Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников
Описание | Похожие патенты | МПК / Метки | Текст | Заявка | Код ссылки
Описание
Заявка
4667559/25, 29.03.1989
Институт радиотехники и электроники АН СССР
Милявский Ю. С, Яссен М. Л
МПК / Метки
МПК: H01L 21/302
Метки: лазерно-стимулированного, полупроводников, травления
Опубликовано: 20.06.1999
Код ссылки
<a href="https://patents.su/0-1597032-sposob-lazerno-stimulirovannogo-travleniya-poluprovodnikov.html" target="_blank" rel="follow" title="База патентов СССР">Способ лазерно-стимулированного травления полупроводников</a>
Предыдущий патент: Основа для кинофотоматериалов
Следующий патент: Способ сенсибилизации галогенсеребряных фотографических эмульсий
Случайный патент: Способ управления секциями механизированной