоном. Затем спутник 1 скристаллами 9 устанавливают на установкуавтоматического зондового контроля (фпг. 4).На...

Номер патента: 364048

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гаврил, Кайбанов

МПК: H01L 21/00

Метки: устройств, фотогравировальных

...светочувствительная иластиа, а поверхность которой ироизведеа двухкоординати ая мультипликация последовательных участков взаимно перпендикулярных нтрихов; па фиг, 3 - другой вариант фотоназц бора изображений ортогоиальиых штрихов;364048 о вава в У У 4 Подп ясно каз 357 Изд. М 10 Тираж 40 Загорская тппографпя 3на фиг, 4увеличенное изображение одногоиз мультиплицированных штрихов.В проекционном тубусе фотогравировального устройства, например фотоштампа фотонаборной машины или установки проекционногосовмещения, иа месте промежуточного фотошаблона неподвижно закрепляют фотошаблон 1 (фиг, 1) с нанесенными па нем двумявзаимно перпендикулярными штрихами 2, 3.Далее с помощью сменных диафрагм 4, 5, б,7, 8, 9, 10 путем последовательного...

Номер патента: 364049

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: H01L 21/66

Метки: многозондовое

...гстаиовки веско.ких зоидОВ ия Одиу коиттктиую площадку и обеспечение возможности измсреиия дицамических парямстрои ИС.Цел дости 1 ястс 51 Гсм, что полижиые Зоиды с несколькими колецообразцыми изгибами, иекоитактирующие концы которых выступают В виде упоров, располокецы в пазах корпуса и поджаты к фиксирующим плащ ям пружинами, причем корпус имеет неподвижные упоры, служащие В совокупцости с иодвижцыми упорами зондов для регулировки последцих.Ня фиг, 1 изображено предлагаемое много зоидовое устройство в двух проекциях с разрезами; ца фиГ. 2 изООря 51 кеи В рязре 30 кл 10 д,15 регулировки зонда ио плоскости.Миогозоцдовое устройство содержит корпус 1, зонды 2. Волиооорязиую иружицу 5, упо 1 с ры 4, и,1 яики 5, ссктйря 1, иижимиыс пииты7,...

Номер патента: 364055

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Лавриненко

МПК: H01F 38/28, H01L 41/107

Метки: 364055

...продольно поляризованный возбудитель,В этих трансформаторах изменение величины коэффициента трансформации по току достигается путем изменения геометрических размеров пьезоэлемента, что усложняет получение заданной величины коэффициента трансформации.Цель изобретения - обеспечение регулировки коэффициента трансформации по току. Цель достигается тем, что между возбудителем и каждым из генераторов дополнительно расположены поперечно поляризованные секции, электроды которых соединены с электродами генератора, причем ширина секции пропорциональна коэффициенту трансформации по току,На чертеже показана функциональная схема устройства. Продольно поляризованный возбудитель 1расположен в центре пьезоэлектрического трансформатора....

Номер патента: 365226

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гиль, Громов, Дубровский, Изобретени, Лысенко, Медведев, Назаров, Царьков

МПК: B23K 31/02, H01L 21/48

Метки: герметизации, корпусов, пайкой, плоских, полуавтомат, полупроводпиков

...вала 5 при помощи штока о, и коллектором 7 для наполнения газом камеры 1 через клапан д, связанный с кулачком 9,распределительного вала 5, который приводится во вращение электродвигателем 10 через клиноременную передачу 11, редуктор 12 и муфту предельного момента 13.Для фиксации крышек 14 корпусов 15 и возможности шагового перемещения кассета 16 выполнена в виде пенала с зубьями 17 на боковой стороне, гнездами 18 и находящотмпся в них подпружиненныхви рамками 19. Кассета-пенал 16 с уложенными в ней корпусами 15 и крышками 14 вставляется в направляющие 20 стола и подхватывается собачками 21, укрепленными на штанге 22, которая совершает возвратно-поступательное движение при помощи рычажной системы 23, связанной с кулачком...

Номер патента: 365736

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Свечников, Синицын

МПК: H01L 31/08

Метки: фоторезистор

...спектральной чувствительности и снижение светового сопротивления фоторезистора. Это достигается тем, что в предлагаемом фоторезисторс между подложкой и слоем фотопроводника расположен проводящий с,пой, выполненный в виде двух взаимоизолированных и электрически соединенных с растровыми электродами слоев.Растровые электроды могут быть выполнены из прозрачного материала,На чертеже показан описываемый фоторсзистор, разрез и вид сверху.Фоторезистор состоит из подложки 1, фото- слоя 2, контактирующего с одной стороны с растровыми электродами 3, с с другой - с плоскими электродами 4, разделенными небольтцосится к области элскгрошим зазором. Электроды 5 и 4,цые на противоположных сторон соединены попарно (верхний с ц Таким образом,...

Номер патента: 365756

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Анстранга, Витол, Матвеева, Мисуркин, Стручаева

МПК: H01L 23/26

Метки: влагопоглотитель, полупроводниковых

...цель достигается тем, чтоиспользуют смесь борцого дцгидрцда и молекулярцого сита, взятых в соотцошеццп соот 2 о ветствсццо 9 - -1:1- - 9, Иногда в указаццуюсмесь вводят геттероцосптель, например КВ-З.Борцьтй ацтццрпд прц определенных псходшях обработках и соотцошсциях с молскуляр;-, цым ситом в случае избытка влаги в корпусе прибора прц тсрмообработке поглощает влагу. В случае создания более осушающей среды цо сравцсцшо с цсобходимоц -- отдает впутрешцою влагу в атмосферу прибора. Вези совос количество борного дцгттдрида, молеку.Ц 1 ИИПИ Комитета по делам изоорстений и огкоытий при Совете Министров СССР Москва, Ж, Раушская наб д. 45 с)бп, тпп Костромского управлсппп пз атслпств, полш рафаи и кпп;кпо. горгопсп. лярного сита и...

Номер патента: 365908

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Лшжт, Ханс

МПК: H01L 25/03, H02K 19/36

Метки: библиотека

...же со Вт)лк)Й, Вид сбоку; ца фцг 3 - то ж" сз Втк 1, ви; Сбо. В несущий элементВстдвле:ь По.уцроводКДВЫЕ ВЫЦРЯМ.1 тЕЛЬЦЫЕ ДИОДЫ ), От КОтСхРЫХ ОтВЕЦС)Ы ИЗОЛцрОЗВППЫЕ Сцд 1)уХт 1 ВЫВОДЫ ) 1:,с 1 рм,сцногд то)д. В 1 вод 4 перси)еппдго тод цспосрэдстзекцд прцсоед)Нсц к несущему эле)011 т. Пос;)едстздм болта д нос)ЦИЙ элемент здкреплец ца втулке 6 цлц валу т. Прп этом од, оврсменцо пр помощи вывода ) иыпряж,еаНОГО тОкд, зак 1)ецле:НОГО хежд изоляцц оццдй нцжцсй ст;:1)001 Несущего элемента и: 0:Тдктцьм кольцом 8, дост:1 гается соедцне 1 гце несущ=го элс)е.)та с выводом обмоткц ротора. Кроме того длтом 5 можно здкрепить Выводпсреме:1:Ого тока. Дстали, встрдивае 1 б 1 ые ц песуЦцй элехСнт, например схемцая заП 1:тд, хОгут оыть за)краплены и...

Номер патента: 366424

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авдеев, Аркман, Варич, Крашенинин, Нагаев

МПК: H01L 21/66

Метки: производной, температурной

...измерению о(Т)тем илц иным способом с последующим дифференцированием полученной зависимости.Однако процесс дифференцирования снижаетточность определения ЫйТ. Автоматизация 15этого процесса сильно усложняет экспериментальную установку.Предлагаемый способ позволяет непосредственно измерять температурную производнуюэлектропроводцости и заключается в следующем.Как известно, в неравномерно нагретомполупроводнике с градиентом температурыТ, направленном по оси Х, помещенном впеременное магнитное поле В, направленное 25по оси Л, возникает э. д, с, Нернста по оси Ув фазе с магнитным полем. Кроме того, в образце индуцируется э. д. с., повернутая пофазе на д/2 относительно магнитного поля.Экспериментально оказывается возможным ЗО...

Номер патента: 366516

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Адоньев, Петров, Сапрыкин

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, загрузки, кристаллов, полупроводниковых

...ступенчатый паз. Узел снабжен неподвижным ограничите.лем, образующим при смыкании с отсекателем канал, являющцйся направляющей для подающего кристаллы шибера.5 Для загрузки кристаллов в кассету с вертикальным наполнением,на позиции загрузки установлен подпружиненный упор и толкатсль вертикального перемещения.На чертеже изображено предложенное уст ройство.Устройство снабжено отсекателсм 1 со ступенчатым пазом и неподвижным ограничителем 2, образующим при смыкании с отсекателем канал, вдоль которого движется шцбер 15 8. На позиции загрузки установлена кассета 4с вертикальным накоплением кристаллов, Определенное положение кассеты поддерживается фиксатором 5. Кассета имеет зажцмные конусы о и 7, подпружиненный пружиной 8 20 упор 9 и...

Номер патента: 367377

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Биленко, Дворкин, Шехтер

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, концентрации, материалах, неразрушающий, носителей, подвижности, полупроводниковых

...полупроводниковых материалах.Применение призмы с показателем преломления и близким к показателю преломления пг исследуемого материала, позволяет повысить точность определения электрофизических параметров полупроводниковых материалов. Например, при исследовании кремния птипа с концентрацией носителей заряда У= 10"см-з точность определения концентрации и подвижности носителей заряда составляет - 4% и 16% соответственно при использовании призмы из высокоомного кремния и 19% и 30/о, если призма выполнена из высокоомного германия. Допустимая относительная погрешность измерения коэффициента отражения составляла 0,0; установки угла падения - 10.Условие близости значений телей показапгпреломления п и аз, и= - :1, может бытьи,легко реализовано...

Номер патента: 367488

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01L 29/94

Метки: варикап, полупроводниковый

...слоя, обеспечивается электрическая развязка цепей УС и УН, а также увеличивается в несколько раз линейность по отношению к амплитуде УС.На чертеже схематически показан предлагаемый варикап в разрезе.Он содержит полупроводниковую пластину 1, нижний металлический (управляющий) электрод 2, диэлектрический слой 3, инверсионный канал 4, слой б истощения (Шоттки), диффузионную область б с типом проводимости, противоположным по отношению к проводимости объемного материала, первый уп-. равляемый металлический электрод 7, верхний управляющий металлический электрод 8, второй управляемый металлический электрод 9.На нижнюю поверхность полупроводниковой пластины 1, например, из кремния р-типа, нанесен нижний металлический электрод 2,...

Номер патента: 367490

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Заика, Коваль, Костюк

МПК: H01L 29/93

Метки: емкостный, триод

...ью на, в поаевскойлолу- щенный я приповерхностнои обратно смещенный Изооретение относится к оводниковой электроники ипользовано в широком классести, в схемах параметрическокостного усиления, в многоусттах ит.д,Известные управляемые,полупроводниковые емкости являются двухполюсными системами, что затрудняет построение схем из-за необходимости разделения входа и выхода, а также развязки цепей по переменному и постоянному току.Цель изобретения - обеспечение возможности управления входной емкостью напряжением, не зависящим от входного. Это достигается сочетанием взаимодействующих структуры металл - диэлектрик - полупроводник и р - и- перехода.Принцип работы нелинейной поверхностной емкости заключается в том, что измерением...

Номер патента: 367571

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Коровин, Крепцева, Лесковска, Нов, Холстова, Шеходанов

МПК: H01L 21/027

Метки: заготовки, совмещения, схемы, твердой, фотошаблоном, экспонирования

...4, цилиндр 5, 10 жестко связанный с каретками б и 7, корпус8 с закрепленным на нем фотошаблоном 9 и опорную плиту 10. На штоке размещена колонка 11 со сферическим столиком 12 и закрепленной на нем заготовкой 13 твердой 15 схемы. На плите 4 размещена резьбоваявтулка 14 с микровинтом 15 и лимбом 1 б. Рьтчаг 17, шарнирно связанный с подвижной гильзой 3, выступом опирается на основание паза штока манипулятора. На цилиндре 5 20 размещена тормозная камера 18 с плунжером 19.Под действием сжатого воздуха шток двигается вверх и поворачивает рычаг 17, который свободным концом упирается в микро винт 15 и обеспечивает жесткую кинематическую связь с плитой 4 гильзы 3, Система шток - подвижная гильза двигается.вверх до прижатия заготовки 13 к...

Номер патента: 367805

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Заргар, Орлов

МПК: H01L 31/0216

Метки: полупроводниковый, прибор

...проводами, проходящими в вакуумцрованцой части сосуда.Однако в известных конструкциях такопроводы ограничивают диапазон рабочих частот, вызывают большие электрические потери и не дают возможности пропускать токи большой амплитуды.Для расширения частотного диапазона работы прибора и уменьшения электрических потерь при прохождении тока большой амплитуды с сохранением малых теплопрцтоков предлагается внутреннюю металлическую стенку сосуда Дьюара, прилегающую к мцкрохолодильнику, выполнять, по крайней мере, из двух разделенных диэлектриком металлических слоев, являющихся одновременно токопроводами. При таком выполнении электрического тракта токопроводы охлаждаются восходящцми потоками цспаренцого хладагсцта, а использование для его...