H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 642804

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Рагульскене, Рагульскис, Улозас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибродвигатель

...концом,и устрояство крепления претерпеваетусилия, которые и.снижают надежностьюдвигателя.Известен также вибродвигатель, содержащий генератор высокочастотногонапряжения, корпус, пьезокерамическийпреобразователь и ротор 12) . ибродвигатель, содержа- электрических колебаний 1 электрический преобраторый выполнен из пьезопластин, образующихвзаимодействующих вершим, а электроды каждой 1 дсоединены к трехфазру электрических коле. Б К"."УйозасВ);:3642804 Формула изобретения Составитель В. ВаверРедактор Л. Батанова Техред М.Борисова Корректор Т.Вашко акаэ 7772/5 ЦНИИПТираж ИД, Подписноеосударственного комитета СССРдо делам изобретений и октрытий13035, Москва, Ж, Раушская наб., д. 4 лиал ППП Патент, г. Ужгород, ул. Проектная, 4 преобразователя 5,...

Номер патента: 642848

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Вепринский, Колпаков, Мещеряков, Читова

МПК: H01L 41/047, H03H 9/15

Метки: пьезоэлектрический, регулируемой, резонатор, частотой

...течет ток, взаимодействующий с полем постоянного магнита 3. Благодаря появлению ме.ханических напряжений в пьезоэлементе 1 5 вследствие этого взаимодействия частота ре.зонатора изменяется.Выполнение проводника 2 из немагнит.ного материала обеспечивает отсутствие искажений магнитного поля.2 ц Однородное магнитное поле в устройствесоздается постоянным магнитом с высокой коэрцитивной силой, например, из сплава .ЬСОа, Резонатор в магнитном поле расположен так, что силовые линии магнит642848 Формула изобретения 3ного поля проходят параллельно плоскости пленочного проводника и перпендикулярно его оси. Такое расположение резонатора в магнитном поле дает возможность получить относительное изменение частоты резонатора до десятых долей...

Номер патента: 602055

Опубликовано: 15.01.1979

Авторы: Кокив, Кремлев, Назарьян

МПК: H01L 27/00

Метки: интегральный, логический, элемент

...носителями заряда. Эти носители заряда коллектируются затворнымиобластями 6 и 7.В зависимости от напряжения на входах1 и 11 логический элемент может находитьОся в одном из следующих состояций.Если на обоих входах приложено низкоенапряжение, близкое к потенциалу земли",то коллектировднные переходами областей6 и 7 носители заряда стекают на "землю,При этом электрод "выход не имеет гальванической связи с электродом "земля", иесли гальванический элемент нагружен цааналогичный, то на выходе области 5 будает высокое напряжение, равное напряжени 1 о 5 Ооптирования перехода между областями б,7 и подложкой. Нарушение упомянутой гальваническойсвязи происходит вследствие перекрытияучастка подложки, расположенного междуэлектродами...

Номер патента: 348132

Опубликовано: 25.01.1979

Авторы: Александров, Клименко, Ржанов

МПК: H01L 21/18

Метки: инородным, кремния, монокристаллических, пластин, подложкам, присоединения

...пластиной и подложкой промежуточного слоя из мате- . ЗО риала, имеющего меньшую температуруплавления,.чем температура плавленияматериала пластины, и способного об- .разовывать.с материалом пластины непрерывную систему равновесных твердыхрастворов. В результате прочно соеди-няются подложка с промежуточным слоемпри расплавлении последнего, а такжепромежуточный слой с монокристаллической пластиной при температурах, прикоторых материал пластины еще относительно мало химически активен. Примером реализации предлагаемого способа может служить присоединение пластины кремния к подложке из муллитовой керамики посредством промежуточного слоя из германия. На пластину кремния наносят слой германия, сверху накладывают плоскую керамическую подложку и...

Номер патента: 519102

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Ержанов, Кремлев, Лебедев

МПК: H01L 27/00

Метки: инвертор, интегральный

...р - и - р-транзистора (фиг. 1) подключается к положительному полюсу источника тока питания, базовая область 2 заземляется, Заземляется и отрицательный полюс источника тока питания. Электрод б (вход инвертора) подключается к источнику входного сигнала, электрод 7 (выход инвертора) - ,к цепи нагрузки. Обозначим логическим 0 состояние замыкания данного электрода на землю (низкий положительный потенциал 0 - 0,1 В), логической 1 - состояние отсутствия замыкания данного электрода на землю (высокий положительный потенциал, равный прямому падению напряжения на р - л-переходе, т. е.0,5 - 0,7 В для кремниевого прибора).При подаче сигнала логического 0 на электрод б (вход прибора) на затворной области 3 вертикального переключательного...

Номер патента: 529701

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Ержанов, Кокин, Кремлев, Любимов, Манжа

МПК: H01L 27/04

Метки: интегральный, транзистор

...2 часток .э может оыть открыт или за529701 г з перт расширившимся слоем объемного заряда р - и-перехода подложка 1 - коллекторная область 2.Интегральный транзистор в качестве инвертирующего работает следующим об разом.Подложку 1 и эмиттерную область 4 заземляют; коллекторную область 2 через нагрузочный резистор подключают к источнику питания. При высоком положи тельном напряжении на коллекторной области транзистора соединительный участок Б заперт слоем объемного заряда р - п-перехода подложка 1 - коллекторная область 2. Базовая область 3 не соединяет ся с подложкой 1 транзистора; весь ток является его базовым током.Предлагаемый интегральный транзистор работает так же, как и его аналоги.При понижении напряжения на коллек О торной...

Номер патента: 602056

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Кокин, Кремлев, Лубашевский, Назарьян

МПК: H01L 27/00

Метки: инвертор, интегральный

...транзисторы имеют каналы 9 и 10 соответственно. 5Инвертор работает следующим образом. К электроду б прикладывается положительное напряжение, величина которого может составлять несколько десятков долей вольта. При этом если электрод б заземлен, то ток источника питания (на чертеже не показан) протекает через сток нагрузочного полевого транзистора к электроду 8. В этом режиме затвор переключательного транзистора находится под потенциалом, 15 равным потенциалу земли и, следовательно, канал 10 переключательного транзистор а перекрыт слоем объемного заряда, При этом переключательный транзистор закрыт для токов по цепи исток 2 - сток 3, 20 Если на электроде б имеется положительный потенциал (или электрод б оборван), то ток...

Номер патента: 549053

Опубликовано: 30.01.1979

Авторы: Бронштейн, Кистова, Коробов, Лукичева, Маслов, Мясоедов, Синицын, Сокуренко, Юрова

МПК: H01L 29/84

Метки: давления, датчик, полупроводниковый

...диаметром 50 - 70 мкм. Размеры полупроводникового элемента составляют 7 Х ХО,ЗХО,З ммз, а начальное сопротивление датчика около 1 кОм.Чувствительный элемент датчика изготавливался одним из известных способов. В качестве донорной примеси были использованы элементы И группы Периодической системы элементов, в частности селен и теллур. Чувствительность к давлению периодической структуры определяется величинами коэффициентов чувствительности каждого слоя 2 и 3 и соотношением их толщин и проводимостей согласно следующей формуле 5, + 5,А -+ 5,5 ЛР+ 5,5.,А - М9 1+А - + 5,ЬР+ 5 А -ЬР ) ) где 51 - чувствительность слоя состава х,5, - чувствительность слоя состава,х+Лх,А - отношение проводимостей слоев,Иц 1 - толщины слоев.Коэффициент...

Номер патента: 555770

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Кандыба, Колесников, Комаровский, Лапир, Лихарев, Рыжков, Ястребов

МПК: H01L 39/22

Метки: криотрона, момостикового

...которого определяет длину перемычки. Затем поверх полученной структуры наносят вторую сверхпроводяшую пленку толщины, меньшей чем первая, обеспечи- вая ее разрыв на краях 11 (фиг. 4) участка 4 вентиля (осаждением из направленного потока пара испаряемого материала в высоком вакууме).Из второй сверхпроводяшей пленки формируют участок 3 вентиля и управляющую шину 7. В результате образуются участки сверхпроводяшей пленки вентиля, разделенные зазором, равным толшине изолируюшего слоя 10 и соединенные перемычкой 5 пленки 9 с необходимыми для создания слабой связи размерами, а управляюгцая шинаточно совмещена с перемычкой и краем отверстия, несмотря на возможные отклонения при формировании ее конфигурации в плане (фиг, 4).Для формирования...

Номер патента: 646385

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Райнхард, Франк, Хельга

МПК: H01L 21/00

Метки: объектов, перемещения

...зажимов; б - при односторонном закреплении; иа фиг. 6 - варианты устройства при параллельном соединении 20 наборов упругих пластин: а - при двустороннем закреплении зажимов; б - при односторонном закреплении.Устройство для перемещениясодержит пьезоэлектрический энем643полнепцый в виде набора пл.стинок 1, зажимы 2, пружины 3, соединяющие зажимы скорпусом 4.Элемент 5 соединяет пластинки с перемегцаемым объектом. Два наружных электрода 6 и средний электрод 7 соединяютпьезоэлектрический элемент с токоподводом 8. При подаче электрического напряжения упругие пластинки пьезоэлектрическогоэлемента прогибаются в зависимости от. полярности вверх или вниз, причем возможноеперекашивание зажимов компенсируется упругим прогибом...

Номер патента: 646386

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Мякинченко, Цой

МПК: H01L 21/00

Метки: загрузки, кассету

...с рабочим органом О,на котором выполнены каналыдля загрузки деталей. Рабочий орган О снабжен пру.жинами 2, электромагнитом 3 вибропривода, направляющими пальцами 4 и опор.ными пластинками 5.Устройство установлено на основании 16.Работает устройство следуюшим обра.пм,В нижнем положении платформыв пазы б2 11 одпненое ул Проектная, 4 опорно-направляющих лаги 2 вдвигают кассету 7. 1 латформу перемещают в сторону сближения с рабочим органом О, кассета 7 входит в контакт с направляю 1 цими пальцами 14, а упоры 9 - с опорными планками 15. При этом пружины 3 дополнительно сжимаются, и опорно-направляющие лапки 2 отходят от опорных винтов 4. Включают магниты 13 вибропривода. Рабочий орган О получает вибрацию, направление которой...

Номер патента: 646387

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Вотинов, Мякинченко, Сачков, Штейн

МПК: H01L 21/00

Метки: групповой, загрузки, фланцем

...При этом выполненные в гнездах этого ряда опорные поверхности под фланец детали расположены в плоскости горизонтальной грани следующей ступени, а высота каждой ступени превышает высоту фланца летали.На фнг. 1 показан трафарет с ориентированными деталями, разрез; на фиг. 2 . - тр. фарет в изометрии.646.Э 7 Фиг, / ж г.г Составитель АТехред О. ЛупТираж 922 Каменнхнная Корректор ВПодписноеета СССРоткрытийя наб., д. 4/бул. Проектная, 4 Редактор Т. ОрловскаяЗаказ 122/42 уприяно ПНИИПИ Госудпо деламП ЗОЗгт, МоскваФилиал Г 1 ПП Пат рственного комит изобретений и Ж-З 5, Рауозска ент, г.,УжгородУстройство содержит трафарет 1, пред.ставляющий собой вибролоток со ступенями 2, на каждой из которых последовательно расположен ряд гнезд 3 для...

Номер патента: 646388

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Вотинов, Мякинченко, Штейн

МПК: H01L 21/00

Метки: вибрационной, деталями, загрузки, кассет, стержневыми

...колебаний с механизма загрузки возможны заклинивания деталейЦель изобретения - повышение надежности процесса загрузки - достигается тем, что при вибрационной загрузке кассет стержневыми деталями, например выводами полупроводниковых приборов известным способом, включающим возбуждение рабочих колебаний на механизме нагрузки, посЛе возбуждения рабочих колебаний в течение 1 - 3 сек возбуждают колебания, амплитуда которых составляет 0,2 - 0,3 амплитуды рабочих колебаний.Загрузка деталей происходит при не. прерывном возбуждении в течение рабочего цикла рабочих колебаний амплитуды А. Иосле этого на механизме загрузки возбуждают колебания амплитуды А = (0,2 - 0,3) А в течение- 3 сек.Способ позволяет повысить надежность процесса загрузки...

Номер патента: 646389

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Гимельфарб, Коробов, Лупачева, Маслов

МПК: H01L 21/36

Метки: градиентом, монокристаллов, наращивания, полупроводниковых, состава, эпитаксиального

...вдвух направлениях; собственно варизонныйэпитаксиальный слой 8,Таким образом,роцесс наращивания варизонного слоя складывается из трех этапов: наращивание в течение времени т, буферного слоя (фиг, 1, а); наращивание пере.ходцого слоя в течение временит переходного слоя переменного состава в двух направлениях из перемещающегося составного источника переменного состава (фиг. 1, а );наращивание собственно варизоцного слояв течение времени тв из неподвижного источника переменного состава (фиг. 1, б).Согласно предлагаемому способу выращивацце эпитаксиальной структуры с градиентом состава в плоскости роста эпитаксиального слоя производят при использовании твердого источника с градиентом состава по поверхности, скомпонованного в графитовом...

Номер патента: 646390

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Белов, Махаев, Назаров, Семенов

МПК: H01L 23/12

Метки: спутник-носитель, транзисторов

...загрузке, и фикси.рующей частью стенок. Для того чтобыкорпус прибора находился в этой зоне в свободном состоянии, необходимо соблюдениеследующих условий. Расстояние Ь от началарасхождения стенок до плоскости расположения выволов (начало замыкания зоныфиксирующей частью стенок) больше илиравно К радиуса корпуса прибора (в противном случае плоскость расположения выводов не позволяет корпусу прибора пройтив свободную зону), но меньше или равно К(в противном случае корпус прибора не будет зафиксирован в корпусе самого спутника).На фиг, 1 изображен общий вид спутника-носителя; на фиг. 2 - вид А, с загруженным прибором; на фиг. 3 и 4 - спутник.носитель с транзистором; на фиг, 5 -сечение спутника по оси симметрии со схемой загрузки...

Номер патента: 646391

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Кремлев, Лавров, Назарьян

МПК: H01L 29/812

Метки: полевой, транзистор

...проводимости таким, образом, что ее проекцйя полностью перекрывает контакт стоковой области г. подложке.На чертеже изображен полевой транзистор, имеющий область истока 1, омический контакт 2 области стока, затворные области 3, дополнительную область 4 противоположного истоку типа проводимости и область канала 5.В предложенной конструкции область канала 5 перекрывается слоем объемного заряда затвор-исток перехода, выполненного в виде диода Шоттки, когда на затворе имеет место отрицательный или нулевой (по отношению к области ) потенциал, Когда646391 3в области 3 приложен продолжительный потенциал, то область объемного заряда уменьшается и между истоком 1 и стоком 2 имеет место гальваническая связь,Уменьшение длины канала в предложенном...

Номер патента: 646392

Опубликовано: 05.02.1979

Автор: Ерофеев

МПК: H01L 41/00

Метки: выходным, напряжением, преобразователе, пьезополупроводниковом

...изменяется выходное напряжение ПЭТ и нагрузки (фиг, 2), При этом в случае неизменной нагрузки Й = = й= соп 51 рабочая точка О перемешается из точки 0 в точку 0 или 0. При действии сильных возмущений со стороны нагрузки (ее изменении в широких пределах) рабочая точка О, при неизменном напряжении сети 1)с = 1)с = сола(, перемещается из точки 0 в точку О или О. При этом, как и в первом случае, возможны значительные изменения выходного напряжения Ыих и определенные изменения резонансной частоты ПЭТ 1 ь (фиг. 2, 3). Введение инвариантной связи по управлению позволяет стабилизировать выходное напряжение 1)выл, что базируется на ,свойстве ПЭТ изменять параметры 1.3 вых (1 р, А,) под действйем 1) (фиг, 3), При этом, в случае изменения...

Номер патента: 646394

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Буда, Желяускас

МПК: H01L 41/09, H02N 2/14

Метки: вибродвигателем, пьезоэлектрическим

...5.Экспериментальные исследования показывают, что при работе пьезокерамического 15 преобразователя с частотой 56 кгц частотакоммутации достигает 12 кгц, причем переходные колебания преобразователя при прерывании цепи. питания составляют около двух периодов. формула изобретения Устройство для управления пьезокерам ическим вибродвигателем, содержащее трансформатор положительной обратной связи, фазовращатель с ограничителем, подключенный к усилителю мощности, и согласующий трансформатор, сопряженный с пьезокерамическим преобразователем, отличаюи 1 ееея тем, что, с целью повышения быс- ЗО тродействия управления в шаговом режимеработы и упрощения электрической схемы, в него введены блок управления, транзистор, диодный мост,...

Номер патента: 646395

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Буда, Рагульскис

МПК: H01L 41/09, H02N 2/12

Метки: вибропроивод, синхронный

...схему 2 со сдвигом фаэ 120 к обкладкам 3 кольце- образного пьезокерамического преобразователя 4 в нем возбуждаются три периода бс;ущих волн деформации, создающих синхронные бегущие волны.в упругой втулке 5, При подаче переменного напряжения с источника 7 через, например, скользящие токосъемники (не показаны) к обкладкам пье. зокерамического ротора он совершает радиальные колебания с частотой, отличной от частоты колебаний пьезокерамического преобразователя 4. Это обеспечивается блоком управления 8, которьгй задает частоту колебаний. Прн радиальных колебаниях вершины изогнутых зубьев ротора 6 синфазно взаимодействуют с бегущими волнами деформации упругой втулки 5 и обуславливают его вращение.Установившееся движение ротора б на. ступает...

Номер патента: 646422

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Вилен, Ефремов, Молотков, Поляков, Романова, Шин

МПК: H01L 41/053, H03K 9/04

Метки: кварцевый, резонатор

...прочности и устойчивости частоты резонатора.Это достигается тем, что токопроводящие отводы выполнены в виде пружин 5 с удлиненной дополнительно изогнутойсвободной частью, упруго опирающейсяна внутреннюю поверхность баллона.На чертеже изображен предлагаемыйкварцевый резонатор, Он состоит изопорного диска 1, к штырькам 2 которого приварены упругие отводы 3, верлние концы 4 которых упруго опираютсяна внутреннюю поверхность баллона 5, 15,Иля упрочнения конструкции на отводах выполнен изгиб 6 по профилю торцапьезоэлемента 7 для возможности крепления пьезоэлемента при помощи пайка,сварки или клея.20Сущность изобретения заключаетсяв том, что дополнительный контакт отвода с поверхностью баллона увеличавает жесткость системы...

Номер патента: 608376

Опубликовано: 05.02.1979

Авторы: Бочкарев, Воронин, Дроздов, Коробов, Маслов, Нечаев

МПК: H01L 21/20

Метки: наращивания, полупроводниковых, эпитаксиального

...направлении расстояние между соседними окнами остается неизменным и составляет величину 10 мкм. Таким образом доля плошадей участков, не покрытых защитной пленкой, изменяется от 26 О/о для края, где расстояние между двумя ближайшими окнами составляет 10 мкм, до 15 О/, у противоположного края,Предложенное устройство твердого источника было применено для получения эпитаксиального слоя арсенида галлия с релье фом поверхности в виде клина.Подготовленный источник и подложку закрепляют на держателях так, чтобы поверхность источника с окнами была обращена к подложке из арсенида галлия и их поверхности были плоско-параллельны и отстояли друг от друга на расстоянии 500 мкм. Держатели с источником и подложкой помешают в реактор и нагревают...

Номер патента: 647769

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Белогуров, Кобяков, Кузьмина, Лазаревская, Лобачев, Падо, Пустовойт, Токарев, Шладин

МПК: H01L 41/00

Метки: пьезоэлектрический, элемент

...таких пъезоэлектрических элементов являются сильнаятемпературная зависимость коэффициентов электромеханической связи,возникновение проводимости в областивысоких температур, наличие фазовыхпревращений, разрушение материала,старение сегнетоэлектрических керамнк и т.д.Наиболее близким по техническойсущности к предлагаемому изобретениюявляется пъезоэлектрический элемент,выполненный из материала, устойчивого к разрушению при нагревании и резких перепадах температур, к которомуотносится, например, ниобат лития 21Высокая температура фазового перехода (Т " 1500 К) и удовлетворительЦель достигается тем, что предламый пъезоэлектрический элемент"оставитель Е. АртамоноваТеред Л. АлФерова Корректор Л. Небола Редактор Л. Батанова Заказ 327/4...

Номер патента: 599683

Опубликовано: 15.02.1979

Авторы: Демченко, Козлюк, Котырло, Лобунец, Сапожников, Чаус

МПК: H01L 35/32

Метки: батарея, термоэлектрическая

...коэффициент полезного действия таких батарей сравнительно низок, так как невозможно использовать жидкий теплоиоситель.Цель е фициента с ис зовання о Батарея содержит ветви 1 р-типа и аетви 2 п-тнпа, соединенные коммутационными пластинами 3 горячих спаев и коммутацион. ньгми пластинами 4 холодных спаев и разделенные диэлектрическими прокладками 5 с отверстиями 6, промежуточный проводник 7 (медные трубки), канал 8 для циркуляции жидкости, охлаждающей горячие спаи.Термобатарея работает следующим образом.При работе батареи ток протекает по цепи из последовательно соединенных ветвей р- и и-тнпа. Прн этом в ветвях выделяется тепло Джоуля, которое приводит к образованию максимума температуры тра расстоянии 0,26 - 0,6 длины ветви от горячего...

Номер патента: 649065

Опубликовано: 25.02.1979

Авторы: Гриценко, Кашурников

МПК: H01L 21/00

Метки: микросхем, монтажа

...с верхними плечами Г-образных рычагов 19 и 44, установленных на диске 1 с воэможностью поворота относительно осей 29 и 42 (см.Фиг. 2),Нижние плечи рычагов 44 и 19 черезпальцы 22 и 40 входят в зацеплениес вилками 21 и 41 рычагов 23 и 36,закрепленных на плите 2 с возможностью поворота относительно осей 24и 38. Пружиной 25 (см. Фиг. 1) рычаг 23 прижимается к установленномуна валу управления 26 кулачку 27,управляющему горизонтальным перемещением сварочных инструментов 5.Аналогичным образом рычаг 36 соединяется с кулачком механизма верти"кального перемещения инструментов(на чертеже соединение не показано).Описанное соединение рычагов 23 и 36с рычагами 19 и 44 обеспечивает возможность перемещения диска 1 в плоскости плиты 2 по...

Номер патента: 457424

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Головнер, Жидкова, Ковалева, Ландсман

МПК: H01L 31/00

Метки: глубины, залегания, перехода

...начиная с определенного значения концентрации указанной примеси,С целью повышения точности и упрощения способа структуру облучают светом с длиной волны из области спектра собственного, поглощения и по величине фототока короткого замыкания судят о глубине залегания р - гг-перехода.Облучают прибор со стороны гг(р)-области электромагнитным излучением в области спектра собственного поглощения данного материала и измеряют фототок короткого замыкания. При помощи градуировочного графика, который связывает величину фототока короткого замыкания прибора на разных длинах волн с глубиной залегания р - п-перехода, определенной одним из известных методов, находят участок спектра, в котором существует однозначное соответствие между величиной...

Номер патента: 650131

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Головко, Тагер

МПК: H01L 29/70

Метки: биполярный, свч-транзистор

...(0,8-1).10 .см/сек, во втором (при содержании арсенида галлия около 60%) - около 0,3 10" см/сек. Значения диэлектрической постоянной в обоих материалах примерно равны. Параметры кристаллической решетки обоих25 материалов близки друг к другу, поэтому на границах слоев при их эпитаксиальном выращивании дефекты структуры не возникают.Таким образом, использование много 30 слойного коллектора, составленного из нескольких слоев полулроводниковых материалов, различающихся значениями ди-. электрической постоянной или насыщен 3 ной скорости дрейфа носителей заряда или в общем случае значениями отношения насыщенной скорости дрейфа носителей заряда к диэлектрической проницаемости материала, позволяет значительно увеличить толщину слоя объемного...

Номер патента: 650132

Опубликовано: 28.02.1979

Автор: Тагер

МПК: H01L 29/80

Метки: полевой, транзистор

...из известных методов эпитаксиального выращивания гетероструктур (газофазным, жидкостным или молекулярным) формируется трехслойная структура. Основным критичным параметром в этой структуре является толщина внутреннего полупроводникового слоя 3, определяющая длину канала затвора транзистора, Исходными материалами для этой структуры могут служить полупроводниковые соединения с близкими постоянными решетки, например высокоомные арсенид галлия и твердый раствор арсенид галлия - арсснид алюминия.Многослойную полупроводниковую пластину разрезают на отдельные кристаллы; одну из поверхностей каждого кристалла, нормальную к границам эпитаксиальных слоев, подвергают чистовой обработке (шлифовке, полировке), обеспечивающей обычное для...

Номер патента: 650133

Опубликовано: 28.02.1979

Авторы: Счастливый, Шаревский

МПК: H01L 39/02

Метки: отражающий, тепловой, экран

...прокладки, а указанные металлические элементы расположены на обеих сторонах каждого из слоев, Такое 30 конструктивное решение намного упрощает650133 1Рог. аг каз 92/1 Изд.20 ж 922 НПО Поиск одпис ипография, пр. Сапунова,и, у /,ф л .4 Вф,:фФ 7 ,) г)3 Фисходное размещение слоев пленки относительнодруг друга и устраняет влияние смещения отдельных слоев в результате деформации пленки с понижением температуры на отражающую способность всего экрана. 5На фиг, 1 приведен пример исполнения изоляционной пленки с чередующимися металлическими элементами и изоляционными промежутками с лицевой и обратной ее сторон; на фиг. 2 показан поперечный раз О рез криостата ротора электрической машины с криогенным охлаждением, с отражающим тепловым...

Номер патента: 651431

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Мацарин, Ротарь

МПК: H01L 21/77, H05K 13/00

Метки: выводов, выпрямителя, группового, микросхем

...выпрямления выводов,Цель изобрегения - повыщение качества выпрямления выводовдостигаетсятем, что при групповом выпрямлении выводов микросхем, основанном на фиксации микросхем в кассете и последовательном разделении их выводов рихтующими гребенками, одну из которых пропускают непосредстаенно у корпусовмикросхем, с последующим отодвиганием гребенокразделение выводов й рихтующей гребенкой проу корпусами микросхем и гребенкой. На чертеже приведена иллюстарцияспособа группового выпрямления выводов микросхем,1 группы микр в кассете 3 и ышкой 4, разделяю корпусов микрос нкой 5. Затем пе е 5 пропускают и микросхем ри торая отодвигае сов микросхем н лщине гребенки 6 м выводы микро аченными гнезда жами гребенки ссеты выпрямляВыводыположенныхк...

Номер патента: 651432

Опубликовано: 05.03.1979

Авторы: Йиндрих, Йири, Михаль, Олдрих, Павел, Ярослав

МПК: H01L 23/12

Метки: охладителю, полупроводникового, прибора, прижима, таблеточного

...или скошенной. С противоположной стороной с поршнем 8 контактирует поперечина 9, через которую про.40ходят соединенные с охладителем 4 средства крепления, например болты 10.Посредством подтягивания гаек на бол"тах 10 полупроводниковый прибор 1 прижимают к охладителю, нри этом поршень58 постепенно проникает в полость 6 изолирующего элемента 5, а упругий элемент 7 деформ-ируется,Изолирующий элемент 5 снабжен центрируюшим средством 11, например вы 50ступами и выемками, которые поддержи.ваются болтами 10 и предохраняют установку от частичных проворачиваний.Между полупроводниковым прибором551 и токоотводами 2, 3 и соответственномежду токоотводами и охладителем можнос целью минимализации термического со противления этих переходов нанести...