H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 368678

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вашакидзе, Гущин

МПК: H01L 21/477

Метки: межсоединений, проводящих

...Сапунова, 2 к чередованию областей металлической и диэлектрической фаз, т. е. к системе проводников в диэлектрике, создаваемой и управляемой изменением температуры пленки, нанесенной на изолирующую подложку.Металлический рисунок электрической схемы формируется в толще однородной пленки диэлектрика, способного к фазовому переходу диэлектрик-металл (активного диэлектрика). Пленка наносится на изолирующую подложку, противоположная сторона которой поддерживается при постоянной температуре Т(0,8 Т, (по абсолютной шкале).Зоны нагрева до температур, больших Т в пленке активного диэлектрика могут создаваться электронным или световым лучом, что позволяет управлять конфигурацией зоны нагрева путем сканирования луча по заданной области поверхности...

Номер патента: 368679

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Дергачев, Постников

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, полупроводниковым, приборам, присоединения

...проводника составляет 4 - 8 кг/мм и при сварке золотого проводника 10 - 14 кг/мм. Минимальная температура, при которой получают удовлетворительное соединение, должна быть не менее 280 С.Цель изобретения - снижение температуры нагрева соединяемых элементов (не выше 240 С), что позволит создавать новые типы полупроводниковых приборов, упростит многие технологические задачи при создании полупроводниковых элементов, повысит выход годных приборов, упростит монтаж приборов с проволочными и консольными выводами в интегральные схемы.Согласно изобретению, поставленная цель достигается тем, что на контактную точку любым существующим способом на подслой олова толщиной 0,1 - 0,3 мкм наносят слой золота 0,3 - 1,0 мкм, После этого подводят...

Номер патента: 368777

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Иностранна

МПК: H01L 21/306

Метки: ljamp, nfittrlibu-it, всесоюзнаяhtrilt, •gt

...гидртемпературе Изобретение относится к ометаллических покрытий хибом, в частности к способакрываемой поверхности.Известен способ подготовки поверхности кремния перед химическим никелированием путем травления в концентрированном растворе плавиковой кислоты.Предложенный способ отличается от известного введением дополнительной операции активирования кремниевой пластины в растворе гидроокиси аммония, что улучшает сцепление покрытия с основой.Необходимость такой операции обусловлена тем, что часто на поверхности кремниевых пластин присутствуют одновременно фосфорои боросиликаты, которые стравливаются в плавиковой кислоте с различной скоростью, и после окончания процесса травления поверхность кремния оказывается пассивной для...

Номер патента: 369635

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Безруков, Бутузов, Вител, Ворожейкин, Лаптев, Никитин, Самойлович, Фотченков

МПК: H01C 7/06, H01L 27/00

Метки: 369635

...токопленка 3 (толщиной от десятыхскольких десятков микрон),образом, предлагаемый резисторрезистором объемно-поверхностзначение сопротивления коопределяется выражением дляьно соединенных сопротивленийЛ Ла ЮпаФЙа + Йпа тал- про- дояв- ого де Яа - омическое Япл - омическое опротивление алмаза; опротивление пленки При повышпротивления+Ыпл ( Лтивления полратурой имеюки. Следоватводниковоготивление иизменения тоНа макетнленных из сиполучены элепературный2 - 3% в имаксимальна ый объе монокрищую пленслужит за, леги талла сн ми 2, Д няться р б аз 3 На чертеже показан предлагаемиый резистор.Резистор содержит тугоплавкийсталл 1, электроды 2 и токопроводку 3.Основным элементом резисторанокристалл 1 синтетического алмаванный бором. Рабочие...

Номер патента: 369651

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Государственный, Проектный

МПК: H01L 21/306

Метки: травитель

...травления наплоскости типа (100) представляет известныетрудности, связанные с окислением поверхности и выявлением фигур травления недислокационного характера.Настоящее изобретение представляет собойтравитель для выявления дислокаций в образцах монокристаллического кремния, ориентированных по плоскости (100), который состоит 25из 7 - 9 частей плавиковой кислоты, 1 частираствора хромового ангидрида в воде и 2 частей воды,Предлагаемый травитель ддислокаций на плоскости типа 30 ван на серийных образцах кремния, легированных Р, В, Аз, 5 Ь, А 1 в широком диапазоне концентраций легирующей примеси.Пример.Образцы, ориентированные по плоскости (100), шлифуются порошком Ми химически полируются в смеси НГ: НХО,=1:2. После тщательной промывки...

Номер патента: 369677

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Зеленков, Кожеуров, Кононов, Курин, Мотин, Самойлов, Харитонов

МПК: H01L 41/00, H03H 9/54

Метки: полосовой, пьезоэлектрический, фильтр

...схема фильтра содержит: двепьезоэлектрические пластинки 1 и 2, выполненные из кварца или из пьезокерамики, цент ральный и периферийный разделенные электроды т и 4,расположенные с одной стороны каждой пластинки, неразделенный электрод б, расположенный с противоположной стороны каждой пластинки, входную клемму 6, выход ную клемму 7, общую заземленную клемму 8,присоединенную к электропроводящей перемычке 9, посредством которой неразделенный электрод 5 первой пластинки соединен с периферийным разделенным электродом 4 второй 25 пластинки. Конструкция фильтра с поэлементной деталировкой содержит: две пьезоэлектрические пластинки 1 и 2, выполненные в виде дисков круглой формы, два разделенных электрода 8 и 4 - центральный и...

Номер патента: 370278

Опубликовано: 01.01.1973

МПК: C23C 14/06, C23C 14/58, H01C 7/00 ...

Метки: слоев, фоточувствительпых

...теллурнда кадмия, полученных по даетному способу, обладают фоточувствптельностью в 10 - 100 раз превышающей чувствительность известных слоев, при темновом сопротивлении 10 - 10 то олт. Время фото ответа у получаемых фоторезисторов приосвещенности 200 лн составляет от единиц до десятков миллисекунд. позволяет повысилоев теллурида ка Данный способ отличается от известного тем, что осаждепие теллурида кадмия осуществляют с одновременным легированием наносимого покрытия иодистым кадмием из паровой фазы, а затем проводят термообработку покрытия в насыщенных пазах кадмия при 350 - 450 С,Способ состоит в том, что фоточувствительные слои получают осаждением в вакууме теллурида кадмия на поверхность нагретой подложки с одновременным...

Номер патента: 370681

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Барановский, Рогаченко

МПК: H01L 21/00

Метки: есесою

...фцг. 2) над контактными площадками элементов 2, Л, 4 независимо от уровня их разводки методом фотогравировкц вытравливают окна а, после чего производят напыление первого металлического слоя 6 и формируют известными методами фотолитографии межсоедццения элементов 2 первого уровня разводки и одцовременцо создают омцческие контакты металл - полупроводник ца контактных площадках элементов 4, 3, подлежащих разводке на всех вышележащих уровнях (см, фиг. 3). Затем на поверхность структуры наносят пленку диэлектрика 7 (см. фпг. 4) для изоляции межсоедццений первого уровня разводки от межсоедццений второго уровня, в не" вытравливают окна б (см, фцг. 5) над контактцымц площадками элементов 3, 4, подлежащих соединению ца втором и вышележащих...

Номер патента: 370682

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Андреев, Иванова, Комаишко

МПК: H01L 21/306

Метки: виблио

...что, с целью осуществления травления б щиты металлических элементов констру он содержит серную кислоту, в качеств хромата щелочного металла примене хромат калия, а компоненты взяты в сл щем соотношении, вес. %:Плавиковая кислотаСерная кислотаБихромат калия одниента- ихротем, ез закции,б уществление травлееских элементов коню 14 - 25,2 3,6 - 180,034 - 0,1 37,2 - 35,6 62,6 - 62,9 0,2 - 1,5 30 Изобретение касается электроники и может быть травления р-а переходов к проводниковых структур.Известны кислотные травители на основе 5 смесей плавиковой и азотной кислоты.Известен также травитель, в котором вместо азотной кислоты в качестве окислителя введен перманганат калия - КМпО.Однако такие правители малопригодны прп 10...

Номер патента: 370683

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кислицын, Лебига, Мусин, Россошинский

МПК: H01L 21/326

Метки: полупроводниковых, приборов, сборки

...на единяемых элементо О осадки пуансонов, с личаютиийся тем, чт чества пайки, в в сжимающее усилие исходного.Изобретение относится к производ лупроводниковых приборов, в часттехнологии присоединения выводов кводниковым элементам электроннройств.В,известном способе сборки полупроводниковых приборов, основанном на укладке элементов прибора в кассету и их импульсном нагреве при одновременном сжатии двумя пуансонами происходит разрушение палупроводникового материала или возникновение остаточных;напряжений вследствие различия коэффициентов термического, расшнрения,металлических,выводов,и полупроводникового кристалла, При этом возникающие остаточные напряжения будут тем больше по величине, чем больше усилие сжатия пуансонов.Цель...

Номер патента: 370689

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Королёв

МПК: H01F 38/24, H01L 41/107

Метки: пьезокерамический, трансформатор

...окружающей температуры, поэтому применение их ограничено,Цель изобретения - стабилизация выходного напряжения в широком диапазоне температур. Предлагаемое устройство отличается от известного тем, что одна секция генератора через конденсатор соединена в противофазе с секцией возбудителя.На чертеже показана функциональная схема предлагаемого устройства.Устройство состоит из пьезокерамической пластины 1, последовательно соединенных секций 2 и 3 возбудителя и двух секций 4 и б генератора (возбудитель и генератор на чертеже не показаны). Секция 4 генератора соединена с секцией 3 возбудителя через конденсатор 6.Предлагаемое устроцство работает следующим образом.Секция 4 генератора подключена к секции 3 возбудителя в противофазе, что...

Номер патента: 371406

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Родионов

МПК: H01L 23/34

Метки: выделяющих, охлаждения, радиатор, тепло, элементов

...с основанием, служащим якорем, электромагнитный вибратор.На чертеже схематически изображен описываемый радиатор.Радиатор для охлаждения полупроводниковых приборов 1 имеет основание 2 и поперечные вибрирующие ребра 8 из тонкого металла, соединенные между собой и с основанием эластичными связями 4 и разделенные дистанционными прокладками 5. Под основанием 2 с зазором размещена электромагнитная катушка б, подключенная к источнику тока (на чертеже не показан) последовательно с полуАЖДЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ,ЩИХ ТЕПЛО вым прибором и образующая с осслужащим якорем, электромагбратор для колебания ребер 3. колебаний ребер 3 зависит от сне. от выделений тепла полупроводибором, и таким образом, при увепловыделений автоматически уветеплоотвод. Предмет...

Номер патента: 371535

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Боренко, Сушенцов, Теректьев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: нестабильноёшейштглз, обратных, перехрдсш1блиагй, полупроводниковых, токов

...точности ири раздельном контроле дрейфовой и релаксационной составляющих обратного тока пере.; одов. ния непосредственно соединены с блоком принятия решения.На чертеже представлена блок. схема устройства.5 Устройство содержит блок 1 задания режима на испытуемом переходе с токосъемным элементом, соединенный с усилителем 2, выход которого соединен с входами блока т скользящего усреднения, блока 4 выделения релакса ций и блокад задания весовой функции; входыблоков 3 и 4 подключены к двум выходам блока б, а выход блока 3 соединен с входамп блока б памяти, блока 7 принятия решения и блока 4, выход которого подключен к входам бло ков б и 7.Контроль нестабильности обратного токаперехода осуществляется следующим образом.Измеряемый сигнал...

Номер патента: 371637

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Павлынив, Романовский, Туцкий

МПК: H01L 23/02, H01L 23/16

Метки: 53uiv"jt, a^lfsofii, f-lha, гг, контак11швуг, прокладка, сr-^b, союзная, тепловых, электрических

...в устзо ройствях, раоотающих в режиме цикличеСки,3изменяющихся тепловых или электрических нагрузок, например в силовых управляемых полупроводниковых вентилях.На чертеже изображена контактная прокладка для разъемного контакта с механическим прижимом применительно к силовому полупроводниковому вентилю на выпрямленный ток 200 а.Внутренний слой 1 выполнен из сплава висмута, олова, свинца, кадмия (сплав Гутри), имеющего температуру плавления 45 С, т. е. ниже рабочей температуры вентиля, работающего в режиме номинальной токовой нагрузки (80 - 100 С).Герметизирующая оболочка 2 выполнена из меди или других металлов с хорошими тепло- и электропроводностью и с коэффициентом теплового расширения, согласованным со значениями этого коэффициента...

Номер патента: 371638

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Коршун, Побегаев, Реминский, Яцевич

МПК: H01L 21/00

Метки: классификации, полуавтомат

...щее устройство 4, накопитель 5, грейферныймеханизм 6, измерительную головку 7, распредел ительное устройство, электрический блок (не показаны).Электродвигатель 1 через редуктор 2 при водит во вращение вал 3, на котором закреплен кулачок 8, перемещающий через промежуточный кулачок 9 рычаг 10 отсекающего механизма. Последний снабжен пружиной 11, используемой в качестве блокировки прп по падании отсекателя 12 непосредственно наплату или головку полупроводникового прибора, поданного в лоток 13. Отсекатель по одному подает приборы по наклонной плоскости лотка 13 на винтовую дорожку накопителя в промежуток меисду штангазо мн 14, которые консольно закреплены в торЗаказ 2443Изд.1200 Тираж 780 ПодписноеЦНИИПИ Комитета по делам изобретений и...

Номер патента: 371639

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Антоновский, Николаев

МПК: H01L 21/66

Метки: всгсоюзнаи

...статического температурного коэффициента.Цель изобретения - повышение точности измерения скорости роста пленки в начальный момент нанесения пленки,Цель достигается тем, чтоза онки, обращенной к кварц ру, установлен нагреватель, создающии тепловой поток на резонатор, равный тепловому потоку от испарителя.Предлагаемое устройство схематически по казано на чертеже.Устройство содержит кварцевый резонатор1, помещенный в охлаждаемый корпус 2 с отверстием 3, заслонку 4 для перекрытия потока пара, поступающего от испарителя б, и нагре- О ватель 6, закрепленный на поверхности заслонки 4, обращенной к кварцевому резонатору г.Устройство работает следующим образом.Заслонкой 4 перекрывают поток пара, поступающего от испарителя 5, затем включают...

Номер патента: 372594

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вайнер, Кернер

МПК: H01L 23/36

Метки: воеоиюзнаи, йатнтно-1гхк-и

...радиатор. новная спираль 2, на которую, плотно н На основании 1 радиатора установле на дополнительная спираль 3 из пров пропаянной по всей ее длине. Шаг нравен трем диаметрам проволоки дополнительной спирали. Диаметр проволоки дополнительной спирали на порядок меньше диаметра основной спирали.Элементы 4 радиоэлектронной аппаратурыустанавливают на основании 1 радиатора, которому они отдают тепло. Благодаря контакту со спиралью основание отдает тепло спирали с дополнительной обмоткой.1 оток охлаждающего воздуха омываеттеплопередающие поверхности радиатора, 11 ри омывании воздухом спирали с дополнительной обмоткои возникают дополнительные воздушные потоки, которые увеличивают турбулизацию слоя на границе спираль - воздух, что обеспечивает...

Номер патента: 372595

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Авторы, Грамматин, Киселев, Лисовский, Лустберг, Лысюк, Уксусов

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковой, рисунков, совмещения, фотошаблона, экспонирования

...фотошаблона на полупроводниковую пластину, столика с манипулятором, на котором установлен фотошаблон, столика с полупроводниковой пластиной.Недостаток известных устройств - недостаточно высокая производительность,Целью изобретения является повышение производительности за счет одновременного совмещения и экспонирования двух пар фото- шаблонов и пластин,Цель достигается благодаря тому, что объектив выполнен зеркальным с кольцевым полем зрения,и установлен в вертикальном корпусе, на верхнем торце которого диаметрально противоположно его оси попарно расположены фотошаблоны и пластины, обращенные рабочими поверхностями в сторону объектива.На фиг. 1 показано предложенное устройство, продольный разрез по А - А; на фиг 2 - то же, вид сверху,На...

Номер патента: 372859

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Вител

МПК: H01L 21/68

Метки: всесоюзная

...изменения высоты 13, управление которым осуществляется через канал 14. Корпус 11 находится на координатном столе 15 с устройствами перемещения (на чертеже не показаны). Трубопровод 1 б, проходящий через стенку корпуса 11, колонку 7 и шаровой сегмент 2, соединяет нижнюю сторону полупроводниковой пластины 1 с насосом, создающим вакуум, источником давления или магистралью сжатого воздуха. Колонка 7 уплотняется металло- резиновым уплотнением 17 относительно кольца 18, расположенного на корпусе 11 поворотного устройства. На кольце 18 установлена опора 19 держателя шаблона. Колонка 7, уплотнение 17, кольцо 18, опора 19, держатель 5 и фотошаблон 3 ограничивают закрытый вакуумноплотный объем 20 с каналом 21. Предусмотрена кольцевая канавка с...

Номер патента: 373794

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Ксенофонтов

МПК: H01L 21/24

Метки: 373794

...повыше поз бот Изобретение относится к области производства полупроводниковых приборов.Извест,ен сплав, содержащий свинец, с.е.реб,ро и легирующую добавку в виде донорной или акцепторной примеси.Предлагаемый сплав позволяет снизить температуру изготовления контакта и получить ровный фронт вплавления. Он имеет следующий состав, %; медь 2 - 5, марганец 0,2 - 1, серебро 0,5 - 3, никель 0,05 - 0,5, легирующая примесь 0,1 - 0,3, остальное свинецТемпература плавления сплава около 300 С, температура сплавления с кремнием 550 тура сил авления сплава одниковому прибору раной температуре, окисная пленка марганца на поверхности не позволяет сплаву разорваться на отдельные каняи, что обеспечивает получение контакта большои площади. Сплав для...

Номер патента: 373795

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Гаврилкин

МПК: H01L 27/04

Метки: подложка, полупроводниковая

...из множества идентичных элементарных поверхностей, сохраняется постоянным положение их общей фотометрической оси при нанесении на них фоторезиста. Это обусловлено тем, что при фотоэлектрической регистрации таких знаков происходит интегрирование светового потока со множества идентичных элементарных поверхностей растра, оптические характеристики которых в одинаковой степени изменены при заполнении их профиля фоторезистом, т, е. здесь в каждой элементарной поверхности растра происходит изменение положения ее фотоэлектрической оси, но у всех элементов растра эти изменения происходят одинаково, и поэтому общая фотометрическая ось всего реперного знака остается неизменной. Такие растровые реперные знаки обладают значительным контрастом как в...

Номер патента: 374683

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Авторы

МПК: H01L 33/00, H05B 33/02

Метки: злектролюминесцентный, изображения

...1, стеклянной оболочки 2, внешнего проводящего слоя 3, образующего два электрода, электрически изолированные друг от друга.На один из торцов планшайбы, которыи воспринимает падающее излучение, нанесен слой 4 фотопроводника, а на другой торец - проводящий слой 5 в виде мозаики (см. фиг. 2), слой электролюминофора б и прозрачный электрод 7. Электролюминесцентный преобразователь снабжен также источником 8 постоянного напряжения.Питающее постоянное напряжение прикладывается между электродом на торце со слоем фотопроводника 4 и прозрачным электродом374683 25 Ереминарачева ставительТехред Л Наро Корректо ври ак Заказ 249/893 Изд.353 Тираж 780 ПодписноеЦ 11 ИИПИ 1(омитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква,...

Номер патента: 374688

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Коваленко, Федорова

МПК: H01L 41/09

Метки: пьезоэлектрический, ультразвуковой

...галлия.На чертеже изображен предлагаемый преобразователь,Он содержит чередующиеся диски 1 из пьезоэлектрического материала толщиной вполовину длины волны на данной частоте, электропроводящие слои 2 из жидкого металла, толщина которых равна целому числу волн и определяется высотой опорных герметизирующих колец 8.Опорные герметизирующие кольца, выполненные из материала, имеющего высокую теплопроводцость, например металла, склеиваются с пьезоэлементами при помощи эластичного клея, оци имеют отверстия для заливки жидкого металла во внутреннюю полость. Герметичность внутренней полости обеспечивается винтами 4. Электрическое напряжение возбуждения подводится к металлизированцым поверхностям крайних пьезоэлементов.Количество пьезоэлементов...

Номер патента: 375613

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Корнилов

МПК: G02F 1/03, H01L 31/00, H01S 3/18 ...

Метки: модуляции, света, усиления

...фототока к темновому току. При определенных условиях легирования в полупроводниках, содержащих в качестве компенсирующей примеси многозарядные акцепторы, можно получить колебания тока при освещении полупроводника. При этом фотопроводник компенсируют примесью с глубоким уровнем так, что отношение обратных времен жизни неосновных носителей больше отношения концентраций основных и неосновных носителей, и вводят центр прилипания в концентрации, превосходящей концентрацию свободных носителей.Амплитуда колебаний тока при этом может быть весьма значительной (несколько милли- ампер или больше). В этом случае наряду с функцией усиления света происходит его модуляция с частотой, определяемой скоростью движения рекомбинационных волн....

Номер патента: 375714

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Гилев, Трофимов, Яраус

МПК: H01L 21/66

Метки: всрос

...18, а нижний конец совмещен с осью вертикального,вала и находится над,разгрузочным узлом 28, На,нижней части вала закреплен кронштейн 24 с,роликами 25, которые ,при вращении вертикального вала нажимают на рычаги 21 и раскрывают контактные ,гнезда для разгрузки приборов.Привод всего устройства осуществляется от электродвигателя 26 через клыноременную передачу 27, редуктор 28, пару конических колес 29 и,распределительный вал 80.Миогопозиционная колодка 18 имеет расположенные по окружности контактные гнезда. Каждому контактному гнезду соответствуют два контакта 81 и два подпружиненных ,рычага 21.Полупроводниковые приборы из накопителя 1 поштучно передаются на транспортер 2. Ловитель 4,снимает приборы из транспорте,ра и укладывает в...

Номер патента: 375715

Опубликовано: 01.01.1973

Автор: Бондюров

МПК: H01L 21/00

Метки: 375715

...Третий участок 8 содержит серию к9 с,перемычками 10, усеченными вснизу по толщине (фиг. 3) и заострк центру. Под каналами 9 предуссщель 11 по всей ширине витка; шифрин20 больше диаметра подвесной детали поку. Заостренные концы перемычек 1011 параллельны линейке 7. Под щельлинейкой 7 установлена коробка длянесориентнрованных деталей (не пок259 больше высоты цилиндрической части детали и меныпе диаметра буртика.В конце участка 8 перемычки 10 тоже усечены по толщине симеизу (фиг. 4), и под усеченными участками 12 установлен многоканальный отсекатель 13, который выполнен в ,виде пластинками с зубьями 14. Ширина каждого зуба в начале равна ширине перемычки 10. Одна боковая сторона зуба имеет скос 15, а другая упор 1 б, который расположении от...

Номер патента: 376735

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Вител, Газар, Лементуев

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: асесоюзная

...простотой процесса испытания.По предлагаемому способу с целью упрощения процесса испытания соединяют накоротко затворы прибора с остальными электродами, затем подвергают приборы воздействию температуры, величину и время выдержки которой выбирают достаточными для перераспределения заряда в диэлектрике и изменения параметров испытуемого прибора под воздействием электрического поля, вызванного контактной разностью потенциалов структуры прибора,По предлагаемому способу испытания полу. проводниковых приборов величина контактной разности потенциалов в системе металл в диэлектрик в полупроводник (МДП) зависит от природы металла и полупроводника, В частности, в системе А 1 - %02 - Я величина контактной разности потенциалов между А 1 и Я...

Номер патента: 376817

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Базаров, Краутман, Петров

МПК: H01F 13/00, H01L 37/00

Метки: 376817

...диаметром, большим наружного диаметра намагничиваемого магнита, и с практически нулевым внутренним диаметром.На чертеже схематически изображено описываемое устройство. Устройство содержит два соленоида 1, Один из соленоидов жестко крепится на основании 2, другой же с помощью винта 3 имеет возможность передвигаться в вертикальном направлении по направляющим 4. Оба соленоида должны быть строго сцентрированы. Кроме того, соленоиды выполнены с практически нулевым внутренним диаметром и включены встречно для создания радиального магнитного поля непосредственно от центра рабочего зазора меж ду соленоидами. Чем больше внутренний диаметр соленоидов, тем больше область нулевого радиального магнитного поля в центре рабочего зазора (мертвая...

Номер патента: 376833

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Кильдишев, Краснов, Кузнецова, Опара, Сесоюзная

МПК: H01L 25/00, H02K 19/36

Метки: библиотека

...с обмоти другими выпрямителями.Крепление предохранителя 2происходит при помощи прижи1 б, изолированного от предохра вентиля 1 между флан шиной б, а осуществлено монтаж и деНедостаток чается в том,радиатора и посредственно к механическо Целью изоб струкции вращ тором вентил робежных сил2 а я достиг ости ко которо лен пре закреп изолирается рпуса м чер дохр лен в ва,нн Указанна внутренней выполнен б ные детали чем предох кимным к хранителя. На фиг. митель с ин и корпусая цельповерхнурт, наустановранителольцом,тем выпр ез из ните корп тм о ямите ляци ь, п усе ппре ии к корпусу 3много кольца ителя сегменизоб ивид лока вып енти - в жен вращающиисяльным креплениемразрезе; на фиг. присоединением заявки10 известных выпрямителей заключто...

Номер патента: 377927

Опубликовано: 01.01.1973

Авторы: Грикуров, Замбровский, Иохель, Сергей, Щербаков

МПК: H01L 21/00

Метки: 5сесоюэ

...типа, В корпусдозатора вмонтирован поршень б, жестко свя= занный с рейкой 7, шаговое перемещение которых осущеспвляется посредством собачки 8, находящейся на рычаге 9 и прижимаемой к О рейке 7 пружиной 10, Для возврата рычага 9в,исходное положение предусмотрена пластинчатая пружина П, а для устранения зависания капли фоторезиста - собачка 12 с пружиной 13, которая поднимает рейку с порш нем до заклинивания зуба собачки междузубьев рейки. Фоторезистивный материал находится в емкости 14. В рычаге 9 установлен винт 15 для изменения дозы фоторезиста. Центрифуга 2 приводится в действие от О электродвигателя 1, который запускается посредством устройства 1 б форсирсэванного режима работы через микропереключатель 17.Устройство работает...