H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1569913

Опубликовано: 07.06.1990

Авторы: Алиев, Алиева, Годжаев, Зарбалиев, Салаев, Сулейманов

МПК: H01L 31/18

Метки: фотоприемника

...дорогостоящих материалов.1 ип. П р и м е р, Монокристалл ТпЯе, выращенный методом Бриджмена,механически скалывают вдоль слоев в гелиевой среде (давление 1 атм),после чего отжигают в температурном интер вале 200-220 С в течение 2 ч, Контакты на образце создают путем напыления индиевых полосок в вакууме.Измерения Фотопроводимости приготовленного таким путем Фотоприемника проводят в воздухе при комнатной тем. пературе с помощью монохроматора и калиброванного по количеству квантов источника света.Скалывание монокристалла слоистого соединения 1 пЯе в температурном интервале 200-220 .С в среде инертно1569913 Составитель ф.фа Техред М,Ходани актор О,Голов Корректор О,Пипл Тираж 451, Подписноественного комитета по изобретениям и...

Номер патента: 1371474

Опубликовано: 30.06.1990

Авторы: Антонец, Морозов

МПК: H01L 31/02

Метки: приемник, фотоэлектромагнитный

...иа поверхности ферромагнитной подложки 1. После перемагничивзпия проводник стравливаегся.Приемник работает следуощим образом. 71. Фотсэлектромагнитный приемник,содержащий подложку, размещенную ианей фоточувствительную полупроводниковую пластину с контгктами, о тл и ч а .о щ и й с я тем, что, с це"ЪО ью у.еньшения весогабаритных характеристик при сохранении высокого быстродействия, подложка выполнена изанизстрсин(1 го высскокорэцитивногоферрсмагнетика, имеющего доменнуюс ру(туру с прямолинейной границеймежду каждой парой дс.,евсв, намагнич -ниссть в ксторьл противоположна.друг другу и перпендикулярна плоскости подложки,. а полупроводниковаяпластина размещена над доменными границами.2. Приемник по и,1, с т л и ч а ющ и й с я гем, что...

Номер патента: 1575251

Опубликовано: 30.06.1990

Автор: Суладзе

МПК: F28D 15/00, H01L 23/36

Метки: охлаждения, приборов

...8, открытый конец которогонагревается, в результате чего в нижней части транспортного канала 6 образуется парожидкостная смесь теплоносителя, имеющая меньшую плотностьпо сравнению с жидким теплоносителем, находящимся в отстойнике 1, Врезультате наличия разности плотностей парожидкостная смесь теплоносителя по каналу 6 поднимается к еговерхней части, в которой расположеновыходное сечение 5 транспортного канала, через которое парожидкостнаясмесь поступает в испаритель 4. В испарителе под воздействием тепловогопотока происходит кипение теплоносителя, при этом наличие днища 9, отделяющего испаритель от конденсатора,позволяет осуществлять подвод теплового потока, как со стороны цилиндрической поверхности испарителя, так 40и со...

Номер патента: 1576937

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Бутник, Калинин

МПК: G01K 15/00, H01L 23/36

Метки: аппаратуры, обеспечения, радиоэлектронной, разогрева, режимов, системы, темпа, тепловых

...вжность получаемых значений темпаразогрева СОТР и сократить время испытаний СОТР с принудительной. циркуляцией теплоносителя,Формула изобретения, Способ определения темпа разогрева системы обеспечения тепловых режимов радиоэлектронной аппаратуры, включающий выдержку системы при начальной температуреиспытаний до установления температурного равновесия между температурой элементов системы и начальной температурой испытаний, включение нагнетателя и нагревателя системы с последующим прогревом системы до рабочей температуры, снятие температурно-временной зависимоститеплоносителя системы, отключение нагревателя и нагнетателя и вычислениетемпа ш разогрева по формуле где й 1,1 - температуры теплоносителяв стадии регулярного режима в...

Номер патента: 1576938

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Сурнин, Ярыш

МПК: H01L 25/00

Метки: модуль, преобразовательный

...оси преообразовательного модуля, Токопроводящие трубопроводы крайних пар смежных узлов, соединяющие анодный и катодный индивидуальные охладители, расположены под углом в пределах 45-90 к оси преобразовательного модуля и параллельно один другому, а изоляционные трубопроводы - перпендикулярно оси преобразовательного модуля, 3 ил. 14 выполнены под углом 45 - 90 О к)оси траверсы 5. Кроме того, модули имеют несущие изоляционные панели 16, фланцы 17, входные 18 и выходные .19 патрубки присоединения к системе жидкостного охлаждения, а также шины 20 и 21 для последовательного соединения модулей в вентиле, конструкция которого включает блоки 22 управления, световоды 23 и ЕС-цепочки 24.Преобразовательный модуль работает следующим образом.При...

Номер патента: 1576939

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Корниенко, Соколовский, Тув

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, мостовой, преобразовательный, реверсивный, фазный

...прижаты к шине 15 катодами, а вентили 4,8 - анодами, таким же образом установлены вентилина шинах 16 и 17 фаз В и С соответственно. На свободные электроды вентилей наложены обращенные ребрами наружу первыйи второй 14 охладители,которые прижимают вентили к шинам15 - 17 переменного тока и электрически изолируются один от друга припомощи изоляционных втулок 18. Вентили 1,4,8 и 11 Фазы А прижаты к шине 15 фазы А так, что те яз них, что прижаты к этой шине одноименньпйи электродамн (например, вентили 1,11), установлены один против другого на противоположных сторонах шины 15 Но вместе с тем эти вентили принацлежат разным мостам, раздельное управление которыми исключает одновременную работу указанных вентилей. Это позволяет, например, при...

Номер патента: 1576940

Опубликовано: 07.07.1990

Автор: Суханов

МПК: H01L 25/03

Метки: блок, преобразовательный, реверсивный

...с трехфазной мостовой схемой выпрямления. Для этого берутся два указанных блока и токоотводами 1 присоединяются к фазным выводам вторичных обмоток трансформатора. При этом токоведущие шины 6 этих блоков являются выходными выводами указанного выпрямителя.Предлагаемый блок может использоваться и в преобразователях с параллельным соединением встречно-параллельно соединенных тиристоров так как одни катоды и аноды тиристоров уже объединены токоведущей шиной 6, а другие катоды и аноды тнристоров через токоотводы 1 и индуктивные делители тока могут соединяться с другой объединяющей токоведушей шиной.В предлагаемом блоке токовед;щая шина охлаждается охладителями тиристоров и присоединена к тиристорам чере:- их охладители, т.е, не имеет прямого...

Номер патента: 1576941

Опубликовано: 07.07.1990

Авторы: Дравин, Колесников, Местечкин

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковое

...грани корпуса не превышает половины заданного шага. Конструкция,может не содержать изолирующей подложки, а кристалл может быть приклеен компаундом 4 на корпус 1.На боковой грани корпуса фиксируются электроды корпуса в виде жгута 6 гибких кабелей. Жгут 6 составлен из одножильных изолированных кабелей 7, имеющих тонкую изоляционную оболочку 8. Узел 9, в котором закреплен верхний конец жгута 6, сформирован из одного или нескольких рядов кабелей 7 с общим количеством не менее, чем число электродов, расположенных с одной стороны кристалла. Кабели 7 жестко закреплены между собой и с корпусом 1 с помощью, например, конструктивов 10 и эпоксидного компаунда 11. При этом торцы кабелей 12 находятся в плоскости, совпадающей или параллельной...

Номер патента: 1578770

Опубликовано: 15.07.1990

Авторы: Борисов, Дюков, Кибалов, Файфер

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводников, характеристик, электрофизических

...квантов 1,3 эВ. Свет модулирован частотой 1 к Гц, Ге гистрируемое п ространственное разрешение сигнала 0,1 мкм, Коэффициент усиления выбирался равным 20, Далее понижали 1 ок зонда и его энергию до выхода регистрируемОго сигнала в насыщение, Для пластины КДБэто 0,1 нА и 15 кВ соотвутственно, Для пластины КДБ,1 насыщейие достигалось при токе 50 пАи энергии 2 кэВ., Далее изменяли частоту модуляции в диапазоне 0,1 - 10 Гц. Уменьшение сигнала фотоЭДС наблюдалось при частотах выше 5 кГц, При частоте 1 кГц в полосе 3 Гц снимали зависимость сигнала фотоЭДС от интенсивности освещения (кривая 11 на фиг, 2). По значению насыщения сигнала определяли поверхностные потенциальные барьеры участков поверхности, т,е. наведенной фотоЭДС. Измеренные...

Номер патента: 1369609

Опубликовано: 23.07.1990

Авторы: Архипов, Ядов

МПК: H01L 27/10

Метки: аналоговых, масштабно-временной, сигналов, электрических

...к управляющему электроду, размещенному около элемента вьгнода, подключен через генератор напряжения 6 к элементу ввода сигнала.Преобразователь работает следующимобразом.На электроды 2 с реэистивного делителя подается напряжение от генератора двухуровнего напряжения, котороепо амплитуде распределено возрастакщим от первого управляющего электродак последнему, Максимальное значениенапряжения определяется допустимымнапряжением пробоя изолирующего слояокисла на поверхности подложки,При поступлении преобразуемогосигнала на элемент 4 ввода в подложку ннжектцруются цеосновцые носителизаряда, перемещающиеся под действиемускоряющего напряжения, возрастающего по амплитуде от электрода к электроду в сторону элемента 5 вывода,Через некоторое...

Номер патента: 1326119

Опубликовано: 23.07.1990

Автор: Шкляев

МПК: H01L 21/31

Метки: кремния, оксида, пленок

...с давлением остаточных газов - 10 Па. В качестве источника Б).О используют пластины кремфния с,ориентацией поверхности (100),удельным сопротивлением .1 Омсм иразмерами 20 50,6 мм. Пластины устанавливают в танталовые зажимыи нагревают пропусканием тока. Напротивпластин на расстоянии 120 мм на одномиэ электродов устанавливают подложку.Осаждение пленок прОводят при температуре подложки 300-350 К, Кислороднапускают в реакционную камеру с помощью, вентиля-натекателя, содержаниепримесей в нем менее 13, ПроводятОсаждение пленки в следующем режиме:мощность высокочастотного разряда И=2= 4 Па. Пленка растет со скоростью:86 А/мин.П р и м е р 2. Осаждают пленкив режиме Ч = О,З,Вт/смф Т = 1550 Кк Р = 1 15 Па, Скорость ростапленки .40 А/мин.П р.и...

Номер патента: 1581786

Опубликовано: 30.07.1990

Автор: Малкин

МПК: C30B 19/00, H01L 21/208

Метки: жидкофазной, испаряющегося, методом, растворителя, эпитаксии

...параллельные сквозные канавки так, чтобы вершины канавок образовывали систему параллельных щелей с шириной 10 мкм. Затем пластину термически окисляют до образования на ней прочного окисла 80 2, который защищает ее от раэрущения расплавами и галогенидами.На подложке СаЛя марки АГЧТ обычным методом (со снижением температуры) в тигле предварительно выращивают последовательно буферный слой СаЛз, ограничивающий слой А 1 О СаАз толщиной2 мкм и ограничивающии слой А 1,Са Аз (2 10 см )толщиной 1,3 мкм. После этого температуру стабилизируют на уровне 600 С, полупроницаемую перегородку из кремния прижимают к расплаву галлия, насыщенного мышьяком. Подложку СаАз размещают в углублении ползуна, причем толщина подложки 160 мкм при глубине углубления...

Номер патента: 1362369

Опубликовано: 30.07.1990

Авторы: Гришин, Пермяков

МПК: H01L 39/16

Метки: репликатор

...растягивается между электроизоляцией последней токовой вины и дномканавки 8 до тех пор, пока его средняя часть не коснется электроизоляцииследующей токовой шины. Такое положение МВ 10 является неустойчивым,поскольку средняя часть ИВ получаетвоэможность закрепиться на электроизоляции второй токовой шины и МВраспадается на две части, одна иэ ко.торых уходит в кацап отвода и пред 20 25 30 35 40 стднцет МВ 11 той же полярности, двторая - уходит в обратный кдцдл, меняя полярность отцосцтельцо системтоковых пиц, цо сохраняя ее относительно петли продвижения. Прц дальнейшей работе системы продвжеция подводящий канал будет подавать в зонурепликдции последующие МВ. Реплицированные МВ будут сдвигаться с той жетактовой частотой, следовательно...

Номер патента: 1583995

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Шамардин

МПК: H01L 23/28

Метки: интегральная, микросхема

...выводов металлической рамки.Контактные площадки верхней поверхности соединяют через межслойные металлизировачные переходы с контактными площадками нижней поверхности, предназначенными для припайки выводов,Кристаллодержатель может быть выполнен из оксидированного алюминия с метал- лизированной разводкой на его поверхности.Положительный эфект от использования изобретения достигается за счет упрощения сборки конструкции, так как отпадает необходимость в прецизионной сборке и установке выводной рамки и кристалла.Кроме этого, происходит улучшение отвода тепла от кристалла за счет того, что кристаллодержатель обладает хорошей теплопроводностью и тепло передается во внешнюю среду (в том числе к печатной плате) через металлические выводы,...

Номер патента: 1583996

Опубликовано: 07.08.1990

Авторы: Гасанов, Имамвердиев, Юсуф-Заде

МПК: G11B 15/43, H01L 41/08

Метки: двигатель, информации, носителя, перемещения, пьезоэлектромагнитный, шаговый

...с соответствующими входами(устаиовочными) соседних триггеров, а входы указанных формирователей подключены квыходам усилителей напряжения, входыкоторых подключены к электродам пьезоэлектрических датчиков положения роторасоответствующей управляющей обмотки шагового двигателя.Выходы каждого из усилителей напряжения переключающего устройства подключены к входу детектирующего элемента 34,выход которого подсоединен к управляющему входу усилителя мощности соответстсвующей управляющей обмотки статора,Пьезоэлектромагнитный шаговый двигатель работает следуюгцим образом.Запуск шагового двигателя осуществляется кнопкой Пуск, при этом срабатываютэлементы переключающего устройства 16,триггер 21 опрокидывается и открываетэлектронный ключ 17, в...

Номер патента: 1468400

Опубликовано: 07.08.1990

Автор: Ворошко

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, радиатор, радиоэлементов

...в окружающее пространство максимальноо количества тепла, которое тем ольше, чем больше разность темпераур пружины при разогреве и складыЗэ анин, Плотность примыканий пружинысложенном состоянии к боковым по"ерхностям ребра по периметру обеспечивается конусностью ребер и тем, 4 то в сжатом состоянии в ггки:пружииы не ложатся друг на друга, а имеют небольшой принудительный зазор, .например, величиной 0,3-0,5 мм. Иэго" Говленные таким образом пружины усГаиавливаются на ребра 2 радиатора, Пружины 3 к теплонзоляциоцной втулке 4 и втулка к основанию радиатора крепятся с использованием клея или компаунда 8.В Процессе работы иощцого транзистора Происходит разогрев радиа" тора. При 70 С пружины приобретают выпрямленную форму 9 (Фцг, 3), площадь их...

Номер патента: 1106366

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Ковальчук, Михайлов, Михеев

МПК: H01L 29/94

Метки: интегральный, конденсатор, регулируемый

.... .стрт;с)т)к) 1 351В заврсрмос 1 И ат 1 , Ки(Ф . пгг";Рс)Д т.)1 - КГ)К 1 РНГ;ТГ)РГ 1 1;З;г гГ-т, т.Г;СКСИИ) Можно )ОЛ)ГгИТГ тптт.тгтат)нс:трт 1(:йнсгк); ткс гь ОСе Вьт:ОНгг .5О.ЕРАПИР ПОта 1)а 1 КИ ; т"НгГ Кап гн".И П(тл(РС ИК:; - ..:, тСТ );) ;" тт ОО З г 1 Кс 1 тМ Лг З Р,:.:Ь.1; .5 ;) ГтгситИЕ "т( 5 ттнтХ ттгттттг" ",тт " Ргр; СнттС 15 гМО; О -с)рГтг ГОЗ: )ттггтт(жс Ь1 г я СтОй тттттгГ г Ка.: НОГО .1 СргЕБ, с тт тт)Нт, г рБгяэ с)гСсрр)с . 1 Гт с) Ет )г т;)(р5.ю.51 си 5)3 ттгсс ".стт 1 .ктстм и 5,. т г тттс,. Нис,;,тт агу СМ 1;1 (т;1,т Г)тт стар". "Г Э С . 1 С.:ттИг,Пс)ПС)гс 1 КЫг)Э-тР ". ." РИт ЭБт ".Пс Ч ." Г Г:Кз ":1 СРС т(," Г "Г дс.) атд Оккн; га -,тк.,- ТГ -Е, П:С)1 СЭ ОТК сЮг;:1 .)д)1 ОЙ ИЗ Сгк с(й ,:я фЬ г,5срОг 5 гГБССЬя 1...

Номер патента: 1585847

Опубликовано: 15.08.1990

Авторы: Галль, Голубок, Давыдов, Типисев

МПК: H01L 21/28

Метки: контакта, создания, туннельного

...предлагае еремещении подвижной части 5 регулировки силы относительно етали 3, протяженный упругий (струна), закрепленный обоими д подвижной части и огибающий дним участком базовую деталь 3т деформацию сжатия - растяжечиваясь или удлиняясь, при этом т изменение его поперечногоразмера на всей его длине, в частности на среднем участке, поверхность которого, противоположная опорной, расположена напротив поверхности базовой детали. Вследствие изменения поперечного разме ра струны изменяется зазор между этими поверхностями.Предлагаемое устройство повышает виброустойчивость за счет уменьшения размеров частей упругих элементов, подвер женных действием вибраций до 0,2 мм (в известном устройстве диаметр мембран 2 - 3 мм), и за...

Номер патента: 1376855

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Горбачев, Гулюк, Кривонощенко

МПК: H01L 35/32

Метки: бесконтактный, термоэлектрический

...рабочем частотном диапазоне.П р и м е р. На одну иэ поверхностей диэлектрической подложки 1 изоксида алюминия или слюды размерами8 х 4,5 х 0,03 мм осаждают пленки ретивления вчастоты совам. показывает, что ши когда частопи переменногомодуль комн- ия з выражения стоянном токе оходящего по аь при яо сопротивлК 2 У а а ка малксног еактивнойт иэ выративнкак а угол междусоставляющимжения (6) ле С учетом выражений (1) и (7) ток вцепи т.е. общее сопротивление цепи становится полностью активным, Для обеспечения возможности осуществлениянеобходимой коррекции общего сопротивления цепи в диапазоне частот О-Я Из выражения (12) следует, что.эффективность частотной кообщего сопротивления цепиженной схеме обеспечиваетсзоне от 0 до некоторой резчастоты...

Номер патента: 1384117

Опубликовано: 23.08.1990

Авторы: Малютенко, Тесленко

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактный, времени, жизни, заряда, неравновесных, носителей, полупроводнике, эффективного

...излучения, ш - эффективная45масса электрона.Для, детектирования излучения использовался фоторезистор иэСЙИ 808 Те при 77 К, который имеетграницу чувствительности при =11 мкм.Таким образом, практически диапазондлин волн 1-11 мкм, Иаксимальный коэффициент поглощения в этом диапазоне .равен для максимальной концентра 18 в.цин электронов 10 см .К = 200 см,.Следовательно толщина д образцадолжна быть впределах 0,52 ,й4 50 мкм, например 10 мкм. Для длины волны0,8 мкм.поглощение определяетсямежзонными переходами. Коэффициент поглощения длятаких переходов зависит от энергиикванта и не зависит от концентрацииносителей заряда, Таким образом,временная зависимость плотности излучения на длине волны 0,8 мкм не будет пропорциональна концентрации...

Номер патента: 1385957

Опубликовано: 23.08.1990

Автор: Антонец

МПК: H01L 43/08

Метки: магниторезистор

....этом- распределение намагниченности в доменах первой и второй подложек одинаково.ЗО:3. Иагниторезистор по н. 2, о.тл и ч а ю щ и й с я тем, что он дополнительно содержит пластины из магнитамягкого материала, размещенные35над полупроводниковой пластиной ипод подложкой. Изобретение относится к областиполупроводниковой техники, к резисторам управляемым магнитным полем,и может быть использовано при из,готовлении приборов, измеряющих напряженность магнитного поля, в автоматике контроля изменения величиныи напряженности магнитного поля,Целью изобретения является увеличение чувствительности магнитореэистора.Изобретение поясняется чертежом,на котором изображен магнитореэистор.Он содержит подложку 1, полупро-,водниковую пластину 2 с...

Номер патента: 1414235

Опубликовано: 07.09.1990

Авторы: Ефименков, Захарова, Кудрявцев, Разоренов

МПК: H01L 23/36

Метки: блок, полупроводниковый

...3. Если толщина теплопроводннка 4 будет менее двух длин кристалла 2, а площадь не будет превышать н сто раз площадь кристалла 2 полупроводникового прибора 1, то при импульсном характере сигналатепло не будет успевать развертываться и транспортироваться на радиатор 3, что приведет к перегреву и выходу из строя кристалла 2 полупроводникового прибора 1.П р и м е р 1. В усилителе КЗВПЗО устанавливают полупроводниковый блок с транзистором КТ 808, Кристалл имеет размеры 5 х 5 х 0,7 мм и установлен в корпусе типа ТО. Толщина металлического корпуса транзистора в районе кристалла 1,2 мм. При импульсном режиме этого недостаточно для расширения теплового потока, поэтому изоляция между корпусом транзистора и радиатором встречает плотный...

Номер патента: 1436797

Опубликовано: 23.09.1990

Автор: Бартенев

МПК: H01L 39/06

Метки: криогенных, токоввод, устройств, электротехнических

...элемент срадиатором. из приклеенных сплюснутыхоплеток, 2 - вакуумно-плотный кожух,3 - трубка подвода охлаждающего газа, 2 О4 - проушина для присоединения токороводящих кабелей, 5 - шина для соеинения с обмоткой сверхпроводящегомагнита.Токоввод работает следующим образом.Токоввод через изолятор устанавливают на крьппке криостата, К проушине Г4 подсоединяют подводящие ток кабели. Через трубку 3 подводят охлаж- ЗО дающий газ, который, проходя в межтрубном пространстве, эффективно отводит тепло от токонесущей трубы че.рез оплетку-радиатор.При сборке на медную трубу приклеивают по всей длине трубы теплопроводным составом две сплющенные оплетки, Ширина прнклейкн с каждой стороны оплетки 3-4 мм, В качестве тепло- проводного состава используют...

Номер патента: 1438533

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Карагезов, Малхасян, Мартиросян

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, тепловыделяющих, электроаппаратуры, элементов

...бухта 18, Трубка прижимается кштуцеру нанинчиванием накидной гайки19 с опорой, создавая при этом надежную Фиксацию узла.Регулятор расхода выполнен в нидеэлектромагнита с обмоткой 20 и,корпусом 21 и крышкой 22 магнита, регулирующими винтаин 23 и подвижным сердечником 24, который находится междурезиновым шариком 25, с одной стороны, и коаксиальным шлангом 26 с другой. Вознрат сердечника происходитза счет внутреннего давления н коаксиальных подводящих патрубках,Способ охлаждения элементов электроаппаратуры осущестнлягот следующимобразом.Хладагент подают иэ магистрали 1,пропускают по гибкому наружному патрубку 3 коаксиальных патрубков, приэтом с помощью регулятора расхода 6количество хладагента плавно меняготз14385 ЭЭ до получения...

Номер патента: 1442019

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Витиня, Закутова, Саратовкина

МПК: H01L 39/24

Метки: сверхпроводящих, свч-устройств

...металла ие более 35 мкм. Это связано с тем, что сверхпроводящие соединения стехиометричес"кого состава обладают значительноболее низкой теплопроводностью прирабочей температуре, чем отдельные металлы например ниобий, КонкретныеР30условия отжига (давление, температура, продолжительность) определяютсясоставом получаемого интерметаллидаи толщиной нанесенного слоя,.Сущность способа состоит н том,Згчто в процессе отжига одновременнос образованием соответствующего интерметаллического соединения на рабочих поверхностях устройства происходит процесс контактно-реактивной,.4 Опайки в местах соединения (шнон) элементов устройства с образованиемтакже сверхпроводящего интерметаллида на этих контактных поверхностях.При этом малая толщина покрытия...

Номер патента: 1475425

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Горбачев, Мухуров, Сурмач

МПК: H01L 35/32

Метки: бесконтактный, термоэлектрический

...термопарцогоэлемента последовательно-встречно сосновной батареей обеспечивает необходимое по величине и знаку воздействие на регулярный параметр нетолько по входным, но также и по выходным цепям ТЭП, что в итоге повышает точность преобразования 1 ил.. Нагреватель 4 и термобатарея имеют самостоятельные контактные пленочные площадки 12. Обкладки 8 и 9.шунтирующего конденсатора можно выполнить и ца противоположных поверхностях подложки 3, При этом последняя будет являться разделяющей диэлектрической прослойкой указанного Бескоцтактцыи ТЭП работает сле дуощим образомПри прохождении переменного электрического тока низкой частоты по цепи нагревателя 4 практически вся поступающая от источника сигнала электрическая мощность преобразуется в...

Номер патента: 1594724

Опубликовано: 23.09.1990

Автор: Васильев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, преимущественно, приборов, радиатор

...фиг, 1 показан радиатор, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид сбоку.Радиатор выполнен в виде оребренного основания 1 с монтакной площадкой 2 для 10 охлаждаемых элементов 3, Основание 1 образовано двумя наборамиЦ-образных скоб 4, вложенных одна в другую и соединенных горизонтальными полками 5, Два набора У -образных скоб 4 соединены между собой 15 внешними поверхностями 6 горизонтальных полок, Монтакная площадка 2 размещена на торцовых поверхностях горизонтальных полок 5. Причем минимальная толщина наборами-образных скоб 4 рав на внешнему диаметру О охлаждаемого элемента 3, а максимальная больше б на толщину двух горизонтал ьн ых полок 1 Х-образных скоб 23. 25Радиатор работает следующим образом,При работе полупроводникового...

Номер патента: 1594725

Опубликовано: 23.09.1990

Авторы: Бельницкий, Дудник, Соловьев

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: полупроводниковых, приборов, радиатор, формы, цилиндрической

...радиатор, установленный на охлаждаемом приборе, вид сверху; на фиг. 2 - то же, вид сбоку.Радиатор содеркит разрезное обжимное кольцо 1 со сквозным разрезом 2 рас-. ширяющимся в сторону внешнего периметра кольца 1, сквозными цилиндрическими торцовыми отверстиями 3 по внешнему периметру со сквознымипрорезями 4 в стооону внутренней поверхности кольца 1 и сквозными торцовыми отверстиями 5 па внутреннему периметру со сквозными прорезями б в сторону внешней поверхности кольца 1, Сквозные прорези б расположены по осям симметрии соответствующих сквозных торцовых отверстий 5, Сквозные торцовые отверстия 5 выполнены в виде нескольких цилиндрических отверстий 7 и 8, частично перекрывающих друг друга (на фиг, 1 показан вариант выполнения в...

Номер патента: 1452411

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Балкашин, Пилипенко, Янсон

МПК: H01L 39/24

Метки: квазичастиц, проводниках, спектра

...амплитуда осциллирующей час- БОти неравновесной функции распределения квазичастиц, рождаемых электронами, зависит от соотношения частоты осцилляций электронной подсистемы и . частоты релаксации квазичастичной подсистемы и уменьшается, когда час" тота осцилляций начинает превышать частоту релаксации. Вместе с ней уиеньвается и та часть детектируемо"го сигнала, которая обусловлена рассеяниеи электронов на неравновесныхквазичастицах. Это приведет к зависимости величины нелинейности ВАХот частоты излучения. НелинейностьВАХ на частоте излучения определяютпутем выделения из отклика образцана внешнее излучение сигнала, пропорционального второй производной ВАХ,и измерения его с помощью соответствующего детектора 7,На фиг,2 показана эволюция...

Номер патента: 1455952

Опубликовано: 30.09.1990

Авторы: Агаларзаде, Астафьев, Буякина, Куузик, Локтаев, Мартыненко

МПК: H01L 29/74

Метки: высоковольтный, тиристор

...параллельной главной поверхности и являющейся серединой и-базового слоя 5. Главная поверхностьпересекает краевую конусообразную поверхность 3 под углом = 30-35При подаче обратного напряжения на структуру образуется слой объемного заряда по обе стороны заблокированного р-п-перехода, границы которого выходят на торцовую поверхность структуры. Если в объеме структуры максимальное значение блокируемого напряжения определяется шириной и-области и электрической прочностью полупроводникового материала, то на ее поверхности в месте выхода р-и-перехода вследствие резкого сужения ширЙгТираж 450," венного комитета по 113035, Иосква, Ж-З ГКНТ ССС Проиэводствен ательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул. Гагарина,101 з 145 нц области...