H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1222145

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Дениженко, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: параметров, полупроводниковых, структур

Устройство для измерения параметров полупроводниковых структур, содержащее блок подключения измеряемой структуры, генератор смещения, генератор синусоидального напряжения, усилитель, первый выход которого соединен с первым входом регистратора, второй вход которого соединен с первым выходом генератора смещения, второй выход генератора смещения, третий вход регистратора, вторые выходы детектора и усилителя соединены с общей шиной устройства, отличающееся тем, что, с целью повышения точности, оно снабжено режекторным фильтром, двумя трансформаторами, двумя конденсаторами и катушкой индуктивности, при этом генератор смещения выполнен в виде генератора трапецеидального напряжения, а усилитель...

Номер патента: 1225430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С в атмосфере Ar-O2 и доокисления в атмосфере, содержащей хлористый водород, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов за счет повышения качества окисла, подслой двуокиси кремния толщиной 7-12 нм формируют последовательным повышением температуры до температуры окисления в течение 20-50 мин в атмосфере, содержащей 0,5-10 об.% кислорода и выдержкой в течение 3-45 мин в атмосфере, содержащей 10-50 об.% кислорода, а доокисление...

Номер патента: 1284430

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/66

Метки: контактного, сопротивления, удельного

Способ измерения удельного контактного сопротивления, включающий создание p-n-перехода в полупроводниковой подложке, нанесение четырех металлических контактов, расположенных на одной линии, подключение зондов к контактам, пропускание тока I через первый и четвертый контакты, измерение падения напряжения U 1 между первым и вторым, а также U2 между вторым и третьим контактами, вычисление удельного контактного сопротивления по формуле где U = U1 - U2;S к - площадь...

Номер патента: 1526515

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Метки: дозы, излучения, ионизирующего, мдп-структурах, мощности, поглощенной

Способ определения мощности поглощенной дозы ионизирующего излучения в МДП-структурах, включающий нанесение электродов к структуре, подачу на них напряжения смещения, облучение структуры ионизирующим излучением и вычисление мощности поглощенной дозы излучения, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и оперативности способа, до облучения снимают C-V-характеристики с разными скоростями изменения напряжения, определяют скорость, при которой прямой и обратный ходы высокочастотных C-V-характеристик МДП-структуры совпадают на всем участке изменения емкости от максимального до минимального значений и обратно, измеряют C-V-характеристики с выбранной скоростью при облучении в прямом и...

Номер патента: 1345967

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Беневоленский, Канищев, Костюченко, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, моп-приборов, подзатворного

Способ изготовления подзатворного диэлектрика МОП-приборов, включающий формирование на поверхности полупроводниковой подложки слоя диоксида кремния методом термического окисления, нанесение слоя фосфорно-силикатного стекла, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик приборов путем уменьшения сквозной микропористости слоя диоксида кремния, слой диоксида кремния формируют толщиной (0,08-0,15)·10-6 м, на его поверхность наносят методом физического осаждения слой молибдена толщиной (0,07-0,3)·10-6 м и перед нанесением слоя фосфорно-силикатного стекла указанный слой молибдена стравливают.

Номер патента: 1289308

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Готлиб, Гурский, Дударчик, Зеленин, Паничев, Рубцевич

МПК: H01L 21/302

Метки: вакуумно-плазменного, немагнитных, пластин, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления пластин из немагнитных материалов, включающее планарный реактор с расположенной в нем парой электродов, соединенных с высокочастотным генератором, систему газоснабжения, вакуумную систему и систему формирования магнитного поля, выполненную в виде переменнополюсной комбинации постоянных магнитов, отличающееся тем, что, с целью локализации областей травления и увеличения скорости их травления путем повышения концентрации ионов над заданными областями пластин, система формирования магнитного поля снабжена полюсными накладками, выполненными в виде свободных масок, и установлена между парой электродов на одном из них.

Номер патента: 1238630

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Сакун, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системах, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системах окисел - полупроводник, включающий травление окисла в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород, и наблюдение структуры в электронном микроскопе, отличающийся тем, что, с целью снижения трудоемкости контроля, травление окисла проводят в течение 1,5 - 7 мин при объемном содержании хлористого водорода в водороде 0,8 - 1,2 об.%, а наблюдение структуры осуществляют в растровом электронном микроскопе, причем о кристаллической структуре судят по наличию темного ореола вокруг фигур травления.

Номер патента: 1299397

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: двуокиси, кремния, плазмохимических, пленок

Способ получения плазмохимических пленок двуокиси кремния, включающий нанесение слоя двуокиси кремния в плазме ВЧ-разряда из смеси моносилан-аргон-кислород, отличающийся тем, что, с целью улучшения зарядовых свойств плазмохимических пленок за счет аморфизации их структуры, после нанесения пленок производят отжиг в атмосфере водорода, азота или инертного газа в диапазоне температур от 600 до 650 K или от 900 до 950 K в течение 10-90 мин.

Номер патента: 1840825

Опубликовано: 10.07.2012

Авторы: Терехов, Юшина

МПК: H01L 21/00

Метки: электродного

1. Способ получения электродного материала на основе сульфида меди с добавками, основанный на твердофазном синтезе входящих компонентов, отличающийся тем, что, с целью повышения способности материала к интеркаляции, при одновременном увеличении электропроводности и чистоты материала, в качестве добавки используют теллурид и пирофосфат меди, а входящие в состав ингредиенты сплавляют стадийно, с последующей изотермической выдержкой расплава, после чего производят ступенчатое охлаждение.2. Способ получения электродного материала по п.1, отличающийся тем, что вначале сплавляют при 950÷970°C под инертной атмосферой сульфид и теллурид меди, затем вводят в расплав вначале металлическую медь, а после 30-минутной выдержки при...

Номер патента: 1387821

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная

Излучательная многопроходная гетероструктура, содержащая излучающий слой, к которому с одной стороны примыкает широкозонный слой, а со стороны, противоположной широкозонному слою, - дополнительный узкозонный слой с шириной запрещенной зоны меньше, чем в излучающем слое, минимальная толщина которого - порядка или больше обратной величины коэффициента поглощения излучения, возникающего в излучающем слое, при этом разница ширин запрещенных зон между дополнительным и излучающим слоями связана с параметрами слоев соотношением где А - параметр с...

Номер патента: 1445483

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Зубков, Самусь

МПК: H01L 39/22

Метки: регистр, сверхпроводниковый, сдвига

Сверхпроводниковый регистр сдвига, содержащий подложку, на поверхности которой расположены основные сверхпроводящие электроды, соединенные друг с другом посредством основных двухконтактных интерферометров, образующих основную периодическую структуру ячеек, и основную шину управления, индуктивно связанную с указанными ячейками, отличающийся тем, что, с целью расширения функциональных возможностей регистра сдвига за счет обеспечения возможности обработки информации при ее передвижении, он содержит дополнительные сверхпроводящие электроды, соединенные дополнительными двухконтактными интерферометрами, образующими дополнительную периодическую структуру ячеек, дополнительную шину управления,...

Номер патента: 1208986

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов, Самусь, Тябликов

МПК: H01L 39/22

Метки: логический, пленочный, сверхпроводниковый, элемент

Сверхпроводниковый пленочный логический элемент, содержащий экран, два изолированных от него сверхпроводящих электрода, расположенные над ними и соединенные распределенным джозефсоновским контактом, подводящие шины, подсоединенные к средней части электродов, и по крайней мере одну управляющую шину, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления и расширения функциональных возможностей логического элемента путем увеличения коэффициента усиления, каждый электрод выполнен в виде сплошной пластины, подводящие шины подсоединены к средней части участков, образующих джозефсоновский контакт, а шины управления расположены над остальной частью пластины.

Номер патента: 1391391

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов, Никифоров, Полунин

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновского, мостикового, перехода

Способ изготовления джозефсоновского мостикового перехода, содержащего два сверхпроводящих электрода, разделенных зазором, включающий последовательное нанесение на несверхпроводящую подложку первой пленки сверхпроводящего материала и пленки маскирующего материала, формирование контактной маски, формирование ионным травлением первого сверхпроводящего электрода, формирование на его торце буферного диэлектрического слоя, определяющего размер зазора между электродами, нанесение второй пленки сверхпроводящего материала, формирование в ней второго сверхпроводящего электрода, удаление контактной маски, нанесение пленки материала перемычки и формирование перемычки между электродами в области...

Номер патента: 1570580

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Гудков, Махов

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновского, непосредственной, перехода, проводимостью

Способ изготовления джозефсоновского перехода с непосредственной проводимостью, включающий последовательное нанесение на подложку в едином вакуумном цикле сверхпроводящей пленки нижнего электрода, аморфной полупроводниковой пленки, легирование ее до вырождения на всю толщину атомами материала верхнего электрода, нанесение сверхпроводящей пленки верхнего электрода и формирование площади перехода методами тонкопленочной литографии, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров переходов, нанесение аморфной полупроводниковой пленки осуществляют в режимах, обеспечивающих относительную атомную плотность материала пленки не менее 5%, а нанесение сверхпроводящей пленки...

Номер патента: 820559

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Рябоштан, Садовой, Сидорова

МПК: H01L 33/00

Метки: variant, излучательный, полевым, управлением, элемент

1. Излучательный элемент с полевым управлением, содержащий заключенные между токовыми электродами полупроводниковую излучательную структуру, состоящую из подложки и слоев противоположного типа проводимости, образующих p-n-переход, расположенную на эмиттерном слое упомянутой структуры дополнительную полупроводниковую область и МДП-структуру, отличающийся тем, что, с целью выведения света наружу со стороны, противоположной подложке, упомянутая дополнительная полупроводниковая область выполнена в виде слаболегированного слоя противоположного с эмиттерным слоем типа проводимости с гетеропереходом внутри слоя, причем внешняя часть указанного слоя - более широкозонная, чем прилегающая к...

Номер патента: 1157994

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Полупроводниковая излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации и дополнительный слой, примыкающий к одной из ее сторон, расположенные между широкозонными слоями, причем ширина запрещенной зоны дополнительного слоя меньше ширины запрещенной зоны области излучательной рекомбинации, минимальная толщина указанного слоя не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области изучательной рекомбинации, а максимальная - не больше диффузионной длины неосновных носителей в этом слое, отличающаяся тем, что, с целью увеличения яркости свечения на торцевых гранях структуры, между другой стороной области излучательной рекомбинации и...

Номер патента: 1277842

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Дмитриев, Елкин, Казаков, Полторацкий, Семеников, Хитько, Шелюхин

МПК: H01L 21/46

Метки: диодных, матриц

Способ изготовления диодных матриц, включающий формирование контактов на противоположных поверхностях полупроводниковой структуры, состоящей из слоев p- и n-типа различной толщины, соединение контактов между собой параллельными проводящими шинами, перпендикулярными шинам на противоположной поверхности структуры, изготовление в тонком слое структуры изолирующих областей между проводящими шинами и формирование в толстом слое структуры канавок между проводящими шинами, отличающийся тем, что, с целью упрощения изготовления матриц, проводящие шины на поверхности более тонкого слоя структуры выполняют из пластичного металла, а после выполнения канавок в более толстом слое структуры ее...

Номер патента: 644301

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Емельянов, Лаврищев, Полторацкий, Сидоров, Тютюнов

МПК: H01L 33/00

Метки: светодиод

1. Светодиод со сплошным электро- и теплоотводящим контактом со стороны, противоположной световыводящей поверхности, на основе p-n-гетероструктуры с изменяющейся шириной запрещенной зоны, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности, между сплошным контактом и p-n-переходом он содержит слой полупроводника с градиентом концентрации примеси у контакта, препятствующим растеканию неосновных носителей, с, по крайней мере, одним участком с увеличивающейся к p-n-переходу шириной запрещенной зоны толщиной, большей обратной величины коэффициента поглощения для излучения светодиода и не превышающей нескольких диффузионных длин неосновных носителей.2. Светодиод по п.1, отличающийся...

Номер патента: 1163777

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Бекирев

МПК: H01L 33/00

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная, полупроводниковая

Излучательная полупроводниковая многопроходная гетероструктура, содержащая излучательный узкозонный слой, расположенный между двумя широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью снижения пороговой плотности тока лазерного излучения и увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в излучательном слое, толщина дополнительного слоя по крайней мере в два раза меньше толщины излучательного слоя и меньше обратной величины коэффициента поглощения квантов света, возникающих в излучательном слое, а разница ширин запрещенных зон

Номер патента: 1111645

Опубликовано: 20.07.2012

Авторы: Бекирев, Инкин, Степанищева

МПК: H01L 33/00, H01S 3/19

Метки: гетероструктура, излучательная, многопроходная

Излучательная многопроходная гетероструктура, включающая область излучательной рекомбинации, расположенную между широкозонными слоями, отличающаяся тем, что, с целью увеличения внешнего квантового выхода спонтанного излучения с энергией кванта, соответствующей ширине запрещенной зоны области излучательной рекомбинации и понижения порога лазерной генерации, между широкозонными слоями расположен дополнительный слой с шириной запрещенной зоны, меньшей, чем в области излучательной рекомбинации по крайней мере на десятую долю КТ, минимальная толщина которого по крайней мере не меньше обратной величины коэффициента поглощения излучения из области излучательной рекомбинации, а максимальная по...

Номер патента: 1544124

Опубликовано: 20.07.2012

Автор: Гудков

МПК: H01L 39/22

Метки: джозефсоновский, непосредственной, переход, проводимостью

1. Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью, содержащий сверхпроводящие электроды, соединенные прослойкой из аморфного полупроводника, легированного примесью до вырождения, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров перехода, в качестве легирующей примеси использованы кластеры из сверхпроводящего материала.2. Джозефсоновский переход с непосредственной проводимостью по п.1, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров переходов, кластеры имеют размеры, не превышающие 0,1 , где - длина...

Номер патента: 1345956

Опубликовано: 27.09.2013

Авторы: Гурский, Зеленин, Конюшенко, Мелещенко, Скрипниченко, Чачин

МПК: H01L 21/268

Метки: мопи, мп-систем, пленок, проводящих, тонких

Способ обработки тонких проводящих пленок МОП- и МП-систем путем воздействия на них импульсным электромагнитным полем, отличающийся тем, что, с целью повышения адгезии пленок и снижения разброса ее величины по площади подложки, воздействие осуществляют при следующих параметрах электромагнитного поля:энергия в импульсе W = Kw (Дж),частота числом импульсов от 1 до 10,где Kw = 1,786·1011(0,1 - 1,2) Дж/Ом·м и K f = 26,79·1011(0,1 - 1,0) Гц/Ом - коэффициенты...

Номер патента: 1840979

Опубликовано: 20.11.2014

Авторы: Пенцов, Слободчиков, Стусь, Филаретова

МПК: H01L 21/02

Метки: фотодиодов

1. Способ изготовления фотодиодов, включающий формирование на подложке InAs n-типа проводимости слоя InAs p-типа проводимости и нанесение контактов, отличающийся тем, что, с целью повышения дифференциального сопротивления, перед нанесением контактов на слой InAs p-типа проводимости наращивают слой широкозонного твердого раствора InAsSbP p-типа проводимости с концентрацией дырок 10 16 см-3<p<1018 см-3 .2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой InAs p-типа проводимости формируют в процессе наращивания слоя широкозонного твердого раствора InAsSbP p-типа проводимости.