H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1491262

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Белохвостикова, Дединец, Дубровская, Филатов

МПК: H01L 21/265

Метки: арсенид-галлиевой, интегральной, схемы

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ АРСЕНИД-ГАЛЛИЕВОЙ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ на структурах n+ - n - i - типа, включающий анодное окисление n+ - слоя по всей поверхности пластины за исключением областей истока и стока полевых транзисторов путем маскирования этих областей слоем двуокиси кремния, создание омических контактов на основе металлизации AuGe, формирование изоляции активных областей транзисторов протонной бомбардировкой с использованием в качестве защитного покрытия над активными областями полевых транзисторов фоторезистивной маски, формирование алюминиевых затворов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных изделий путем улучшения электрических параметров транзисторов, после проведения анодного окисления...

Номер патента: 1373232

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Авдеев, Колмакова, Матвеев, Пащенко

МПК: H01L 21/20

Метки: индия, локальных, структур, фосфида, эпитаксиальных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР ФОСФИДА ИНДИЯ, включающий создание защитной маски, формирование углублений в подложке, удаление защитной маски и эпитаксиальное заращивание углублений в подложке, отличающийся тем, что, с целью улучщения качества локальных эпитаксиальных структур за счет устранения высокоомного слоя в переходной области подложка - эпитаксиальный слой, перед эпитаксиальным заращиванием углублений подложку обрабатывают в плавиковой кислоте при 80 - 106oС в течение 5 - 15 мин.

Номер патента: 1805790

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Ефимов, Зуева, Карелин, Корсаков, Николаева, Плавич, Саратовских, Титков

МПК: H01L 21/312

Метки: основе, пленок, полианилина, формирования

...0,95 - 1, Эту величину можно регулировать, вводя неболь шое количество воды и изменяя тем самымфизико-механические свойства пленки, Композиционный материал характеризуется массовым соотношением компснентов поливинилформиат:полианилин=2,9 - 0,34:1,При добавлении поливинилового спирта менее чем 0,2 ч, на 1 ч, полианилина трудно добиться однородности пленки и наблюдается образование комет. Верхний предел введения поливинилового спирта 30 определяется его растворимостью в муравьиной кислоте (50 г/л). Образующийся поливинилформиат обладает хорошими пластифицирующими и стабилизирующими свойствами и улучшает однородность дис персии полианилина в своей матрице.В качестве материала подложки можноиспользовать стекло и кремний с хорошо...

Номер патента: 1817620

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Акопян, Бондарчук, Корсунский, Трохачев, Филатов

МПК: H01L 39/16

Метки: магнитная, сверхпроводящая

...5 присоединен к второй сверхпрово 0 дящей обмотке 4 и к источнику питания 1через второй сверхпроводящий ключ 6, Третий сверхпроводящий ключ 8 присоединенодним выводом к первой сверхпроводящейобмотке 3 и второй сверхпроводящей об 35 мотке 4, а другим выводом подключен к источнику питания .1 и второму, сверхпроводящему ключу 6, Защитное сопротивление 7 присоединено параллельно свторым сверхпроводящим ключом.40 При разомкнутом третьем сверхпроводящем ключе 7, первом сверхпроводящемключе 5 и замкнутом втором сверхпроводящем ключе 4 ток в обеих обмотках протекаетвстречно и они отталкиваются друг от друга,45 передавая через механическую системузначительные усилия на образец. Силу взаимодействия обмоток можно менять в широком...

Номер патента: 1105078

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Зеленцов, Козин

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, изготовлении, полупроводникового, тензочувствительного, элемента

СПОСОБ ДИФФУЗИИ ПРИ ИЗГОТОВЛЕНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТЕНЗОЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА, включающий размещение в лодочке партии полупроводниковых пластин и твердых источников диффузанта, окружающих пластины и расположенных рядом с ними, введение лодочки в реактор, нагревание полупроводниковых пластин и твердых источников диффузанта до температуры диффузии, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления элемента путем уменьшения разброса поверхностного сопротивления диффузионных слоев в пределах партии пластин и повышения воспроизводимости сопротивлений слоев, предварительно в лодочке вдоль ее продольной оси между твердыми источниками диффузанта располагают вспомогательные полупроводниковые пластины, при этом в начале лодочки...

Номер патента: 1581124

Опубликовано: 10.01.1996

Авторы: Бачурин, Верников, Енишерлова-Вельяшева, Левин, Мордкович, Пащенко

МПК: H01L 21/24

Метки: полупроводниковых, приборов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, включающий формирование двухслойной полупроводниковой структуры путем термокомпрессионного соединения в инертной среде двух кремниевых подложек и создание в одном из слоев полупроводниковой структуры активных областей приборов, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных и улучшения электрических характеристик приборов за счет повышения сплошности соединения кремниевых подложек в двухслойной полупроводниковой структуре, перед термокомпрессионным соединением кремниевых подложек на соединяемой поверхности, по крайней мере одной из них, формируют пленку германия толщиной 0,5 - 2,0 мкм с удельным электрическим сопротивлением не выше удельного сопротивления каждой подложки, а...

Номер патента: 1484201

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Болозубов, Гордиенко, Жучков, Косогоров, Малкина

МПК: H01L 21/58

Метки: подложкой, полупроводниковой, соединения, стекла, электростатического

1. СПОСОБ ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКОГО СОЕДИНЕНИЯ СТЕКЛА С ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКОЙ, на которой сформирована интегральная схема, заключающийся в контактировании обработанных не ниже 12-го класса чистоты поверхностей, нагревании их до температуры, ниже точки плавления стекла, но достаточной для придания ему электропроводности, при которой удельное объемное сопротивление стекла равно 77 - 83 МОм / см, подача электрического напряжения из интервала 0,2 - 2 кВ на контактируемые элементы при этой температуре в течение 20 - 25 мин и охлаждении, отличающийся тем, что, с целью повышения прочности и герметичности, при охлаждении продолжают подачу напряжения до тех пор, пока удельное объемное сопротивление стекла станет равным 110 - 125 МОм / см.2....

Номер патента: 1031378

Опубликовано: 20.01.1996

Автор: Скорняков

МПК: H01L 29/76

Метки: полупроводниковый, прибор

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, содержащий p-n-переходы и управляющую МДП-систему, отличающийся тем, что, с целью получения низковольтных программируемых напряжений, p-n-переходы выполнены в виде переходов с туннельным механизмом пробоя.

Номер патента: 1547611

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков

МПК: H01L 21/28

Метки: больших, интегральных, межсоединений, многоуровневых, схем, формирования

1. СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ БОЛЬШИХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий создание первого уровня межсоединений, нанесение межуровневого изолирующего покрытия и вскрытие в нем межуровневых контактных окон, нанесение второго уровня межсоединений, состоящего из слоев титана-вольфрама и алюминия, легированного кремнием, фотолитографическую обработку по второму уровню межсоединений с последовательным травлением алюминия и титана-вольфрама, формирование последующих уровней межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений, перед нанесением второго и последующих уровней межсоединений проводят обработку поверхности ионным или ионно-химическим травлением или травлением в...

Номер патента: 1493023

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Варданян, Мартиросян

МПК: H01L 21/66

Метки: заряда, носителей, параметров, полупроводниках

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ, основанный на измерении тока через образец, имеющий выпрямляющий контакт при отсутствии и при наличии воздействия на образец магнитным полем, вектор индукции которого параллелен поверхности образца, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения Холловской подвижности, дрейфовой подвижности и времени жизни неосновных носителей заряда, образец освещают монохроматическим светом в длинноволновой области спектральной чувствительности, изменяют длину волны света и определяют зависимости коэффициента поглощения и фототока от длины волны света при наличии и отсутствии воздействия на образец магнитным полем, строят графики зависимостей обратного фототока от обратного...

Номер патента: 1616439

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Боднар, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/306

Метки: интегральных, межсоединений, многоуровневых, создания, схем

СПОСОБ СОЗДАНИЯ МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ, включающий формирование топологии первого уровня межсоединений, нанесение первого кислородсодержащего диэлектрического покрытия, нанесение органического планаризующего слоя, травление органического и диэлектрического слоев, удаление остаточного органического слоя, нанесение второго диэлектрического изолирующего покрытия, вскрытие межуровневых контактов и формирование вышележащего уровня межсоединений, отличающийся тем, что, с целью повышения качества и надежности многоуровневых межсоединений за счет повышения степени планаризации, снижения разнотолщинности диэлектрического покрытия на шинах межсоединений с различной шириной, травление органического и первого диэлектрического...

Номер патента: 1385945

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Акимов, Таран

МПК: H01L 23/52

Метки: интегральная, схема

1. ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА, включающая кремниевую подложку со сформированными в ней активными и пассивными элементами, металлическую разводку, контактные площадки или металлические шины и элементы защиты контактных площадок от коррозии, отличающаяся тем, что, с целью повышения выхода годных схем путем повышения надежности защиты контактных площадок от коррозии, элемент защиты контатных площадок от коррозии выполнен в виде металлического кольца шириной h, охватывающего контактные площадки или металлические шины по периметру интегральной схемы и соединенного с i - й контактной площадкой или шиной, имеющей омическое сопротивление Ri с кремниевой подложкой, причем h и Ri выбраны из соотношений

Номер патента: 574063

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Беднова, Русинов

МПК: H01L 21/469

Метки: защитного, покрытия, полупроводниковых, приборов, состав

СОСТАВ ДЛЯ ЗАЩИТНОГО ПОКРЫТИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ, содержащий оксиды свинца, бора и цинка, отличающийся тем, что, с целью улучшения механических и теплофизических характеристик покрытия, он дополнительно содержит мелкодисперсный синтетический алмаз при следующем соотношении компонентов, мас.%:Оксид бора - 13 - 16Оксид цинка - 4 - 5Мелкодисперсный синтетический алмаз - 15 - 20Оксид свинца - Остальное

Номер патента: 1517663

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Бунин, Малахов, Сутырин, Федорова, Хриткин

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: структур, субмикронных

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СУБМИКРОННЫХ СТРУКТУР, включающий формирование резистивной маски путем нанесения на подложку слоя резиста, его электронно-лучевого экспонирования и жидкостного проявления, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме и реактивное ионно-лучевое травление подложки под углом к обрабатываемой поверхности, отличающийся тем, что, с целью повышения точности изготовления структур, удаление недопроявленных остатков резиста в кислородной плазме осуществляют путем реактивного ионно-лучевого травления под углом к обрабатываемой поверхности, равным углу при последующем реактивном ионно-лучевом травлении подложки.

Номер патента: 1577555

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Алейникова, Николенков, Сутырин, Хриткин

МПК: G03F 1/00, G03F 7/26, H01L 21/312 ...

Метки: хромовых, шаблонов

СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ХРОМОВЫХ ШАБЛОНОВ, включающий создание на поверхности заготовки шаблона защитной маски и реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома, отличающийся тем, что, с целью улучшения оптических свойств шаблонов, реактивное ионно-лучевое травление пленки хрома проводят на 80 - 90% ее толщины, затем проводят ионно-лучевое травление в атмосфере инертного газа в течение времени t, удовлетворяющего соотношению t=(0,1-0,2) мин, где - время реактивного ионного травления пленки хрома на всю толщину, после чего осуществляют...

Номер патента: 1788871

Опубликовано: 20.01.1996

Авторы: Абрамов, Дерягин, Долганов, Третьяков

МПК: H01L 21/208

Метки: наращивания, подложках, слоев, эпитаксиального

...1, подложку и раствор-расплав некоторое время (обычно несколько минут) выдерживают в .контакте.Затем подложку с раствором-расплавом при помощи узла для ее закрепления, соединенного с молибденовым штоком, который приводится в движение электродвигателем, перемещают по поверхности нижней пластины графитового корпуса на заданное расстояние, обеспечивая тем самым эпитаксиальный рост в заданном температурном интервале.В качестве материала для изготовления предлагаемого устройства используют графит, При реализации способа нет необходимости удалять раствор-расплав с подложки.Управление толщиной выраженных слоев производят, варьируя толщину раствора- расплава над поверхностью подложки 9 путем изменения величины зазора между параллельными...

Номер патента: 1662294

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Алейникова, Белых, Малахов, Сутырин

МПК: H01L 21/308

Метки: пассивации, полупроводниковых, примесных, структурах, центров

...5 10 15 20 25 30 35 Использование алюминиевого слоя способствует устранению распыления и образования нарушен ного слоя полупроводниковой структуры, а также приводит к повышению плазмостойкости резистов, что очень важно при формировании субмикронной топологии в процессе пассивации примесных центров в субмикронных областях.П р и м е р. При изготовлении структур полевых транзисторов на арсениде галлия, согласно изобретению, необходимо было пассивировать электрически активные центры в эпитаксиальном слое на глубине 0,1 мкм, На пластине арсенида галлия с зпитаксиальным слоем 0,15 мкм с концентрацией и 1,2 10 см создали рисунок методом + . 1 В 1электронолитографии на установке ЕВА. Размер подзатворной области 0,8 мкм. В качестве маски...

Номер патента: 1565302

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Бунин, Иноземцев, Кораблин, Малахов, Самохин, Серова

МПК: G03F 7/26, H01L 21/312

Метки: подложке, полупроводниковой, рельефа

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЛЬЕФА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ, включающий последовательное нанесение на подложку слоев электронорезисторов с термообработкой каждого слоя, формирование многослойной маски путем экспонирования и проявления системы слоев и перенос рисунка маски в подложку путем химического травления подложки в окнах маски, отличающийся тем, что, с целью повышения точности получения точности элементов рельефа, нанесение на подложку первого слоя электронорезиста осуществляют из раствора сополимеров полиметилметакрилата и метакриловой кислоты в смеси бутилацетата, толуола и этилцеллозольва, причем данный слой наносят толщиной 0,01 - 0,1 мкм, а его термообработку проводят при 210 - 220oС.

Номер патента: 1567030

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Богушевич, Николенков, Самохин, Сутырин, Хриткин

МПК: H01L 21/312

Метки: арсенида, галлия, литографии, метка, подложке, совмещения, электронной

МЕТКА СОВМЕЩЕНИЯ НА ПОДЛОЖКЕ ИЗ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ДЛЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ЛИТОГРАФИИ, выполненная в виде углубления в подложке, имеющего плоское дно, и выступов, расположенных на дне углубления, отличающаяся тем, что, с целью повышения точности совмещения, поперечное сечение выступов имеет треугольную форму.

Номер патента: 751256

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Чуйко, Якубинская

МПК: B04B 5/00, H01L 21/00

Метки: нанесения, пленок, тонких

СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК, например пленок фоторезиста на подложки, включающий нанесение на подложку раствора фоторезиста, центрифугирование подложки, отличающийся тем, что, с целью повышения качества нанесения на подложку раствора фоторезиста, край стороны подложки, на которую наносят раствор, скругляют по всему периметру.

Номер патента: 818388

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Крикунов, Никитенко, Чуладо

МПК: H01L 23/34

Метки: охлаждения

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОХЛАЖДЕНИЯ преимущественно полупроводниковых приборов, применяемых в взрывобезопасном электрооборудовании, содержащее корпус, на основании которого через электроизоляционную прокладку размещен радиатор с установленным на нем полупроводниковым прибором, при этом часть корпуса заполнена эпоксидным компаундом, отличающееся тем, что, с целью повышения надежности, на верхней поверхности радиатора установлена снабженная буртом с отверстием под полупроводниковый прибор компенсирующая прокладка, пространство ниже которой заполнено незатвердевающим компаундом, а пространство выше - затвердевающим компаундом.

Номер патента: 1581142

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Боднар, Кастрюлев, Корольков, Толубаев

МПК: H01L 21/82

Метки: барьера, высоту, диодами, имеющими, интегральных, потенциального, различную, схем, шоттки

1. СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ С ДИОДАМИ ШОТТКИ, ИМЕЮЩИМИ РАЗЛИЧНУЮ ВЫСОТУ ПОТЕНЦИАЛЬНОГО БАРЬЕРА, включающий создание в полупроводниковой подложке активных и пассивных элементов интегральной схемы, маскированных диэлектрической пленкой, вскрытие в ней окон к невыпрямляющим контактам и высокобарьерным диодам Шоттки, формирование на поверхности подложки во вскрытых окнах силицида платины, формирование фоторезистивной маски с окнами под низкобарьерные диоды Шоттки, вскрытие в окнах фоторезистивной маски поверхности полупроводниковой подложки, удаление фоторезистивной маски, нанесение барьерной и токопроводящей пленок и фотолитографию по ним для создания рисунка разводки, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности...

Номер патента: 1292605

Опубликовано: 27.01.1996

Авторы: Гусев, Захваткина, Космодемьянская, Яковлева

МПК: H01L 21/306

Метки: диэлектрика, поверхности, состав

СОСТАВ ДЛЯ ОЧИСТКИ ПОВЕРХНОСТИ ДИЭЛЕКТРИКА, содержащий поверхностно-активное вещество, производное фосфорной кислоты и воду, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности очистки ситалловых пластин, в качестве поверхностно-активного вещества применен алкилсульфонат натрия, в качестве производного фосфорной кислоты - гексаметафосфат натрия и дополнительно введена ортофосфорная кислота при следующем соотношении компонентов, мас.%:Алкилсульфонат натрия - 0,002 - 0,04Гексаметафосфат натрия - 0,025 - 0,15Ортофосфорная кислота - 0,05 - 0,10Вода - До 100

Номер патента: 1268015

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Гладыщук, Грибковский, Гурский, Паращук, Пендюр, Таленский, Яблонский

МПК: H01L 21/66

Метки: кристаллических, кристаллографической, неоднородности, образцов, полупроводниковых

1. СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОГРАФИЧЕСКОЙ НЕОДНОРОДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ, основанный на возбуждении и регистрации стримерных разрядов в образце, отличающийся тем, что, с целью обеспечения определения кристаллографической неоднородности тонких (тоньше 0,1 мм) пластин сульфида кадмия, повышения экспрессности и достоверности, возбуждение стримерных разрядов в образце производят периодическими импульсами напряжения, имеющими амплитуду 2 - 5 кВ, отрицательной полярности с крутизной фронта импульса электрического поля не менее 1016 В/см с, перемещают точку приложения импульсов напряжения по поверхности образца, а о наличии...

Номер патента: 1676395

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Астахов, Коноплев, Фомичев

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральный, логический, элемент

ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ, содержащий четыре входные и две выходные шины, шину питания, общую шину и три шины опорных напряжений, три резистора, диод и десять биполярных n - p - n - транзисторов, причем входные шины соединены с базами первого, второго, пятого и шестого транзисторов, две выходные шины соединены с анодом и катодом диода, общая шина соединена с первым выводом первого резистора и коллекторами четвертого, восьмого и девятого транзисторов, шина питания соединена с первыми выводами второго и третьего резисторов, первая шина опорного напряжения соединена с базами третьего и десятого транзисторов, вторая шина опорного напряжения соединена с базой седьмого транзистора, третья шина опорного напряжения соединена с базами...

Номер патента: 1774795

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Бородин, Кондратьев

МПК: H01L 29/772

Метки: мдп-транзистор

МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий подложку первого типа проводимости, области истока и стока второго типа проводимости, причем область стока выполнена составной в виде n+ - n-перехода и затвор, отличающийся тем, что, с целью расширения области рабочих температур транзистора до гелиевых, в области пространственного заряда стока создан градиент a примеси в направлении от истока к стоку, величина которого удовлетворяет условию a < 0,4 мкм-1 ng, где Ng - концентрация примеси в n(p) области стока.

Номер патента: 1828723

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Логинов, Лопатина, Фролов

МПК: H01L 29/78

Метки: высоковольтный, мдп-транзистор

1. ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ МДП-ТРАНЗИСТОР, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, сильнолегированные области истока и стока второго типа проводимости, диэлектрик затвора, затвор, электроды истока и стока, первую слаболегированную область второго типа проводимости, сформированную в подложке под краем затвора с стороны стока, вторую дрейфовую область второго типа проводимости с промежуточной концентрацией примеси по отношению к первой дрейфовой области и к стоку и расположенную между первой дрейфовой областью и стоком, и полевую плату, расположенную над дрейфовыми областями, покрытыми толстым диэлектриком и соединенную с истоком и затвором, отличающийся тем, что, с целью повышения пробивного напряжения стока и стабильности...

Номер патента: 1829809

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Авилов, Кретова, Федорова, Шелимова

МПК: H01L 35/16

Метки: ветви, материал, положительной, термоэлектрический, термоэлемента

...лантана и теллуридом свинца (упрочняющая добавка) с целью достижения оптимального сочетания прочности с пластичностью,П р и м е р 4, Материал состава 99,0 мол.0 беТе, 0,5 мол,01 аТе, 0,5 мол.0 РЬТе (нижний предел) готовят и испытывают по примеру 1, Для этого сплава характерно существенное возрастание предела прочности на сжатие в интервале температур 300 - 570 К при сохранении такой же пластичности, как и в сплаве, легированном только монотеллуридом лантана(см. табл.2). При 670 К предел прочности сохраняет значение, присущее сплаву бео,995 ао,оо 5 Те. При меньшем содержании РЬТе поставленная цель не достигается, заметного изменения предела прочности и епри введении РЬТе 0,5 мол,не происходит.П р и м е р 5, Материал состава 97,0...

Номер патента: 1829810

Опубликовано: 10.02.1996

Автор: Нарыкин

МПК: H01L 39/00

Метки: болометр, криогенный

...ВоЯ; - 1 ф оВ(3) где Й 1 - сопротивление нагрузочного резистора в электрической цепи болометра, и по ней определяют величину оя.Восприимчивость болометра к поглощенной мощности излучения характеризует вольт-вэттная чувствительность 3, которая с учетом (2) и (3) Можно видеть, что чувствительность болометра при фиксированных параметрах 6, Тб, Т а, и В определяется величиной отношения О,/сто, Настоящее изобретение направлено на увеличение величины этого отношения. Зависимость изменения температурыо от вызвавшей ее мощности О С учетом изменения при этом рассеиваемой на сопротивлении Й электрической мощности Р определяет величина, обозначаемая как динамическая тепловая проводимость болометра 6 е ЧС= - =С-а РГ е сыч (5) где 6 о - динамическая...

Номер патента: 646705

Опубликовано: 10.02.1996

Авторы: Жидков, Лизин, Романова

МПК: H01L 21/223

Метки: диффузии, окисления, подложек

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ДИФФУЗИИ И ОКИСЛЕНИЯ ПОДЛОЖЕК, содержащее реактор с нагревателями, соединенный с системой ввода газа-реагента и инертного газа, отличающееся тем, что, с целью повышения равномерности глубины диффузии по подложке, реактор выполнен в виде двух коаксиальных труб, входы которых соединены соответственно с системами подачи инертного газа и газа-реагента, а выходные отверстия соединены между собой, причем на цилиндрической образующей внутренней трубы выполнены отверстия для подвода газа-реагента.