H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 987711

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Гирий, Ескендиров, Ладыгин, Мустафаев, Огородников, Туякбаев, Шаховцов

МПК: H01L 21/283

Метки: интегрального, транзистора

...яют, например,роизводят, наго разгонку -оит тветИзвестен также спогрального транзисторазовой области днффузидующей разгонкои, котлечить достаточную прого в соответствии сэ соб изготовления инте- путем формирования баей бора и его послеорый позволяет обесчность изготовленноним интегрального транользование предлагае в значительной степе ю стойкость икте же обеспечить просто интегральных транэи транзисторы, изготовл м, могут най аратуре, мого способа п ни повысить ра в т ционнуа так способа состоит в маойкости изготовленного в интегрального транзистора.- повышение радиационгрального транзистора. мым способотовой апп нстора 23.Недостаток такого ой радиационной стответствин с ним Цель изобретения ой стойкости инте гральных транзисторов, у...

Номер патента: 987712

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Болгов, Малютенко, Медвидь, Пипа

МПК: H01L 21/66

Метки: генерации, поверхностной, рекомбинации, скорости

...50 987712минесценции проводят при изменении напря женности магнитного поля при постоянной напряженности электрического поля и расчитывают скорость поверхностной генерации- рекомбинации по формуле 5 4ти равновесного рекомбинапионного излучения свободных электронно-дырочных пар. Рассмотренная ситуация характерна для полу-проводников с собственной проводимостью.При небольших отклонениях интенсивностирекомбинационного излучения Р от Ронаблюдается прямолинейная зависимость Р(Н )наклон которой определяется значением скорости поверхностной генерации- рекомбинациина исследуемой грани кристалла и независит от Я на другой грани.Поскольку в формулу (1) входит отноРошение мощностей,измерение сигРр -Рналов люминесценции достаточно производитьв...

Номер патента: 987713

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Котельников, Мордовец, Шульман

МПК: H01L 31/08

Метки: излучения, мощности, электромагнитного

...для измеряемого излучения.физические процессы, лежащие в основе предлагаемого способа измерениямощности электромагнитного излученияи устройствадля его осуществления, 50можно описать следующим образом.В полупроводнике вблизи границыс металлом образуется потенциальныйбарьер Шоттки, что приводит к образованию обедненного носителями слоя и 55смещению границы электронного газавглубь от поверхности полупроводника.Длина обедненного слоя, т.е. толщинапотенциального. барьера Шоттки, опре"деляет вероятность туннелированияэлектронов через барьер Шоттки, аследовательно, сопротивление туннель"ного контакта металл-полупроводник.Пусть на туннельный контакт металлполупроводник падает электромагнитноеу 5 излучение перпендикулярно границе раздела...

Номер патента: 987714

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Жемайтис, Рагульскис, Славенас, Улозас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...пьезоэлектрический преобразователь 2,крепящийся к корпусу 1держателями 3. Электроды 4 и 5 коль-.цевого пьезоэлектрического преобразователя 2 нанесены на его торцовыхповерхностях и разделены по периметру на четное число секторов. Эти части в шахматном порядке последовательно соединены по периметру и образуютцвв электрические цепи 6 и 7, каждаяиз которых через переключатель подключена к источнику высокочастотного 30напряжения (не показано)На цилиндрической поверхности кольцевого пьезоэлектрического преобразователя 2 вместах разделения электродов на секто., ра прикреплены башмаки 8, которые 35Фрикционно сопряжены с элементами 9,выполненными в виде конических роликов, упруго упирающихся в ротор 10,выполненный с гладкой конической рабочей...

Номер патента: 987715

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Рагульскене, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: позиционирования, шагового

...шагового позиционирования, содержащем основание, направляющую, укрепленную на основаниии соединенную с пьезоэлементом, икаретку, установленную на направляющей, направляющая выполнена в видекруглого стержня, один торец которого жестко закреплен на основании, ак второму, свободному, торцу прикреп"лен пьезоэлемент, при этом кареткавыполнена в виде кольца, охватывающего направляющую.На фиг. 1 показано устройство шагового позиционирования; на фиг. 2 О характер колебаний стержня (а - пол987715 Формула изобретения ная стоячая волна с двумя узлами ко лебаний о - полная стоячая волна с тремя узлами колебаний Ь - полная стоячая волна сузлами колебаний),Устройство содержит направляющую1 в виде круглого стержня, соединенную с пьезоэлементом 2...

Номер патента: 987716

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Буда, Гервицкас, Плештис, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/16

Метки: вибродвигатель

...сигналы с многофазного источника переменного высокочастотного напряжения поступа ют к секторам 14-22 пьезокерамического преобразователя 1, выполненного в виде кольца. Количество секторов электрода, формирующих волну деформации, соответствует числу фаз источника переменного напряжения.В представленном вибродвигателе число секторов, формирующих одну волну деформации, равно трем, причем по периметру кольцевого пьезокерамического преобраэо вателя 1 формируются три бегущие волны деформации, т.е. используется третья мода колебаний. фазовое рассогласование между сигналами питания определяется по Формуле 45Зб(РжвфМ, (1) гдв М - число секторов электрода, формирующего одну волну деформации. Число секторов электрода определяется 50 по формулеХ =...

Номер патента: 987717

Опубликовано: 07.01.1983

Авторы: Меджяушене, Поцюс, Рагульскис, Улозас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: перемещения, прецизионного

...(пьезоэлектрическими) преобразователями 3, к которым торца" ми прикреплены концентраторы 4, например экспоненциальные, вершинами под острым углом сопряженные с нап- О равляющей 5, при этом геометрические оси симметрии ножек 2, проходящие через точку касания каждого из концент. раторов 4, с направляющей 5 пересека; ются в одной точке А по вертикали, 25 проходящей через центр тяжести коор-, динатного стола 1. Концентраторы 4 снабжены обмотками 5 и являются якорем электромагнита, а направляющая б - статором электромагнита. Выводы 30 катушек электромагнитов подключены к блоку 7 управления, к которому также Йодключены и электроды электромеханичвских (пьезоэлектрических) пре.образователей 3. 35Устройство для првцизионного 1 первмещения...

Номер патента: 989619

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Лисин, Петров, Покровский, Савальская

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, вентильный, полупроводниковый

...15 каскадного мостового выпрямителя 16.Устрбйство работает следующим образом. Вентильный блок фиксируется в горизонтальном положении (основанием вдоль линии А-А) в кожухе с жидким диэлек-, триком. С помощью прижимного винта 5 и набора тарельчатых пружин 6 устанавливается механическое усилие, регистрируемое указателем 7, которое обеспечивает заданный уровень теплового сопротивления вдоль системы таблеточных вентилей 1 и дисковых охладителей 2. Электропроводяшие П-образные тепловые трубки 8 образуют электрические полюса модуля выпрямительного моста, с помощью которых осуществляется переход к каскаду 16. Линейные тепловые трубки 12 совмещают функции электрических фазовых вводов в вентильный блок. Поэтому при работе устройства...

Номер патента: 989620

Опубликовано: 15.01.1983

Авторы: Смирнов, Филин

МПК: H01L 35/02

Метки: жидкости, кольцевой, охладитель, термоэлектрический

...теплообменник холодных.спаев, состоящий из наружных 1, 2 и внутренних 3, 4 колец, две термобатареи, состояшие из полупроводникового вещества 5 р-о -о типа проводимости и коммутационных пластин горячих 6 и холодных 7 спаев, залитые эпоксидным заполнителем 8, и теплоо 6- менники горячих спаев 9 и 10, Теплообменник холодных спаев снабжен перегородкой 11 и штуцерами 12 для входа и выхода охлаждаемой жидкости. Токоподводяшие провода 13 подпаяны к токоподводам 14 и выведены наружу через центральное отверстие в одном из теплообменников горячих спаев, которое в целях герметичности также залито эпоксидным заполнителемПредлагаемое устройство работает следующим образомПри подключении токоподводов Ь 4 к источнику постоянного тока холодные спаи 7...

Номер патента: 989621

Опубликовано: 15.01.1983

Автор: Диченко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибрационный, электродвигатель

...со смещением в сторону более широкой (нижней) стороны клина и условие смешения центра канала относительно центра тяжести сечения при этомсохраняется.Канал 8 заполнен жидким наполнителем и гидравлически.связан с источником регулируемого давления, например, уплотненным резьбовым плунже-. ром 11.Устройство работает следующим образом.Для запуска двигателя подают электрический ток высокой частоты в обмотку возбуждения 7. Переменное электрическое поле обмотки вызывает ультразвуковые колебания магнитострикционной части 6 стержня 4. Колебания стержня приводят к вращению диска 1. Благодаря клиновой форме стержня и ротора, в зоне их контакта достигается увеличение передаваемого фрикционной передачей вращающего момента.Отличительной особенность в...

Номер патента: 991337

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Баландин, Кондрашкин, Медкова, Самошин, Шурупов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: параметров, транзисторов

...устройства,Устройство содержит источник питания 1 испытуемых транзисторов, схемы включения 2 и 3 испытуемых транзисторов, контакты синхронных переключателей для поочередного подключения испытуемых транзисторов к источнику питания 1 и включения в базовые цепи испытуемых транзисторовкалибровочного сопротивления, котороесвязано с входом преобразователя 4напрлжениея - частота через усилитель505, выход преобразователя напряжениецасота соединвн с первым входом формироваеля 6 временного интервала,второй вход которого связан с блоком7 управления, входы вентиля 8 соединены с выходами формирователя 6 вре 55менного интервала и генератора 9сценых импульсов, выход вентиля 8подкпюц к входу счетчика 1 О, сбро 7 фсовый вход котороо...

Номер патента: 991533

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Викторова, Церех, Шабанов

МПК: H01L 21/66

Метки: контактное, свч-микросхем

...только после установки контролируемой микросхемы. Высоко -частотный разъем 5 имеет пазы, в кото 35рых закреплены контактные пружины 15,между регулировочными; гайками и кронштейном 13 на разъеме 5 установленаторированная цилиндрическая пружина 16,В контакте 6 (фиг. 4) внутри упругой4 Ооболочки размещаются гибкие изолированные стержни 17, с противоположной стороны к которым с помощью пайки закреплен металлический наконечник 18, снаружи наконечника установлена изоляционная45втулка 19, которая совместно с металлической втулкой 20 закреплена в подвижном кронштейне 13, Оболочка контактазакреплена ни неподвижном основании 2к изоляционной колодке 21, а гибкиеупругие стержни 17 жестко закрепляют 50ся к подвижному основанию 12 посредством...

Номер патента: 991534

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Золотаревский, Рябичев

МПК: H01L 23/48

Метки: закрепления

...прижимной плйн-ки риски, кривизна которой равна нулю при рабочем положении прижимной планкиеРиска выполнена в виде границы межв ду окрашенным и неокрашенным участками боковой поверхности прижимной "аланки.На чертеже изображено предлагаемое устройство.Устройство для зоснование 1, являюполупроводниковогонем горне которого2 О. Рирующий упоР 3, взприжимной планкойпомощью болтов 5 иповерхности прижимннепа риска 7, предсТираж 7 каз 156 ВНИИП одпнсное ППП "Патент", г. Ужгород, ул. Пая 3 991нерабочем положении прижимной планкикривую второго порядка, уравнениекоторой учитывает зависимость усилия,с которым, полупроводниковый прибордолжен быть прижат к охлвдителю, отгеометрических размеров прижимнойпланки и механических свойств материала, из...

Номер патента: 961501

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Александров, Веденеев, Ждан, Маркин, Никитин, Тестов

МПК: H01L 21/66

Метки: холла, эдс

...постоянный магнитзакреплен на валу, синхронный преобразователь частоты вращения вала в переменный ток выполнен в виде дискового обтюратора, по одну сторону которого1801 ффлуктуации раэностной частоты Я сос- тавляют 3 96размещен источник света, а но другуюфотоэлемент, подключенный к входу делителя частоты, выход которого под-.ключен через усилитель к токовым элек-тродам образца,На чертеже приведена схема предлагаемого устройства.Устройство для измерения ЭДС Холла исследуемого образца 1 содержитпостоянный магнит 2, дисковый обтюратор 3, источник света 4, фотоэлемент5, делитель частоты 6, усилитель 7,токовые электроды 8 образца, холловскиеэлектроды 9 образца, измерительный селективный усилитель 10.Устройство работает следуюшим образом.При...

Номер патента: 961512

Опубликовано: 23.01.1983

Авторы: Лыков, Черник

МПК: H01L 39/22

Метки: материал, полупроводниковый, сверхпроводящий

...сосТаллий 0,6- 1,4 тояния образцц охлаждают до критичесТеллур 0,4-0,9 кой температуры Тс любым из известОбразцы предложенного соединения с нык способов, в частности, откачразличной дозировкой добавок получают кой паров жидкого гелия в криостапо известной методике металлокерами те., ческим способом из предварительно Результаты измерений температуры синтезированных слитков соответствую-, сверхпроводящего перехода образцов щих составов (см. табл.), Исходными теллурида свинца с разнымй количесткомпонентами при синтезе служили чис- вамиталлйя приведены в таблице. Состав образца, вес.4 Номеробразца КритическаятемператураТс Щ 99,3 РЬТе+0,43 Т 1+0,2 Те 99,1 РЬТе+0,55 Т 1+0,35 Те 99,0 РЬТе+0,61 Т 1+0,39 Те 98,7 РЬТе+0,79 Т 1+0,51 Те 98,5...

Номер патента: 993174

Опубликовано: 30.01.1983

Авторы: Байдоха, Корсунская, Маркевич, Мирзажанов, Торчинская, Шейнкман

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: качества, полупроводниковых, приборов

...процессов) .Поэтому предложенный способ содержит нагрев и охлаждение в темноте, чтобы разрушить протекающие в результате случайных эасветок Фотостимулированные процессы и получить исходное состояние полупроводника.Температуру Т, до которой нужнопрогреть полупроводник, выбирают такчтобы за время выдерживания приборапри этой температуре Фотостимулированный процесс успел разрушиться. Этовремя определяется скоростью нагрева и инерционностью печи и представляет собой время, в течение которого образец сохраняет заданную температуру после выключения печи. Скорость разрушения Фотостимулированных процессов возрастает с ростомтемпературы, при которой образецвыдерживается в темноте. Следовательно, температура до которой нужнопрогреть...

Номер патента: 995028

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Благодаров, Бородзюля

МПК: H01L 21/66

Метки: емкости, мдп-структур

...в общеизвестных моделях для генерационно-рекомбинационных процессов в обедненном слое полупроводника для определения времени жизни носителей заряда. Целью. изобретения является расши" рение функциональных возможностей.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения емкости МДП"структур введены регулируемый источник постоянного эталонно" го напряжения и дифференцирующий вольтметр, причем регулируемый источник постоянного эталонного напряжения включен между выходом компаратора и одним из входов дифференциального усилителя, а дифференцирующий995028 оставитель Н, Чистяковаехред А. Бабинец Корректор В Гу Бутягвйекль а Ъ а Реда дписно каз 634/31 ВНИИПИ Госуд по делам 113035, МоскТираж 708 ственного коми зобретений и оЖ,...

Номер патента: 995029

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Стельмах, Янченко

МПК: G01R 31/265, H01L 21/66

Метки: бесконтактного, параметров, полупроводников

...параметров полупроводниковсодержащем генератор, циркулятор идетектор СВЧ, блок обработки сигнала детектора, измерительный преобразователь в виде отрезка прямоугольно 35го волновода с запредельным отверстием для возбуждения неравновесной проводимости и держатель исследуемой полупроводниковой пластины, в. измерительном преобразователе короткозамкнутом на одном конце, выполнено гантелеобразное отверстие, расположенноена широкой стенке перпендикулярно про"дольной оси волновода на расстоянии,равном половине длины волны генерато 45ра СВЧ от замкнутого конца, запредель-ное отверстие расположено на другойширокой стенке волновода, напротивгантелеобразного отверстия, и в туже стенку введен настроечный штырь.На фиг, 1 показана функциональная50схема...

Номер патента: 995159

Опубликовано: 07.02.1983

Автор: Штейн

МПК: H01L 21/00

Метки: виде, выводов, загрузки, кассету, стержней

...поверх трафарета в магазине. В этом случае выпадание выводов из магазина исключено, так как диаметр отверстий 5 трафарета с заходными фасками меньше двух диаметров загружаемых вь водо в.После окончания вибрации осуществляется вертикальное опускание шибера 12 вместе с пластиной-отсекателем 14 направление А - А,) и в этом случае, благодаря выступанию верхних концов выводов над трафаретом, обеспечивается практически полное отсекание загруженных выводов во всех отверстиях трафарета, при этом шибер опускается до тех пор, пока верхние торцы загруженных выводов не выйдут полностью из отверстий трафарета,Затем производится передвижка шибера 12 вдоль поверхности пластины-отсекателя по направлению А, - А в пределах длины пазовых отверстий...

Номер патента: 995160

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Речкин, Симонов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: классификатор, полупроводниковых, приборов

...как элемент фиксации может быть также образован либо перегородкой, расположенной поперек лотка 8, либо выемкой, образующей на нем ступень.Щечки 19 захвата 11 имеют призмообразные выемки 20 и охватывают лоток 8 в месте расположения элемента фиксации - уступа 18, а контактный блок, закрепленный неподвижно, и подвижный съемник смонтирован над уступом 18. Щечки 19 могут быть выполнены из токопроводящего материала.Уступом8 лотка 8 могут служить боковые грани 21 выемок 20 у щечек 19, расположенные на пути движения прибора по лотку 8.Выполнение захвата из изоляционного материала, а его щечек из токопроводящего позволяет осуществить четырехконтактную схему подключения прибора на измерительной позиции: подключение питания к прибору через щечки...

Номер патента: 995161

Опубликовано: 07.02.1983

Авторы: Арутюнян, Кочикян, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: вибродвигатель, пьезоэлектрический

...выполненных в виде прямоугольных треугольников, одни катеты которых сопряжены с продольными ребрами пластины 1, а другие - с поперечными ребрами пЛастины 1. Дополнительные части 13 - 16 попарно диагонально соединены между собой и через переключатель 17 подключены к основной центральной части 12. Электрод 8 и основная центральная часть 12 электрода 9 подключены к выходу генератора 18 электрических колебаний (фиг. 2),Вибродвигатель вращательного движения (фиг. 4) отличается от линейного тем, что элемент выполнен в виде ротора 5, к которому упруго прижата пьезоэлектрическая пластина 1 с аналогичным расположением электродов.Пьезоэлектрический вибродвигатель работает следующим образом.При подаче электрических колебаний от генератора 18 на...

Номер патента: 997139

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Медвидь

МПК: H01L 21/66

Метки: отношения, поверхностной, рекомбинации, скоростей

...во взаимно перпендикулярные электрическое ЕХ и магнитное Н поля, источник электрического напряжения 2,сопротивление нагрузки 3 и источниксильнопоглощаемого света 4.Если полупроводниковую пластину поместить во взаимно перпендикулярныеэлектрическое Еи магнитное Н поляи облучить сильнопоглощаемым светом,то на диффузионное растекание электронно-дырочных пар, созданных светом,55накладывается сила Лоренца Р (Фиг,1)Причем, если освещается поверхностьс максимальной скоростью поверхностной рекомбинации и сила Лоренца направлена к поверхности с минимальной 60скоростью поверхностной рекомбинации,фототок будет больше, чем в отсутствие силы Лоренца, так как уменьшается влияние поверхности с максимальнойскоростью поверхностной рекомбинации, 65...

Номер патента: 997140

Опубликовано: 15.02.1983

Автор: Золотаревский

МПК: H01L 23/34

Метки: выпрямительная, полупроводниковая

...шайб стянута винтовой парой с тарельчатьми пружинами и установлена в полости охладителя в плоскости, перпендикулярной ее оси, так, что ребра сложенных оснований шайб упираются в центрнрукюие упоры по крайней мере трех выпрямительных элементов.Нз фиг. 1 и невка, разрез А-А на 2 - то вид сверху.Устройство состоит из охла установленных в его полост ских поверхностях 3 выпрямных элементов 4, винтовой пары, состоящей из болта 5 с гайкой 6, стягивающей с помощью тарельчатых пружин 7 упругие конические шайбы 8. На выпрямительном элементе 4 установлены последовательно плоский контакт 9, 5 изолирующая прокладка 10 и центрирующий упор 11. Плоские контакты 9 снабжены выводами 12, которые могут быть как жесткими, так и гибкими,Устройство...

Номер патента: 999127

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Адоньев, Кононов, Петров

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковых, приборов, сортировки

...13 для выводов 14 измеряемых полупроводниковых приборов, Контактные элементы 15 и 16 установлены симметрично относительно корпуса 9 и закреплены в стойке 17 корпуса 9 контактного механизма 3. В стойке 17 также установлена подвижная вилка 18, продольные образующие которой (рычаги) своими концами взаимодействуют с 4 О контактными элементами 15 и 16. Вилка 18 посредством рычагов 19 и планки 20 соединена с ее приводом 21,Контактные элементы 15 и 16 могут быть смонтированы отдельно от контактного 145 механизма 3 и снабжены приводом. 1 О Устройство работает следующим об, разом.ФИз вибробункера 1 по лотку 2 при- бор подается в загрузочный паз 11 контактного механизма (первая позиция). Этот паз совмещен с лотком 2 и с одним из карманов. карусели...

Номер патента: 999128

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Васильев, Смагулова, Шаймеев

МПК: H01L 21/66

Метки: кислорода, кремнии, содержания

...перестаетбыть линейным, и становится неприменимой формула для расчета концентрации кислорода.П р и м е р 1. Образцы кремнияКЭФ 1 (концентрация фосфора Р =4,210" см , концентрация кислорода,измеренная по методу ИК-поглощенияОл=8,б"10" сми БКЭФ (концентрация фосфора Р =4,2 10"5 см, концентрация кислорода неи з ве стн а, о наменьше предела чувствительности определения кислорода по ИК-поглощению/облучались при комнатной температуреэлектронами с энергией 3,5 РэВ, доза1"10"см , плотность тока 0,4 мкА/смОпределялась концентрация . Аи Е-центров по методике 1 еерече 1гапа 1 еп ьрес 1 гоьсору О(.Т 5 (годитсялюбая другая методика или набор методик, позволяющих измерять концентрации или отношения концентраций А- иЕ-центров). Они оказались...

Номер патента: 999129

Опубликовано: 23.02.1983

Авторы: Соколенко, Шкуратов

МПК: H01L 35/02

Метки: электротепловой, элемент

...2 размещены электротепловые преобразователи 3 и 4 теплоэлектрические преобразователи 5 и 6. Электротепловые преоб" разователи 3 и 4 расположены попарно и симметрично относительно продоль999129 формула изобретения 9 6 4ВНИИПИ Заказ 1169/76 Тираж 701 Подписно илиал ППП Патент, г.ужгород,ул.Проектная,4.ной оси рамки. Аналогичным образомрасположены теплоэлектрические преобразователи 5 и 6Теплоизолирующая подложка 1 может быть выполнена иэ ситалла, теплопередающее основание 2 в ,иэ кремния, Преобразователи 3 - 6 могутбыть выполнены в виде транзисторовв едином технологическим процессе.Устройство работает следующимобразом.Попарно симметричные электротепловые преобразователи 3 и 4 запитываются противофазно, а теплоэлектрические...

Номер патента: 1000439

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Бондаренко, Гринева, Данцигер, Завьялов, Клевцов, Марчук, Мирошниченко, Панич, Разумовская, Резниченко, Фесенко, Цихоцкий

МПК: C04B 35/495, H01L 41/187

Метки: варианты, его, керамический, материал, пьезоэлектрический

...= 1,28 - 1,57%.25Исследованный материал имеет достаточно высокие значения коэффИциента электромеханической связи Кр = 0,174 - 0,202,. скорости звукаЧ = (5,51 - 5,83) 10 з м/с, механическойдобротности О = 790 в 9,ЯЗначения диэлектрической проницаемости. / Ео, температуры Кюри Тк, диэлектрических потерь Я /Ео в предлагаемом материале практически такие же, как в известном,В аставах 1 - 4 Тх= 338 - 345 С, ,Т/о =100 - 110, 10,Ь = 1,67 - 2,17%, Сочетаййе в 35предлагаемом материале Йфниженных значенийД 1 ц /Х 1. с достаточно низкими значениямиТ/ о, довольно высокими значениямиЯКр, Ч, Т 0 является весьма благоприятным, так как позволяет улучшить характеристики ультразвуковых устройств, упроститьсхемные решения, увеличить надежностьобъектов.Как...

Номер патента: 1000945

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Зверев, Кружаев, Минков, Рут

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: вырожденных, заряда, концентрации, носителей, полупроводниках, свободных

...период осцилляций дифференциального магнитосопротивления туннельного контакта при нулевом напряжении смещения на нем.Поскольку в данном случае регистрируются осцилляции дифференциального магнитосопротивления образца с туннельным контактом в магнитном поле,в нем определяется средняя концентрация свободных носителей заряда в малом объеме Ч=5 й, где 5 - площадь"уннельного контакта, Р - длина свобо;ного пробега, т.е, обеспечиваетсявысокая локальность измерений.физическая сущность способа поясняется следующим образом,Диффере;(циальное сопротивление туннельного контакта при постоянном напОяж;:.,ии смещения Ч обратно пропорцио(Гально готности состояний полупроводни в ; при энергии Я .+еЧ ( - энергия7 ер(;, полупроводника, знак...

Номер патента: 1000946

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Гаевский, Мартяшин, Светлов, Цыпин, Чайковский

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, с-g-v, характеристик

...усилигеля 4 и второмувхопу вычитагеля 8 напряжений, выхоц1000 С+СЗ С+СБоСс Сэ й оСо ССЯ оСО фС 2 Сэ.Е Сс,е +Се обогащения,о кость С обеа настолькотруктуры драке ктрика.обогащения ходе опера 55 режиме обогащения емслоя полупровоцникчто емкость МДП-с и равна емкости циэл цовательно, в режиме эС напряжение на вь го усилителя 4 ненного в жим тическ Н 4вления источяженияпоцает. го управляемо при Сдион По ник 10 на упра манце блока упрауправляющего нап вляюший вход пер которого соецинен с вхопами первого пикового детектора 12, второго управляемого делителя 13 напряжения, нуль-органа 11 и блока 14 измерения постоянной времени, Выхоп нуль-органа 11 через 5 источник 10 управляющего напряжения подключен к управляющему входу первого...

Номер патента: 1000947

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Лелявин, Мельников, Михеев, Морозов, Осадчий, Рыжова, Рябинин, Фельдберг, Чернецов

МПК: H01L 21/66

Метки: вольт-фарадных, характеристик

...7, устройство 8 дляобработки ццформоции, переменный конденсотор 9 (С (с), переключатель 10,второй оцероццонньэй усилитель 11, второй образцовый конденсатор 12 (Со ) ивторой суэжотор 13.Устройство работает следующим образом,В цо эопьций момент времени переключатель 10 находится в положении 1. К 0947 4исследуемой МДП-структуре 4 прикладывается сумма синусоидального тест-сигнала Оо с выхода генератора, 2 и напряжение смещения Ом от источника 1 напряжения смещения. Напряжение ц ь(х на выходе второго сумматора 13 равнооэ доОныххОой)КК(3 К(32 где Оо =-Оо - значение напряжениятестового сигнала навыходе сумматора 3;ЕС - значение сопротивлесэния образцового конденсатора 6;7,: -- значение сопротивленияХ- рСисследуемого объекта 4измерения;-...