H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 719408

Опубликовано: 23.06.1984

Авторы: Ржанов, Черепов

МПК: H01L 29/768

Метки: зарядовой, матрица, приборов, связью

...в РС 1 введено, например число Р5 яО.: 1. .+Д --(1 +1- 25 О5 О 5 О й Е %НО МА 1(г ,+кГЕ, 6 Ик502 5 е О 4 3 1001, то в РС 2 должно быть введено соответственно 0110). Далее производятся подключение ыин Х - Х икХк-Х к источнику питания в соответствии с величиной заряда в ячейках РС 1 и РС 2. При этом может быть ис.пользовано свойство управления потен. ИДП-конденсаторе, что эквивалентнопо принятой терминологии нахождениюневычеркнутой строки. Таким образом,в результате параллельного ассоциа,тивного поиска будет выделена строкаЪ в которой записана искомая информация;, - -, %,й. ФЪ .- , - -е "."719408 Для перезарядки ловушек (стира-,ние в МНОП-структуре) необходимы под-вижные носители. Запись информациипроизводится подачей напряжения запи си...

Номер патента: 1100590

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Балтянский, Зверева, Кузнецов, Мельников, Михеев, Фельдберг, Чернецов

МПК: H01L 21/66

Метки: мдп-структур, параметров

...подключен к выходукоммутатора, первый которого соединенс выходом второго сумматора, а второй вход - с выходом Фазовращателя,вход которого соединен с выходом вто,рого сумматора и с входом блока стабилизации, выход которого соединен суправляющим входом генератора синусоидальногь напряжения, второй вход блоха регистрации .соединен с выходомсииФазного Фаэочуватвительного выпрямителя.На чертеже представлена Функциональная схема устройства.устройство для измерения параметров 3 ЦЦ-структур содержит генератор1 синусоидалвиого напряжения и источник 2 смещения, подключенные соответственно к первому и второму входампервого сумматора 3, выход которогосоединен с первой клеммой 4 для подключения испытуемой структуры, вторая5 клемма для подключения...

Номер патента: 1100659

Опубликовано: 30.06.1984

Авторы: Байдалинов, Блях, Кирсанов

МПК: H01L 21/00

Метки: травления, химического

...реактора и пневмокраны 3 и 4 отвода 2реактива в слив и сборную емкость.С внутренним объемом камеры 1 нижеуровня залива реактива соединено температурное реле 5, пристыкованное кбоковой стенке камеры 1. Напротивдна камеры 1 расположен коллектор 6обдува, Штуцер 2, пневмокраны 3 н 4,реле 5, коллектор 6 имеют связи ссредствами автоматики. В тело съемной кассеты 7 герметично вмонтированы магниты 8, а ответные магниты 8расположены на приводе 9, изолированном глухим дном камеры 1. Зубчатыеколеса 10, установленные на кассете7, входят в зацепление с неподвижнымзубчатым венцом 11 и на кассете 7помещается съемный фиксатор 12 пластин в виде втулки с посадочным отверстием по центральному цилиндрическому выступу кассеты 7 и наружнымфланцем,...

Номер патента: 475917

Опубликовано: 07.07.1984

Авторы: Александрова, Вязанкина, Лымарь, Сарнацкий, Скворцов, Уэльский

МПК: H01L 21/02

Метки: арсенида, галлия, полуизолирующих, слоев, эпитаксиальных

...соединение, разлагаетсяца свету и сильно гидролизуется., Кроме того, для получения эффекталегирования требуется введение очень больших количеств хлористого хромила, что приводит к заметному снижению скорости роста и эррозии поверхности.Целью изобретения является создание простого технологичного способа .изготовления полуизолирующих эпитаксиальных слоев арсецида галлия судельным сопротивлением в зависимости от типа легирующей примеси 10о"30-40 л/ч Сущность предлагаемого способа заключается в легировании эпитаксиальных слоев арсенида галлия из карбоцилов соответствующих металлов, Карбонилы Сг, У, Мо, Ге, Со, И 1 известны, получены и очищены, имеют достаточно высокие упругости паров и распадаются с выделением металла 5917 2прц...

Номер патента: 1103306

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Галинский, Зумберов, Карпов, Корольков, Кузьмин, Сурженков, Тоомсоо, Хуторянский

МПК: H01L 21/04

Метки: выпрямительных, элементов

...предлагаемой операции металлизации привариванием металлической фольги от известной металлизации химическим осаждением металла заключается в том, что на поверхность полупроводниковой структуры наносится плотный металлический слой с меньшим тепловым и электрическим сопротивлением, чем это имеет место у пористого, химически осажденного металла. Помимо этого, приваривание металлической фольги позволяет осуществлять операцию металлизации одновременно с опера цией приварки термокомпенсатора, что уменьшает трудоемкость и количество брака при изготовлении выпрямительного элемента по сравнению с известным способом, гдеоперации металлизации структуры и крепления к ней термокомпенсатора выполняются раздельно и последовательно.Перед...

Номер патента: 1103307

Опубликовано: 15.07.1984

Авторы: Блинов, Каминский

МПК: H01L 25/00

Метки: вентильно-конденсаторный, многомодульный, умножитель

...плоскость образуют диоды 13.При такой установке элементов умножителя между торцами двух сопрягаемых конденсаторов в каждой плоскости действует напряжение, равное удвоенному напряжению на конденсаторном блоке. Такое же напряжение действует и между диодами сопрягаемых модулей. Для умножителя, содержащего два ряда последовательно соединенных конденсаторов (зарядных и разрядных соответственно), связанных цепочкой диодов, это напряжение равно учетверенному ампдитудному значению умножаемого напряжения.Повышенное напряжение между элементами умножителя снижает его электрическую прочность и требует улучшения изоляции, что, в свою очередь, увеличивает габариты устройства. Цель изобретения - повышение электрической прочности умножителя за...

Номер патента: 1104607

Опубликовано: 23.07.1984

Авторы: Клименко, Тихонов, Шахиджанов

МПК: H01L 31/08

Метки: варианты, его, координатно-чувствительный, фоторезистор

...универсальной конструкцией,применимой для всех полупроводниковыхпластин как и-, так и р-типа проводимости, является конструкция с сеточным электродом. Но последняя требуетдополнительных двух внешних контактов по сравнению с двумя другими конструкциями. Характеристики трех конструкций фоторезистора - величина выходного сигнала, чувствительность,потребляемая мощность и отношение сигнал/шум - равноценны,На фиг. 1 - 3 изображены варианты1-Ш координатно"чувствительного фоторезистора соответственно.Координатно-чувствительный фоторезистор (фиг. 1) содержит фоточувствительную полупроводниковую пластину 1, к противоположным концам кото-.рой присоединены омические контакты2 и 3. Омический контакт 4 расположен на боковой стороне...

Номер патента: 880174

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/268

Метки: отжига, пластин, полупроводниковых

...того, в этом способе трудно реализовать 35высокую производительность процесса.Наиболее близким техническим реше"нием к настоящему изобретению является способ отжига полупроводниковыхпластин импульсами некогерентного .40электромагнитного излучения миллисекундного диапазона 13 1.Требуемая в этом способе высокаяплотность энергии и излучения приводитк необходимости использования форсиро 45ванного режима ламп-источников излучения, что существенно снижает ихдолговечность и отрицательно сказывается на надежности способа и безопасности работы. 50Кроме того, облучение пластин содной стороны создает условия для возникновения повышенных термических напряжений, особенно в начальный момент взаимодействия мощного луча света с поверхностью, что на...

Номер патента: 1105963

Опубликовано: 30.07.1984

Авторы: Анненко, Варламова, Фомин

МПК: H01L 21/66

Метки: зонд, ртутный

...5, затем освобождается шток13 от воздействия коромысла с грузиком 15, при этом шарик открываетканал 7 и ртуть из дополнительной35камеры поступает в основную камеру 2,Изобретение относится к электронной промышленности, в частности к усройствам для контроля электрофизических параметров полупроводниковыхс труктур .Известен ртутный зонд, содержащийкорпус, камеры с каналом для подводартути к измеряемому образцу и устройство для перемещения ртути Г 1.Недостатком этого устройства является низкая разрешающая способностьиз-за нестабильности площади контакта ртуть-образец,Известен ртутный зонд, содержащий корпус, камеру для размещенияртути, капилляр и механизм для перемещения ртути 2 1.Использование капилляра для создания контакта ртуть-образец...

Номер патента: 1034548

Опубликовано: 15.08.1984

Авторы: Белоус, Габович, Лежненко, Моисеев, Уварова

МПК: H01L 39/24

Метки: джозефсоновскими, многими, переходами

...- сверхпроводник и нанесении на нее электродов, множественную структуру изготавливают спеканием несверхпроводящих порошков ВаРЬО и ВаВО до образования сверхпроводящего твердогоз 10345 раствора с зернистой макроструктурой при температуре 900-1100 К в течение 0,5-10 ч.На фиг. 1 дана схема предлагаемо- д го устройства.Устройство содержит сверхпроводящую керамику ВаРЬ, Ве.Оь 1 в виде массивного образца или пленки, электроды 2, представляющие токовые Т и потенциальные П контакты. Кроме того, 1 О на чертеже изображены зерца керамики 3 и изолирующие прослойки 4.Работает устройство следующим образом, Рабочая температура поддерживается, кдк и в обычном переходе Джозефсана, ниже Т (Т с - критическая температура перехода в сверхпрс - водящее...

Номер патента: 1112443

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Бородин, Грищенко, Неелов

МПК: H01L 21/312

Метки: многослойной, печатной, платы, фотошаблон

...Выполнение реперного 43 2знака в виде кругов одинакового диаметра, частично перекрывающих друг друга с образованием крестообразной фигуры с острыми кромками, обеспечивает высокую точность совмещения отдельных слоев фотошаблона.На фиг. 1 приведен фотошаблон, общий вид, на фиг. 2 - то же, вид сбоку, на фиг, 3 - первый слой подложки фотошаблона с фрагментом рисунка на фиг. 4 - второй слой подложки фотошаблона с другим фрагментом рисунка, на фиг. 5 - поперечный разрез, общий вид.Фотошаблон (фиг,1 и 2) содержит подложку, состоящую из слоев 1 и 2, совмещенных друг с другом, На слое 1 нанесен один из фрагментов 3 рисунка фотошаблона и реперные знаки 4 (фиг,3). Фрагмент 3 может представлять постоянную часть рисунка для группы...

Номер патента: 1112444

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Веселов, Вьюшкин, Красильников

МПК: H01L 21/60

Метки: выводных, микросхем, подложками, рамок, сборки

...18. Копиры 11 и 12 установлены таким образом, что расстояние20 межцу верхними профилями внешнегои внутреннего копиров 11 и 12 большедиаметра ролика 16 на О, 1-0,2 мм,а расстояние между нижними профилямикопиров 11 и 12 больше диаметра ро 25 лика 16 на 1-2 мм, Механизм 1 подачиподложек, механизм 5 сборки и механизм 6 выгрузки связаны грейферныммеханизмом 19 с гребенкой 20, предназначенной для продольного перемещения выводной рамки с подложкой. Всемеханизмы и узлы устройства смонтированы нг основании 21,Устройство работает следующим об -разом.Из механизма 1 подачи по лотку 8подложки 22 поступают в узел 3 совмещения. Из механизма 2 подачи по лотку 7 выводные рамки 23 поступают впространство, ограниченное рычагами13,...

Номер патента: 1112445

Опубликовано: 07.09.1984

Авторы: Иоспа, Феоктистов, Чаусов

МПК: H01L 23/34

Метки: блок, полупроводниковый

...содержит силовые полупроводниковые приборы 1, укрепленные при помощи прижимных устройств 2, услов но показанных стрелками, на внешней стороне установленных в ряд радиаторов 3. Каждый радиатор 3 имеет 44 г2пластину 4 с ребрами 5. Радиатор 3 представляет собой цельную конструкцию, изготавливаемую из алюминиевого сплава способом точного литья илипротяжки.С внутренней и внешней сторонрадиаторов 3 блока укреплены диэлектрические прокладки б и 7, напримериз стеклотекстолита. Прокладка 6представляет собой плоскую пластинку,к которой при помощи винтовых соединений (не показаны) привинчены пластины 4 радиаторов 3, При этом поцентру каждого радиатора в прокладке б предусмотрены круглые отверстия8 для установки в них приборов 1.Прокладка 7 с...

Номер патента: 1114992

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Гороховатский, Жданок, Осокин, Пономарев, Тулуевский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: испытания, мдп, полупроводниковых, приборов, структурой

...предела температуры поляризации выбирается максимально допустимая рабочая температура изделия, так как при более низких температурах поляризации некоторые механизмы электрической релаксации, присущие данному прибору в рабочем диапазоне температур, не включаются в поляризационный процесс и соответственно не проявляются в токе депо" ляризации. Последнее приводит к тому,1114 3что предлагаемый способ контролядает заниженную оценку зарядовойнестабильности изделий.Верхняя граница температурнойполяризации обусловлена тем, чтопри температуре, больше температурыэвтектики металл - кремний, происходит деградация свойств ИДП-структурыиэ-за образования растворов с повышенной проводимостью,Верхний предел напряжения поляризации выбирается 0,9 Опой где0...

Номер патента: 1115137

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Юсуф-Заде

МПК: H01L 21/00

Метки: нанесения, слоя, фоторезиста

...для фоторезиста, в днище котороговыполнено отверстие для подачи фоторезиста, элемент дозированной подачи фоторезиста, соединенный с одним концом подвижного штока, и предметный столик, установленный на роторе центрифуги 2.Недостатком известного устройства является то, что дозировка фоторезиста осуществляется по принципу работы шприцаи при этом количество фоторезиста, нано-симого на пластину, зависит от квалификации оператора. Нанесение фоторезиста вцентре пластины не обеспечивает его равномерное распределение при центрифугировании.Цель изобретения - улучшение эксплуатационных возможностей и повышение равномерности нанесения слоя фоторезиста.Поставленная цель достигается тем, чтов устройстве для нанесения слоя фоторезиста,...

Номер патента: 1115138

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Александров, Базарный, Веденеев, Гуляев, Ждан

МПК: H01L 21/66

Метки: холла, эдс

...последовательно соединенные умножитель 3 и делитель 4 частоты, ключ 5, выход которого через усилитель 6 подключен к ктоковым контакта образца 7, находящегося в переменном магнитном поле - в зазоре магнита 1, к холловым зондам образца подключен измерительный прибор 8, управляюгций вход ключа 5 соединен с выходом элемента 9 сравнения мгновенной фазы магнитного поля, связанного с валом 2 двига 10 15 20 25 30 35 40 45 теля, на управляющий вход элемента 9 сравнения подается заданное значание начальной фазы 5 О магнитного поля. Умножитель 3 частоты выполнен в виде дискового обтюратора 10, по одну сторону которого размещен источник 11 света, по другую - фтоприемник 12,Устройство работает следующим образом.Образец 7 находится в переменном...

Номер патента: 1115139

Опубликовано: 23.09.1984

Автор: Белов

МПК: H01L 23/34

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов, силовых

...ипродуваемый в них воздух последовательно проходит через ряд охладителей 11,Основным недостатком охладителейявляется низкая эффективность охлаждения, обусловленная ламинарным режимом обтекания охлаждающим воздухомохлаждающих ребер.Наиболее близким к изобретениюявляется охладитель, состоящий изкорпуса с контактными поверхностями,крепежными и установочными отверстиями, и плоских ребер конического сечения, утолщающихся к корпусу 2 .Однако конический промежуток между ребрами по их высоте увеличивает-.ся и создает меньшее сопротивлениепроходу воздуха у концов ребер. Основная масса воздуха иэ-за этогопроходит у концов ребер, а не у основания, чем снижается эффективностьохлаждения. Между плоскими ребрамив основном происходит...

Номер патента: 1115259

Опубликовано: 23.09.1984

Авторы: Бубновский, Кириловский

МПК: H01L 21/70, H05K 13/02

Метки: интегральных, ориентированной, подачи, преимущественно, спутников-носителей, схем, технологических

...- вид по стрелке Г на фиг.З;нафиг. 7 - четыре возможных положения,принимаемых спутниками на лотке; на55фиг.8 - механизм вторичной ориентации; на фиг.9 - вид,по стрелке Д нафиг.8; на фиг.10-12 - сечение Е-Е нафиг.9. устройство для ориентированной по дачи деталей содержит вибробункер 1(фиг, 1) с загрузочным лотком 2, механизм 3 первичной ориентации и механизм 4 вторичной ориентации.Механизм 3 первичной ориентацииснабжен направляющей 5 (фиг.4) с продольным пазом, форма которого повторяет форму боковых элементов спутников (положения В и ънафиг.7) и кли -новидной направляющей 6 (фиг.5),имеющей отверстия, соединенные с воэдуховодом 7.Механизм 4 вторичной ориентации выполнен в виде наклонной плоскости 8(фиг. 8) и снабжен лотком 9...

Номер патента: 1116473

Опубликовано: 30.09.1984

Авторы: Дмитрук, Ерохин, Литовченко, Медвидь

МПК: H01L 31/00

Метки: фотоприемник

...фотоприемника от напряжения на полупрозрач-ных к принимаемому излучению металличес. ких пластинах; на фиг, 3 - зависимость фототока от интенсивности электромагнитного излучения при нескольких значениях напряжения на полупрозрачных к принимаемому излучению металлических пластинах.Фотоприемник состоит из полупроводниковой пластины 1, источника 2 электрического напряжения, диэлектрических слоев 3, полупрозрачных к принимаемому излу чению металлических пластин 4, введенного регулируемого источника 5 электрического напряжения и регистратора 6 (фиг. 1).Фотоприемник работает следующим образом.Если облучать полупроводниковую пластину электромагнитным излучением, создающим неравновесные электронно-дырочные пары, через полупрозрачную к...

Номер патента: 1117735

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Бабайлов, Кондратюк, Котляревская, Лабковский, Ткаченко, Фейгельман

МПК: H01L 23/36

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов

...цель достигается тем, что в устройстве, содержащем полупроводниковый прибор с установленными на нем охладителями, поверхз 1 ность одного иэ охладителей выполнена снаружи гладкостенной, а внутри развита за счет ребер, выполненных, на основании, причем. корпус этого охладителя теплоиэолирован от внешней среды, а второй охладитель - испарительный или жидкостный - установлен на другой стороне охлаждаемого прибора.На чертеже изображено предлагаемое устройство, общий вид с частичным разрезом.Устройство для охлаждения полупрбводниковых приборов содержит два разнородных охладителя, прижатых с обеих сторон полупроводникового прибора 1, например таблеточного тиристора, с помощью стяжных шпилек 2. Один из охладителей содержит корпус...

Номер патента: 1117736

Опубликовано: 07.10.1984

Авторы: Болгов, Малютенко, Яблоновский

МПК: H01L 33/00

Метки: излучения, источник, электромагнитного

...из биполярного полупроводника толщиной порядка диффузионной длины, но большей обратной величины коэффициента поглощения междузонного излучения полупроводника с положительным температурным коэффициентом ширины запрещенной зоны, омические контакты 2, которые электрически соединены с узкими гранями 3 и 4, источник электрического поля 10 соединен положительным полюсом через контакту 2, расположенный на грани 3, магнит 5 расположен так, что его си7736 4тельным (1 пЗЬ) температурным коэффи. циентом ширины запрещенной зоны зависимостьРо(Т) монотонно и довольно резко возрастает с температурой. Для1 пЗЬ погрешность на 1 К - в - 3 Ж/градьРеР ЬТРв области 290 К, а для СдНВТеР аТ =1,3 Х/град. Однако для целого рядазадач измерительной техники...

Номер патента: 1119105

Опубликовано: 15.10.1984

Авторы: Лукашевич, Плешаков, Тереня, Шатохин

МПК: H01L 21/00

Метки: баллонов, кассета, колец, полупроводниковых, приборов, припоя, торцы, установки

...что в кассете для установки колец припоя на торцы баллонов полупроводниковых приборов, содержащей .корпус с гнездами для размещения баллонов и съемные основание и крышку с элементами Фиксации колец припоя, элементы Фиксации колец припоя выполнены в виде штырей с конической рабочей частью, установленных с возможностью продольного и радиального перемещения в отверстиях, выполненных в основании и крышке, причем основание снабжено пластиной, на которой закреплены своими концами штыри осно нация.На фиг, 1 изображена кассета н сборе с основанием и крышкой; на фиг.2 баллон полупровОдникового прибора с облуженными торцами; на Фиг, 3 - кас"55 сета в рабочем положении с загруженными баллонами и установленными на их торцах кольцами припоя (узел...

Номер патента: 1121723

Опубликовано: 30.10.1984

Авторы: Лебедев, Слепов

МПК: H01L 21/78

Метки: пластины, разрезаемой, фиксации

...являетсяустройство, содержащее основание сэлементами базирования разрезаемойпластины крышку и узел креплениякрышки к основанию, причем крышкаснабжена прорезями, между которымирасположены упругие элементы 21.Недостатками данного устройстваявляются обязательное наличие вакуумной системы, обеспечивающей крепление пластины к основанию, а такженизкая производительность ввиду необ.ходимости снятия, поворота и закрепления крышки, а также поворота всегоустойства,Цель изобретения - повышение проРизводительности с одновременным исключением потребности в вакуумнойсистеме.Поставленная цель достигается тем,З 5что в устройстве фиксации разрезаемойпластины, содержащем основание с эле 23 2ментами базирования разрезаемой пластины, крышку и узел...

Номер патента: 782655

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Вишневский, Головяшин, Лавриненко, Серов, Шинкаренко, Юраш

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...элемент 1 вынолнен в виде полого цилиндра - кольца. Целесообразно его толщину выбирать меньше ширины кольца, что позволяет расположить на его плоскостях электроды 2 (второй электрод аналогичен первому и на черт. не показан). Пьезоэлемент 1 выполнен из пьезокерамического материала, например ЦТС, и поляризован по толщине. Подключается он к источнику питания (на черт. не показан) через скользящие контакты 3, На внешней цилиндрической поверхности пьезоэлемента 1,Энапример под углом 90 к ней закреплены тонкие пластины 4 из упругогоматериала, например стали, Креплениеих осуществлено перпендикулярно плоскостям пьезоэлемента. Такие же пластины 5 аналогично закреплены на внутренней поверхности пьезоэлемента 1. Пьезоэлемент 1 с...

Номер патента: 1123069

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Именков, Стамкулов, Таурбаев

МПК: H01L 31/00

Метки: видимую, область, света, фотоприемник

...нецелесообразно как с меньшими Е ) З 5 чем удовлетворяющие условию (так как крутизна края будет столь же .большой, как у.известного фотоприемника), так и с большимиЧЕ 1 изза снижения квантовой Фоточувстви тельности вследствие невозможности полного поглощения фотонов при малой толщине узкозонного слоя приЕа 1 )ь- Ма . В частности, если принять значение а, которое может меняться в некоторых пределах в зависимостиот состава и уровня легирования твердого раствора, равным 10 см , то граничные условия для ЧЕ будет следующими100 эВ/см соЕа 700 эВ/см.Выбранное направление градиента энергии прямых переходов обеспечивает увеличение коэффициента собирания неосновных носителей р в .и-переходов с ростом энергии Фотонов, так как с ростом Ь 4...

Номер патента: 1123070

Опубликовано: 07.11.1984

Авторы: Домрачев, Луговской, Узунов

МПК: H01L 41/09, H02N 2/04

Метки: линейный, привод, пьезоэлектрический

...отверстии поршня, а ступенью меньшегодиаметра - в торцовом отверстии корпуса при этом в ступени большегодиаметра. плунжера выполнено осевоепродольное отверстие, диаметр которого равен диаметру меньшей ступени,отверстие зто соединено с атмосфе 35 рой каналом, выполненным в ступенименьшего диаметра а в продслъномотверстии плунжера подвижно установлен уплотненный относительно негостержень консольно закрепленный нао торце корпуса.Начертеже изображена схема линейного привода,Линейный привод образован корпусом 1, в котором подвижно установленпоршень 2. Поршень 2 уплотнен относительно корпуса 1 и делит его надве замкнуть 1 е полости 3 и 4, заполненные жидкостью. В корпусе 1 размещен электромеханический движиль образоважый ревмя...

Номер патента: 1127029

Опубликовано: 30.11.1984

Авторы: Кононов, Миненков

МПК: H01L 21/00, H01L 21/98

Метки: выводами, магнитного, микросхем, преимущественно, распаковки, спутников-носителей

...рабочее положение.Устройство для распаковки из спутников-носителей микросхем, преимущественно с выводами из магнитного материала, содержит механизм подачи спутников-носителей 1 с микросхемами 2 с магазином-пеналом 3, в кото. ром уложены спутники-носители 1 с микросхемами, транспортирующим лотком 4 и толкателем 5 для поштучной подачи спутников-носителей из магази" на-пенала З.Механизм 6 съема крышек 7 спутников-носителей установлен под транспортирующим лотком 4 и выполнен в виде двуплечего рычага 8, шарнирно закрепленного на оси 9; закрепленной на транспортирующем лотке 4, крючка 10, шарнирно закрепленного на оси 11, установлен на цвуплечем рычаге 8, упора 12 и пружины 13, которая предназначена для силового замыкания крючка 10 со...

Номер патента: 1128292

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Вишневский, Коваль, Лавриненко

МПК: H01L 41/09, H02N 2/14

Метки: двигатель, пьезоэлектрический

...диаметрально противоположных точках под одним углом на поверхностьротора с помощью поджимающих элементов и связанной с ннм пружины, 40каждый из поджимающих элементовпредставляет собой рычаг первого рода, один из концов которого закреплен шарнирно на корпусе двигателя,другой связан .с пружиной, общей45для обоих рычагов, при этом рычагирасположены параллельно и контактируют с осцилляторами, выполненными ввиде пьезоэлементов, через звукоизолирующие прокладки. 50Использование в пьезоэлектрическом двигателе одной пружины, которая одним концом прижимаЕт один пьезоэлемент, а другим - другой, позволяет уравнять усилия прижима к 55ротору обоих пьезоэлементов. Приэтом исчезает сила, прижимающаявал двигателя к подшипникам, и,следовательно,...

Номер патента: 1128310

Опубликовано: 07.12.1984

Авторы: Башарин, Макаров, Мирошкина, Соколовский, Терехов

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовое

...схемы 16 с актцвшцмц элементами 17 размещены ца общем жестком осцо.ванин 8. Электрическая связь буферных схем16 с соответствующими зондами 1 осуществляется с помощью вибростойкого разъемногосоединения, содержащего контактную пару 18,состоящую из коццецтричцо расположенныхи жестко соединенных между собой с одногоконца 19 стержня 20 и трубки 21 с прорезя.ми 22 на противоположных концах. Заострен 10ные концы стержня 20 и трубки 21, являющиеся рабочими, взаимодействуют с плоскимиконтактными вьщодами 23, выполненнымина стороне коммутационной печатной платы 6,противоположной размещению зондов 1,, В участке соединения 15 выполнено металли.зированное отверстие 24 с металлизировацным торцовым участком 25 для неподвижногокрепления пайкой 26...

Номер патента: 1129672

Опубликовано: 15.12.1984

Авторы: Денисов, Смирнов

МПК: H01L 21/00

Метки: закрепления, планшайбе, пластин, полупроводниковых, центрифуги

...пластин, установленные на ползунах, размещенных свозможностью перемещения в плоскости планшайбы посредством ходовыхвинтов 2 .Недостаток данного устройствазаключается в ненадежном креплении пластин при вращении планшайбы,Цель - повышение надежности вработе,Поставленная цель достигаетсятем, что в устройстве для закрепления полупроводниковых пластин напланшайбе центрифуги, содержащемдержатели полупроводниковых пластин,установленные на полэунах, разме. щенных с возможностью перемещенияв плоскости планшайбы посредствомходовых винтов, держатели выполнены в виде Г-образных двуплечихрычагов, шарнирно закрепленных наползунах, призем центры массы ры чагов смещены относительно точки ихкрепления на нолзунах.На фиг, 1 изображено предлагаемое...