H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 155198

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: 155198

...Определение времени т жизни неравновесных носителей совмещают с определением (т, 1 ля измерения т на тонких пластинах применя 1 отся те ке четыре зонда 1, 2, 3 и 4 с проводящим нижним основанием 5, которые используются для измерения и, а для измерения т на слитке неправильной формы инъектирующие зонды 6 и 7 размещаются между токовыми зондами 8, 9, 10 и 11 в плоскости, им перпендикхлярной.В положении 12 ключа 13 схема имеет вид обычной схемы четырехзондового сГГосооа измерения о, в положении 14 ключа 13 между зондами 2, 8 и Проводящим нижним основанием 5 приложено инъектирующее поле, промодулированное синусоидальным напряжением частоты с, Измеряется сдвиг фазы между модулиру 1 ощим напряжением и изменением проводимости, которой...

Номер патента: 155236

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 29/00

Метки: 155236

...пластинке вытравливается канавка, разделяющая эмиттерный переход 1 на две неравные части, меньшая из которых с никелевым омическим контактом используется как контакт к управляющему электроду. Вытравливание канавки производится следующим образом.После изготовления и-р-и-р структуры, никелевых контактов к ней. напайки нижнего вольфрамового диска 2, на эмиттерный переход вентиля припаивают верхний вольфрамовый диск 3 с цилиндрическим отверстием, причем внутри отверстия и соосно с ним распалагают и припаивают снабженный нихромовым отводом 4 молибденовый диск 5. Внешний диаметр диска 5 меньше диаметра отверстия в вольфрамовом диске 3. Центрирование диска 5 при впайке производится опусканием цилиндрика 6.После этого канавка заполняется на 4...

Номер патента: 155560

Опубликовано: 01.01.1963

Авторы: Бабиков, Бокарев, Депутатов, Парфенов, Сербии, Чарский

МПК: H01L 21/00

Метки: автоматусортировки, заготовок, запирающего, ориентации, селеновых, слоя, элементов

...9, и пружину возврата 10; механизм сбрасыванпя отобранных в момент замера селеновых элементов, состоящий из электромагнитов 11 и выбиваемых упоров 12, которые воздействуют на рычаг 13 заслонки 5 в период сброса элемента при повороте диска.Кроме того, устройство включает механизм вибрационного цилиндрического бункера 14; устройство для ориентации поступающих из вибробункера селеновых элементов, состоящее из подвижных направляющих 15, соединенных шарнирно с электромагнитами 1 б, щупа 17, соединенного шарнирно с электромагнитом 18, и лотка 19 сброса элементов в гнезда диска.При включении автомата элементы, засыпанные в вибробутнкер 14, поднимаясь по винтовой линии, заходят в направляющие 15 механизма ориентации, На этой позиции щуп...

Номер патента: 155565

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/66

Метки: 155565

...ГССс последовательно включенным сопротивлением. Генератором 3 напряжения служит однополупернодный выпрямитель, питаемый от ЗГ.Напряжение, возникшее на диоде 1, подается на каскад с малой входной емкостью, которым является катодный повторитель 4 с двойным экраном, выполненный на лампе 6 %1 П. Выход катодного повторителя 4 соединен через усилитель 5 с квадратичным элементом б, на выходе которого возникает напряжение, обратно пропорциональное квадМ 555 б 5 ряту смкостп р-и переходя. Зятсм это паГр 51 уке 1 пе, после рязв 51 зывяО- щего элемента - лампы 7, силивается лампой 8, детектируется детектором 9 и поступает при помощи Гереключающего реле 10 на вход усилителя вертикаль 51 ой развертки осциллографа 11. На вход...

Номер патента: 155871

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: C03C 3/097, H01L 29/12

Метки: 155871

...и травленной поверхностпомещенной в печь.Для получения слоя и-типа используют спиз фосфорносиликатного стекла, получаемого тличается от издают слой дифьнейшего провеся равномерный вательно, повыхода.ледующем.воздухе. Однако нтрации в облаку сторону плапроводится дифпри температуре ходов о еде осаж для дал получает и, следо - р пере ется в с ора на ой конце Налоты,оздухе ожнои боросиликатному ой, пластину травят в воздухе при температуельно обедненное борой окисла, образовавшеи кремниевой пластины иффузии фосфора ров фосфорнокисос из155871 лого аммония (МН) вНРО,. Этот процесс осуществляют следующим образом.В кварцевую трубку 1 (см. чертеж) помещают капсулу 2 с куском 3 фосфорпокислого аммония (ИН)вНРО, и подставку 4 с кремниевыми...

Номер патента: 155872

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/26

Метки: 155872

...без предварительной сушки подвергают ультрафиолетовому обучению. Источником ультрафиолетового излучения является ртутно-кварцевая лампа типа ПРК, процесс облучения длится 30 - 60 мин при температуре окружающей среды 100 - 200 С (в зависимости от применяемомого полупроводникового материала) и проводится в потоке подогретого воздуха или кислорода. Поверхность стабилизированных таким образом полупроводниковых структур необходимо сразу же, до соприкосновения ее с окружающей атмосферой, защитить влагостойким покрытием либо герметизировать. Дальнейшие операции осуществляютсч по обычной технологии.Применение предлагаемого способа для обработки германиевыхп переходов позволило, например, получить высокую стабильностьраметров и меньшие...

Номер патента: 155873

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 37/02, H05B 41/30

Метки: 155873

...1 КОЦДЕЦСЯТО 11,Температуру окружающей среы прц этом Выбцра 10 т в диапазоне 25 - 30 С, что обусловлено рез 1 ц, усилением завис мости поля зГзации пластины ТГС от темгерату и, и этом диапазоне температур.При включении лампы(цапрц.,1 ер, типа ЗсЗ) пластина 1 нагревается. Скорость цагрева определяется мощностью инфракрасного излучения н эффективностью поглощения его поверхцостью пластины,Вследствие нарушения поляризац 1 ш ца элекгродахпоявляютсясвободные электрические заряды, которые распределяются между сегне 1 оэлектрическим конденсатором и накопительцым конденсатором 4, Осуществляющим функцию накопления электрической э,1 ерги 1, выделяемой пластиной 1 при се нагреве. В результате этого предотвращается преждевременный разряд...

Номер патента: 156250

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/288

Метки: 156250

...необходимую плошадь р - п-перехода. Режим диффузии и вплавления подбирается так, чтобы алюминий проплавил образованный при диффузии р - и-переход. Затем алюминий и силумин вытравливаются, например, в соляной кислоте, при этом снимаются механические напряжения в р - п-переходе. По всей поверхности пластины кремния, це156250зависимо от площади сплавного р - ц-перехода, способом гальванического никелпрования наносится металлизированный невыпрямляющий контакт, Далее пластина разрезается на квадраты, которые после травления и лакировки боковых граней поступают на сборку,Режим диффузии подбирается таким образом, что напряжение пробоя диффузионного р - и-перехода больше сплавного в 2 - 3 раза, и следовательно, р - ц-переход малой...

Номер патента: 156626

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 31/18

Метки: 156626

...полупроводник п-типа производится два раза. Первичной диффузцей создается тол Лгв 156626стая р-область со всех сторон полупроводниковой пластинки. После диффузии р-область любым известным способом удаляется со всех поверхностей, кроме предназначенных для нанесения контактов к р-области. Затем вторичной диффузией акцепторной примеси создается р-область толщиной, требуемой для максимального к, и. д. фотоэлемента и максимальной чувствительности фотодиода. После вторичной диффузии тонкая р-область с одной из поверхностей удаляется любым известным способом (травление, шлифовка и т. д.). На и-область и толстую р-область наносится контактный сплав, который затем вплавляется.На р-области сохраняется низкоомный приповерхностный слой, сильно...

Номер патента: 157006

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01F 29/10, H01L 29/82

Метки: 157006

...обеспечивает высокую степень линейности ц неизменность фазы выходной э.д.с., что достигается симметрнрованием его магнитной системы путем вь 1 полнецця магнитопровода цз двух витков; обмотка возбуждения помещена ца перемычке между ними, расположенной перпендикулярно к плоскости витков и параллельно подвижному сердечнику.На чертеже показан общий вид предлагаемого датчика перемещений,15700 б распределены равномерно на каждом витке магнитопровода. Между витками расположен подвижный ферромагнитный сердечник 5, который может вращаться вокруг общей оси витков в плоскости, параллельной плоскости витков, Рабочий магнитный поток Фр, созданный обмоткой возбуждения, замыкается по пути, показанному на чертеже штриховыми линиями. Длина пути по...

Номер патента: 157015

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/66

Метки: 157015

...па Основе по- лиВипРОВОГО спирта с дооаВкой двуххромОВОГО аъмлппя В качестве ОчуВствляюшеГО вещсстВа, Такая пле 1 ка Рмсет хорсшу 10 адГези 10 с Г 10- лупроводпиковой труокой. ПОкрыта 1 свсточувствР 1 те;ьпо плен(01 тр, О- ка скреп;яется с на 1 з Ркпых 1,3 и вп треп:11 4 фотошаолопаи. 11 а фотошаблопы нанесен н рельеф - чередую:циеся непрозрачные (за ерпеппые) и прозрачные полосы заданной ширины, расположеи Гараллельпо оси трубки,Экспон светочувствительной пленки производится через фотошаблон при одинаковой освещенности снаружи и изнутри трубки, На освещенных участках светочувствительпоп плспкн производится процесс сВстОВОГО д Олсния, ОоусловлР 1 ВВ 101 ций нерастворимость этих частков пл нки в ооы Иых для нсе растворителях (воде)....

Номер патента: 157439

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/40

Метки: 157439

...свинец, переходящей в чистый свинец. Описываемый омический контакт обладает хорошими электриче. скими и механическими свойствами, свободен от механических напряжений и трещин.На фиг. 1 изображен омический контакт до сплавления; на фиг, 2 - структура омического контакта после сплавления.Предлагаемый омический контакт выполнен следующим образом. Кристалл 1 кремния с р-и-переходом 2 помещен на таблетку 3 алюминиевой фольги толщиной 30 - 40 я с,под которой находится таблетка 4 свинца толщиной 75 - 100 .ин. Структуру помещают в вакуумную печь н нагревают до температуры 700=С. Сплавление ведут в течение 5 чин прн вакууме 10 - 1 - 510 -и,и рт. ст. Прн охлаждении, ведущемся со скоростью 10 - 15 С,.Иин, образуется легированная алюминием об ласть...

Номер патента: 157440

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/385

Метки: 157440

...лишь со стороны, на которой в альпейшем будет образовываться р - и-переход. Образец маскируется рядами круГльх масок, диаметр кот 01 эых равен диаметру р - п-перехода, лишний никель удаляется травление Для удаления масок Образец промывается в толуоле и после суши 1 разрезается на заготовки так, чтооы никелевый пятачок был посредине каждого кристалла.Подготовленные таким ооразом образцы подвергаются импульсной термообработке в атмосфере очищенного водорсда. Выбор параметров .еплового импульса, воздействующего на образцы, определяется вел, - чиной заранее заданноГО коэффициента 72. После этОГО путем травлепп 51 удаляют никелевую пленку и приповерхностный слой кристЛла,Ъв 157440 и затем обычным путем производится вплавление индия,...

Номер патента: 157441

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 23/06

Метки: 157441

...дисками 2 и помещенный в корпус т. Применение компенсирующих дисков значительно хеньшает еханические напряжения, возгикаощие в полупроводниковом элементе из-за различной величины коэффициентов теплового расширения пол.проводника и хатсриала ко 1)пуса, а та- же снижает тепловое сопротивление прибора.Компенсирующий диск выполнен в виде пластггнь из тонких медных проводников лз, скрепленных по периметру металлической трубкой 5. Коэффициент заполнения сечения трубки медью - порядка 0,9. Поверхности, на которые выходят торцы тонких медных проводников, облуживаются соответствующим припоем 6, Проводники 4 ориентированы в направлении теплового потока, что снижает тепловое сопротивление устройства и позволяет значительно повысить его...

Номер патента: 157792

Опубликовано: 01.01.1963

Авторы: Изо, Нечаев, Шев

МПК: H01L 41/04

Метки: 157792

...пластинки пьезоэлемента выполнена скошенной в виде клина с уклоном со стороны демпфера при сохранении равномерной толщины остальной части пластинки.На фиг. 1 изображена пластинка пьезоэлемента; на фиг. 2 - искательная головка в разрезе.Половица пьезопластинки выполнена скошенной в виде клина, а другая половина имеет равномерную толщину.Искательная головка состоит из держателя 1, снизу которого установлена пластинка пьезоэлемента 2, прикрытая защитць 1 м металлическим колпачком 3. С обратной стороны пластинки установлен демпфер 4, к которому пластинка обрагцена своей скошенной поверхностью. Пьезоэлемент - подвижный, вместе с демпфером он прижимается к поверхности проверяемого изделия при помощи пружины 5Такая форма пьезоэлемента...

Номер патента: 158633

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/302

Метки: 158633

...качестве электрола-инструмента используется, например, вольфрамовая проволока 1 диаметром5 - 50 1 к).Процес. проводится в струе в 1 сокоопо воды с удельным сопротивлением 3 - :10 иол. Ся. Источником питания разрядного промежутка является релаксационный КС генератор импульсов. Анодом служит обрабатываемый образец, катодом - инст 1 в.1 епт. Проволока-инструмент непоерывно перематывается со скоростью 5 - 10 1.1/сея. Напряжение холостого хода на искровом промежутке 10 - ;50 в, рабочий ток Ь - 12 за,М 158633 2 П ) С Д М С Т И 3 О О ) Е Т С Н И 51 Способ изготовления срезов р-т-переходов образцов полупроводниковых приборов для изучения их структуры, отлич а го цийся тем, то, с целью у погнен ия техО.ОГии и сокрягцения Вре)1 ени...

Номер патента: 159202

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 23/02, H01L 23/08

Метки: 159202

...корпуса 1, опорной изолирующей шайбы 2, внутреннего проводника 3 с контактной пружиной 4 и полупроводникового элемента 5, укрепленного в крцсталлодержателе о.Опорная шайба выполнена из пеностекла, имеет спаи с посеребренным внутренним проводником 3 и втулкой, сделанными цз ковара. Закрепление опор ой ш;йбы в корпусе 1 производится путем пайки мягГим припоем, что обеспечивает полную герметичность диода со стороны выВОДа. ГЕРМЕтИЗаЦИЯ СО СТОРОНЫ и 01 СтасчЛОДЕРжатЕЛЯ ПРОИЗВОДИТСЯ ВПайкОЙ посерсОреннОГО лат 1 нного диска 7 также мягюм припОСМ.В качестве контактцоц пары в диоде применены металлургический кремний р- типа, легцровацный алюминием, и вольфрамовая контактная пружина 4.Опорная шайба из пецостекла, обладая малым коэффициентом ;1...

Номер патента: 159233

Опубликовано: 01.01.1963

МПК: H01L 21/306

Метки: 159233

...цх порчи прц травлец 3 и) подвергаются тщательному химическому травлецшо прц комнатной теъпературе в смеси четырех частей азотной и одной части плавцковой кислОт, я зятем п 130 мы 13 ают 13 бцлистцллиро 3 я.1 ИО воле. ПОсле этого пластины помещают в .,еталлцческий реактор, прцсосл;цспцый к вакуумной системе, и полвергают возлействио сухого и чистого газообразного фтористого водорода прц лавлеццц 30 - 80 л. рт. ст. ц кокв цатцой температуре в течение 20 - 40,ин. Послеловатсльцость воздействия газовых сред ца пластины кремния слелующая: атмосферный воздух, Вакуум, фтористый 30 д 0130 л, 13 акуум, атмосфе 13 цый возле.После тяког 001 эяоотки зцячеця ск 0130 сти п 013 е 1)хцостцой рскоз 1- бицации, измеренной во фторцстом:3 олороле,...

Номер патента: 159899

Опубликовано: 01.01.1964

Автор: Кокорев

МПК: H01L 23/12, H01L 23/13

Метки: крепления, полупроводниковыхприборов

Номер патента: 160229

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/00

Метки: 160229

...от пружины 55, рейки 56 и шестерни 57.На позиции 2 фланец ножки триода устанавливается от базовой поверхности карусельного станка на расстоянии 2 - 3 лл.На позиции 3 флаиец ножки толкателем 58 и рычагом 59 досылается до базовой поверхности станка.На позиции 4 от рычага 60 ножом 61 делается подрезка выводов ножки триода.На позиции 5 от рычага 62 и пуансона 63 концы выводов ножки расплющиваются для улучшения условий сварки.На позиции 7 к выводам ножки при помогци механизма 64 точечной сварки приваривается индированная никелевая плющепка.Плющенка с катушки 65 подается кареткой бб и зубцом 67 от рычага 68 в направляющую дюзу 69. Губки 70 узла подачи 71 открыты и находятся около узла резки.После хода каретки 66 вперед плющенка входит...

Номер патента: 160230

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/48

Метки: 160230

...быть последней операцией перед сборкой прибора. едмет обретения Способполупровмеди ислоем нитем, что,метизаципредварипературе холодной одниковых ковара, п келя и зо с целью покорпусо тельно отж 610 - 670 С никель проникает му хрупкость. Б СПОСОБ ХОЛОДНОЙ СПОЛУПРОВОДН Способ технологической обработки деталей, заключающийся в нанесении слоя никеля под слой золота, известен и широко применяется для упрочнения и повышения коррозионной стойкости металлов.Предлагаемый способ холодной сварки деталей корпусов полупроводниковых приборов, например, из меди и ковара отличается от известных тем, что для осуществления гермети. зации покрытых золотом деталей путем холодной сварки детали дополнительно подвергают отжигу в вакууме при температуре 610 -...

Номер патента: 160779

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/28

Метки: 160779

...течении трех минут при плотности тока 1 -2 а/длгв в электролите следующего состава(в г/,г): станат натрия - 75, едкий натрий -8 - 15, уксуснокислый натрий - 25.Покрытие получается ровным ц блестящим.Затем пластгн 1 ку арсеццда галлия выдерживают прц 450"С в теченце 10 л 1 ин. в атмосфере водорода.После этого можно получить контакт навсей поверхности, покрытой оловом по приведенному способу, и на пластине арсенида галлия получают контакт по следующему способу,На сторону, покрытую гальваническим ологом, помещают пластинку из фольги олова,цз фольги серебра ц пластинку термическипосеребренного молибдена (толщцна сереоряного слоя - 1 лк).Толщину пластинки олова и пластинки серебра выбивают так, чтобы соблюдалось весовое соотношение: 17 - 18%...

Номер патента: 161073

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 25/04

Метки: 161073

...от известных тем, что для ) величения обратного пробивного напряжения прибора на его верхнем торце закреплен изоляционный диск ббльшего диаметра, чем диагетр кремниевых шайб,На чертеже схематически показана конструкция высоковольтного выпрямителя.В предлагаемой конструкции для увеличе. ння поверхности изолятора и увеличения пробивных напряжений применен изоляционный диск 1 (например, фторопластовый), помещен. ный на верхнем торце кремниевого столба 2, с диаметром, превышающим наибольший попсречный размер столба. После покрытия боковой поверхности столба слоем эмали вследствие поверностного натяжения образуется переходный мениск изолирующей эмали 3 с диска 1 на поверхность столба 2 и на электродный диск 4, который предотвращает...

Номер патента: 161074

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/04

Метки: 161074

...от адсорбированного слоя примесей одним из известных способов (например, прогревом в вакууме), на участке очищенной поверхности создают омический контакт, электрод которого защищает поверхность соприкосновения от адсорбцнн примесей. на незащищенный участок образца адсорбируют вещество, имеющее противоположный объемному тип проводимости, после чего на участке с противоположным типом проводимости создают смический контакт. Известны способы создания орган полупроводниковых материалов с оп ным типом проводимости за счет вве них в качестве примеси атомов мета.Предложен способ создания р - п пе на органических и неорганических п ных полупроводниковых материалах, ванный на использовании различияносителей тока в поверхностном слое и этих...

Номер патента: 161075

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 29/06, H01L 29/32

Метки: 161075

...происклит по шое перекрытие ее объемным заряло:5. П 1 еллд где:51 ое сочетание в приборе и 1- ;уктивцости и отрицательного сопротцвления позволяет повысить лооротцость элемента.Преллагдемьш полупроволциковьш инлуктивцый элемент выпол;ец в виле диода из кремшя с электрош 1 ым типом прозолимостиулельцым сопротивлением 100 оисл; и-р-перекол и омцческий контакт получены плалсцием соотстстсио алюминия и зоота, солеркащего 0,1,"сурьчы. Толщина базы прибО 1)д порялкд 15,11 к. Иилуктивный эффект и отрицательное сопротивление у лиолов ичеот често при цапряжецияк, которые г;реьшают цапрякение, соответствующее полному перекрытию объемным зарядом базо;ц 1 олд. В ицтс 1 идле частот 400 - л ктцвиость преллдгдемык лиолов тигдть цсско,1 ьки. лссятков...

Номер патента: 161076

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 23/00

Метки: 161076

...держатель, в котором полупронодииконый кристалл здкрсплсц в горизонталь иой плоскости, и днд питающих узла, кдждьй из которых состоит из сосуда и питателя, заполисцых распланом,2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что каядый из питдтслсй, поддержива. ющих в сосуде постояииым уровень расплава, представляет собой колбу, опрокинутую вверх дцом, заполцециую расплавом ц погружециую открытым концом в сосуд с распла. вом, прц этом уровень расплава в колбе выше уровня расплава в сосуде. 3. Устройство по и. 1, отлич дощссся тем, что н сосуд, из оторсго посту идст рдс. плдв для обрдзодиия верхнего электрола, погружен одним концом сифон н ниле трубки Г 1-образой форлы, ис погружсииьй ко. исц которой представляет собой кдпилляр, причем конец...

Номер патента: 161358

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 35/16, H01L 35/34

Метки: 161358

...состава АдеЯе с избытком 0,1 вес.Яе.Возможность холодной брпкетнровки нз сплава Ад Яе позволяет приготавливать брикеты совместно с электродамн нз висмута, олова нлн кадмия,Рассмотрим, например, процесс совместной брикетнровкн АоЯе с висмутом в качестве электродов.В отвсстне матрнныпрессйорм я (см, чертеж), помещенной в обойму 2, засыпается поверх вкладыша 3 порошок висмута. Порошок разравнивается и слегка подпрессовывается, затем поверх него насыпается слой порошка или стружки Ад;Яе, который также разравнивается и подпрессовывается. Поверх слоя Ад 25 е насыпается снова слой висмута, который также разравнивается, после чего в матрицу вставляется пуансон 4 и производится под прессом сжатие всей трехслойной засыпки,В окончательном виде...

Номер патента: 161439

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 31/0352

Метки: 161439

Номер патента: 162578

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 35/30

Метки: 162578

...3, Ветви термоэлементов 4 выполнены пористыми для разветвления нх боковой поверхности.Поток газа или жидкости с температурой окружающей среды или близкой к ней подается по каналам 5 коммутационных пластин холодного спая в поры ветвей термоэлемепта и идет по ним к горячему спаю. Для предупрек. дения выхода потока из элемента боковые поверхности его покрыты электроизолирующим и теплоизолирующнм герметичным покрытием 6.При прохождении по норам поток нагревается и уносит тепло, идущее навстречу ему за счет теплопроводнос".и материала ветвей. Вследствие этого градиент температуры по длине ветви у холодного спал падает и потери тепла на теплопроводность уменьшаются,Пройдя пористые ветви элемента, поток, нагревшийся до температуры близкой...

Номер патента: 162595

Опубликовано: 01.01.1964

МПК: H01L 21/33

Метки: 162595

...сгруктура, с которой затем сошлцфовывают один крайний слой кремния п-типа, в результате получается требуемая четырехслойная и-р-г-р структура.г 1 а кремниевый диск 4 устацавливаот. СольцА. Кудрявицкая Корректор М, И. Козлова Составительербова Текред А Редакт Формат бум. 60 Тираж 800 о комитета по делам осква, Центр, пр. СеровПоди. к пен, .6 Л - 64 гЗаказ 13114ЦНИИПИ Государствснг Типография, пр. Сапунов втулку 5, в стенке которой имеется отверстие для управляющего электрода. Затем закладывают катодный сплав б, состоящий из серебра, свинца и сурьмы в соответствующих соотношениях, толщиной 0,05 - 0,08 мм,На катодный сплав закладывают посеребренный вольфрамовый диск 7 толщиной 1 - 2 ляг, на него - графитовую шайбу 8 и груз 9 из нержавеющей...