H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1737568

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Белкин, Дель, Клименков, Марон

МПК: H01L 25/00

Метки: блок, полупроводниковый

...надежность работы пре-образовательных устройств обусловлена тем, что в конструкции блока отсутствуют.распределители импульсовуправления тиристорами, которые размещаются на значительном расстоя"нии от блока. Все это делает блок непомехоэащищенным, снижая надежностьего работы и всей преобразовательной 20 системы в целом. Кроме того, усложняется монтаж блока.Целью изобретения является расширение эксплуатационных возможностей и снижение массогабаритных под каэателей. Цель достигается тем, что в полурроводниковом блоке, содержащем параллельные тиристорный и диодный столбы, расположенные по крайней мерена одном общем охладителе, выполняющем Функции токопровода, при этом тиристорный столб выполнен в виде це.почки таблеточных...

Номер патента: 1738104

Опубликовано: 30.05.1992

Авторы: Марица, Петер

МПК: H01L 39/24

Метки: планарного, сверхпроводящего, типа, устройства

...известным способом, например посредством нанесения на слой кремния слоя фоторезистивного покрытия,облучения укаэанного фоторезистора светом через маску с последующим его проявлением, вслед за чем проводят местное удаление слоя кремния посредством травления,Затем наносят слой окисного материала (композиция УВа 2 Сцз 06,7), например посредством напыления в вакууме; выдерживая подложку при 850 С. В области вырезов нанесенный слой является, сверхпроводящим при температуре примерно 90 К, а в области нахождения слоя кремния нанесенный слой не обладает свойством сверхпроводимости при указанной температуреПри необходимости окисный сверхпроводящий слой в дальнейшем может быть покрыт защитным слоем для сведения к минимуму воздействия...

Номер патента: 1739401

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Головнин, Дрозд, Рифтин, Христич, Церфас

МПК: H01L 21/50

Метки: пайки, полупроводникового, прибора, элементов

...к кристаллодержателю. Поэтому было проведено исследование влияния различных факторов, влияющих на этот режим.10 15 Яэфф=КЯ,50 55 20 25 30 35 40 45 В текущем производстве для получения воспроизводимых результатов пайку кристаллов припоем ПОСведут при 240- 260 оС, что на 60-80 С превышает температуру плавления этого припоя. Следовательно и при пайке кристаллов с помощью нагретого азота должна поддерживаться такая температура. При исследовании условий поддержания температуры пайки в диапазоне 240 - 260 С применяют припои ПОСи ПОС, имеющие соответствующие температуры плавления 260 и 240 оС,Опыт проводят в следующем порядке, Кристаллодержатели на гребенке облуживают одним из указанных припоев, При этом толщина припоя Л поддерживалась в...

Номер патента: 1739402

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бодров, Виноградова, Зотов, Серов

МПК: H01L 29/06

Метки: полупроводниковая, полупроводниковой, проводимостью, структура, структуры

...отрезок ВС). Причем по сечению структуры плотность тока не одинакова: в зоне шнура она значительно больше, чем в других сечениях, При увеличении напряжения питания происходит ростдиффузионного потока дырок к границам шнура,Рекомбинация с носителями тока (электронами) в шнуре увеличивается, ток шнура уменьшается, напряжение на структуре увеличивается, начинается процесс разрушения шнура тока. Однако при этом напряжение на структуре увеличивается и при достижении некоторого значения напряжения О (фиг.2) процесс разрушения шнура тока (у его границ) приостанавливается, рекомбинировавшие электроны вновь активируются полем при напряжении на структуре О 1, начинается новый процесс ударной ионизации и шнур тока расширяется до первоначального...

Номер патента: 1739522

Опубликовано: 07.06.1992

Авторы: Бучок, Горечко, Нечепаев

МПК: H01L 23/34, H01L 23/36, H05K 7/20 ...

Метки: блок, радиоэлектронный

...спиралей Архимеда, ширина которых равна ширине модулей 2.Отвод тепла от верхней поверхности модулей 2 осуществляется следующим образом.Под воздействием давления теплоотводящего экрана 3 прижимные контактные пружинные элементы 4 прижимаются сверху к корпусам модулей 2 своими свернутыми в спираль Архимеда частями, деформируясь таким образом, что внутренние соседние витки спирали контактируют между собой. образуя параллельные проводники тепла между корпусами модулей 2 и теплоотводящим экраном 3, что существенно улучшает теплопередачу от верхней поверхности корпусов модулей 2 к экрану 3. Теплопроводная смазка, нанесенная на поверхность указанных элементов 4, снижает контактное тепловое сопротивление между контактирующими поверхностями,...

Номер патента: 1671088

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Сисакян, Шварцбург, Шепелев

МПК: H01L 31/00

Метки: амплитудной, излучения, модуляции, электромагнитного

...11 ииизлучелся),а Лиг. 2 привелены зависимостиКОЗссйсСИИЕцтОВ ОтражЕНИя От тЕМПЕратуры носителей, получецньсе расчетомца .)И, Зависимости построены дляполупроводника пбаЛз, плазменной частоти (д = 5 10 Гц и длины волныссадцсакего ца полупроводник излучения- 0,376 мм, Рядом с каждой кривой.кц саво значение угла падения и полярцзасссссс ссзлучесс)1 я. на фиг. 3 приведеЦЫ ССВ)ССССМоетСС КОЭАЬ 11 ЦИЕцта ОтРажЕсссссс от Т для 1 - поляризованного иэо20лу сенин, угла падения 60 и плазмен"сссастоть)Я= 5 10 Ги, соотнетствус сс различным значениям длины волныотражающегося от полупроводника пСаАвизлучегцсц (значения длины волны указаны у каждой кривой),Пз градтиссосс, приведенных на Аиг.2), сссс)сссо, что измессещсе температурысоссстессй ыа...

Номер патента: 1635846

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Волков, Исаков

МПК: H01L 39/10

Метки: коммутатор, сверхпроводниковый

...магнитным экраном. Число контактов в устройстве сведено к мисимуму, С а токонесуцнй элемент и сверхпроводящие магнитные экраны могут быть выпалнены из высокотемпературных сверх- проводников. 1 з.п. ф-лы, 3 ил том ввода 2 и контактами вьсвода 3 и 4причем последние разделены магнитньщэкраном 5. Около кадого контакта вывода установлены магнитьс 6 и 7 с обмоткой возбуждения,стройство работает следум. омент, когда управткл 0 ченьс, рабочий элецый до температуры для данного сверх дится в сверхпроводяток 1 , подведенньсй 2, распределяетсяпо изобретениям и открытиям при ГКНТ СССРЖ, Раушская наб., д. 4/5 онзвопственно-издательский комбинат Патент , г, Ужгород Гагарина, 1 по сверхпроводящим цепям, подключенщю к контактам вывода 3 и 4, н...

Номер патента: 1741189

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Лудри, Макеева, Райхчин

МПК: H01L 21/68, H05K 7/02

Метки: держатель, преимущественно, радиодетали, светодиода

...стержня, поджимающего светодиод его фланцем к внутреннему опорному торцу 5 своей опорной частью. Конец 12 его размещен в отверстии 8, торец этого конца упирается во фланец. Другой конец 13 стержня введен в прорезь 11 и поджат с заневоливанием к дну 14 прорези, Прорезь выполнена с наклоном, соответствующим профилю размещенного в ней конца стержня. На торцовой стороне этой части фланца установлены контактные элементы 15 для распайки выводов светодиода,Устройство работает следующим обраЗапирающий элемент 3 через отверстие 8 в ступенчатой стенке 7 фланца 2 выводят наружу, извлекая при этом противоположный конец 13 из прорези 11 стенки 10, Затем в гнездо 4 корпуса 1 вводят светодиод до упора его фланца во внутренний опорный торец 5....

Номер патента: 1741190

Опубликовано: 15.06.1992

Авторы: Булгаков, Кочетков, Петров

МПК: H01L 29/72

Метки: мощная, свч-транзисторная, структура

...с металлизированными площадками для присоединения выводов, расположенными на поверхности подложки. Для уменьшения емкости этих площадок они разделены на изолированные друг от друга участки выемками в форме канавок, глубина которых не меньше толщины металлизации.В этой конструкции емкость каждой контактной площадки образуется лишь теми изолированными площадками, которые непосредственно контактируют с проволочным проводником.Кроме того, паразитная емкость контактной площадки велика, что уменьшает мак1741190сравнению с тем случаем, когда такой зазор отсутствует из-за заполнения объема канавки "ножкой" 12 проводника.Это уменьшение позволяет на -5 увеличить максимальную рабочую частоту и коэффициент усиления по мощности предлагаемой...

Номер патента: 1625300

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Гололобов, Прыткова, Томило, Шиманская

МПК: H01L 39/24

Метки: высокотемпературной, металлокерамики, полых, сверхпроводящей, стержней

...и диаметр трубки3 16253 формула изобретения Составитель А.Семенов.Редактор НЛоляда Техред И.Олийнык Корректор Т,Малец.Ю ее Закаэ 2813,ПодписноеВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж,: Раушская наб., д, 415 Тираж Цроиэводственно-издательский комбинат "Патент", г.Ужгород, ул, Гагарина,01,выбирают таким образом, чтобы расплав за счет сил сцепления с внутренией поверхностью трубки поднималсявдоль стеноквертикально установлен"5ной трубки, затем трубку .с расплавомохлаждают со скоростью (400-500) С/миндо гсомнатной температуры и проводятотжнг изделия при температуре (820850)С в теггеггие (1,5-2,5) ч.П р и м е р. Для изготовлениякерамического полого стержня состава81. Бг Са СггОу...

Номер патента: 1742903

Опубликовано: 23.06.1992

Авторы: Бляшко, Кедяркин, Пекерская

МПК: H01L 21/477

Метки: арсенида, галлия, подложке, проводящих, участков, формирования

...коэффициентытермического расширения алюмосиликатного стекла и арсенида галлия близки (5 10 и 5,9 10 собтветственно), то минимизируются механические напряжения на границе раздела, что приводит к уменьшению механических повреждений пленки алюмосиликатного стекла и повышению качества маскирования, Кроме того, слой алюмосиликатного стекла наносят прикомнатной температуре и, следовательно,повышенные температуры не воздействуютна незащищенную поверхность арсенидагаллия. Интервалы температур и временидеструкции обуславливаются условиями,необходимыми и достаточными для сформирования защитного слоя. При температуредеструкции меньше 250 С и времени меньше 3 мин не полностью завершаются реакции разложения промежуточных продуктовгидролиза и...

Номер патента: 1742904

Опубликовано: 23.06.1992

Автор: Наконечный

МПК: H01L 25/04

Метки: блок, полупроводниковый

...охладители по полупериметру с диаметрально противоположныхсторон и расположенными вдоль блока спромежутками и взаимной установкой щитков против промежутков.На фиг, 1 показана коНструкция предлагаемого силового блока; на фиг, 2 - то же,вид сверху; на фиг. 3 - вариант расположения охладителей и полупроводниковых приборов в силовом блоке.Силовой блок выполнен в виде наборасиловых полупроводниковых приборов 1,собранных поочередно с охладителями 2 ввертикальную стойку между двух концевыхопор 3 и 4, закрепленных на стойках 5, истянутых между собой общим прижимнымустройством 6, установленным на опоре 3.При этом каждый охладитель 2 заключенмежду двух щитков 7 и 8, охватывающих егопо.полупериметру с диаметрально противоположных...

Номер патента: 1641146

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Смирнов, Хабаров, Чернов

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовых, измерений, низкотемпературных, проведения, термостолик

...зонды могут быть как электрические, так и оптические,Для снижения требований к системеподачи хладагента и условиям внешнейсреды после установки образца на пьедестал термостолика окно кожуха закрывают пластиной 10, имеющей по крайней мере одно окно 11 Образец 4 устанавливают так, чтобы его область,предназначенная для зопдоных измерений, находилась под окном пластины,55закрь 1 нающей окно кожуха. Зонды кобразцу подводят через окно пластины,закрывающей окно кожуха (фиг, 1-4),Вариант термостолика (Фиг, 4), позволяющего использовать жидкий хладагент, работает аналогичным образом.В этом случае жидкий хладагент - жидкий азот заливают через патрубок нполость. После этого подают мощностьна испаритель 12 и устанавливают,необходимую скорость...

Номер патента: 1744736

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Дроздов, Рогулин, Федонин, Финк

МПК: H01L 21/66

Метки: бесконтактного, полупроводников, сопротивления, удельного, электрического

...через полупроводник после расположения на нем накладных электродов, подключенных к источнику переменного напряжения Ч. Вычисляют сопООтивления 1, У 2 и Ез по формулам Для определения параметров даннойцепи необходимо предварительно осуществить измерения С 1 и С 2, Для этого электродыЭ 1 и Э 2 помещают на металлическую пластину и измеряют емкость С 2 между электродами, затем, подключив к металлическойпластине общую шину измерителя емкостиили экран измерительной цепи), измеряютемкость С 1 (также между электродами), ОпОпределяют промежуточные параметределяют близкие к оптимальным для данры Я, Т, С по следующим формулам: ной эквивалентной схемы частоты 11, 12, 1 з(Кь "г)КгКз-гЕз+(КгКгЕ -г+(" Кз) КзЕ 2 г ф5= С = 2 л 11211+(2 л 11 Т) )/(1...

Номер патента: 1744737

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Иващук, Сухина, Титенко

МПК: H01L 21/78

Метки: кристаллы, монокристаллических, пластин, разделения

...последующее разламывание пластины до ее разделения на отдельные кристаллы, создание зон концен.5 10 15 2025 30 35 40 45 50 55 трации механических напряжений осуществляют путем нанесения микроуколов индентором до образования смыкающихся междусобой микротрещин.Кроме тогоперед нанесением микроуколов индентором на лицевой и тыльнойсторонах пластины формируют ограничительные зоны, расположенные параллельноплотно упакованным кристаллографическим направлениям.После нанесения микроуколов индентором пластину кратковременно охлаждают вжидком азоте,Как известно, плотно упакованные кристаллографические направления в полупроводниковом монокристаллическомматериале совпадают с направлениями плоскостей скольжения и скалывания материала, При локальном...

Номер патента: 1744738

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Петросянц, Трубочкина

МПК: H01L 27/04

Метки: инжекционный, элемент

...совмещены база переключательного и - р - и-транзистора 23 иколлектор дополнительного второго инжектирующего р - и - р-транзистора 22. Областьр эа содержит, во-первых, диффузионнуюобласть из 13, к которой подключен выходной электрод 14, во-вгорых, диффузионнуюподконтактную область р 2 17. К области р 2+ +17 подключен металл изи рован н ый проводник 15, соединяющий базу переключательного и - р - и-транзистора 23 и коллектормногоэмиттерного и-р-и-транзистора 20,Для отделения областей р эп 1 6 и р эп 2 12 отразделяющей диффузионной области р 11+(7 сквозь эпитаксиальную пленку р эп прово+дится диффузия и с концентрацией 5 10см, формирующая боковые коллекторные+эмиттерную область и 12 19 переключательного и -р - и-транзистора 23, Области и 12...

Номер патента: 1745144

Опубликовано: 30.06.1992

Авторы: Альфред, Гюнтер, Петер, Уфе, Хельмут

МПК: H01L 41/04, H01L 41/18

Метки: кристаллический, пьезоэлектрический, элемент

...из монокристалла ОаР 04 за счетснижения следового содержания воды.Поставленная цель достигается тем, чтокристалический элемент вырезан из единойзоны роста сырьевого кристалического монолита ОаРО 4 без зональных границ.Предусмотрено, что ОаРО 4 - кристаллический элемент может быть вырезан из эоны роста или одной из зон роста В,обладающих в качестве поверхности ростаромбоэдрической поверхностью, В - зонасырьевого монолита СаР 04.Из-за различных условий роста отдельных зон ОаРО 4 используют В- и Е-зоны, причем Л-зоны на основании своей большойскорости роста в общем обладают большими размерами, чем В-зоны, и предпочтительны для создания кристаллическихэлементов,На фиг,1 схематически показан сырьевой кристаллический монолит ОаРО 4 с...

Номер патента: 1746337

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Григулис, Пориньш, Сидорин

МПК: G01R 31/28, H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых

...или полосковой линии передачи при открытой излучающей щели в ограничивающей их металлической поверхности, закрытой эталонным материалом и последовательно обеими сторонами контролируемой структуры, Значения толщин слоев и их удельных сопротивлений вычисляют по расчетным соотношениям или по номограммам, полученным с помощью эталонов. измерительнои характеристике - импедан су. Это обусловлено особенностью многопа- фь, раметровцх по своей сути измерений, (, заключающихся в необходимости априор-р ной информации о толщинах слоев при измерении их удельных сопротивлений и о удельных сопротивлениях при измерении толщин слоев, и не позволяющей вследствие этого осуществлять раздельное измерение как удельных сопротивлений, так и толщин каждого из...

Номер патента: 1746435

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Андреева, Махний

МПК: H01L 21/66

Метки: гомо-р-п-переходе, диффузионной, длины, заряда, неосновных, носителей

...к подавляющему числуполупровОдниковых структур с р-п-перехо. дом, у которых пи сгр мало различаются.Выражением(1) нельзя в ряде случаев пользоваться даже для резко асимметричных переходов, поскольку для получения этихсоотношений из формулы (1) должны выполняться Неравенства 1 зр пр Ипи 1 вр рр,гг Оп 20т,е, фактически - ) " или наоборот,1-р . 1-иУказанные критерии трудно установить, таккак для этого. требуется знание не толькоопределяемых из опыта проводимостей и- ир-областей диода и концентраций основныхносителей в них, но также значения 4 п и р,которые как раз и необходимо найти,Целью изобретения является обеспече-.ние возможности одновременного определения диффузионной длины для электронов 30и дырок в гомо-р-и-переходе с любым...

Номер патента: 1746436

Опубликовано: 07.07.1992

Автор: Тепман

МПК: H01L 23/36

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора

...для установки на нем полупроводникового прибора. В конденсатор 25 ной части рабочей трубы в плотномтепловом контакте с ее внешней поверхностью расположены ребра 6, предназначенные.для отвода тепла во внешнюю среду.На фиг.З изображен охладитель полу 30 проводникового прибора. конструкция которого аналогична охладителю,изображенному на фиг.1. Отличие заключается в том, что в средней рабочей трубе 1замерзающий теплоноситель 2 заменен на35 незамерзающий теплоноситель 4,Работа охладителя, изображенного нафиг.1, заключается в том, что выделяемое.полупроводниковым прибором тепло черезего основание (изображенное пунктиром)40, передается основанию 5 охладителя и черезкорпус тепловых труб 1 и 3 отдается теплоносителям 2 и 4, Незамерзающий...

Номер патента: 1746437

Опубликовано: 07.07.1992

Автор: Тепман

МПК: H01L 23/46

Метки: охладитель, полупроводникового, прибора, силового

...к диаметруоснования тепловыде-лг.ющего тела,Минимальная толщина пластичной массы (прокладки) должна быть такой, чтобы при сжатии обеспечивать выборку макрозазоров, вследствие неплоскостности тепло- выделяющего тепла и охладителей, суммарная величина которых по ТУ может составлять 40 микрометров.Максимальная толщина прокладки выбирается при использовании групповых охладителей для 2-стороннего теплоотвода от 2 или 3 СПП такой толщины, чтобы обеспечить плотное прилегание всех оснований таблеточных СПП к охладителям, учитывая возможную разницу высот используемых полупроводниковых приборов, Так, при диаметре оснований СПП 40 мм, максимальной разности их толщин 2 мм и расстоянии между. осями СПП 400 мм толщина прокладки должна быть не менее...

Номер патента: 1746438

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Валюженич, Горохов, Гридин, Фалин

МПК: H01L 25/03

Метки: модуль, полупроводниковый, светоуправляемый

...пазом под силовой вывод и по ния.меньшей мере одной линзой, расположен Предлагаемая конструкция каркаса поной в отверстии со стороны нижней повер- эволяет достигнуть большой точности сборхности каркаса, на которой закреплен ки и сопряжения светоокна со светоизлучающий диод, при этом на верх- светоизлучающим диодом, при этом линза ней поверхности каркаса расположены то позволяет сконцентрировать световой коведущие дорожки с металлическими 30 поток диода на всю поверхность светового штырями, электрически соединенные с окна. Заранее собранный блок управления внешнимивыводамисветаизлучающихдио- позволяет произвести все необходимые дов и с управляющими шинами цепи управ- проверки, подбор узлов и автоматизировать ления на корпусе...

Номер патента: 1746439

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Карпов, Кисель, Малый, Силин, Смирнов, Чувелев

МПК: H01L 27/082

Метки: интегральная, схема

...ее одновременное внедрение под область эмиттера по меньшей мере одного иэ транзисторов на глубину превышающую глубину эмиттера,На фиг.1 изображена предлагаемая интегральная схема; на фиг.2 - поперечный разрез активной структуры первого, второго и третьего транзисторов интегральной схемы.Интегральная схема содержит первый транзистор 1, база которого через первый резистор 2 соединена с шиной питания+ Чсс 3, а с входом 4 схемы - через диод 5, включенный в направлении к входу 4 схемы. Коллектор транзистора 1 через второй резистор б соединен с шиной питания 3, а эмиттер - с базой второго транзистора 7. Эмиттер транзистора 7 соединен с базой третьего транзистора 8, эмиттер которого соединен с общей шиной 9; Интегральная схема выполнена на...

Номер патента: 1746440

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Дворников, Любый

МПК: H01L 27/082

Метки: биполярная, интегральная, структура

...она эффективно собирает неосновные носители, инжектированные эмиттером горизонтального р - и - р-транзистора и увеличивает его коэффициент усиления,Возможен случай, когда вторая замкну-, тая область имеет глубину, равную глубине залегания базовых областей, Однако при этом необходимо учесть, что введенные первая замкнутая и эмиттерная области гори- зонтального транзистора имеют степень легирования больше, а глубину залегания меньше, что обеспечивает увеличение собирания носителей, инжектированных эмиттерной областью горизонтального р - и - р-транзистора за счет увеличения параметра (по кольцу) и площади собирающей части (носители собирает как первая замкнутая область. так и более глубоко залегающие участки баз вертикальных и - р -...

Номер патента: 1746555

Опубликовано: 07.07.1992

Авторы: Детинов, Златковская, Зусмановский

МПК: H01L 23/34, H05K 7/20

Метки: охлаждения, полупроводниковых, приборов, радиатор

...со скосами клинообразных сухариков 10 при наворачивании гайки 12 на резьбовую поверхность 6 цилиндра 4, Шлиц 14 не дает втулке 13 проворачиваться, что исключает неупорядоченное расположение клинообразных сухариков10, их перекос, обеспечивает равномерноераспределение пучков гибких проволок 3 и их. равномерное обжатие, уменьшает необходимое усилие затяжки нажимной гайки 12;.Выполнены сухарики 10 из материала скоэффициентом теплового линейного рас-.ширения, превышающим коэффициент теплового линейного расширения материалаосйования 1, что создает дополнительноеобжатие пучков 3 гибких проволок при нагреве всего устройства, улучшает теплоотдачу, На дне основания 1 установленполупроводниковый прибор 16.Радиатор работает следующим образом,В....

Номер патента: 1602291

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Винценц, Миргородский, Халилов

МПК: H01L 21/66

Метки: дозы, имплантированных, ионов, поверхности, полупроводника

...оптическогои луч:.ния 3, систему зеркал 4,5,6,линзы 7 и 8, позиционно-чувствительньвт д 1 отоприемник 9, интегратор 10,днухкоординатный самописец 11 и исследуемый образец 12,Исследуемые образцы представлялисобой пластины СаЛз толщиной 4=250 мкм,выращенные по методу Чохральского,с имплантированными в них ионами 81 ф .Энергия ионов при имплантации поверхности (100) составляла 80 кэВ. Длинуволны 9 е = 1,06 мкм выбирали такимобразом, чтобы энергия квантов Ь 11, 17 эВ была меньше ширины запрещенной зоны Г СаАз (Е = 1,43 эВ) и со"2 Еответствовала условию - с Ь 1 с Е,3/В качестве источника возбуждающе- л 0 го оптического излучения 1 использовали лазер ОТИна алюмоиттриевомлгранате с длительностью ьсветовых импульсов 10с и частотой4...

Номер патента: 1313257

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин, Титов, Эрмантраут

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, контактных, областям, отверстий, схем, типа, формирования

...Удаляют маску и под" ложкц подвергают облучению ионамиазота в диапазоне энергий 15-100 кзВи доэ 1 О -5 10 си . Для сравце 14 1 аиия облучению подвергают только поДоза Ионов аоа, си Энергиянапав Параметр Етте.ттвевтеетттие ет тееев ттЕтвввее 1 С 10 10 4 ф 10еееей твеее азота,кзВ5 10 49 ОО 100 84 "11 ОтсутствиеоплавленилФСС Отношение вьжадаГо,плых контактные 1,1.отверсти:Й в %к дале аабраковелньжпо аатвкщппа кантапчьиотверстнЦ, ре,эмерсонЗхЗ мкм В % у 2лави 11 у каждой подложки, в результатецеоблучецнал часть подложки изготав"лццлстсл ц саатлетст 1 ии с црототипойеПосле облучения подложки отжигдютпри 1000 С в течение 30 мин для оплавлеццл слоя ФСС. Дпл сравнешгл прототипа и предлагаемого способа на изготовленных та" кцм образом...

Номер патента: 1040978

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Камбалин

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, мноп, основе, памяти, схем, транзисторов

...сторону;10Поскольку процесс йормирования заданныхсвойств затворного диэлектрикаэлементов памяти производится локаль"но, то на стабильности работы других элементов ИС он никак не ска. зывается.,.Изменяя концентрацию ловушек, ихэнергетическую глубину и пространст. венное распределение по слою Б 1 И,, которые определяются дозой, типом 20внедряемого иона и энергией, ионов со. ответственно, можно для неизменныхУсловий записи варьировать величинуэахватываемого информационного заряда Для повышения надежности и воспроизводимости уровня записи заряда в элементы памяти И 6 в предлагаемом способе конкретизированы тип иконцентрация ионов, используемых дляоблучения и глубина их проникновения 30в пленку БИ, Применение ионов эле.ментов компонентов...

Номер патента: 707446

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Верходанов, Герасименко, Калиников, Камбалин, Федченко

МПК: H01L 21/265

Метки: интегральных, областей, разделительных, создания, схемах

...между транзисторами областями полу 2ОЗДАНИЯ РАРДЕЛИТЕЛ ТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМАХ, ии окисления и ных областей пления, о т л и ч а юто, с целью упрои повышения степеред нанесением пле производят ионное л элементов 111 или Ч ой системы с до-"з на глубину, не ину толщины окисРедактор О. Рркова Техред М.Иоргеятап КорректоР Н.шешеля Заказ 2821 Тираж ГодписноеВНИИПИ Государственного комитета по. изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-З 5, Раушская наб., д. 4/5 Производственно-издательский комбинат "Патент", г.ужгород, ул, Гагарина,101 704466ления при 1100 оС до толщины 0,8 мки. Распределения ионов проникал глубже,Облучение слоя окисла производят иона- чеи на половину толцины слоя БхОии бора с энергией 50 кэр или фосфо- Приведенные...

Номер патента: 1589926

Опубликовано: 15.07.1992

Авторы: Брянцева, Винценц, Любченко, Юневич

МПК: H01L 21/268

Метки: контактов, омических, полупроводниковым, приборам

...при малых на- пряжениях дает несколько большее, чем в примере 1, общее сопротивление В = 25 Ом.Выход за пределы рекомендуемого.оинтервала значений Е в сторону11уменьшения атой величины приводит к тому, что в области контакта остается модифицированный потенциальный барьер, Например, при Г= 1,4 10 Дж (Е = 0,28 Дж/см) вольт-амперные ха 8рактеристики диодных структур - кривая 4 на Фиг. 1 - носят асимметричный характер, относительно нулевого напряжения. Это свидетельствует о сохранении остаточного барьера в структуре металл-полупроводник,Наклон ВАХ при малых напряжениях дает н этом случай высокое общее сопротивление - 65 Ом. Дальнейший выход,из рекомендуемого интервала значений Е (Е,=1,0510 вДж, Е= 0,21 Дж/см 2) приводит к тому что ВАХ...