H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1001232

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Афанасьев, Крысов, Трусова

МПК: H01L 21/00

Метки: импульсного, отжига, полупроводниковых, структур

...содержит замкнутую камеру 1, в которой выполнены щели 2 и 3 соответственно для загрузки и выгрузки полупроводниковой структуры 4, расположенной наопоре сетке ) 5, Внутри замкнутой камеры по обе стороны от опоры расположены линейные галогенные лампы б накаливания так, что их продольная ось перпендикулярна направлению движения спотк, перемещаемой с помощью привода 7. Замкнутая камера имеет изогнутую форчу и служит одновременно для фокусировки . излучения на поверхность полупроводниковой структуры.Линейные галогенные лампы накаливания расположены от опоры на расстоянии 10-100 д, где о - толщина подложки полупроводниковой структу ры. Указанное соотношение определяется как размерами используемых подложек (в производстве...

Номер патента: 1001233

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Арбит, Штейнберг

МПК: H01L 21/00

Метки: ориентации, плоских

...лоток 5 закреплены на неподвижном основании 9 над вращающимся диском 1. Винтовой лоток 5 расположен между бункером 2 и накопителем 3 и установлен над поверхностью вращакщегося диска с зазором. Зазор выбирают иэ условий разделения деталей При попадании их в электростатическое поле и сохранения ориентации деталей по плоскости. Вакуумная присоска 4 установлена между бункером 2 и винтовым лотком 5. В ма нипуляторе 7 установлен датчик 8 по-, ложения деталей но р-а слою. Бункер.Проектня,4 Филиал ПППг.ужгоиод,2 и накопитель 3 выполнены в видепланок без закрытых каналов.Устройство работает следующимобразом.Детали из бункера 2 вакуумнойприсоской 4 группой подаются в винговой лоток 5, из которого россыпью,разделяясь в электростатическомполе,...

Номер патента: 1001234

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Девятых, Домрачев, Жук, Кулешов, Лазарев, Хамылов, Чурбанов

МПК: H01L 21/205

Метки: газовой, осаждения, полупроводниковых, слоев, соединений, типа, фазы

...этого, снижение давления позволяет интенсифицировать десорбцию и отвод из эоны осаждения продуктов реакции, что также способствует увеличениюскорости осаждения.Выбор рабочего давления определяется летучестью элементов А и В и свойствами осаждаемого слоя. П р и м е р 1 . Подложку из сапфира размещают на пьедестале, который вводят в реактор. Вокруг подложки и пьедестала размещают дополнительную поверхность цилиндрической формы диаметром 28 мм, которая одновременно является нагревателем реактора. Реактор откачивают до давления 1 Па и включают нагреватель, Дополнительную поверхность и пьедестал нагревают370 оС, затем пьедестал охлаждаютодо 250 С. Точность поддержания температуры составляет + 5 С. Подают сеоленоводород, а затем пары...

Номер патента: 1001235

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Сафонов, Тумасов

МПК: H01L 21/66

Метки: зондовых, контактирования, установках

...слоя 9. Эта поверхность лежит в плоскости 24, которая перпендикулярна главной оси 25 зонда. Плоскость 24 отстоит от вершины сферической рабочей части в зондах на расстоянии, равном разности между толщиной Ь слоя металла каждой контактной площадки и суммой высот микронеровностей на поверх-,. ностях сферической рабочей части 7 и контактной площадки интегральной схемы 12.1:8-К )1001235 Форщла изобретения жиме измерения параметров интегральной Ъ =-р +р 1г гЮ 40 где- толщина металлическогослоя контактной площадки;Ъ - расстояние от вершины 45 аферич ес кой рабочей ч ас тизонда до поверхности, образованной торцами разгелительного диэлектрического и внешнего металлического слоев;Й . - параметр шероховатости контактной площадки;й-...

Номер патента: 1001236

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: границы, полупроводниковых, потенциала, раздела, структурах

...гетероперехода осуществляется следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения Ч и он освещаетсяимпульсом света, энергия квантов которого Е(Ъ)1 ЕстЕ 2. При таком освещении происходит спрямление зонв обоих полупроводниках, а так какток через гетеропереход поддерживается постоянным, то изменение напряжения на гетеропереходе вызвано только возникающей фото-ЭДС и равно ейпо величине (аналогично режиму холостого хода). В этом случае измеряе -мая величина фото-ЭДС насьпцения равна (-1(9, - Ч) . Достижение насыщенияЗОфото-ЭДС проверяется с помощью нейтральных фильтров, Затем гетеропереходосвещается импульсом света с Е ) ЕМ)Е 2, При этом измеряемая фото-ЭДСнасыщения равна - У/),. ЗдбИз двух проведенных измерений...

Номер патента: 1001237

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Перов, Петров, Поляков

МПК: H01L 21/66

Метки: гетеропереходов, концентрации, материалах, полупроводниковых, примесей, эффективной

...1так как д, д 2, а Ес, ДЕч не менЯютсЯ при изменении найряжения смещения,Высокочастотную емкость гетеро- перехода можно записать в виде 1 4 О СС 2вц г. сгде С и С 2 - емкость ОПЗ каждого иэ полупроводников, по определению равные аааа,1Й 1, 02 - величина заряда на включениях последовательно емкостях С 4,С 2. Но при последовательном сбединении емкостейЯ:; а 1=3 й, .Следовательно, из (3-6 ) получаем 5 О 55 1 2 2Ч) Таким образом, зная из эксперименота свц,д 91 и 62Расс:читывают 65Определение эффективной концентрации .примесей (И ) в полупроводниковых 15 материалах гетероперехода производит- ся следующим образом.На гетеропереход подается напряжение смещения 9 и он освещается импульсом света, энергия квантов ко- О торого Е (Л Е 1 э ЕсВ этом...

Номер патента: 1001238

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Великий, Горшков, Жуков, Мансуров, Марков, Мелентьев, Пузанков, Якимов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, структур

...вторым оптоэлектрическим датчиком,17 уровня стола 2, второй схемой 18 совпадения и инвертором 19, причем оптоэлектрический датчик 17 уровня стола 2 подключен к нторому входу триггера 11, первый выход которого соединен с вторым входом первой схемы 16 совпадения,а второй выход связан с первым входом второй схемы 18 совпадения, второй вход которой через инвертор 19 подключен к контактному датчику 15, третий вход связан с выходом блока 7 пуска, а выход второй схемы 18 совпадения подключен к блоку 8 привода механизма б шагового горизонтального перемещения стола 2, при этом третий нход первой схемы 16 совпадения соединен с блоком 4 привода механизма вертикального перемещения, а ее выход подключен к блоку 14 контроля.Ориентация контактных...

Номер патента: 1001239

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Вьюник, Кармалыга, Парфенов

МПК: H01L 23/34

Метки: взрывозащищенного, выпрямительное, исполнения, рудничного

...преимущественно для угледобывающего комбайна,содержащем размещенные внутри взрывоэащищенной оболочки полупроводниковые приборы с радиаторами и систему охлаждения, расположенную снаружи оболочки, радиаторы полупроводниковых приборов установлены нераэьемно и изолированно на дополнительное основание, которое съемно закреплено на внутренней стороне частивэрывозащищенной. оболочки, а система Ц)охлаждения выполнена в виде цатрубка с форсунками, через которые в зону нагрева вэрывозащищенной оболочки подается водовоздушная смесь откомбайновой системы пневмогидроорощения.На чертеже показан общий вид фаэного модуля выпрямительного устройства. Число модулей в выпрямительномустройстве определяется принятойсхемой выпрямлениятрехфазная,...

Номер патента: 1001240

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Прохоров, Шелков

МПК: H01L 23/34

Метки: охладитель, полупроводниковых, приборов

...пластинами; общий вид; на фиг. 2 - устройство втрех проекциях с одним полупроводниковым прибором, изогнутыми теплосъемными пластинами, общий вид.Направление движения воздуха указано стрелками.Охладитель содержит цилиндрический сердечник 1 с буртиком 2 , 15посередине. К торцовым поверхностям3 буртика 2 с обеих сторон сердечника 1 прижаты и законтрнены на нем спомощью колец 4 пакеты 5, состоящиеиз теплосъемных перфорированныхпластин б и разделительных шайб 7.Отверстия 8 в соседних пластинах бсмещены друг относительно друга. Кторцовым поверхностям 9 сердечника1 с помощью прижимного устройства10 через токосъемные шайбы 11 прижаты вентили 12, причем шпильки 13прижимного устройство 10 проходятчерез прорези 14, выполненные...

Номер патента: 1001241

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Милошенко, Пантелеев

МПК: H01L 39/24

Метки: критических, магнитных, полей, сверхпроводниках

...образца, находящаяся на рас1001241 Формула изобретения слт стоянии 0,1-0,2 мм от неподвижного электрода, образовывала с ним емкость С, При подаче переменного напряжения на электрод образец начинает колебаться за счет электростатического взаимодействия. С помощью звукового генератора типа ГЗпо максималь-, ной амплитуде колебаний образца наст,раиваются на резонансную частоту . Одновременно емкость С включается в контур высокочастотного генератора 1 О и за счет колебаний образца происходит модуляция высокочастотного сигнала этого генератора. Контроль осуществляется при помощи осциллографа и частотомера. 15На фиг. 2-4 представлены результаты измерения й(,Н ).На фиг. 2 приведены зависимости Й(Н ) для пленок толщиной 0,5 мкм (,кривые 1 и...

Номер патента: 1001504

Опубликовано: 28.02.1983

Авторы: Дианов, Степанов

МПК: H01L 41/04

Метки: электроакустический

...пьезоактивный 26 элемент преобразователя начинает совершать радиальные колебания параллельно плоской внешней поверхности преобразователя и тем самым вовлекает в колебательное движение пас сивные накладки в виде клиновидных секторов. При погружении преобразователя в жидкую среду, благодаря отсутствию в ней касательных упругих смещений и напряжений, к излу чению звуковых волн будет приводить лишь нормальная составляющая колебательной скорости, присутствующая на внешней рабочей выпуклой поверхности преобразователя, Таким образом, ввиду осевой симметрии преобразователя преимущественно излучение прием) звуковых волн будет про исходить в полупространстве, расположенном от плоской нерабочей поверхности преобразователя в положительном...

Номер патента: 1003201

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Мешковский, Суслов, Фролкова, Фролов

МПК: H01L 21/312

Метки: фотошаблон

...неоднородности не более100 3, е непрозрачные участки выполнены в виде обЛастей пористой структуЗОры, заполненных материалом, поглошающим ультрефиопетовЬе излучение,В способе изготовления фотошаблона,включающем формирование нв рабочей помверхности стеклянной пластины защитноймаски иэ фоторезиств, химическую обреботку незащищенных участков пластиныполучение непрозрачных дпя ультрафиопетового изпучения участков, удаление защитной маски, химическую обработку проводят путем вьпцепачивения стекпа не глубину 10-20 мкм, в попучение непрозрачных участков - путем пропитки полученных областей пористой структуры материалом, поглощающим ультрафиолетовоеизлучение.Процесс выщелачивания отличается отпроцесса травления тем, что дпя выщелачивания...

Номер патента: 1003202

Опубликовано: 07.03.1983

Авторы: Крейнес, Михайлов, Штейн

МПК: H01L 21/68

Метки: деталями, загрузки, кассет, стержневыми

...выводов по поверхности мага- магнитного материала, зина при вибрациях либо непосредственно,как большинство в процессе подпитки кассет, Введение в полупроводниковых рабочее положение штоков-отсекатедей ются из ферромаг также должно производиться при виб 35апример ковара или рациях, наличие кассеты под трафаретомм расположены элек- обязательно как в процессе начального з катушки которых заполнения, так и в период подпитки. атели 12 своей верхВ исходном положении механизма подлняющей роль якоря питки все ячейки загружены выводами до46одненной из электро- величины 60-80% их емкости, штоки-отод якоря и соответ- секатели 12 находятся ь крайнем нижпри включении элек- нем положении (под действием их собстет меньше высоты венного веса) и их...

Номер патента: 1003203

Опубликовано: 07.03.1983

Автор: Бомбровский

МПК: H01L 23/34

Метки: крепления, полупроводникового, прибора

...втулки и цилиндр 10 выполненыиз материала с меньшим коэффициентомтермического расширения, чем распорнаявтулка 18, например иэ меди,Монтаж полупроводникового прибора кохладителю осуществляют следующим образом.Полупроводниковый прибор 1 1 резьбо-40вой шпилькой 13 вворачивают в реэьбовую головку 12 цилиндра 10. Для предотвращения случайного проворота шаровойопоры 5 и ее элементов в горизонтальной плоскости, в момент вворачиванияреэьбовой шпильки 13 полупроводниковогоприбора 11 в резьбовую головку 12, ша 1ровую опору 5 придерживают гаечным ключом, ухватив эа лыски, выполненные нанаружной поверхности центральной втул 50ки 7. Как только монтажная поверхностьполупроводникового прибора 1 1 коснетсямонтажной поверхности 2 охлвдителя, ша трювая...

Номер патента: 1004829

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Гурылев, Дикушин, Лабутин, Лебедев, Лопухин, Шумилин

МПК: G01N 21/88, H01L 21/66

Метки: дефектов, структуры

...состоянии контролируемая структура закреплена в устройстве перемещения структуры 2. Блоком управления 7 включаются блок подсвета структуры 5, которыЯ обеспечинает подсвет необходимого участкаструктуры и блок преобразования изображения структуры в электрическийсигнал б. Изображение структуры через микроскопы 4 поступает на фо" точувствительную часть блока преобразования изображения структуры в электрический сигнал 6, с блока преобразования изображения структуры в электрический сигнал 6 электри . ческий сигнал поступает на блок управления 7. Блоком управления 7 обеспечивается отображение информации на экране экранного пульта 10.Оператор по изображению структуры на экранном пульте корректирует положение изображения на экране блоком...

Номер патента: 1005221

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Гармаш, Орешкин, Перелыгин

МПК: H01L 21/66

Метки: глубоких, ионизации, полупроводниках, уровней, энергии

...Переходной процессзаканчивается через вполне определен 40ное время 1 С, которое можно зафиксировать с погрешностью не более 10%,поскольку с помощью запоминающего, осциллографа легко сделать отсчетвизуально. На фиг, 2 приведены кривые 4 1 г как функции обратного смещенияна кремниевой МДП-структуре при различных температуры. Наблюдаетсяувеличениес ростом обраатного напряжения до некоторого установившегося ф (максимального) значения. Последнееи соответствуетпо ( 1), Поскольку= Д ЕХр Ь Е /КТстроят зависимость 3 1 =ф 7 и находят Ь: для различных значений обратного напряжения и, в часъ- Я ности, для установившегося (максимального) 1, Отсюда определяют ЬЕ исравнивают + с 1," при расчете поформуле( 1) . Как показал эксперимент,б 10 15 20 2 30...

Номер патента: 1005222

Опубликовано: 15.03.1983

Автор: Черников

МПК: H01L 25/00

Метки: полупроводниковое, преобразовательное

...канал цляпрохождения хлааагента выполнен в виае прямоугольного гофра, между изгибами которого черецуясь установленыполупровоаниковые вентили и прижимныеэлементы, а изолирующие элементы выполнены в виде втулок установленныхв канале межау его частями, прилегающими к электроаам каждого вентиля,2. Устройство по и. 1, о г л и ч аю щ е е с я тем,.что обмотка аросселя выполнена многовигковой,3. Устройство по и. 2, о т л и ч .аю ш е е с я тем, что на внешней стенке канала для хлацагента установленыаругие тепловыделяющие элементы пре.обраэоват,я, например резисторы,1. Авторское свидетельство СССР3 10052ложняют конструкцию и снижают нацежность устройства в целом.Целью изобретения является упрошение устройства и повышение его нааежности....

Номер патента: 1005223

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Елинсон, Мадьяров, Малахов, Покалякин, Терешин

МПК: H01L 29/15, H01L 45/00

Метки: запоминающее, полупроводниковое

...к увеличению количесгвв элементов схемы управления и к удорожанию такого запоминающего устройства.Целью изобретения является повышение стабильности работы и увеличение огно- у щения сопротивлений в выключенном и включенном состоянии,Уквзанная цель постигается тем, что в полупровоцниковом запоминающем устройстве на основе гегероперехоцв иэ 1 О вырожценного полупровоцникв и невырожценной полупроводниковой пленки с ловушками в запрещенной зоне, содержащемконтактный элемент, соэцвющий потенциальный барьер с невырожценным полу- И провоцником, межцу вырожценным полупровоцником и невырожценной полупровоцниковой пленкой введен слой иэ теннельно-прозрачного диэлектрика.Туннельно-прозрачный циэлекгрик 2 ф . может быть выполнен иэ 510 . В случае...

Номер патента: 1005224

Опубликовано: 15.03.1983

Авторы: Ажажа, Алехин, Березкин, Грабчак, Кирпиленко, Рычков, Селькова

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, трансистор

...структуре, содержащей полуизолируюшую подложку 1, например, из -типа И арсенида галлия и эпигаксиальную пленку 2 и-типа с концентрацией примеси 101 - 10 см , соцержащий контакты стока 3 и истока 4, например, из композиции М- Ао - М 1, выполнен ные на поверхности эпитаксиальной пленки 2, затвор 5 в вице барьера Шоттки, выполненный вЧ-канавке, и изолирующую область 6, глубина которой не превышает глубины М -канавки. Изолиру- И юшая область может быть создана, например, путем аморфизации материала:эписгаксиальной пленки облучением ускоренными электрически,нейтральными ионами, направленным параллельно граням Ч -ка нввки. При этом маской служат контакты стока 3, истока 4 и затвора 5.Изолирующая область 6 может также быть выполнена в вице...

Номер патента: 1008823

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Зырянов, Орлов

МПК: H01L 21/77

Метки: интегральных, кассета, схем

...направляющие ребра 5, выполненные из металла для снятия статэлектричества. С противополож; ных сторон основания 1 между каждой парой направляющих ребер 3 н углубле-. 65 ниях установлены фиксирующие замки б Г-образной формы, которые установлены на оси 7 и снабжены пружиной 8, С обратной стороны основания имеются прорези 9, в которых закреплены оси 7.Крышка 2 фиксируется на основании с Помощью штифтов 10 и отверстий 11.Крышка устанавливается так, что между направляющими ребрами основания и крышки имеется зазор 12, который задается упорными ножками 13 . Величина зазора зависит от толщины выводон . Каждая пара направляющих ребер основания и крышки в сборе образует закрытый канал для интегральных схем, который соответствует размеру корпуса...

Номер патента: 1008824

Опубликовано: 30.03.1983

Авторы: Канчуковский, Преснов, Сулин, Шенкевич

МПК: H01L 29/84

Метки: механических, напряжений, сигнал, электрический

...расположен по лупроводниковый кристалл 2 с невыпрямляющим (омическим) контактом 3 на пьедестале. На противоположной грани кристалла расположен слой туннельно- прозрачного диэлектрика 4. Со стороны 5 силовведения на туннельно-прозрачномдиэлектрике 4 сформирован слой металла 5. Полупроводниковый кристалл 2,туннельно-прозрачный диэлектрик 4 иметалл 5 в совокупности представляетсобой выпрямляющий контакт. На металле 5 расположен индентор 6 для создания механических давлений. Тензочувствительный преобразователь контактами5 и 3 подключен во внешную цепь, состоящую из источника 7 питания и исполнительного устройства 8. Механическое давление через индентор 6 воздействует на выпрямляющий контакт, в результате чего сопротивление выпрямляющего...

Номер патента: 701414

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Асвадурова, Онуприенко, Стагис, Требоганов

МПК: H01L 21/66

Метки: полупроводниковых, приборов, структур, тепловых, характеристик

...нагревать поверхность пассивных многослойных структур сфокусированным излучением, что необходимо для измерения их тепловых сопротивлений ( Рт).Совмещение оси лазерного излучения с оптической осью ИК-обЪектива позволяет юстировать обе системы по видимому излучению, что существенно повышает точность при количественном измерении тепловых сопротивлений.Расположение приемника ИК-излучения и измеряемого объекта в двойных фокусных расстояниях ИК-объектива позволяет измерять температуру с маленького пятна, равного рабочей плошал ке прненика ИК-излучения, в центре источника тепла, т,е, температуру, близкую к максимальной (Т), что повышает абсолютную величину теплового сопротивления и точность при ее количественном измерении.Подсоединение...

Номер патента: 1010678

Опубликовано: 07.04.1983

Авторы: Ляхович, Малявкин

МПК: H01L 21/00

Метки: маркировки, плоских

...которогоохватывают толкатель с двух концов,причем ленточный конвейер кинематически связан с маркировочным роликом.На Фиг,1 показано предлагаемоеустройство, вид спереди; на фиг.2 -узел маркировки, вид спереди с частичным разрезом, на Фиг.3 - разрезА-А на Фиг.2.Устройство содержит механизм 1маркировки с маркировочным роликом2, загрузочное приспособление 3,наклонную направляющую 4 и толкатель 405,. Последний установлен между ветвями ленточного конвейера б, выполненного с перФорацией (не показана) дляего привода и кинематической связи смаркировочным роликом 2, а также с 45упорами 7 для введения изделий 8.Верхняя ветвь конвейера б располагается на расстоянии от маркировочного 1 ролика 2 большем толщины изделия 8.Толкатель 5 имеет выполненные...

Номер патента: 860645

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Бакланов, Земсков, Митькин, Репинский, Свешникова

МПК: H01L 21/306

Метки: кристаллов, полирующий, полупроводниковых, травитель, травления

...увеличения скорости гидролиза дифторида ксенона в воде, что может привести к нарушению стабильности процесса травления,20 25 30 П р и м е р. Раствор дифторидаксенона в воде готовят растворениемв бидистиллированной воде навесокдифторида ксенона, представляющего 35 собой белый порошок. Травление полупроводниковых кристаллов Са, 5,5 Аз п 5 Ь, СаР проводят в водномрастворе дифторида ксенона на травильной установке с вращающимся 40 фторопластовым стаканом, наклоненным под углом 70 . Образец погружаоют в стакан. Скорость вращениястакана 60-80 об/мин. Скорость травления оценивают по изменению весаобразцов за время эксперимента. Исходную концентрацию дифторида ксенона в воде в выполненных экспериментах варьируют от 0,1 до 2...

Номер патента: 878105

Опубликовано: 15.04.1983

Авторы: Залетин, Мальковский, Семенова

МПК: H01L 21/3063

Метки: барьером, дефектов, исключения, объема, полупроводниковых, потенциальным, рабочего, структур

...образуются микроплазмы, т,е. повышенная. электропроводность этой области структуры, вызывающая увеличение скорости электролитического удаления материала структуры. Если обработке подвергаются полупроводниковые структуры или структуры типа диэлектрик - полу; проводник/ то производится либо удаление дефекта, если он находится на ближайшей к поверхности структуры стороне потенциального барьера,.либо ликвидация потенциального ба 55 60 65 После обработки структур с барьером Шоттки пробивные напряжения наструктурах увеличились в 1;5-10 раз,величина обратного тока уменьшилась в 10 -104 раз,Использование данного способа посравнению с существующим позволяет:значительно упростить процесс, обеспечить воэможность обработки структур типа...

Номер патента: 1014071

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Иванов, Миттенберг, Стерликов, Янсон

МПК: H01L 21/00

Метки: кассета, пластин, травления

...ряда точечных фиксаторов в виде стбркней,она снабжена дополнительными основаниями и крышкой в виде диска, при этомосновное и дополнительные основания икрышка установлены друг под другом наодинаковом расстоянии и соединены междусобой стержнями точечных фиксаторов,Эпричем стержни одного из рядов выполиены съемными-и установлены попарноотносительно двух стержней другого ряда с возможностью образования гнездадля пластины,Кроме гого, съемные штыри точечныхфиксаторов соединены межпу собой попарно перемычкой, размещенной над крышкой.На фиг. 1 показана часть кассеты,вид сбоку; на фиг. 2 - то же, вид сверху.Кассета состоит из жестко соединенных между собой дисков 1. выполненныхиз винипласта 6 230 + 30 мм с отвер-стием в центре 6 110 + 30 мм....

Номер патента: 1014072

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Антонов, Бугаев, Гоголев, Грин, Малеев, Рассохин

МПК: H01L 21/66

Метки: параметрам, полупроводниковых, приборов, сортировки, электрическим

...приборов из кассеты), повора" Чивается на 90 о, а затем, опускаясь, устанавливает группу прибора в контактно-эажимной механизм 12,каретка 17 которого. совершает поступательное движение через тягу 19 от рычага 18,Пружинные контакты 15 прижи- мают выводы группы приборов к неподвижным контактам 16, и происходит контактирование всех необходимых выводов (места контактирования пока"заны на фиг. 9) .В момент контактирования в блок логики выдается сигнал "Внешний за5 10140пуск" от бесконтактного датчика (непоказан),.связанного с валом 52, Поэтому сигналу реализуется программа "Измерение", заложенная в памятиблока логики 46 и основанная на сравнении контролируемых параметров полупроводниковых приборов с заданнымиуставками,Токи и напряжения...

Номер патента: 972973

Опубликовано: 23.04.1983

Авторы: Егиазарян, Исаев, Каракушан, Карапатницкий, Мухамедшина, Стафеев

МПК: H01L 21/263

Метки: магнитодиодов

...Поставленная цель достигается тем,.что согласно способу изготовлениямагнитодиодов, включающему операциисоздания инжектирующего и невыпрямляющего контактов на пластине полу 5 изолирующего кремния, измерения электрических параметров, технологичес-кой доводки магниточувствительностидо максимального значения, разделения пластины на отдельные структуры,сборки и герметизации приборов, расстояние между контактами уменьшаютв 2-3 раза, а йзмерение электрических параметров и доводку структуРпроизводят после герметизации при 35боров, причем доводку осуществляютпутем введения в кремний радиационных дефектов нейтронным облучением,а также тем, что облучение проводятдозой (0,9-2,6) 102 нсм 2.Возникающие под действием облу"40 чения структурные дефекты...

Номер патента: 1015457

Опубликовано: 30.04.1983

Авторы: Дьяченко, Копылов

МПК: H01L 37/04

Метки: генератор, магнитотепловой

...с источником тепла. Вследствие потерь в теплоносителе эффективность преобразования тепловой энергии источника в том числе и источника лучистой энергии снижается.Цель изобретения - повышение эффективности преобразования лучистой энергии в электрическую.Для достижения указанной цели магнитотепловой генератор, содер"жащий магнитопровод с источником магнитного поля, в зазоре которого расположен термочувствительный ферромагнитный элемент, выходную обмотку, размещенную на магнитопроводе, нагреватель и охладитель, дополнительно содержит камеру для подачи охлаждающего агента, а нагреватель выполнен в виде приемника-концентратора лучистой энергии с термоизоляционным раздвижным экраном, при этом термочувствительный элемент размещен в...

Номер патента: 1018061

Опубликовано: 15.05.1983

Авторы: Балявичюс, Бурдулис, Пошкус

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: переключающих, переключения, элементов

...и быстрота, с которой оператор после обнаружения на ВАХ участка отрицательного дифференциального сопротивления успевает снизить амплитуду переключающих импульсов ниже напряжения переключения. 8 результате при помощи этого -устройства невозможно исследовать образцы, свойства которых меняются после каждого переключения.Цель изобретения - расширение функциональных возможностей путем обеспечения возможности измерения напряжения переключения единичного переключения.Поставленная цель достигается тем, что в устройство для измерения напряжения переключения переключающих элементов, содержащее генератор наносекундных импульсов, последовательно соединенные коаксиальную линию передачи и ограничитель тока, который соединен с входами двух...