Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников

Номер патента: 1597032

Авторы: Милявский, Яссен

Описание

Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников, включающий обработку полупроводникового образца в растворе травителя при облучении стравливаемых участков лазерным излучением перпендикулярно поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости травления при снижении величины бокового подтравливания, образцы располагают горизонтально обрабатываемой поверхностью вниз.

Заявка

4667559/25, 29.03.1989

Институт радиотехники и электроники АН СССР

Милявский Ю. С, Яссен М. Л

МПК / Метки

МПК: H01L 21/302

Метки: лазерно-стимулированного, полупроводников, травления

Опубликовано: 20.06.1999

Код ссылки

<a href="https://patents.su/0-1597032-sposob-lazerno-stimulirovannogo-travleniya-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников</a>

Похожие патенты