H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 203076

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Ковалевский, Таллинский, Цехановска, Черновский

МПК: H01L 21/68

Метки: загрузки, кассета, сплавов, электродных

...области полупроводниковой пластины сначала эмиттерных, а затем, после их вплав ления, базовых электродов, ее трафарет содержит углубления, соответствующие конфигурации меза - области, высотой не менее высоты вплавленного электрода, и сквозные отверстия на периферии, равные диаметру за гружаемого электрода. В известных кассетах дляродных навесок трафареты и е отверстия круглого сечения.Предлагаемая кассета позволяет загружать на активные меза - области полупроводниковой пластины сначала эмиттерные, а затем, после их вплавления, базовые электроды. Для этого трафарет имеет углубления, соответствующие конфигурации меза - области, высотой не менее высоты вплавленного электрода, и сквозные отверстия на периферии, равные диаметру загружаемого...

Номер патента: 203077

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Петров

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентации, полупроводниковыхтриодов

...может Выйти только В Одном положении (положение в),15 дмет изобретения П;. сгройствковых трио20 сонным пазчто, с цельции, зона оринта, обрпом на фас25 выполнены Предложенное устроиство для ориентации полупроводниковых приборов может быть использовано при автоматизации ряда трудоемких операций, например, рихтовки выводов транзисторов.Известны устройства, позволяющие ориентировать полупроводниковые приборы с помощью ролика и паза фасонцого сечения или технологических выступов или впадин на самом приборе. Однако известные устройства обладают тем основным недостатком, что изза сравнительно малого допуска (порядка 5 - -б класса точности) на расстояние между выводами устройство с роликом не позволяет ориентировать приборы, у которых допуск...

Номер патента: 203079

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Кась

МПК: C25D 17/08, H01L 23/32

Метки: баллончиков, гальванического, кассета, лужения

Номер патента: 203092

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Веселовский, Маркачев

МПК: H01L 33/00

Метки: возбуждения, индикатора, свечения, электролюминесцентного

...схемы совпадения на диодах 2, 8, резистора 4 и ждущего релаксационного генератора на лампе тлеющего разряда 5 с ограничивающим резистором 6 в цепи анода, стабилизирующим резистором 7 в цепи сетки, разделительным конденсатором 8 и времязадающей цепочки, состоящей из резистора 9 и электролюминесцентного индикатора 10, На вход 11 поступают тактовые импульсы, определяющие частоту возбуждающего электронапряжения.В нормальном состоянии с запоминающего каскада 1 на диод 2 схемы совпадения поступает запрещающий уровень напряжения. Тактовые импульсы на выходе схемы совпадения отсутств то я и электролюм д р е светится.При поступлении с запоминающего каска да 1 на диод 2 схемы совпадения разрешающего уровня напряжения тактовые импульсы с выхода...

Номер патента: 203788

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Аверкин, Замбровский, Нежинский, Пельцман, Элиосов

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, кассета, пластин, полупроводниковб1х

...обработки пметров и фиксации их непа в виде цилиндра причем в каждой пар по образующей конуса. отки полупро. аяся тем, что, азличных диате, она выпольными пазами, дин выполнен Известные устройства для групповой обработки полупроводниковых пластин представляют собой кассеты прямоугольной формы с пазами для вертикального расположения заготовок. При выполнении операций, связанных с вращением заготовок, например сушки на центрифуге производится перекладка заготовок из кассеты в специальное устройство, фиксирующее их при вращении. При этом не исключена возможность загрязнения заготовок, что в полупроводниковом производстве недопустимо, Кроме того, сама перекладка, производимая, как правило, в герметичных скафандрах является трудоемкой...

Номер патента: 203789

Опубликовано: 01.01.1967

Автор: Кричевский

МПК: H01L 21/66

Метки: эффективного

...в переменной частоты. Устровременив полупгенераточительноисточникцелью подержитидальногнератора екгивного ей заряда держащее ния, усиастоты и ем, что, с я, оно со.синусовиде гевисимое от авт, свидетельстваИзвестны устройства для измерения эффективного времени жизни неосновных носителей заряда в полупроводниковых диодах, которье содержат генератор синусоидального напряжения и осциллограф.Предложенное устройство отличается тем, что содержит блок деления, а генератор синусоидального напряжения представляет собой генератор переменной частоты, что позволяет повысить точность и производительность измерения.На чертеже изображена принципиальная схема предложенного устройства.Оно состоит из задающего генератора 1, усилителя 2 мощности,...

Номер патента: 205152

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Косов, Мачковский

МПК: H01L 21/00

Метки: монокристаллов, ориентированной, резки

...за световог картиной и используя лимбы поворотного ме ханизма, устанавливают монокрпсталл в та кое положение по отношению к пиле 9, чтобь разрезать его по требуемой кристаллографи ческой плоскости.В результате устранения переноса кристалла между операциями ориентации и резкт 30 точность ориентированной резки возрастает. строистве для п анной резки, о ции совмещена разной пилы, ленная к нему зное отверстие ачестве экран вана внутренн вышения тическая с осью ля чего дисковая вдоль их системы я стенка но описываемое устро мы оптическои ориентаостоит из спстанка резки,ции ической ориентации содержит ающий узкий пучок света, экве которого используется внут- стенка дисковой головки 3, и ханизм 4, к которому через пестину 5 крепится...

Номер патента: 205155

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Вычислительной, Гертман, Шипов

МПК: H01L 27/00

Метки: гибридных, пленочных, подложка, схем

...например из стекла, снабженные токопроводящими выводами, установленными заподлицо с поверхностью подложки, характеризуются невысокой механической прочностью и не обеспечивают вакуумную герметизацию микросхемы.В описываемой подложке для пленочных гибридных схем одновременное использование подложки в качестве корпуса, а также повышение механической прочности и обеспечение вакуумной герметизации микросхемы достигнуто размещением указанной подложки в корытообразном металлическом основании, образующем корпус-подложку посредством спая стекла с металлом,Конструкция описываемой подложки приведена на чертеже.Как видно из чертежа, стеклянная подложка 1 образует спай с металлическим тонкостенным корытообразным основанием 2. Расположенные по...

Номер патента: 205301

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Барон, Мызенкова, Савицкий, Фролов

МПК: C22C 27/00, H01L 39/12

Метки: ниобия, основе, сверхпроводящий, сплав

...аюитийа основе ния, отли ния физ свойств, чи церия сплав н % цирко о повыше гических антана и Сверхпроводящи 1 содержащий 25 - 50 ся тем, что, с целы нических и тсхноло рован 0,03 - 0,5% л ко-меха он леп ечи с рас- лектродом ОПИСАНИ ИЗОБРЕТЕН АВТОРСКОМУ СВИДЕТЕЛЬ Зависимое от авт. свидетельстваЗаявлено 10 Х 1.1965 (ЛЪ 1014348/22-2) с присоединением заявкиПри зритет Опубликовано 13.Х.1967. Бюллетень Ъ Дата опубликования описания 22.1,196 ститут металлургии им. А. А. Байко СВЕРХПРОВОДЯЩИЙ СПЛАВ НА ОСНО Изобретение относится к области водящих сплавов. Получение сильных магнитных п мощью сверхпроводящих соленоид лит резко снизить энергетические за Известны сверхпроводящие спла с цирконием, разработана технол товления из них сверхпроводящей...

Номер патента: 205955

Опубликовано: 01.01.1967

Авторы: Абрамов, Аппаратостроени, Всесоюзный

МПК: H01L 41/12, H02N 2/12

Метки: 205955

...соединен с крпвошипом заторможенного вала, удлинение сердечника вызовет перемещение конца связанного с кривошипом вала 6, В результате кривошип 5 повернется на неко торый угол. Далее ооесточивается обмотка зажима 16 и подается напряжение на обмотку зажима 16, после чего обесточпвается обмотка индуктора. В результате исчезновения магнитного поля, сердечник начнет возвращаться 25 в свободное состояние. Так как заторможенных 1 Окязялс 51 1 сривошип 3 вала б, перемещаться начнет кривошип валя 4, который повернетс 51 на тот же угол, ня которыЙ поворачивялс 51 кривошип 3. Сердечник возвратится в перво- ЗО начальное положение.Подача напряжения на обмотки в таком же порядке как указано выше, приведет к прерывистому вращению выходного вала....

Номер патента: 206705

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Ахраров, Боженко, Гашпар, Зарипов

МПК: G01R 17/20, G08C 19/04, H01F 29/10 ...

Метки: бесконтактный, лшогооборотный, потенциометр, типа, трансформаторного

...к КГ где 40 45 50 1 в средн длина пути потока, созданного модулирующей обмоткой;5 - площадь поперечного сечения магнитопровода на пути модулирующего потока Ф;Л 1 ет в магнитн проницаемость стали,Этот поток модулирует магнитное сопротивление Ям, цилиндрического неподвижного магнитопровода 1.Обмотки б и 7, подключенные соответственно к источнику компенсирующего постоянного тока и к измеряемому току, создают встречно направленные магнитодвижущие силы.Созданный ими разностный поток, направлен поперек потока Ф и является переменным, хотя по обмоткам б и 7 протекает постоянный ток. Это объясняется тем, что магнитное сопротивление для разностного потока изменяется во времени с той же частотой, что и частота модулирующего тока. В результате,...

Номер патента: 207227

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Крашенинникова, Кул, Фурман

МПК: G01K 15/00, H01L 35/20

Метки: ванадия, тетрахлорида

...атмосферном давлении и температуре 152 С.Конечный продукт, полученный этим способом, неустойчив при хранениив течение10 месяцев степень его разложения составляет 31,8%.По предложенному способу процесс ведут при остаточном давлении не более 50 мм рт. ст. и температуре не выше 70 С. В результате получают конечный продукт достаточно высокой степени чистоты, степень разложения которого при хранении в течение одного года составляет 027%.Пример 1. 713 г технического тетрахлорида ванадия подвергают ректификации приостаточном давлении 15 мм рт. ст. и определяемой этим давлением температуре. Получают 498 г тетрахлорида ванадия чистотой 99,99%. Степень разложения конечного продукта при хранении его в течение 1 года составляет 027/0.При...

Номер патента: 208056

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Блумберг, Вайно, Гальперин, Короткое, Кузнецова, Куусре, Матвеева, Осипова, Таубкин

МПК: H01L 27/118

Метки: интегральная, схема

...одну из центральных схем 3 коммутации, например изображенную на чертеже, которую наносят на базовый кристалл. Если в процессе дальнейших измерений обнаружится, что транзистор 18 коротко замкнут, то, используя вспомогательные перемычки из тонкой проволоки (на чертеже не показаны), получают один из возможных вариантов функциональной схемы (например, триггер с раздельными входами, триггер со счетным выходом или ждущий мультивибратор).Для получения триггера с раздельными входами соединяют перемычками площадки 29, 30 и 31 и вывод 57, площадки 32 и 33, площадку 26 и,вывод 59,:площадку 46 или 47 с площадкой 42 и выводом 61, площадку 24 с выводом 55, площадку 35 с выводом 58, площадки 25, 26 и 28 с выводом 56, площадки 37, 38, 39 и 40 с...

Номер патента: 208134

Опубликовано: 01.01.1968

МПК: B21D 39/00, C25D 5/00, C25D 7/12 ...

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...присоединения вывода, безприменения нагрева,г) возможность присоединения вывода кр-тг-переходам сравнительно малой площ5 д) возможность нагрева места соединдо сравнительно высоких температур без ухудшения прочностных характеристик, благодарятому, что проводят гальванические осажденияслоя металла из электролита, содержащего10 соль этого металла, одновременно на металлизированную поверхность электрода полупроводникового прибора и на вывод, приведенный в электрический контакт (соприкосновение) с ним путем подачи на вывод отрицатель 15 ного потенциала относительно электролита.Способ, осуществляемый согласно данномуизобретению, состоит в следующем:На пленке 510 в над р-п-переходом, получают отверстие (площадью примерно 500 лкз),20 через...

Номер патента: 208135

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зайдель, Фейгинов

МПК: H01L 21/304

Метки: пластин, полупроводниковых, проскрайбированных, разламывания

...ожку и ве мости от т ичин ебуе кое качеств сти процесс на элемент рачную плеопераций ондовых и о лома, так ы, оснку и(раз- змереПредмет изобретения Для разламывания проскрайбированной полупроводниковой пластинки ее укладывают на упругий элемент и прокатывают валиком. Другой способ заключается в том, что пластинку наклеивают на всевозможные подложки: стальную ленту, вощеную бумагу., пленку из пластиката и т. д., и огибают по цилиндрической или рифленой поверхности.Предлагаемый способ позволяет повысить производительность и качество получаемых кристаллов и заключается в следующем.Пластинку помещают между прозрачными пленками, которые механически скрепляют между собой. После этого упакованная плас 1 инка ориентируется относительно сетки...

Номер патента: 208802

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Данилевский, Лискер

МПК: H01L 29/82

Метки: магнитный, резистор, управляемый

...ферромагок 2 и 25 бмотке и в обей возИзвестный управляемый магнитный резистор, выполненный в виде плоской кольцеобразной ферромагнитной пленки с круговойанизотропией и охватывающих эту пленкувозбуждающей, выходной и входной обмоток, 5обладает относительно большой инерционностью,В описываемом управляемом магнитномрезисторе снижение инерционности достигнуто тем, что входная обмотка выполнена в виде двух полуобмоток, соединенных между собой встречно и расположенньп симметричноотносительно вьподной и возбуждающей обмоток, размещенных на противоположных сужснньп участках кольцеобразной ферромагнитной пленки.На чертеже схематически изображен описываемый резистор,Плоская кольцеобразная ферритовая пленка 1 снабжена расположенными на...

Номер патента: 208813

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Солеваров, Шапилов

МПК: H01L 25/10, H02K 19/38

Метки: вращающееся, выпрямительное

...сопротивление, обычно, представляет собой отдельный конструктивный узел. 10Предлагаемое устройство отличается от известных тем, что нелинейное сопротивление внем размещено между проводящими дисками, несущими выпрямители, и электрическисоединено с ними. 15Такое выполнение упрощает конструкциюи уменьшает габариты, а также снижает весустройства.На фиг. 1 схематически изображено описываемое устройство; на фиг. 2 - электрическая 20схема варианта выполнения устройства стрехфазным мостовым выпрямлением,Описываемая выпрямительная установкасодержит вал 1, изоляцгпо 2, диски 3 и 4,объединяющие соответственно полупроводнгг ковые выпрямителиразличным плечам мединенные с ними.Между дисками 3 и 4 размещеное сопротивление 7, выполненноеиз...

Номер патента: 209560

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Серова, Стрелец, Яценко

МПК: H01L 41/187

Метки: материал, пьезокерамический

...ц- 0,4 мол ий риал, включаю льция и окисьчто, с целью емпературы сп ат кальция в кдол еи. мате ат ка Пьезокертитанат бар бальта, отл жения скор ния, в него честве 0,008 хВаТЮвес. %где х коСаО,=0,91 -у=0,083 -к=0,465 -88,0,08,0,447 вес, % ка лииркон ярных Изобретение относится к пьезокерамичес,ким материалам для изготовления приемников и излучателей ультразвука.Известен .пьезокерамический материал состава 0,917 ВаТЮ,+0,083 СаТЮ,+0,47 вес, % СаО.Цель изобретения - снизить скорость звука и температуру спекания. Достигается э тем, что в состав включающий титанат бар титанат кальция и окись ,кобальта вводят цирконат ,кальция в количестве 0,008 в ,4 молярных долей.(Предлагаемый:пьезокерамический материал представляет собой твердый...

Номер патента: 210227

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Горемыкин, Иванов, Полищук, Силин, Тереков, Типикин, Черкасский

МПК: G01R 31/26, H01L 35/20

Метки: испытания, термоэлементов

...б. редмет изоо етени оэлементов, определения при радиаия темпераенте за счет утационные ом концах ериалов, обпоглощения люминпя. При определении термоэлектрических характеристик термоэлементов необходимо наличие температурного градиента между горячим и холодным концами последнего, В существующих устройствах для этих целей применяют специальные нагреватели и холодильники.Предложенное устройство отличается тем, что в качестве коммутационных электродов применены материалы, обладающие различной степенью поглощения излучения, за счет чего температурный градиент на термоэлементе создается самим радиационным полем.На чертеже представлено предложенное устройство.Полуэлементы 1 и 2 закладываются между электродами 3 и 4, выполненными из...

Номер патента: 210260

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Берлин, Драбкин, Розенштейн, Чау, Черкашин

МПК: H01L 31/18

Метки: полимерныхматериалов, фотопроводящих

...как материалы, перспективные для использования в фотоэлектрических приемниках и преобразователях лучистой энергии (электрографические устройства, передающие трубки типа видикон и др.).В качестве полимеров с системой полисопряжения могут быть использованы, например, полимеры фенилацетилена, йодфенилацетилена, дифенилбутадиина, а-этинилпиридина, хлорциклопентена. Предложенный способ реализуетсящим образом. На измерительную15 вакуумной сублимацией наносят тонакцептора, имеющий, как показываокопические исследования, поликрискую спруктуру. Затем на него извысаживают пленку полимера.Возможны два других варианта репредложенного способа. При этомляют совместный раствор полимератора в растворителе, хорошо раствполимер и плохо растворяющем акц2...

Номер патента: 210261

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Булкин, Ситник, Шурупов

МПК: H01L 25/07

Метки: блок, выпрямительный

...к циклическим изменениям температуры предлагается вокруг каждого вентильного элемента устанавливать гибкое перфорированное кольцо, Опо может быть выполнено, например, из меди,При заливке компаунд как бы прошивает кольца через мноточисленные отверстия на их стенках и при полимеризации за счет усадки плотно обжимает их с обеих сторон. На чертеже ипрямительный блок.Выпрямигельный блок имеет двавых медных основания 1, на плоскопаных внутренних сторонах которых вальных углублениях расположенывентильные элементы 2, выполненны пластин из полупроводникового материала определенной монокристаллической структуры (р - и, р - гг - р - г и др.), с омическими контактами и термокомпенсирующими плас тинами пз вольфрама или молибдена. В...

Номер патента: 210947

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Желобаев, Коновалов, Митин, Озеров, Сатаров, Шугин

МПК: H01L 21/00

Метки: 210947

...имеющих возможность перемещения по пазам, размещенным в нижней части сердечника электромагнита. Перемещение их ограничивается винтом 15.3К корпусу электромагнита 11 через изолирующую прокладку 1 б между рычагами крепится электрод 17, надежность электрического контакта которого с подложкой обеспечивается пружинами 18.Установка работает следующим образом. Г 1 ри поднятом колпаке на карусели устанавливаются мишени с распыляемыми материалами и трафареты. Магазин 7 загружается подложкодержателями б с укрепленными в них подложками. Затем опускается колпак и производится откачка рабочей камеры. При достижении определенного вакуума производится напуск инертного газа. Затем с помощью манипулятора подложкодержатель из магазина 7 перемещается в...

Номер патента: 211638

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Зарипов, Курбанов

МПК: G01R 17/20, G08C 19/02, H01F 29/08 ...

Метки: бесконтактный, многооборотный, переменного, потенциометр

...перемещающегося гдоль оси 4, обмотки возбуждения б, расположенной во внутренней полости подвижного магнитопровода 3,10 Измерительная обмотка намотана на маг нитопровод так, что удельное число витков, приходящееся на единицу угла поворота подвижной части, рас-ет равномерно от центра магнитопровода к его концам.15 Подвижной магнитопровод 3 служит для создания магнитного потока, путь которого показан штриховыми линиями на фиг. 2, Подвижной магнитопровод представляет собой полый цилиндр с изогнутой осью, совпадаю 20 щей с осью провода, намотанното на магнитопровод 1. Обмотка возбуждения б охватывает часть витков измерительной обмотки 2. При питании обмотки возбуждения от источника переменного тока создается магнитный поток, величина...

Номер патента: 211674

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гореликов, Френкель

МПК: H01L 21/00

Метки: 211674

...диаметром до 70 мм, нию инструмента на готовки, например в с выставлением загот ентированной резки, резаемых пластин,ся и опускатьсяэксцентрпковогорассчитан таким сь оптимальная зависимости от т подниматвращениякоторогосуществлялаготовки в Заготовка може 25 автоматически от кулачка, профиль образом, чтобы о скорость подачи з ее сечения. 30 Одновременно сь заключается в том, что он й головкой, выполненной в ивающихся колец, на одном ся впадина, а на другом . - ствии с выемкой инструмено к оправке через обойму с ной гайкой. Во внутренней Его осна бже виде дв из кото выступ па, под шарика отовка врд подъемов Извковыхузел,товкикальнустровок. собенност н дисково ух свинч рых имеет в соотвстжимаемог ми накид станок в общем виде; на вой...

Номер патента: 213120

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Казаков, Луковников, Пастернак, Силин, Черкасский, Щеголев

МПК: H01L 35/32

Метки: термогенератор

...с патрубками, теплоконтактную изоляцию, отличаюи(ииая О тем, что, с целью уменьшения утечек токачерез электрическую изоляцпо путем согласования действующих на изоляцию напряжений и температур, патрубки для ввода грек- щего и охлаждающего теплоносителей распо ложены в середине генераторной цепи, а патрубки для выхода теплоносителей - на концах генераторноВ цепи около токоснимающих зажимов. А, Х, Черкасский, Л. Л. Силин Е, Н, ПастернакДанное изобретение относится к области прямого преобразования тепловой энергии в электрическую. В существующих схемах термогенераторов не согласовано направление движения теплоносителей со схемой соединения термоэлементов в генераторную цепь. В средней части генераторной цепи потенциал относительно...

Номер патента: 213121

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Агаев, Исмаилов, Мосанов

МПК: F25B 21/00, H01L 37/00, H01L 43/00 ...

Метки: холодильный, элемент

...оски 4, сос ами 5, зак абоена, ние смент ПНЕ 1 ипя Холла ведспсратур. т изоо однльныи элемент Эттингсгаузена,целью расширения эффективного охл ння э.д. с. Холла,соединены металл ми. На чертеже изобрго устройства, Холодильный элемпускается ток через В известных холодильных элементах, р тающих на основе эффекта Эттингсгауз отрицательное влияние оказывает появле э. д, с, Холла,Предложенный холодильный элемент выполнен с боковыми гранями, которые соединены металлическими проводниками, что создает закорачивание э. д. с. Холла. Это дает возможность изготовлять его из полупроводника или полуметалла, имеющих лучшие выходные параметры по сравнснию с другими материалажена схема описываемо нт 1, по которому проэлектроды 2, помещен и магнитное...

Номер патента: 213194

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Стафеев

МПК: H01L 29/06, H01L 45/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...концентрацию неравновесных носителей. Это возможно, например, при осве щении светом или другим излучением путем введения неосновных носителей из дополнительного р - и а - перехода (или точечного контакта), осуществленного на базовой области. 60Так, управление током диода путем модуляции величины д возможно, например, изменснием ширины слоя объемного заряда, если она достаточно велика. Такой способ может быть осуществлен в приборах из полупровед и дырок;р, - удельное сопротивление исходного всщества;р - время жизни неосновных носителей,ника с малой концентрацией примесей и носителей (порядка 10+1012 см - 3)Управление током посредством модуляции длины диффузионного смещения возможно несколькими путями, например, изменяя подвижность...

Номер патента: 213195

Опубликовано: 01.01.1968

Автор: Булкин

МПК: H01L 29/06

Метки: вентиль, диффузионный, лавинный, силовой

...снятия фаски.Предлагаемая диффузионная р - и - структура отличается от известной тем, что р - и -- переход выходит на поверхность эмиттерной 15 стороны пластины и может быть вскрыт, например, травлением кольцевой периферийной области пластины кислотными травителями типа СР.Кроме того, предлагаемая конструкция 20 р - и - структуры позволяет осуществить вскрытие р и - переходов непосредственно на пластинах, до пайки их на компенсирующие электродные диски; использовать для заШиты р - и - переходов термостойкие крем ний-органические лаки; вести контроль р - и -переходов по вольтампернои характеристике на пластинах, применить одновременную пайку кристалла на оба электродных диска.Высокая эффективность применения предлагаемой р - и...

Номер патента: 213196

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Гончаров, Сыроватченко

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное

...лепестками расположен ползун 4, в котором 5 имеется гнездо для базировки транзистора.Ползун может перемещаться в горизонтальнои плоскости в направляющей 5, что позволит удобно произвести зарядку транзистора в контактное устройство. Направляющая мо жет перемещаться вериално под действиемпружины 6, один конец которои взаимодействует с направляющей 5, а другой - со стержнем кнопки 7 п вращается вокруг своей оси, что позволяет ориентировать выводы 15 транзистора относительно контактных лепестков.Для установки транзистора в контактноеустройство необходимо нажать кнопку 7 и повернуть ее на 90, выдвинуть ползун 4 так, 20 чтобы гнездо в ползуне было наруже. Затемпинцетом вставить в гнездо измеряемый транзистор и контактное устройство...

Номер патента: 213203

Опубликовано: 01.01.1968

Авторы: Григорьева, Иванов, Кронгауз, Ландсмйн, Титов

МПК: G01T 1/02, H01L 31/115

Метки: 213203

...приемника от качественного состава излучения, упрощения прибора и расширения возаделения эффективной энергии рентгеновского излучения предлагается применить датчик из монокристаллов кремния с р - п-переходами, один из которых частично закрыт оловянным фильтром с отверстиями.Площадь огверстий оловянного фильтра составляет 50% поверхности монокристалла кремния с р - п-переходами.Для оценки биологического действия излучения и выбора наиболее оптимальных условий облучения лучевому терапевту, кромеколичес гвенной характеристики излучения,следует также знать и качественную характе 5 ристику сго в виде слоя половинного ослабления или эффективной энергии квантов.На чертеже изображена принципиальнаясхема дозпметра.Приемная часть дозиметра -...