Патенты с меткой «сверхпроводников»

Номер патента: 344546

Опубликовано: 01.01.1972

Авторы: Лукь, Трегубов, Энман

МПК: H01L 39/12

Метки: гибких, сверхпроводников

...момент приводит к прскращецио роста соединения КЬЯп.Цель изобретения разработка способа получения гибких сверхпроводников с ицтерметалличсским соединением ХЬ;,Яп, улучшение критических параметров сверхпроводника.Это достигается проведением в высокомвакууме (10 -- 5 10 -мм рт, ст.) следующих технологических процессов. Ниобиевую подложку протаскивают через печь предварительной термообработки, в которой при температуре 900 в 11 С в течение 3 - 20 мин происходит отжиг подложки и удаление с ее поверхности загрязнений и адсорбированных газов. Затем подложку протаскивают через расплав олова при температуре 600 в 9 С в течение 3 - 30 мин, В зависимости от температуры расплава на подложке образуется какой-либо из интерметаллидов ХЬаЯпг,...

Номер патента: 731498

Опубликовано: 30.04.1980

Автор: Краснов

МПК: H01L 39/06

Метки: второго, проводимости, рода, сверхпроводников, смешанном, состоянии

...начнут перемещаться к новому положению равновесия, В этом положении равновесия вихри вновь остановятся и падение напряжения 5 10 15 20 25 зо 35 40 45 50 55 60 65 4на сверхпроводнике исчезнет, Следовательно, ток в выходной цепи основного усилителя 1 после прекращения флуктуации и релаксации вихрей в равновесное положение должен вновь определяться лишь постоянным смещением и питанием основного усилителя, т. е, ток в выходной цепи основного усилителя 1 вновь вернется к своему первоначальному значению 1 с.Из общей теории усилителей с положительной обратной связью известно, однако, что такой режим работы усилителя с постоянным отрицательным смещением и положительной обратной связью будет осуществляться лишь до тех пор, пока коэффициент...

Номер патента: 1043754

Опубликовано: 23.09.1983

Авторы: Веселов, Ширшов

МПК: H01F 6/00, H01L 39/00

Метки: вольт-амперных, значениях, индукции, магнитного, поля, разных, сверхпроводников, сильноточных, температуры, характеристик

...обеспечить работу СПтрансформатора при температуре до18 К, поэтому первичная обмотка должна быть выполнена из материала наоснове сплавов ИЬЗЯп или 73 Са скритической температурой Тс = 18 К,который более хрупкий по сравнениюсо сплавом ХЬТ 1 с Т= 9 К. Для замены СП образца необходимо произвести разборку устройства, что приводит к дополнительным затратамвремени и потерям жидкого гелия,связанным с охлаждением криостата до Т = 4,2 К.Цель изобретения - расширениефункциональных йозможностей устройства и повышение точности измеренийпутем повышения точности регулирования температурыи увеличения диа-пазонавнешнего магнитного поля.Поставленная цель достигаетсятем, что устройство дополнительносодержит источник внешнего магнитного поля в виде...

Номер патента: 957695

Опубликовано: 30.09.1983

Авторы: Ерохин, Ширшов

МПК: H01L 39/14

Метки: сверхпроводников, способности, токонесущей

...сигналов, другой вход - к указанному шунту, а выход через аналого-цифровой преобразователь соединен с первым входом цифровой схемысравнения, второй вход которой соединен с эадатчиком кода, а выходс источником опорного напряжения.На фиг.1 представлена блок-схемаустройства на Фиг.2 - график зависимости токонесущей способности сверхпроводящего образца от магнитного поля,Устройство содержит сверхпровоцящий образец 1, потенциальные вывоцыкоторого 2 подключены к усилителюпостоянного тока УПТ) 3. Выход усилителя постоянноготока через дифференциальный усилитель 4 соединенс входом электронного умножителя 5аналоговых сигналов. Измерительныйшунт б через дифференциальный усилитель 7 подключен к второму входуэлектронного умножителя,...

Номер патента: 1128735

Опубликовано: 30.03.1989

Авторы: Буянов, Васильев, Чернов

МПК: H01R 4/68

Метки: сверхпроводников, соединитель

...переходного сопротивления контакта,Указанная цель достигается тем, что в известном соединителе для сверхпроводников, содержащем корпус, прижим и нажимной элемент, взаимодей ствующий с прижимом, корпус выполнен в виде обоймы, охватывающей прижим, при этом взаимодействующие одна с др гой поверхности обоймы и прижима выполнены в продольном сечении коничес кими, а корпус выполнен из материала с большим коэффициентом объемного тепературного расширения по отношению кприжимуКроме того, прижим выполнен поменьшей мере, в виде двух частей,На фиг. 1 изображен соединительс коническими поверхностями обоймыи прижима, на Фиг. 2 - сечение поА-А на фиг. 1; на фиг. 3 - вариантсоединителя с клиновыми поверхностями обоймы и прижима; на Фиг. 4 - сечение ло...

Номер патента: 1626137

Опубликовано: 07.02.1991

Авторы: Кириченко, Харьковский, Черпак

МПК: G01N 22/00

Метки: высокотемпературных, полях, сверхпроводников, свойств, электромагнитных

...резонатора 1 определяются выражениемп=Сп/1 О,где С - скорость света в свободном пространстве;О - замедление волны в резонаторе;- длина пути волны между отражателями, на которой укладывается и длин волн,Изменение Ь и 8 при изменении температуры или замене образцов характеризуют изменение соответственно мнимой идействительной части импеданса исследуемой части поверхности образца. При этомучитывается, что в длинувходит глубинаскин-слоя д образца. Определяем изменение глубины скин-слоя ЬдЬд=К ЬФ/Е 1 т 2,.где К-Со/О - постоянный коэффициент дляданного и, соответствующего 11 и 12 при ихмалом различии Ь 1= 12-11, что соответствует реальным Ьд,По непосредственно измеряемым резонансным частотам 11 и 12 определяется изменение глубины скин-слоя....

Номер патента: 1605884

Опубликовано: 30.05.1991

Авторы: Васильев, Канзюба, Козорезов, Кулагин

МПК: H01R 4/68

Метки: сверхпроводников, соединитель

...кольцо 3 с резьбовыми отверстиями, в которые вворачиваются нажимные элементы4, после чего устанавливается верхнеекольцо 2, Нижнее и верхнее кольца 45крепятся между собой (не показано).Элементами 4 производится предвари"тельный прижим сверхпроводников. Призахолаживании зажима жидким гелиемза счет разницы в коэффициентах температурного расширения материаловприжима 1 и колец 2 корпуса прижимноеусилие возрастает и реализуется сверхпроводящий контакт между соединяе-мыми сверхпроводниками,. Требуемаяравномерность прижимного усилия обеспечивается выбором необходимого количества нажимных элементов (болтов).Материал вставок 6 имеет предел текучести мецьппй, чем у материаловполуколец 5, колец 3 и 2 и элементов4, Поэтому, когдд прижимное...

Номер патента: 1045791

Опубликовано: 07.08.1991

Авторы: Ерохин, Куршецов, Ширшов

МПК: H01L 39/24

Метки: критических, сверхпроводников, технических, токов

...10 подключен к ой схемы сравнения 11, которой соединен с залоного апряжеия в циФ, а выход - с блоком ретока образца 13, который ботой источника тания м питания 14, управляемымпрограмматором 15, осуществляетсяввод тока в сверхпроводящий магнит16, создающий внешнее магнитное поле,Сигнал с шунта 17, пропорциональныйвеличине магнитного поля, поступаетна вход Х двухкоординатного самописца 18, вход У которого соединен с шунтом 8 в цепи питания образца 1, Источник магнитного поля 16 и исследуемый образец 1 расположены в криостате 19,При работе устройства текущее значение регулируемой величины (сигналпропорциональный сопротивлению образца Р) преобразовывается АЦП в цифровую Форму и сравнивается с заданнымзначением. Цифровая схема...

Номер патента: 1675410

Опубликовано: 07.09.1991

Авторы: Карепов, Крашенинников, Кулаков, Николаев, Рязанов, Сидоров

МПК: C30B 29/22, C30B 33/02

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...до комнатной температуры, Температурный интервал перехода об165410 Формула изобретения Способ обработки монокристаллов высокотемпературных сверхпроводников на основе сложных оксидов путем их выдержки при повышенной температуре в атмосфере, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью сокращения времени процесса, выдержку осуществляют при 250 - 380 С в кислородно-озонной смеси, содержащей в 5 об.Я озона, в течение 1 - 2 ч. Таблица 1 оТемпература отжига, С Температуратермообработки,С,(время 1,5 ч) 230 250 280 300 330 350 380 400 Температурный интервал перехода дТ, КУВаСц 3 О,Т КВ. Бг СаСц О 94-93 94-85 94-93 94-93 94-75 94-90 94-92 94-93 80-22 80-75 80-76 80-76 80-77 80-65 80-77 80-77 Т а б л и ц а 2 Время термообработки,...

Номер патента: 1733515

Опубликовано: 15.05.1992

Авторы: Денисевич, Радучев, Штейнберг

МПК: C30B 11/02, C30B 29/22

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

...сверхпроводников в системе В 1 Зг-Са-Сц-О с одинаковой температуройперехода в сверхпроводящее состояние.Использование скоростей свыше 5 мм/чухудшает условия гомогениэации расплава.С момента изменения напряжения наиндукторе (т 4) скорость перемещения тигля устанавливают 0,01 - 0,8 мм/ч и поддерживают до полной кристаллизациирасплава, после чего увеличивают скорость.перемещения тигля до 10 мм/ч, реализуетсяотжиг полученного материала (область Ч).Уменьшение скорости перемещениятигля меньше 0,01 мм/ч не улучшаетсвойств полученных монокристаллов повоспроизводимости температуры переходав сверхпроводящее состояние Тс измененной при сопротивлении, близком к нулю, носущественно снижает Тс этих кристаллов.Увеличение скорости перемещения тигля...

Номер патента: 1749055

Опубликовано: 23.07.1992

Авторы: Ивлев, Чечель

МПК: B30B 15/34

Метки: высокотемпературных, сверхпроводников

...ского тока и критической температуры ющей температуре синтеза керамики, и сверхпроводимости.последующей выдержки при этой темпера- П р и и е р. Смесь порошков ВаРр 7,00 г,У 20 з 2,46 г, СцО 4,74 г) брикетируют и помеНачертежепоказаноустройстводляре- щают в матрицу, Собирают устройство, исализации способа. 10 пользуя в качестве рабочего тела медь. иСпособ осуществляют следующим об- помещают его в печь. Медленно в течение6 ч повышают температуру до 1000 С,Мелкодисперсный порошок изготавли- при этом давление на образец составляет вают по обычной методике из компонентов 27 МПа, Затем в течение 1 ч снижают темпесверхпроводящей керамики (например, 15ратуру до комнатной, Полученный керамиВаГъУгОз, СиО).Затемпорошок 1 насыпа- . ческий...

Номер патента: 1751498

Опубликовано: 30.07.1992

Авторы: Богданов, Кувыкин, Орлов

МПК: F16C 32/04

Метки: магнитной, опоры, основе, сверхпроводников, стабилизации

...подключенную к источнику переменногр напряжения (на чертеже не показан),После постоянногб магнита частичнопроникает в сверхпроводящую керамику ввиде вихревых нитей, Конкретное распределение поля зависит от параметров опоры, аименно: от состава и размеров керамики,размера и формы магнита, величины намагниченности и т,п. Один из вариантов распределения силовых линий магнитного поляопоры приведен на чертеже, Катушка создает переменное магнитное поле В = Вп з 1 п Йсгде ВП 1 - амплитуда, Й - частота переменного поля (силовые линии показаны пункти-.ром).При размещении магнита около сверхпроводящего экрана в нем возникают поверхностные токи, направление которыхтаково, что они препятствуют проникновению поля в сверхпроводник. После этих токов...

Номер патента: 1651704

Опубликовано: 23.04.1993

Авторы: Котелянский, Кравченко, Лузанов, Соболев

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

...высокотемператур, ного отжига пленка может быть охлаждена до более низкой температуры (от 500 С до комнатной) в инертной атмосфере, затем вновь нагрета до 830- 950 С и охлаждена уже в кислородсодержащей атмосфере.20П р и м е р 1. На подложку НГО/ /7 Оз (фианит) с ориентацией (111) с помощью магнетрона напыляют пленку УВаСцОтолщиной 0,8 мм. Структуру пленка - подложка нагревают винертной атмосФере до 950 Г, выдерживают при этой температуре 5 мин, заменяют азот на кислород и охлаждают структуру со сГсоростью 200 О/ч, Плен" ка имеет четко выраженную текстуру ЭО с осью перпендикулярно подложке (сильные отражения типа ООЕ), температуру перехода в сверхпроводящее состояние83 К и величину Л при 77 К 5 "х 10 з А/см. 35П р и м е р 2, На...

Номер патента: 1819358

Опубликовано: 30.05.1993

Авторы: Баранов, Достанко, Погребняков, Укадер

МПК: H01L 39/22

Метки: высокотемпературных, микромостиков, сверхпроводников, формирования

...ВТСП-пленка, 3 - фоторезист, 4 - ионы Н, 5 - область слабой связи.Предлагаемый способ формирования пленочного микромостика иэ высокотемпературного сверхпроводника реализован следующим образом.Пленки УВаСиО наносились ионно-лучевым распылением композитной керамической мишени стехиометрического состава на установке вакуумного напыления УВН на подложки из М 90, ЯгТ 10 з, УБЕ и имели характеристики с Тс = 90-92 К, Тс = 1-2 К, После формирования с помощью фотолитографии дорожки шириной 10 - 50 мкм с контактами для проведения измерений четырехэондовым методом на поверхность структуры наносился слой фоторезиста и вскрывались окна под контактные площадки, Ширинка дорожки определялась, исходя из условия стабильности пленки и ее свойств при...

Номер патента: 1547241

Опубликовано: 30.11.1993

Авторы: Волков, Кривошеин, Мощалков, Пелевин, Третьяков, Шабатин

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, керамических, сверхпроводников

...апд и 1,"5(гаг - Обозначениятока и сопротивления В папса 8 чном л пса"дальном направлениях соответственна.ПОрошак сверхпООВ(ДЯЦего составаУВагС(3 О 7-х, пгредставл 8 Кы; пластикчзтыми монокристаллами (0,6 + 0,2;.км,;.",;,;,78 ЗИРУОт МВТОДОМ ГВЬЕОДО(раЗНО"; Реа(ЦИИ 3СМЕСИ и КОДНЫХ ОКСИ Ов ,. Пасла(ЧЗИ;размадам гОлу енноо спе.а, М"-.,и.Г,.пОесс-формы 1, вьпол-Внн и;. Не., н,. наго материала (титан) -с: , ":;,;:-.,- В:,.:. иастат с жидким азатом, В ка;па,- - : ,дтОднородное пастОяннае ."айаг.: д,Оа (; ",епри помощл аксидно-бари-":Вь пас-, сянн,х,магнитов) напряжеОсть;:;. ат . ла 1 О к.". (Вразличных апь;тах;. Г араша св-;.ОхпоВ;."ЩВГО состава 4 засыпают в ,а;Оицу сав.-.мерно па Глошади дна, и, Оп:.;,аясь на дО матрицы, сн образует слой....

Номер патента: 2004523

Опубликовано: 15.12.1993

Авторы: Александров, Волков, Волкова, Ковалев, Овчинников, Фокина, Шабанов

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, проводимости, сверхпроводников, типом, электронным

...отжига образца 860 С выбрана экспериментально, При более низкойтемпературе МНаМОз не улетучивается пол 10 ностью, что приводит к ухудшению качествакерамики и оптимальные значения физикохимических параметров не достигаются,Увеличение температуры влечет за собойпотерю таллия, нарушение стехиометриче 15 ского состава образца; он становится двухфазным, а сверхпроводящие свойства резкоухудшаются,Время отжига 10 мин также подобраноэкспериментально, При уменьшении време 20 ни отжига не достигаются максимальныезначения физико-химических характеристик образца, при увеличении времениони резко ухудшаются. Так экспериментально установлено, что длительный отжигв течение 96 ч при 690 С приводит к резкому ухудшению свойств сверхпроводника(Тс =40...

Номер патента: 2005113

Опубликовано: 30.12.1993

Авторы: Александров, Волков, Волкова, Ковалев, Овчинников, Фокина, Чернов

МПК: C04B 35/00

Метки: высокотемпературных, оксида, основе, сверхпроводников, таллия

...залючается в следующем.Оксид металла вводится в предшест венник одновременно с Т 20 з. ННЙОз и ВаГг. Введение нитрата аммония ликвидирует дефицит кислорода в образце, а введение фторида бария обеспечивает оптимальные условия кристаллизации об разца и определяет морфологию частиц; рующую добавку: в одном случае 0,2 М 2 г 02, в другом - 0,2 М НЮ 2, смесь перемешивают, прессуют таблетки и отжигают в течение 7 - 10 мин при 860 - 872 "С,На чертеже приведена температурная зависимость магнитной восприимчивости образцов полученной керамики Т 12 гз Как видно из чертежа, при модифицировании только оксидами металлов (без добавления ВаР 2) наблюдается очень малая концентрация сверхпроводящей фазы и значительное уширение сверхпроводникового...

Номер патента: 1723847

Опубликовано: 28.02.1994

Авторы: Бабийчук, Космына, Некрасов

МПК: C30B 29/22, C30B 9/12

Метки: высокотемпературных, монокристаллов, сверхпроводников

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ на основе сложных оксидов, включающий расплавление исходных компонентов в тигле, выдержку, кристаллизацию путем медленного охлаждения, отделение кристаллов и последующее быстрое охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью увеличения размеров кристаллов, их выхода и удобства извлечения, расплавление и кристаллизацию проводят в двойном тигле, внутренний из которых имеет отверстие в дне, отделение кристаллов ведут путем подъема внутреннего тигля со скоростью не более 3 мм/ч, после чего проводят быстрое охлаждение со скоростью не более 60oС/ч.

Номер патента: 1545888

Опубликовано: 15.03.1994

Авторы: Горбунов, Ширшов

МПК: H01L 39/24

Метки: зависимости, исследования, сверхпроводников, способности, температуры, токонесущей

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ ЗАВИСИМОСТИ ТОКОНЕСУЩЕЙ СПОСОБНОСТИ СВЕРХПРОВОДНИКОВ ОТ ТЕМПЕРАТУРЫ, содержащее криостат, источник внешнего магнитного поля, сменный шток с измерительной камерой, причем выход камеры через вентиль соединен с газгольдером, а вход соединен с криостатом, отличающееся тем, что, с целью повышения точности регулирования температуры и сокращения времени на переход с одной температуры на другую, в него дополнительно введены камера испарения жидкого гелия с датчиком уровня и нагревателем, камера нагрева газа с нагревателем, фильтрующие сетки, блок испарения жидкого гелия и блок регулирования нагрева газа, причем камера нагрева газа отделена от камеры испарения жидкого гелия изолирующим стаканом с отверстиями для прохода...

Номер патента: 1658656

Опубликовано: 30.06.1994

Авторы: Рубан, Свиридович, Точицкий

МПК: C23C 14/28

Метки: высокотемпературных, металлооксидных, пленок, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК МЕТАЛЛООКСИДНЫХ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ, включающий испарение мишени из наносимого материала в атмосфере кислорода импульсным лазерным излучением, осаждение его на нагретую подложку и охлаждение подложки в два этапа в атмосфере кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества пленок и повышения технологичности процесса, испарение материала осуществляют при плотности мощности лазерного излучения 107 - 108 Вт/см2, частоте следования импульсов не более 15 Гц и давлении кислорода (0,13-13)Па, температуру подложки в процессе осаждения поддерживают в диапазоне (853-1023)К, охлаждение подложки на первом этапе проводят со скоростью не более 35 К/мин до температуры...

Номер патента: 1824024

Опубликовано: 30.04.1995

Авторы: Бланк, Сумароков, Ткаченко, Шевцов

МПК: C04B 35/50, H01L 39/24

Метки: cu3o7-x, высокотемпературных, оксидных, сверхпроводников

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОКСИДНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКОВ R BA2Cu3O7-x, где R металл, выбранный из группы Y, La, Nd, Eu, Gd, при котором смешивают порошки оксидов металлов, входящих в состав соединения, взятых в стехиометрическом соотношении, и полученную смесь термообрабатывают в кислородсодержащей атмосфере с последующим охлаждением и размолом полученного продукта, отличающийся тем, что, с целью увеличения плотности критического тока и уменьшения ширины сверхпроводящего перехода изготавливаемых из него изделий, полученный после размола продукт обрабатывают водным или органическим раствором кислоты общей формулы...

Номер патента: 1822560

Опубликовано: 20.06.1997

Авторы: Мартынова, Никулина, Полянская, Семенов

МПК: C07F 3/00, H01B 12/00

Метки: бария, высокотемпературных, дикетоната, комплексы, пленок, полиэфирами, сверхпроводников, циклическими

Комплексы -дикетоната бария с циклическими полиэфирами общей формулыгде R1 R2 CF3, n 4; R1 R2 CF3, n 3;R1 (CH3)3C-, R2=CF3, n 4,для получения пленок высокотемпературных сверхпроводников.

Номер патента: 1799523

Опубликовано: 20.07.1999

Авторы: Бахвалова, Волков, Данилов, Иванова, Ковалев, Овчинников, Фокина

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, сверхпроводников

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников, включающий измельчение исходных солей и/или оксидов, гомогенизацию, отжиг, охлаждение, измельчение спека, введение оксида таллия (III), прессование таблеток и заключительный отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения критической температуры, содержания сверхпроводящей фазы в образце и исключения потерь таллия, одновременно с оксидом таллия в шихту вводят 1,0 - 2,0 моль нитрата калия в расчете на один моль исходного вещества, при этом заключительный отжиг проводят при температуре 850 - 870oС в течение 5 - 10 мин.

Номер патента: 1752155

Опубликовано: 27.01.2000

Авторы: Анненков, Иванов, Лучников, Притулов, Сигов, Суржиков

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, иттрий-бариевых, сверхпроводников

Способ обработки иттрий-бариевых высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в облучении сверхпроводника потоком электронов, отличающийся тем, что, с целью повышения значений плотности критического тока и температуры перехода в сверхпроводящее состояние, облучением потоком электронов нагревают сверхпроводник до 400-620oC и выдерживают его при этой температуре в течение 40-60 мин, причем энергию электронов выбирают исходя из соотношения R > d, где R - пробег электронов в сверхпроводнике, d - толщина сверхпроводника.

Номер патента: 1632313

Опубликовано: 20.02.2000

Авторы: Касумов, Матвеев, Матвеева, Черных

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературных, пленок, сверхпроводников

Способ получения пленок высокотемпературных сверхпроводников, заключающийся в нанесении на кристаллическую подложку пленки высокотемпературного сверхпроводника, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии и улучшения структурных свойств, в качестве материала кристаллической подложки используют сплав висмута и сурьмы при следующем соотношении компонентов, ат. %:Sb - 10-5 - 23Bi - Остальное