H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1704196

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Буянов, Киселев, Кундышев, Соколов

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: закрепления, полупроводникового, прибора

...центрирующий упор 17.При сборке устройства закрепляют на болтах 4 с помощью гаек 6 нижнюю траверсу 3. на которой последовательно устанавливают нижнИй упор 9, охладитель 2, прибор 1, емкость 11, верхний упор 9 и вер% хнюю траверсу 3, После э ы о заводят профилированный конец ключа 7 под сферическую поверхность головки 5 одного иэ болтов 4, поворачивают ключ 7 в сторону траверсы 3 и закрепляют его с помощью шплинта 8, создавая при этом усилие сжатия всех элементом, размещенных между траверсами З,достаточное для транспортировки всего устройства к объекту его установки и закрепления на этом объекте.8 процессе эксплуатации прибора 1 он выделяет тепло, значительная часть которого отводится охладителем 2, а некоторая часть через шину 1 О и...

Номер патента: 1704197

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Безелянский, Евграфов, Лаврентьев, Пеньков

МПК: H01L 25/04

Метки: диодный, модуль

...уплотнителя предварительно до сборки с чашеобразным корпусом.Установка выводов в трубках и последующее их обжатие с проваркой обеспечивает лучшую герметичность и не требует точности установки,Применение стального кольца позволяет осуществлять фиксацию уплотнения иокончательную сборку прибора контактнойсваркой, что обеспечивает более надежную5 защиту от внешних воздействий элементовконструкции,Изобретение позволяет использоватьпри сборке диодного модуля конструктивнозавершенный элемент уплотнителя, изго 10 товленный предварительно(обод 10, трубки13 и 12, уплотнитель 11). При этом в качествеуплотнителя возможно применение специальных стекол или керамических вставок.Трубки устанавливаются в уплотнителе для15 установки и крепления...

Номер патента: 1704303

Опубликовано: 07.01.1992

Авторы: Жаров, Явношан

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охладитель, полупроводниковых, преимущественно, приборов

...контакта витков пружины 4 со с)енкс)1 ко) уса 1 (ц,)иче)1 нижний вок вделав основание корпуса 1 40 высокой теплоприводност 11 глатеридла, облздиэщего цдглчтьо формы )этэ 1 летдлп) пруж 1 на 4 начин ет сжи):,дться. При этом верхи)й диск нддд"лиг.де-. На 1 ерэсилдвленцое Глдвящес-; вещество 3, прижимая 45 его к осговд)п)ю корпуса 1, Расплзви шееся вещесво 3 вдоль стенок корпуса 1 подни мается к крышке 8 и заполняет сФрдзовавв)ееся пространство эд плас) иной 5. 1 аботд радио: лементд 2 Г)рсдппхкзется до полного 50 проплзвле)11 я пл;,51 егОся ве)ест вд 3, Гоцссс охлаждения рддГОЭЛЕмЕн)З 2 идет очень интенсивно, поскольку у греющей повег)хОсти скззывдется Г)Остопно поджимаем)й слой еще нерасплавленного 55 ппд Л,егося вес),ествд 3. Рдлее...

Номер патента: 1705920

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Кабанец

МПК: H01L 21/00

Метки: полупроводниковый, прибор

...рамки в зоне центровки лепестков вчводов имеет рифленую поверхность, выс упы которой выполнены с гарантироанным зазором до 20 мкм относительно размероя кристалла, Во впадинах рифленой повехности отверстия рамки шириной ро 120 мкм и глубиной ро 14 П мкм размещены 16 лепестков, имеющие ширину 100 мкм и толщину 50 мкм, сФормованные из выворов рвухсторонним травлением. Лепестки сформованы в вире уголков со сторонами, имеющими длину по 0,4 мм, разверенными между собой подоуглом 120 , Угол развора лепестков меньше 100 применять нецелесообразно так как не будет обеспеоена ростаточная деформация лепестков, при угле больше 135 лепестки вследствие большой жесткости могут повреждать контакты кристалла, Пт воздействия усилия на стороны...

Номер патента: 1705921

Опубликовано: 15.01.1992

Автор: Ефимов

МПК: H01L 21/66, H05K 1/18

Метки: контактное

...в корпусе 1.Планки 7 им-.ст встречные скосыо10, вьполненные под Угг 1 О 25,30к дпрднению арамеения, валикд 3,Встречные скос-; 10 Обращены для преобраэовдния пеемещения рдсположенного между ими лаликд 3 я рдздлижениепланок 7 друг от друга а направле:О,",О .РГС 1;.Г.)ЕО,. И ГОс, ду,гье 1 нх ,",:цл.1 к .,Г, м внутг,р 1гОГи с ут,1 ,(асиел, оллнНО ГПОЛНЕИЕ С,Г ;"ЛХ К 1;С.;1 С ЗДОУГЛ"ЕИ О гЛДИУ(УВ исодном состояНи и нкихо"ктал 8 с( мкнуты и между выйоЛ 1 а 1, И 3(Од Ь И цдСТЛ, 1 КОНТЭКгов 8 и: ется л 1 лор 1 (,иг,3).М 111 рдлм;:.,ена в плдстмдссовомсгУг ик-нситеге 13, я,л оленнолл ввиде р,1 лки с гнездом для ИМ и полостью для раэмеения выводов ИМ,Устроство рабо;ает следующим Образом,Установленную в гнездо спутниканосителя 13 (фиг,3) ИМ 14...

Номер патента: 1706894

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Коваленко, Серебрянников

МПК: B41F 17/00, H01G 13/00, H01L 21/00 ...

Метки: ленточном, маркирования, носителе, перфорированном

...на котором имеются две собачки 7,Полэун 6 связан с возвратной пружиной 8 иупирается в регулируемый ограничитель хода ползуна. Устройство снабжено гребенкой 10 с подпружиненными зубьями 11.Маркируемые изделия 12 находятся вленточном носителе 13, который имеет пошаговую перфорацию 14 и окна 15 перфорации (элементы перфорации). 30Маркирующий ролик 2 кинематическисвязан с ползуном 6 через шестерни 16 и 17,коническую передачу 4 и профильный кулачок 5.Устройство работает следующим абраэом.Ленточный носитель 13 подается наползун 6 в зону собачек 7 до их зацепленияс перфорацией 14. Ползун б совершает возвратно-поступательные перемещения от ку лачка 5,и собачки 7 осуществляют пошаговую подачу ленточного носителя 13. Скорость движения ползуна 6...

Номер патента: 1707655

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Автономов, Корсаков, Мишачев, Седунов, Уздовский

МПК: H01L 21/44

Метки: интегральной, схемы, элемент

...образом.На первый металлический электрод 2,расположенный на полупроодниковой подложке 1, подается импульсное напряжениеО, например, значением до 5 В, за счетемкостной связи между электродами 2 и 4подложки 1 и платы 5 на втором металлическом электроде 4 платы 5 возникает импульсное напряжение, значение которогоопределяется отношением емкостей, однаиз которых является паразитной емкостьюэлектродом 4 платы 5 и землей (С 2), а вторая- емкость между электродами 2 и 4 (С). Всостав емкости С", входит и входная емкостьприемника сигала, например затвораМОП-транзистора, подсоединенного к элекРоду 4 платы 5,Значение напряжения на электроде 4платы 5 (О 2) равноЧ 1О 21+В реальных устройствах отношение емкостьюне превышает единицы, поэтомуСО 2...

Номер патента: 1218867

Опубликовано: 23.01.1992

Авторы: Динабург, Костенко

МПК: H01F 6/04, H01L 39/14

Метки: магнитная, охлаждением, погружным, сверхпроводящая

...гелия трубопроводами ,8с установленными на них вентилями 9 и 1 О,В режиме работы сверхпроводящеймагнитной системы без повышенныхтепловыделений в обмотке основнойобъем 3 гелиевой ванны заполнен жидким гелием, а дополнительный объем5 - холодным газообразным гелием. Автоматический клапан 6 закрытвентили 9 н О открыты, следовательно, в основном и дополнительномобъемах гелиевой ванны поддерживаетсодинаковое давление, определяемоедавлением в системе сбора газообразного гелия,Появление значительных тепловыделений в сверхпроводящей обмотке11 приводит к резкому вскиланию "гелия восновном объеме 3 гелиевойванны и, следовательно, к ростудавления в нем, Под действием разности давлений открывается автоматический клапан 6, и жидкий...

Номер патента: 1709430

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Золотарева, Лурье

МПК: H01L 21/68

Метки: кассета-накопитель, пластин, полупроводниковых

...исключает линдр с фланцем для плотной стыковки с попадание на них пыли и влаги и делает технологическими модулями. Вкладыш 5 в возможным(при соответствующей герметивиде поворотного диска размещен в поло эации технологических модулей) реализасти 3 и прижат(подпружинен) кфторопласту цию технологического процесса в б футеровки и крышке 2. Ось вкладыша гер- помещениях обычного типа, Объединение метиэирована в осевом отверстии основа- функций разгерметизации кассеты в модуль и ния с помощью вильсоновского уплотнения подачи пластин на позицию загрузки упро. Верхняя поверхность вкладыша 5 имеет 25 щает задачу автоматизации процесса, сводя заглубленные круглые гнезда 8 для горизон- его к повороту вкладыша на заданный угол, тального...

Номер патента: 1709431

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Сорк, Тарс, Хыбемяги, Ярв

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...толщина ленты из-за этого не должна быть менее 0,04 - 0,05 мм. По результатам экспериментальных исследований устройства для охлаждения на базе керамики из окиси бериллия, изготовленного с применением молибденовых термокомпенсационных пластин толщиной 0,02-0,05- 0,10 мм и пленок на базе МОЯ 2 при циклическом испытании при смене температур -60, +120" С, -60,120"С и т.д имело место следующее, При толщине молибденовых пластин 0,02 мм растрескивались 85 из испытанных керамических пластин, соответственно электрическая прочность этих устройств составляла не более 1-2 кВ (требуется 12 кВ). При толщине молибденовых пластин 0,05 и 0,10 мм и с пленкой на базе МоЯр дефекты на керамике не обнаружены, электрическая прочность, устройства 20- 30. кВ,...

Номер патента: 1709432

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Вейцман, Лаужа, Узарс, Феоктистов, Храмцов, Чаусов

МПК: H01L 23/34, H01L 25/00

Метки: модуль, силовой, установки, электропреобразовательной

...элементы помещены В цилиндрический кожух 7, внури которого междуохгадителями 2 установлены дистанционнье шайбц 8.Вентили 1 и охладители 2 стянуты с усилйем 15 - 20 кН при помощи прижимногоприспособления, которое условно показанострелками 9 и 10. На концах кожуха 7 предусмотрены фланцы 11 и 12 для подключения модуля к воздушному каналупринудительного обдува, обеспечивающему воздушный поток 13,Все охладители 2 (фиг,2) имеюг идентичную конструкцию, пр 111 тем Дис 1, 4 кг 1 кДОГООхладителя 2 вцГ 10 лнен ш 1 амг 1 овкОЙ и содержит череду 1 ощиеся прорези 14 и Выс 1 упь 1 15, ориентированные по радиальнымнаправлениям, как показа 11 о на фиг, 1 видсверху),Более детально конструктивное исполнение диска 4 показано на разрезах (фиГ.Зи 4), На...

Номер патента: 1709566

Опубликовано: 30.01.1992

Автор: Макунин

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: естественного, конвективного, охлаждения, полупроводниковых, приборов

...нагрев обьема воздуха в вертикальной трубе 3 над радиатором 5 10 15 20 25 30 35 1 электронагревательным элементом 4 позволяет увеличить скорость движения и расход конвектируемого воздуха, что, в свою очередь, обеспечивает большую интенсивность обтекания наружным, более холодным, воздухом поверхности радиатора 1,Таким образом, эффект охлаждения полупроводникового прибора 2 усиливается без увеличения высоты сквозной трубы 3. Улучшение теплоотдачи радиатора 1 дает возможность уменьшить размеры и вес радиатора 1, При этом конструкция радиатора 1 должна быть такой, чтобы не препятствовать прохождению вертикального потока воздуха. Величина зазора между электронагревательным элементом 4, стенками сквозной трубы 3 и горизонтальной...

Номер патента: 1709567

Опубликовано: 30.01.1992

Авторы: Авербах, Гинзбург, Зуев, Сергиенко

МПК: H01L 23/36, H05K 7/20

Метки: радиатор

...к корпусу; установлены выше своих радиальных ребер 1.Радиатор работает следующим образом,Тепловой режим радиоэлектронного блока, не подверженного солнечной радиации, обеспечивается радиатором. При воз-, действии солнечной радиации ребро 1 и термобиметаллическая планка 2 нагреваются и происходит прогиб планки 2, Вместе с планкой 2 отклоняется от корпуса 3 и ребро 1. В результате этого нагретое до высокой температуры ребро 1 не контактирует с теплопроводным корпусом 3, образуя воздушную прослойку между подошвой ребра 1 и корпусом 3, исключая тем самым передачу тепла от нагретых ребра 1 и планки 2 корпусу 3, При этом, поскольку высокий уровень солнечной радиации обусловлен положени ем солнца, близким к зениту, ребро 1 одновременно...

Номер патента: 1711268

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Варфоломеева, Гордон, Городенская, Дмитриев, Копылов, Сизова

МПК: H01L 21/00

Метки: вольфрамовых, восстановления, молибденовых, термокомпенсаторов

...раствором 8. Способ осу разом.В устройстве фиг.2) проводят удаление металлических покрытий в среде движущегося раствора химического травителя с абразивом. Объем абразива выбирают равным 2,754,35 об.ч., а объем термокомпенсаторов - 0,51,0 об,ч. от объема раствора химического травителя,П р и м е р. Восстанавливают термокомпенсаторыф 24 мм из сплава ТСМ-З, на контактной цилиндрической поверхности которых нанесен слой никеля толщиной 0,01 мм, а на плоскости - слой силумина, имеющий неравномерную толщину 0,1 - 0,2 мм.После операции распайки, при которой удаляют пластину 3 кремния, термокомпенсаторы с покрытиями подвергают объемной виброобработке в виброустановке с контейнером тороидальной формы емкостью 60 л, В качестве гранул абразивного...

Номер патента: 1711269

Опубликовано: 07.02.1992

Автор: Ковалевский

МПК: H01L 21/324

Метки: изоляции, интегральных, межслойной, микросхем, производстве, формирования

...не достигается та температура вязкотекучего состояния стекла, при котором время задер жки при оплавлении достигает минимального значения - 0,5 с.Увеличение процентного содержанияборфтористоводородной кислоты больше 35 мас.% в растворе так же, как и увеличе ние скорости потока водорода через объемиспарителя свыше 200 дм /ч, приводит к иззбыточному количеству ионов фтора и бора в газовой среде, способному вызвать кристаллизацию ФСС и разделение фаз. Такое5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 явление нарушает структурное совершенство слоев ФСС, так как в них появляются кристаллические включения, поры, трещины, разнотолщинность, что отрицательно сказывается на величине напряжения электрического пробоя и токов утечки.Увеличение плотности...

Номер патента: 1711270

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Александрова, Гуськова

МПК: H01L 21/50, H05K 13/00

Метки: перемещения, прецизионного, трехкоординатное

...перемещаемое изделие,1711270 40 50 55 Поворотное устройство состоит из винтовой, герметичной, упругодеформируемой, заполненной жидкОстью трубки 10 эллиптического сечения, жестко закрепленной торцами к фланцу 11 и каретке 6. Узел регулирования давления во всех случаях одинаков. Во всех случаях сильфон и трубки, соединенные трубопроводом, заполнены жидкостью.Устройство работает следующим образом.При сжатии сильфона 4 от внешнего источника перемещения повышается давление внутри системы, состоящей из упругодеформируемых трубок 2 и 3, трубопровода и сильфона 4. Увеличение давления внутри системы вызывает изменение геометрической формы трубок 2 и 3 эллиптического сечейия, при этом уменьшается большая ось эллипса и увеличивается малая,...

Номер патента: 1711271

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Бормонтов, Крячко, Сыноров, Чистов

МПК: H01L 21/66

Метки: диэлектрику, контакта, полупроводнику, создания, электрического

...изобретения позволяетез,дополнительной операции напыления(71) Воронежский государственный университет им, Ленинского комсомола(56) Авторское свидетельство СССР М 995000, кл. 6 01 й 1/06, 1983,Авторское свидетельство СССР М 476517, кл. 6 01 й 1/06, 1975.(54) СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО КОНТАКТА К ПОЛУПРОВОДНИКУ ИЛИ ДИЭЛ Е КТРИ КУ Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано приконтроле технологических процессов в по-лупроводниковом приборостроении,Целью изобретения является повышение воспроизводимости площади контакта.Сущность изобретения заключается втом, что зонд из сплошного индия прижимают с усилием, обеспечивающим давление,равное 2-4 Н/мм, к поверхности полупро 2водника или диэлектрика и выдерживают...

Номер патента: 1711272

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Джиоев, Ичкитидзе, Кавокин, Флейшер

МПК: H01L 21/66

Метки: диффузионной, длины, полупроводниках, проводимости, р-типа, электронов

...необходимо выполнениеб улярно поля- условия бмаксе При выполнении этого о илк при возбуждении циркуля н им пове хности слоя, при условия можно пренебречь вкладом в люмичем Яо и Ак должны удовлетворятьусловию несценцию электронов, достигших второйДля исключения влияния поверхностПространственная неоднородностьб ии необходимо, чтобы по 30 ве ть бразца была пассивирована.нт а ииэлект онов и ной реком инации не плотности их спи р д и пинап иво иткзависимости верхность оВн енние слои многослойных полупростепе ц РУ Р пени и к ля ной поляризации люми- нутрводниковых структур имеют пассивированнесценции от длины волны (фиг,2). На фиг.2 в треугольникам о ознпассивированной поверхности ( Раницы 35 ОаАз-баААз), а кружками - для свободной на длине...

Номер патента: 1711273

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Гончарук, Сухоставец

МПК: H01L 23/00

Метки: интегральной, сборки, схемы

...20 статическом поле и без него, а также другие,где создается аэродинамическое воздействие на коммутационные проводники, малопригодны в технологии массовогопроизводства ИС, так как необходимо мак 25 симально локализбвать область распыленияи одновременно исключить давление накоммутационные проводники.В основе способа лежит свободное рассеяние электризованных частиц порошка в30 непосредственной близости над защищаемой поверхностью, Фторопласты, обладаявысоким электрическим сопротивлением,очень хорошо электризуются при интенсивном перемешивании, Для реализации пред 35 лагаемого способа в бункер виброситазагружают тонкодисперсный порошокфторполимера и возбуждают колебания,причем частота и форма колебаний таковы,что обеспечивается...

Номер патента: 1711274

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Вишневский, Семенюк

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...сечении эти выступы имеют форму полусферы или, например, усеченного конуса с углом при вершине Р= 60 с размерами, аналогичными Ч-образными выступам 14, и размещены равномерно по периферии с таким же смещением в противофазе в направлении потока.Выступы 14 и 15 выполнены высотой 0,3-0,6 Н, а вершины и сопряжения со стенками выполнены закругленными с радиусом кривизны в сечении, равным Р= 0,2-0,3 Я, что обеспечивает развитие поверхностей теплостока без увеличения гидравлического сопротивления в устройстве.Охлаждающая среда (воздух или жидкость) поступает в две сообщающиеся полости 12 и 13, где в зоне высокой плотности теплового потока (вблизи приборов 3) поочередно дросселируются поперечными Ч- образными выступами 14 в межреберных...

Номер патента: 1711313

Опубликовано: 07.02.1992

Авторы: Абдуллина, Баранов, Горбачев, Куинджи, Мякишев, Стрежнев

МПК: H01L 41/09, H02N 2/00

Метки: малых, перемещений, привод, пьезоэлектрический

...с произвольно выбираемым шагом деления с переменным законом изменения шага па ширине решетки в качестве привода малых перемещений решетки-шкалы эти приводы обеспечивали точность перемещений 0,3 10 мкм. Для получения качественных дифракционных решеток было необходима уменьшить укаэанный допуск в 10-15 раэ, условием этого было устранение указанного дрейфа.Цель изобретения - повышение точности перемещений.На чертеже представлена блок-схема привода малых перемещений.Пьезоэлектрический привод содержит последовательность чередующихся шайб из пьезокерамики 1 и металлических прокладок-контактов 2, закрепленных а пружинномметаллическом корпусе 3 с крышкой 4 в торцовой части корпуса 3. Таким образом, каждый активный элемент пьезоэлектрического...

Номер патента: 847841

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Крюков, Маковий, Ус, Федоров

МПК: H01L 27/04

Метки: инжекционная, полупроводниковая, структура

...переклюцающего транзистора, базовый контакт расположен симметричнр относительно любой пары коллекторных областей, при этом продольная осевая линия инжекторной области параллельна линейному расположению коллекторных областей.На Фиг, 1 представлена инжекционная полупроводниковая структура, продольнй разрез; на фиг, 2 - эквивалентная электрицеская схема, реализуемая на инжекционной структуре.На подложке и+-типа 1 с контактом 2 в эпитаксиальном слое и-типа 3 20 сформирована базовая область 1, в пределах которой выполнены три линейно расположенные коллекторные области и -типа 5.+Поверхность структуры покрыта ди электрической пленкой 6, в которой созданы окна для контактной металлизации 7 к крайним коллекторным областям 5 и для контактной...

Номер патента: 1712906

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Алябина, Корнаухов

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: базового, диода, меза, проводимости, слоя, типа

...базового слоя меза-диода в процессе его ФормированияЦель изобретения - обеспечение возможности определения типа проводимости,базового слоя в процессе формирования мезв-диода.Способ определения типа проводимости базового слоя полупроводникового меза-диода в процессе его формирования состоит в нанесении маскирующего покрытия площадью 31 на поверхность трехСлойной структуры с сильнолегированной подложкой, менее легированным базовым Слоем толщиной ЧЧ и сильнолегированным поверхностным слоем толщиной 1 с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки, травлении структуры на глубину б, причем б1+ Я, измерении емкости структуры С 1, удалении маскирую; щего покрытия до площади 52, травлении структуры на глубину х;х 1+Ю ИоЕЕо...

Номер патента: 1712986

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Белозубов, Козин, Ульянов, Чистякова

МПК: H01L 21/34

Метки: механических, перемещений, полупроводникового, преобразователя

...равную величине О зазора. Вторым окислением создают пленку Я 02 толщиной 0,4 - 0,5 мкм, вытравливают окна под щели собоих сторон пластины и травят в них кремний на глубину 1252 мкм.После третьего окисления нэ глубину 0,2 - 0,3 мкм формируют в щелях участки ЯО 2, соотетствующие перемьчкам, и травят кремний с двух сторон пластины до образования сквозных щелей и утоньшенных перемычек толщиной 20+2 мкм. Напылением и1712986 Составитель Е.ПановРедактор А.Долинич Техред М.Моргентал Корректор Э.Лончаковэ Заказ 538 Тираж Подписное ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж, Раушская наб., 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г. Ужгород, ул,Гагарина, 101 фотолитографией формируют...

Номер патента: 1712987

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Веденеев, Дмитриев, Ждан, Рыльков, Шагимуратов, Шафран

МПК: H01L 21/66

Метки: методом, параметров, полупроводников, холла, эффекта

...образец 1, токовые контакты 2 и 3, потенциальные зонды 4,5 и 6, дополнительный зонд 7, размещенныйна нижней поверхности образца, источник 8напряжения, измеритель 9 силы тока, измеритель 10 ЭДС Холла Чн, измеритель 11 па 45 дения напряжения между потенциальнымизондами Чизмеритель 12 разности потенциалов между дополнительным зондом и токовым контактом (стрелками указанынаправления ориентацйи магнитных полейВ и В, волнистые стрелки указывают на правление падающего на образец излучения).Способ реализуется следующим образом.Снабжают образец 1 двумя токовымиконтактами 2 и 3 и тремя потенциальнымизондами 4, 5 и 6, расположенными на противоположных токовых и боковых гранях образца, перпендикулярных его поверхности,соответственно. Снабжают...

Номер патента: 1713065

Опубликовано: 15.02.1992

Авторы: Андреева, Антонова, Василенко, Ивашов, Степанчиков

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: перемещения, прецизионного

...9 - 14 к столу 1. Пьезоэлектрические преобразователи 3 - 8 связаны со столом 1 и попарно с направляющей 2 по .структуре 1-координат: Пьезоэлектрические преобразователи могут быть также выполнены в виде биморфов (фиг.З) 15 - 20 (пьезопластин, (Л закрепленных на металлических пластинах), Во всех случаях преобразователи связаны с направляющей 1 посредством опор с точечным контактом 21 - 23.Устройство для прецизионного перемещения изделий работает следующим образом. че напряжения на пьезоэлектобразователи фиг.1-8 последируются (уменьшаются или ся в длине)происходит перемещение по оси Е, при этом перемещение по другим координатам осуществляется за счет подачи напряжения на парные, связанные между собой пьезоэлементы. Причем подача...

Номер патента: 1713821

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Азизов, Джафаров, Курбанов, Мамедов, Мусаева, Рамазанов, Садыгов, Шахтахтинский, Эфендиев, Юркевич

МПК: B29C 43/14, H01L 41/18

Метки: композиционных, пьезоматериалов

...цикла прессования Вм/Н 0,134 0,155 0,180 0,185 0,179 0141 0,128 0,155 0,176 0,22 0,26 0,221 0,15 О,35 55 отпрессованных при различных давлениях однократно 1 до цикл.) и трехкратно (после цикл.).П р и м е р 3. Иэ смеси порошков полиэтилена низкой плотности (ПЭНП) и пьезокерамики составаРЬ ПОз - Р Ь 2 г 03 - Р ЬЮ 1/гМ 9 1/203 - Р ЬЯЬз/401/403 Яа (П КР "7 М)изготавливают образцы путем термопрессования смеси порошков при температуре 443 К по примеру 1.В табл.4 приведены значения пьезокоэффициентов бзз и дзз композиции на осно,ве ПЭВП + ПКРМ, полученных при различных давлениях прессования однократно до цикл.) и трехкратно(после цикл.).В табл.5 приведена максимальнаястепень увеличения величины пьезомодуля и пьезочувствительности исследуемых...

Номер патента: 1714336

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Ахмедов, Каримов

МПК: G01B 7/16, H01L 31/00

Метки: исследования, тензоэффекта, фотовольтаического

...послед- На балке 1 нанесена риска 11, а на винте няя закреплена на выступе параллельно 4 - дведлинныериски 12 ирядкоротких 13, пластине, а винт установлен в резьбовом которые делят винт 4 по окружности, напри- отверстии с воэможностью перемещения в 25 мер, на 12 частей, т,е, угол между двумяо.плоскости наименьшей жесткости тензо- соседними рисками составляет 30; Шаг балки. Дополнительно установлены пред- резьбы винта 4 равен, например, 0,5-1 мм. метный стол и пара опор, при этом опоры Поворот винта 4 от одной риски 12 к другой закреплены на пластине противоположно соответствует смещению винта 4 в верти- выступу на линии, перпендикулярной оси 30 кальном(осевом) направлении на величину симметрии тензобалки, и образующих со- полного...

Номер патента: 1714723

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Антипов, Горчаков

МПК: H01L 21/66, H05K 1/18

Метки: аппаратуре, блока, подключения, электронного

...реализации предлагаемого решения используется электропроводный пластичный материал с пределом текучести о 100 - 300 кг/см, что обеспечивает деформагцию этого материала при усилии Рпд, оцениваемом по формулепд О Бтгггде Ят =л = - " - площадь контактироОк4еаиия (фиг,1 б, Например, при ОЕ = 2 мм, Ят = 3 10 г см, усилие пластической деформации составляет Рпд=З - 9 кг, что обеспечивается при использовании, например, в качестве ЭПМ свинца или его сплавов.На одной стороне каждого контакта выполняют коническую выемку с диаметром Ок, большим (до 1,5 раз) диаметра вывода О 8, Например, при О 8=2 мм О = 3 мм, Заполняют ЭПМ конусную выемку контакта не полностью, для того, чтобы внутренняя поверхность этой выемки служила направляющей для вывода,...

Номер патента: 1714724

Опубликовано: 23.02.1992

Авторы: Вексин, Шестоперов

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения, полупроводникового, прибора, радиатор, силового

...прибора образована торцевыми поверхностями соединенных между собой концов пластин, при этом ребра 1 образованы свободными концами пла-стин основания, которые расположены на одинаковом расстоянии один относительно другого. 2 ил,концами, а опорная площадка для полупроводникового прибора образована торцевыми поверхностями соединенных между собой концов пластин, причем ребра образованы свободными концами пластин основания, расположенными на одинаковом расстоянии один относительно другого,Авторы считают, что заявленное техническое решение соответствует критерию "существенные отличия", т.к. технические решения, имеющие признаки, сходные с признаками,. отличающими заявленное решение от прототипа, им неизвестны.На фиг,1 изображен общий,вид...