H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1217208

Опубликовано: 27.04.2009

Авторы: Костюков, Пресс

МПК: H01L 29/786

Метки: двухфазный, зарядовой, прибор, связью

Двухфазный прибор с зарядовой связью, выполненный в виде многослойной проводящей структуры, содержащей в каждой ячейке электроды хранения и электроды переноса, соединенные посредством контактных окон, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных приборов с ячейкой переноса минимального размера при сохранении высокой управляющей способности, электроды хранения каждой фазы и электроды переноса обеих фаз расположены в различных слоях проводящей структуры, причем контактные окна вскрыты к электродам одной из фаз, объединяющие электроды переноса, расположенные в третьем проводящем слое, с электродами хранения, расположенными во втором проводящем слое, размещены над...

Номер патента: 1480685

Опубликовано: 27.04.2009

Авторы: Костюков, Манагаров, Огородников, Турилина

МПК: H01L 27/02

Метки: интегральная, микросхема

Интегральная микросхема, содержащая полупроводниковую подложку, элементы защиты от статического электричества, соединенные с контактными площадками управляющих элементов интегральной схемы, термодатчик, отличающаяся тем, что, с целью расширения динамического диапазона выходного сигнала, она дополнительно содержит полупроводниковую переходную пластину, при этом элементы защиты и термодатчик размещены на переходной пластине, а подложка отделена от переходной пластины слоем диэлектрика.

Номер патента: 1416000

Опубликовано: 27.02.2010

Автор: Говор

МПК: H01L 37/04, H02N 11/00

Метки: магнитоэлектрический

Магнитоэлектрический преобразователь, содержащий источник постоянного магнитного поля, магнитопровод с обмотками, в зазоре которого размещено рабочее тело, и средства изменения магнитных свойств рабочего тела, отличающийся тем, что, с целью повышения КПД, рабочее тело выполнено в виде порошкообразного магнитного материала из арсенида марганца или сплавов на его основе и размещено в дополнительно введенной камере высокого давления, а средства изменения магнитных свойств рабочего тела выполнены в виде источника импульсного гидростатического давления.

Номер патента: 1416001

Опубликовано: 27.02.2010

Автор: Говор

МПК: H01L 37/04

Метки: термопреобразователь, энергии

Термопреобразователь энергии, содержащий рабочее тело, теплообменники с нагревателем и холодильником и исполнительный орган, отличающийся тем, что, с целью уменьшения его массо-габаритных параметров за счет повышения удельной плотности энергии рабочего тела, рабочее тело выполнено в виде магнитной жидкости из арсенида марганца или сплавов на его основе.

Номер патента: 1825250

Опубликовано: 10.04.2011

Авторы: Неуймин, Пальгуев, Федин

МПК: H01L 21/324, H01M 8/10

Метки: электрохимическое

Электрохимическое устройство, например топливный элемент, содержащий корпус, крышки с газоподводными трубками, разноименные электроды и твердый электролит, выполненный в виде блока с каналами для разноименных электродов, расположенными под углом друг к другу и выходящими на взаимопересекающиеся внешние поверхности блока, отличающееся тем, что, с целью упрощения и повышения удельных электрических характеристик, указанный корпус выполнен из нескольких блоков, имеющих форму усеченной пирамиды с бортиками в основаниях и соединенных между собой высокотемпературным стеклом таким образом, что меньшее основание одной части блока входит в большее основание соседней части на глубину бортиков,...

Номер патента: 1485963

Опубликовано: 10.03.2012

Авторы: Авксентьев, Мартыненко, Чумаков

МПК: H01L 29/74

Метки: полупроводниковый, прибор, силовой

Силовой полупроводниковый прибор, выполненный на основе кремниевой четырехслойной p-n-p-n-структуры, содержащий основную и вспомогательную структуры и разветвленный управляющий электрод основной структуры, при этом край эмиттера основной структуры зашунтирован по внутреннему периметру посредством дискретных поперечных шунтов базовых областей, отличающийся тем, что, с целью снижения перегрузки вспомогательной структуры и улучшения динамических параметров включения за счет снижения тока управления основной структуры, под управляющий электрод основной структуры введены выступающие из-под него дополнительные участки одноименного с эмиттером типа проводимости, отделенные от эмиттера и друг от...

Номер патента: 1085460

Опубликовано: 10.03.2012

Авторы: Беляев, Тюрнев

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

Магниторезистор, выполненный в виде полупроводниковой пластины с растром, состоящим из металлических полосок, расположенной на концентраторе магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности в области слабых магнитных полей, концентратор выполнен в виде пленки из магнитомягкого материала с высокой намагниченностью насыщения, находящейся в однодоменном состоянии, при этом ось легкого намагничивания концентратора направлена под острым углом к продольной оси полосок.

Номер патента: 795321

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кунашкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/28, H01L 21/285

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию р-типа проводимости, включающий нанесение молибдена на кремниевую подложку катодным распылением, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности омического контакта, катодное распыление молибдена проводят путем создания в рабочей камере вакуума (1,3-6,7)10 -4 Па, введения фторосодержащего газа, BF3, до создания вакуума (2,7-3,2)10-2 Па, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В.

Номер патента: 1484193

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Крищенко, Лесникова, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, подложку, поликристаллического, полупроводниковую

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния на полупроводниковую подложку, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40,0-100,0 нм разложением моносилана при температуре 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига в течение 5-20 мин при температуре осаждения и доращивание пленки до требуемой толщины при температуре осаждения подслоя, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем повышения их термостабильности и увеличения дисперсности, доращивание пленки до требуемой толщины проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя, составляющей 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя операции...

Номер патента: 1709864

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Баранов, Воробьев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию p-типа проводимости, включающий катодное распыление молибдена на кремниевую подложку путем создания в рабочей камере предварительного вакуума (1,3-6,7)10-4 Па, введения фторсодержащего газа BF 3, зажигания плазмы и последующей подачи высокого напряжения на мишень 2000-3000 В, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества омических контактов, в рабочую камеру дополнительно к BF3 вводят четырехфтористый углерод и водород при следующем соотношении компонентов в газовой среде состава, об.%: Четырехфтористый углерод

Номер патента: 1757395

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воробьев, Коршунов, Кульгачев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/268

Метки: пленке, полиимидной, рисунка, формирования

Способ формирования рисунка в полиимидной пленке, включающий нанесение на полупроводниковую подложку пленки полиамидной смолы, обработку участков пленки и травление не обработанных участков пленки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет исключения фотолитографии, обработку проводят путем одновременного фотонного облучения дозой не менее 0,6 МДж·м-2 при мощности потока излучения (0,01-2,0) МДж·с-1 ·м-2 и нагрева подложки до температуры не менее 80°С.

Номер патента: 1662298

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Зеленин, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/66

Метки: величины, границе, локальных, механических, напряжений, образцов, приготовления, раздела

Способ приготовления образцов для контроля величины локальных механических напряжений на границе раздела Si - SiO 2, заключающийся в том, что пленку оксида кремния отделяют от подложки путем травления кремния в смеси водорода и хлористого водорода через сформированные методом фотолитографии окна в оксиде кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности за счет повышения скорости травления, травление осуществляют при температуре 950-1220°С при концентрации хлористого водорода 0,5-10 об.%.

Номер патента: 1715138

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Кастрицкий, Козлов, Красницкий, Макаревич, Турцевич

МПК: H01L 21/318

Метки: кремния, нитрида, пленок, формирования

Способ формирования пленок нитрида кремния, включающий осаждение на кремниевые подложки пленки нитрида кремния при температуре 650-900°С из газовой смеси дихлорсилана и аммиака при соотношении ингредиентов 1:(4-20) и общем давлении 13,3-133,3 Па, отличающийся тем, что, с целью повышения качества пленок за счет увеличения их электрической прочности и снижения дефектности, осаждение проводят послойно с толщиной каждого отдельного слоя не более 15 монослоев, последовательно чередуя операции осаждения и отжига в аммиаке в течение 2-10 мин при давлении 6,65-66,5 Па при температуре осаждения пленки нитрида кремния.

Номер патента: 683402

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Портнов, Снитовский

МПК: H01L 29/70

Метки: мощный, свч-транзистор

Мощный СВЧ-транзистор с гребенчатой конфигурацией эмиттерной области, состоящий из кремниевой подложки с эпитаксиальным слоем, с одной стороны которой выполнен невыпрямляющий контакт к коллектору, а с другой - планарные области эмиттера и базы, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и повышения ее надежности, эмиттерная область выполнена так, что ее длина ориентирована по кристаллографическому направлению <110>.

Номер патента: 1669333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воронин, Герасимчик, Кречко, Круковский, Снитовский, Чертов

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, кмдп, схем

Способ изготовления КМДП интегральных схем, включающий формирование маски на поверхности монокристаллической кремниевой подложки, рисунка кармана, травление маски, последовательную имплантацию ионов, примеси n и p-типов, отжиг, формирование охранных областей, p- и n-транзисторов в n- и p-карманах и контактной системы, отличающийся тем, что, с целью уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения трудоемкости и увеличения выхода годных схем за счет уменьшения внутренних напряжений в маске, маску формируют из термического окисла толщиной h, после чего проводят до создания рисунка кармана имплантацию ионов примеси n-типа с коэффициентом сегрегации m>1 и...

Номер патента: 897048

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Калиновченко, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/331

Метки: свч-транзисторов

Способ изготовления СВЧ-транзисторов, включающий выращивание эпитаксиального n-слоя на n+-кремниевой подложке, формирование метки, термическое окисление, маскирование и фотолитографию, формирование пьедестала коллектора путем нагревания и бомбардировки протонами, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров и увеличения процента выхода годных, эпитаксиальный слой выращивают первоначально толщиной, равной высоте пьедестала коллектора, а после протонной бомбардировки эпитаксиальный слой доращивают до требуемой толщины.

Номер патента: 814175

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Владыченко, Данилов, Рассадин, Снитовский

МПК: H01L 21/311

Метки: диэлектрической, изоляции, полупроводниковых, приборов, создания, элементов

Способ создания диэлектрической изоляции элементов полупроводниковых приборов, включающий нанесение слоя нитрида кремния на кремниевую подложку с эпитаксиальным слоем, вскрытие в нем окон под контакты, травление кремния и локальное окисление, отличающийся тем, что, с целью улучшения параметров приборов, окна в нитриде кремния травят в виде узких полос шириной 0,5-1,5 мкм с отношением ширины полосы к расстоянию между ними, равным 0,56:0,44, а травление кремния в окнах проводят на глубину, большую, чем их ширина.

Номер патента: 818372

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Игнатенко, Радионов, Снитовский

МПК: H01L 21/18

Метки: диодов, шоттки

Способ изготовления диодов Шоттки, включающий выращивание высокоомной монокристаллической эпитаксиальной пленки n-типа проводимости на низкоомной кремниевой подложке n+-типа проводимости, создание на поверхности эпитаксиальной пленки р-слоя и формирование в нем охранного кольца, вытравление канавок на глубину большую, чем глубина р-слоя, термическое окисление пластины, вскрытие в окисле контактного окна, формирование металлического электрода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности металлизации путем улучшения планарности поверхности и снижения величины времени восстановления обратного сопротивления диода Шоттки путем уменьшения площади р-n перехода, на поверхности...

Номер патента: 1828333

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Матюшевский, Снитовский

МПК: H01L 21/33

Метки: транзисторов

Способ изготовления транзисторов, включающий формирование пленки оксида кремния на поверхности кремниевой подложки, легирование области охранного кольца, вскрытие в пленке оксида кремния окна под базовую область, выращивание на вскрытой поверхности подложки пленки термического оксида кремния, вскрытие в ней эмиттерных окон, легирование базовой области путем ионного внедрения примеси в кремниевую подложку через пленку термического оксида и в ее эмиттерные окна, диффузионный отжиг базовой примеси, легирование эмиттерных областей, диффузионный отжиг эмиттерной примеси, вскрытие контактных окон и создание разводки, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости за счет сокращения...

Номер патента: 1786963

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Воробьев, Коршунов, Кульгачев, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/22

Метки: нанесения, подложку, покрытия, полиимидного

Способ нанесения полиимидного покрытия на подложку, включающий обработку подложки и формирование слоя полиимидной смолы, отличающийся тем, что, с целью повышения качества покрытия, обработку подложки осуществляют в плазме, содержащей ионы фтора, в течение 1-100 с, а перед формированием слоя полиимидной смолы подложку выдерживают в атмосфере, содержащей аммиак в течение 1-1000 с.

Номер патента: 1584641

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Кабаков, Красницкий, Лесникова, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение подслоя поликристаллического кремния толщиной 40-100 нм на полупроводниковую подложку разложением моносилана на 600-650°С, прекращение подачи моносилана, проведение отжига при температуре осаждения и давлении не более 13,3 Па, доращивание пленки при температуре осаждения подслоя до требуемой толщины послойно с толщиной каждого отдельного слоя 20-30% от толщины доращиваемой пленки, последовательно чередуя осаждение и отжиг, а отжиг каждого последующего слоя проводят при давлении не более 13,3 Па, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемых пленок поликристаллического кремния путем подавления...

Номер патента: 1588202

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Красницкий, Лесникова, Семенов, Турцевич, Шкуть

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, легированных, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения легированных пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку слоя аморфного кремния при 560-580°С при давлении 33,7-66,5 Па из парогазовой смеси, содержащей моносилан и фосфин при соотношении ингредиентов в смеси 0,0008-0,007, и последующую термообработку в среде азота и кислорода при 850-1000°С, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества осаждаемой пленки путем снижения уровня механических напряжений, перед осаждением аморфного слоя на подложку наносят подслой поликристаллического кремния толщиной 10-50 нм при температуре осаждения аморфного слоя пиролитическим разложением моносилана при давлении не более 13,3 Па.

Номер патента: 782616

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данилов, Снитовский

МПК: H01L 21/30

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий создание окон к активным областям, напыление слоя металла на всю поверхность пластины и фотолитографический процесс формирования рисунка металлизации с использованием фотошаблона, содержащего эмиттерные и базовые дорожки, отличающийся тем, что, с целью уменьшения ширины эмиттерных дорожек при большой толщине напыленного слоя металла, после напыления металла проводят дополнительный фотолитографический процесс с использованием вспомогательного фотошаблона, содержащего только эмиттерные дорожки, ширина которых равна 1,4-1,6 ширины эмиттерных дорожек основного фотошаблона, и травление металла в этом процессе ведут на глубину 0,4-0,6...

Номер патента: 1292628

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Принцев, Снитовский, Шепурёв

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, кремнию, омических, формирования

Способ формирования омических контактов к кремнию, включающий нанесение молибдена на поверхность кремниевой подложки катодным распылением в тлеющем разряде в газовой среде, содержащей трехфтористый бор, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества контактов и повышения производительности способа, катодное распыление осуществляют в газовой среде состава, об.%: Водород15-30 Трехфтористый борОстальное при давлении 5·10 -2-8·10-2 Па и плотности мощности разряда...

Номер патента: 786715

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Бобков, Гурский, Костенко, Румак, Сергеев, Снитовский

МПК: H01L 21/306

Метки: пластин, полупроводниковых

1. Способ обработки полупроводниковых пластин, включающий погружение пластин в ванну с рабочей жидкостью и пропускание через нее газа, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности обработки и качества обработки пластин, к пластинам прикладывают низкочастотные колебания и сообщают им вращение в горизонтальной и возвратно-поступательное движение в вертикальной плоскости, перед пропусканием через рабочую жидкость газ нагревают до температуры ее кипения, затем после полной десорбции примесей с пластин вытесняют рабочую жидкость потоком воды и продолжают ее подачу до полной отмывки пластин, после чего повышают давление газа для вытеснения воды и производят его подачу до...

Номер патента: 1241938

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Данкевич, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/283

Метки: контактов, кремнию, омических, создания

Способ создания омических контактов к кремнию, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение молибдена, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контакта путем снижения контактного сопротивления, перед обработкой в плавиковой кислоте дополнительно проводят обработку в перекисно-аммиачном растворе, после чего пластину выдерживают 30-50 мин в вакууме от 4·10-3 до 1·10-4 Па при 220-350°С и повторно обрабатывают в перекисно-аммиачном растворе.

Номер патента: 1597019

Опубликовано: 20.03.2012

Авторы: Гранько, Лесникова, Семенов, Турцевич

МПК: H01L 21/205

Метки: кремния, осаждения, пленок, поликристаллического

Способ осаждения пленок поликристаллического кремния, включающий осаждение на кремниевую подложку подслоя кремния толщиной 30-50 нм пиролитическим разложением моносилана при температуре 550-600°С, последующее доращивание подслоя до получения пленки поликристаллического кремния при температуре 600-650°С до заданной толщины, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок путем снижения в них уровня механических напряжений при одновременном снижении трудоемкости, подслой осаждают при давлении 2,66-13,3 Па.

Номер патента: 1459539

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Сенько, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, системы, схем

1. Способ изготовления системы металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводник изоляционного слоя полиамидокарбоновой кислоты, формирование на нем фоторезистивной маски, вскрытие контактных окон к поверхности полупроводника, удаление фоторезистивной маски, напыление металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид, формирование рисунка металлической разводки, вжигание металлизации, отличающийся тем, что, с целью повышения качества системы металлизации за счет увеличения напряжения пробоя изоляции и адгезии металлического слоя, полное отверждение слоя полиамидокарбоновой кислоты в полиимид проводят перед формированием на нем...

Номер патента: 1688743

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Пилипенко, Портнов, Снитовский

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, создания

Способ создания омических контактов, включающий обработку кремниевой пластины с активными областями в растворе плавиковой кислоты и нанесение металла, отличающийся тем, что, с целью снижения контактного сопротивления путем перевода диоксида кремния в квазиаморфную структуру типа кварца, перед обработкой в плавиковой кислоте пластину подвергают импульсной фотонной обработке с плотностью энергии 0,8-1,2 МДж/м2 при длительности импульса 0,03-10 с.

Номер патента: 1069571

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский, Тарасевич

МПК: H01L 21/28

Метки: металлизации, свч-транзисторов, создания

Способ создания металлизации СВЧ-транзисторов, включающий последовательное нанесение на полупроводниковую подложку с активными областями слоев алюминия, молибдена и алюминия, формирование разводки и нанесение слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных транзисторов за счет увеличения стойкости к электромиграции, перед формированием разводки дополнительно подложку со слоями металлов нагревают в инертной среде до 90-110°С, выдерживают при этой температуре, нагревают до 450-550°С и выдерживают, охлаждают со скоростью 60-80°/мин до 90-100°С и выдерживают при этой температуре, причем время выдержки при каждой температуре 5-7 мин.