H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 122220

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Болдырева, Фрейверт

МПК: H01L 31/0224, H01L 31/0296

Метки: селеновый, фотоэлемент

...высыхания лака фотоэлементы с хромовым электродом подвергаются термической обработке при температуре порядка 100 в течение 24 час что увеличивает чувствительность по току на 10 - ЗОо/о и на 30 - 50% по напряжению холостого хода. Предмет изобретения Комитет по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Редактор А. Лейкина Гр, 97Подп. к печ. 13/Чг,Тираж 1100 Цена 25 коп. Информационно-издательский отдел.Обем 0,17 п. л. Зак. 5028 Типография Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССРМосква, Петровка, 14. Селеновый фотоэлемент с запорным слоем, отл и ч а ю щ и й с я тем, что, с целью повышения стабильности и чувствительности при повышенных температурах, верхний полупрозрачный электрод фотоэлемента...

Номер патента: 122240

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Тульчинский, Юрасов

МПК: H01L 23/14

Метки: давления, датчик, концентрации, паров, полупроводниковый

...хлорного олова, который содержит 8 вес. ч. спирта, 10 вес. ч. хлорного олова и 2,5 вес, ч. восстановителя (формалина). Возникающая при гидролизе двуокись олова частично восстанавливается до моноокиси, которая при температуре выше 400, диссоциируется на двуокись и металл. При быстром темпе охлаждения на поверхности фарфоровой пластинки создается пористая полупроводниковая пленка, состоящая в основном из двуокиси олова, в структуре которой присутствуют проводящие примеси.Надежный контакт между пленкой и электродами осуществляется путем создания на пленке тонкого металлического слоя серебра методом вжигания. При этом используется паста следующего состава;8 вес. ч. Ад 2 СОз+ 1 вес. ч. канифоли+4 вес. ч. скипидара.Приготовленный таким...

Номер патента: 123215

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Tаубер, Коленко, Щербина

МПК: H01L 35/34

Метки: батарее, каскадов, многокаскадной, сопряжения, термоэлектрической

...тепловые потери, достигающие 5 - 7/о,В описываемом способе этот недостаток устранен применением одностороннего покрытия пластин окисью меди с последующей их оклейкой эпоксидным компаундом.Медные коммутационные пластины термобатареи электрохимически покрывают с одной стороны тонким (0,8 - 1 микрон) слоем окиси меди, которая обладает электроизолирующими свойствами. Две подготовленные таким образом пластины посредством термореактивного компаунда, изготовленного на основе эпоксидной смолы, например типа ЭД, соединяют друг с другом в единый узел.Толщина слоя, образованного эпоксидной пленкой и смолой, не превышает 3 - 5 як, вследствие чего его теплосопротивление не превышает 0,5 - 0,8.Электрическая прочность изоляции между пластинками...

Номер патента: 123216

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Tаубер, Коленко, Щербина

МПК: H01L 35/08, H01L 35/34

Метки: коммутирующих, медных, охлаждающих, пластин, припаивания, термоэлементов, электродам

...сплавов, 11 ри этох Нрочпость спая получается нсдостаточнои, так как сос;1 ицясмьс мс)тсРиаль 1 мсдь и тРОиные сплавы), обладаю)цие чрезмерно различпыми коэффициентами линейного расширепи 51 при 512 грев 2 пии, иодвср)2 Огся ВоздейстВ)по псриодических сстЕМИСР 2 ТУРНЫХ УдсРОВ), ВСЛЕДСТВИС ЧС 10 В Сиае ЭЛСКТРОДОВ ТСРМОЭЛС- мента ВозникаОт микротрсгцины, прпВОдяшс к 1 зосту переходных сопротивлений, резко ухудшающих эпсргстические показатели термоэлемсцта, с одноврсмеппь)м спижепием температурного перепада ца спаях.Г 11)сдложеццый способ позволяет избавиться от указанных явлецнй. Дл(я этого на электроды предваритсльио пацос 51 т Охлаждающие тсрмоэлемснты более тугоплавкис, чем припой сплавов. К образоваццому таким путем буферному слою...

Номер патента: 123378

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Воронин

МПК: F24J 2/12, F24J 2/42, H01L 35/00 ...

Метки: солнечный, термоэлектрогенератор

...параболические концентраторы-отражатели, каждый из которых выполнен и виде одной детали или двух половинок. Концентратор-отражатель выполняет одновременно две функции; нагревателя и охладителя.На чертеже изображена схема термоэлемента с концентратор ражателем, состоящим из двух половинок.Концентратор-отражатель имеет форму параболоида и разделен на две половинки 1 и 2, изолированные одна от другой. Теплопровод 3 одной ветви термоэлемента является одновременно и ее токопроводом, находящимся в хорошем электрическом и тепловом контакте с одной по. ловнной концентратора-отражателя. Аналогичным способом контактируется и другая ветвь термоэлемента.Таким образом сконцентрированная лучистая энергия поглощ приемником 4, являющимся горячим...

Номер патента: 124034

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Оржевский, Фистуль

МПК: H01L 23/18

Метки: полупроводниковый, прибор

...аю щ и й с я т электрического пробоя при помещен в вакуум-плотный д определенным давлением. азового разряда между элек. о напряжения данного прибоены дополнительные электро- между которыми размещена например прибора о жени ю, он газом по жигания г пробивног ть размещ сновными,Известные полупроводниковые приборы, например триоды, могут использоваться только тогда, когда обратное напряжение не превышает определенной для данного типа приборов величины. В случае ее превышения прибор выходит из строя.В описываемом изобретении полупроводниковый прибор предохранен от электрического пробоя при перегрузке по обратному напряжению. Для этого он помещается в вакуум-плотный корпус, заполненный инертным газом под давлением. Род газа, его давление, а...

Номер патента: 124464

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Кочергин

МПК: H01L 31/113

Метки: безвакуумное, однострочного, передающее, разложения, телевизионное

...невысока.В предлагаемом устройстве используется принцип накопления. Схема устройства показана на чертеже.Изображение проектируется на ряд полупрозрачных проводящих полосок 1, число которых определяется необходимой разрешающей, спо. собностью вдоль строки, и через них - на мозаику из фотодиодов 2. Фотодиодная мозаика нанесена на слой диэлектрика 3, с другой стороны которого находится сплошная проводящая обкладка 4. К полоскам 1 присоединены выводы от коммутатора 5, в цепь которого включены источник б постоянного напряжения и сопротивление нагрузки 7. Коммутация элементов строки может осуществляться также при помощи линии задержки, отводы которой подкЛючены к полоскам.Увеличение чувствительности устройства может быть достигнуто путем...

Номер патента: 124550

Опубликовано: 01.01.1959

Авторы: Беленкова, Сильвестрова, Харахорин, Цымбалов

МПК: H01L 21/103

Метки: выпрямитель, селеновый

...примесь сурьмы, кадмия или ртути, повышающая сопротивление селена в области возникновения запирающего слоя, а нанесенный поверх этого слоя селен содержит примесь висмута, меди или никеля, снижающую его сопротивление. Изобретение относится к селеновым выпрямителям, состоящим из двух слоев селена с различной электропроводностью.Предлагаемый выпрямитель отличается от известных тем, что в прилежащий к катоду слой селена введена примесь сурьмы, кадмия или ртути, повышающая сопротивление селена в области возникновения запирающего слоя, а нанесенный поверх этого слоя селен содержит примесь висмута, меди или никеля, снижающую его сопротивление,Такое выполнение выпрямителя обеспечивает повышение его обратного напряжения при достаточно низком...

Номер патента: 124559

Опубликовано: 01.01.1959

Автор: Кучера

МПК: H01L 31/0296, H01L 31/18

Метки: селеновых, фотоэлементов

...слоем селена, подвергнутого первому термическому превращению пр температуре 140, в бензол или в смесь ацетона и спирта, в которой количество ацетона составляет 10 - 80%. При этом на активной поверхности образуется слой монокристаллического селена из частиц невыкрнсталлизовавшегося при первом термическом превращении селена.При втором - химическом - способе фотоэлемент, не покрытый отрицательным электродом, погружают в растворы, способныс вступатьМ 124559в реакциО с селевом, подвсречутым первому термическому превращению при температуре 140", например, в спиртовый или водный растворы с железосинеродистым калием концентрации 0,01 - 1",а, под влиянием которых на поверхности селена образуется тонкий слой двуокиси сслена. обогащенный ионами...

Номер патента: 134307

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Егорова, Курлина, Шефтель

МПК: H01L 37/00

Метки: полупроводниковых, термосопротивлений

...гп нта приме ОДППКОВЫХ атных соед 50, О тли тьностп при торог( комп известО изготовление полупроводнковых рмосопротив,ц нпй -утем обжига при температуреЗОО 1650" смеси окисей пли гпдратных соединений титана с цинком, кадмием или оериллием.Предлагается, с целью получения термосопротивлений, отличаюцихся высокой стабильностью при повышенных температурах в пределах до 600, использовать смесь окисей пли гпдратных соединений тпгана и кобальта, подвергасмуо обжигу при температуре 450 - 1550.1 хоба ьто-титановые термосопротивления целесообразнс изготн.ять В Виде миниатОрных бусинок с и;атинов 1,ми ВыВодами, ОднО иосновных операций технологического процесса является обжиг этих бхсинок, который проводится при температуре 450 - 550 В...

Номер патента: 125285

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Мартыновский, Наер

МПК: B01D 1/00, H01L 35/32

Метки: аппарат, выпарной

...чертеже изображена схема выпарного аппарата, например, для получения дистиллята воды.Выпарной аппарат представляет собой емкость 1, в нижней части которой имеется горизонтальная перегородка 2, выполненная из полупроводниковых элементов, питаемых постоянным электриче"ким током. Перегородка 2 делит емкость 1 на испарительную часть 3 и конденсационную часть 4, Верхние спаи термобатареи горячие, нижние спаи с пониженной температурой. Испарительная часть 3 соединена с сухопарником д, снабженным пароотводящей трубкой 6, конец которой входит в кондснсационную часть 4.жидкость подается из резервуара 7 на горячие спан термобатареи и испаряется. Образующиеся пары по трубке 6 отводятся в конденсацнонную часть аппарата, где происходит...

Номер патента: 125321

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Раппопорт

МПК: H01L 31/00

Метки: линеаризации, повышения, приемных, развертки, способа, телевизионных, трубок

...боковым фотоэффектом о. Напряжение на выходе фотоэлемента меняется по линейному закону в зависимости от положения светового пятна на поверхности фотзэлемента,Если развертка приемной трубки нелинейна во времени, то на выходе фотоэлемента будет напряжение, точно отражающее характер этой нелинейности, Это напряжение усиливается усилителем 4, сравнивается в блоке 5 с контрольным пилообразным напряжением высокой,тинейности, получаемым от генератора контрольной пилы 6, и полученная разность из сравнивающего блока 5 подается на усилитель 7, обратной связи. Так как размах контрольного пилообразного напряжения невелик, оно может быть сформировано высоко линейным.125321 Разность контрольного пилообразного напряжения высокой линецности и напряжения...

Номер патента: 125837

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Гершензон, Козлов, Кузнецов, Лобашевский, Перепеч, Разин, Сычев, Циркин

МПК: H01L 21/60

Метки: выводов, индиевым, припайки, электродам, электродных

...пропуск ют так,Способ прин щийся тем, что крывают раствор вод к электроду которого подбира дий расплавляет В известном способе припайки электродных выводов к индиевымэлектродам на электродный вывод наносят индий, а пайку ведут с разогревом контактной области в струе горячего азота,Описываемый сйособ припайки отличается от известногиндиевый электрод, например, диода покрывают раствором кспирту. Затем припаиваемый вывод прижимают к электродуду пропускают электрический ток. Величина тока выбираетсв области стыка вывода с электродом индий расплавляется,На чертеже показан принцип устройства выполненного, по описываемому способу.Электродный вывод 1 прижимается к индиевому электроду 2мощью пружинного контакта 3. Индиевый электрод вместе с...

Номер патента: 126156

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронин, Иосифьян, Маслаковец, Петров, Шмелев

МПК: H01L 35/30, H01L 35/32

Метки: генератор, термоэлектрический

...сурьмы-цинка 2 с примесью висмута и свинца. Горячие спаи термоэлементов коммутированы сурьмой 3.Термоэлементы, собранные в батареи 4, располагаются по граням боковой поверхности топки 5. В днище топки выполнены отверстия б "ля поступления воздуха, поддержива 1 ощего горение. По высоте топки устанавливается несколько термоэлементов. Горячие спаи термоэлементов электрически изолированы от топки слюдой. Между собой термоэлементы также изолированы слюдой, а все свободное пространство заливается теплоэлектроизолирующей массой (асбобакелитом).Холодные спаи термоэлементов коммутированы обычной легкоплавкой пайкой (третником),М 126156Топка с монтированными на ней батареями помещается внутри латунного цилиндра 7. Зазор между батареей и...

Номер патента: 126157

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронин, Маслаковец

МПК: H01L 35/30, H01L 35/32

Метки: генератор, термоэлектрический

...б при прекращении работы термогенератора.Между стенками верхней части 1 корпуса и стенкой 7 топки вставляется основная секция 8 термобатареи, смонтированная в обойме 9 с наружной поверхностью 10, В стенке корпуса имеется соответствующая12 б 57конусная выточка 11, Горячие спаи основной секции 8 термобатареи плотно прилегают к стенке 7 топки, а холодные спаи 12 заливаются в обойме 9 сплавом 13, обеспечивающим тепловой контакт спаев с обоймой. Плотное прилегание конуса обоймы к конусной выточке 11 корпуса обеспечивается натяжными кольцами 14, прижимающими тепло. изоляционную прокладку 15 к обойме 9.В нижней части 2 термогенератора размещается дымовая камера 1 б с рассекателем 17, прижимающим горячие дымовые газы к стенкам 18 дымовой...

Номер патента: 126158

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Иоффе

МПК: H01L 35/26

Метки: батарея, термоэлектрическая

...хотавлены из нескольких участкПоскольку максимальныйлупроводников достигается прлей тока (дырок или электронлетворять условию: ие изме и сос из по- оситеудо где С/ - подви 5 кност электронов (,ырок)абсолютная температура. Подбор удачныхной части еще не обеспечивает выполненияже материал непригоден для горячего коноптимального к.п.д. ветви термобатареи донескольких частей или обладать иепрерывтак подобранным, чтобы го возможности совыше условяо. Допускается отступление от1 - 7, или от 2 до б, в том случае, если к.п.д,ше чем на 10%.При комнатной тгав,5 ть 11-. - 4) 10При 1000 абсо110- - 1 о) 10".При выполнении этих условий термобатар и могутпровы иаюшим 10% при температу свойств матер этого условия, ца, Поэтому д лжны быть с го изхеняощи...

Номер патента: 126159

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Иоффе

МПК: H01L 35/14

Метки: батарея, термоэлектрическая

...о2 =-.х Предмет изобретен ия Термоэлектрическая батарея, о т л и ч а ю щ а я с я тем, что, с целью повышения коэффициента полезного действия, ее высокотемпературные части частично или полностью составлены из материалов, обладающих электролитической проводимостью. Составитель И, М. Кац Редактор Г. В. Кобелев Техред А. А Кудрявицкая Корректор М, И. Козлова Формат бум. 70 Х 108/в Объем 0,18 изд л. Тираж 800 Цена 4 коп. ЦБТИ при Комитете по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР Москва, Центр, М. Черкасский пер., д. 26Подп. к печ. 10 Х 1-61 гЗак. 10370 Типография ЦБТИ Комитета по делам изобретений и открытий при Совете Министров СССР, Москва, Петровка, 14. где о электропроводность, а к - теплопроводность.При одинаковой...

Номер патента: 126195

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Альтман, Васильев, Дохман, Лагуткин, Лебяжьев, Мачурин, Поволоцкий

МПК: H01L 21/782

Метки: выпрямительных, селеновых, элементов

...наносится координатная, например, лаковая сетка 1, расположенная по линиям последующего разреза листа на отдельные элементы. Толщина наносимого слоя лака должна быть такой, чтобы в процессе разреза листа он предотвращал возможность непосредственного соприкосновения верхнего электрода с основой и обеспечивал достаточную э ектрическую прочность элементов в эксплуатации. Практически достаточно выполнять такой слой толщиной около 0,1 мм. Элементы имеют отверстия 2, в местах расположения которых одновременно с нанесением координатной сетки 1 на элементы наносят слой изоляционного материала, Это необходимо для того, чтобы исключить возможность закорачивания селеновых элементов в процессе прокола отверстий, Для обеспечения точного...

Номер патента: 126202

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Иоффе

МПК: H01J 45/00, H01L 35/32

Метки: термобатарея

...достигает наименьших возможных значений в пустоте.Термоэлектрическая батарея, состоящая из ряда попеременно горячих и холодных пластин с соответственной работой выхода, несмотря на затрату энергии на излучение электронов, может обладать значительным к. п. д., благодаря отсутствию необратимых процессов, вызываемых электрическим и тепловым сопротивлением среды, связывающей источник тепла с его приемником.На чертеже схематически изображена вакуумная термоэлектрическая батарея.Вакуумная, те й вакуумной камеры нчими газами топки126202 Горячая и холодная стенки могут непосредственно противостоять одна другой с зазором порядка нескольких миллиметров или же для увеличения активной поверхности могут нести на себе поперечные охлаждаемые...

Номер патента: 126528

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Ступельман

МПК: G05F 3/16, H01L 29/08

Метки: ограничитель

...при напряжении с/У, и, будучи подключенным, параллельно защищаемым элементам схемы, шунтирует их при бросках напряжения с)/а. При с 1(Уо ограничитель почти не потребляет энергии и не мешает работе элементов схемы, так как его р - п переход представляет собой большое сопротивление, а протекающий через него ток имеет величину порядка десятка микроампер.Напряжение У, является функцией расстояния между р - и переходом и контактом цепи, которое регулируется в процессе изготовления прибора.Поскольку напряжение Ув всегда меньше напряжения, пробивного для р - п перехода, верхний предел напряжения У, определяется чистотой материала. Расширение р - п перехода возрастает с повышением чистоты кристалла, которая контролируется обычно удельным...

Номер патента: 128517

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Тазулахов

МПК: H01L 35/34

Метки: линейных, термостолбиков

...1 ощем цилиндре первой проволочкой спирально идущей канавки, заполняемой на каждой половине цилиндра рязныд 1 и испаряемыми металлами с образованием ио образующим цилиндра с двух взаимно противоположных сторон иерекрь 1 тия обоих металлов для получения горячих и холодных спаев, после чего и вторую проволочку осторожно сматывают с заготовки,2, Прием выполнения способа по и. 1, отличающийся тем, что, В цилиндрике под местом горячих сиаев выфрезировывают канавку, а по оси цилиндрика высверливают отверстия, которые заполняют легкоплавким или растворимым материалом заподлицо с поверхностью цилиндрика и который после изготовления термоэлектрического столбика растворяют или расплавляют с тем, чтобы горячие спаи оказались висящими свободно над...

Номер патента: 128518

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронин, Иоффе, Маслоковец, Петров, Шмелев

МПК: H01L 35/16, H01L 35/34

Метки: интерметаллического, отрицательным, положительным, свинца, сернистого, соединения, сурьма-цинк, термоэлемент, электродом

...среде при температуре 700 - 800". Составитель А. П. Бндевкнн Редактор 3. А. Москвина Техред А. А. Камышникова Корректор В. Андрианов Поди. к иеи 19 Лг.Згк. 5018ЦБТР Комитета по деламМосква Формат бум. О;108/,. Объем 0,18 изд. л. ираж 275 Цена 4 кои. изобретений и открытий при Совете Министров СССР Центр, М. Черкасский пер., д. 2/6.Типограси 1 и ЦБТИ, Москва, Пстроека, 11. Для получения хорошего электрического контакта между сернистым свинцом и сплавом сурьма - цинк, сернистый свинец предварительно залуживается в восстановительной среде при температуре 700 - 800 свинцом, висмутом или сурьмой.Используемый в предложеНнОм термоэлементе сплав на основе интерметаллического соединения сурьма - цинк отличается от ранее применяемого сплава...

Номер патента: 128519

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронин, Гринберг

МПК: H01L 35/34

Метки: отрицательного, охлаждающего, термоэлемента, электрода

...ельного электрода охлаждающего термоэлемент х соединений с примесью меди тем, что электро пропитке восстановителем на основе углево р)тменен 5 е такого способа предотвращает постеп ческих свойств отрицательного электрода.ласно предлагаемому способу после обычной д сразу же погружается в разогретый до 250 па рафина с канифолью или другой восстановнтел здание прочной защитной пленки, и выдерживае 11 н. Затсъ Гроизводится охлаждение электрода ижс, в результатс чего он покрыв тся тонкой етизируощей поверхность относительно внешне НОЕ ИЗМЕНЕ Предмет изобрете Способ об элемента на ос ч а ющийся электрода, пос основе углевод аоотки отрицатель ове теллуристых с ем, что, с целью с едний подвергают родов парафин и д ого электродединений...

Номер патента: 128520

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Воронин, Гринберг

МПК: H01L 35/34

Метки: отрицательного, охлаждающего, положительного, полупроводникового, термоэлемента, электродов

...прессования. ения дмет изо ельного электродов на основе теллурпщи йся тем что а) пресс-форме, а й тер моо бр а ботке в изготовления отрицательного го полупроводникового терм ений путем прессования, производится в холодной 1 б ые электроды подвергаются п и положитоэлементатличаюз подогревоследующ Спосооохлаждающстых саедпрессованиотпрессовавакууме,Предлагаемый способ отличается от известных тем, что прессование производится в холодной (без подогрева) пресс-форме, а отпрессованные электроды подвергаются последующей термообработке в вакууме.Применение такого способа упрощает технологический процесс изготовления электродов и позволяет получать электроды, обладающие более высокими техническими свойствами.Согласно предлагаемому способу...

Номер патента: 128539

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Быковский, Гридин, Козырев

МПК: H01L 31/06

Метки: лучистой, электрическую, энергии

...эффекта.Такое выполнение преобразователя позволяет увеличить его к.п.д. при преооразованш энергии излучения в электрическую энергию.На чертеже изображена пршципиальная схема предлагаемого преобразователя.Сущность предлаае 1 оо преооразователя соа на ом, ио прн установке плоского р - п перехода 1 в магнитное поле с напряженностью и освецеи; его лучами 2 возиикает разность потенциалов в направлении ЛЛ, перпенднкулярноз к направлениясветовых лу:е и магнитного поля. Эта дополнительная разность потенциалов, вызванная фотомагнитным эффектом, превышает разность потенциалов, обусловленную фотомагнитным эффектом, что позволяет существенно увеличить мощность, снизаемуо с р - и перехода.Применяемый в таком преобразователе р - и переход...

Номер патента: 129259

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Бедов, Лубашевский, Лукасевич, Маннов, Петров, Смолянский

МПК: H01L 21/447

Метки: диодов, кремниевых, плоскостных, повышения, пробивного

...упрощения технологцц оминий вводят около 10 о золота, из полученного Ольгу толщпной 0,05 - 1 л 1 л 1, зажимают ее меж 1,; и р-типа, помещают заготовку в вакуум и прои:- тиц при температуре порядка 900 - 1200. щения и чаю в ал 1 ют ф ция и е плас Известные способы повышсния пробивного напряжения плоскостных диодОВ ОсноВаны на создании многоступенчатых полупрОВОдцикОВых структур. Эти способы достаточно сложнь 1 по своей технологии и не обеспечивают высокого пробивного напряжения.Предлагаемый способ упрощает технологию изготовления полупроводниковых диодов и позволяет повысить пробивное напряжение их. Это достигается тем, что в диоде применен р - г - г переход, для получен:1 я которого использована диффузия золота в кремний.Способ...

Номер патента: 129260

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Грика

МПК: H01L 23/522

Метки: диодов, полупроводниковых, точечных, формовки

...из цегп коммутирующих блоков.Ь.1 ок слежениясостоит из схемы слежения за изменением обратцого напряжения и схемы еле;ке 1 гия за изменением прямого тока, В схему слежения зя обратным напряжением входят: стабилизатор б ста 11- дартного тока; катодцый повторитель 7; ячейка памяти 8, запоминаю 1 цая максимальное зцачецис обратного цапряжепия; дифференциальный , СИ.1 ИТЕЛЬ 9, СраццццяЮШий ВЕЛсиНу;ХПЛ 11 туд 1 ОбратНОГО НяПряжеция с величиной напряжения, соряцясмого запоминакццей ячейкой; селективный импульсцый усилитель 10, пропускающий импульсы определенной полярности. В схему замера напряжения входит устройство 11, срабатывя 1 ощсе от импульса больше определенной величины, которое отрабатывает импульс при значении обратного...

Номер патента: 131842

Опубликовано: 01.01.1960

Автор: Рывкин

МПК: H01L 31/00

Метки: фотодиод

...потенциальныйбарьер на границе, проходя сквозь него. Интенсивность переходов сквозь барьер зависит от величины и направления приложенной к диоду разности потенциалов,На чертеже изображен туннельный и - р переход, включенный в запирающем направлении. Если осветить фотодиод светом с энергией квантов Ьуне меньшей, чем энергетическое расстояние между дном зоны проводимости электронного полупроводника и потолком валентной зоны дырочного полупроводника, то при поглощении квантов электронами валентной зоны дырочного полупроводника осуществится их переход в зону проводимости электронного полупроводника.Меняя величину напряжения постоянного смещения 1, прикладываемого к туннельному фотодиоду, можно регулировать энергетический зазор Ьуа...

Номер патента: 132308

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Давидович, Фиалков

МПК: C01B 31/02, H01B 1/04, H01L 21/326 ...

Метки: термообработки, углеродистых

...К таким изделиям относятся щетки для электрических машин, изделия с р - п-переходом, а также конструкционные детали для химической промышленности.Для получения изделий из углеродистого материала с неодинаковыми свойствами в разных местах сечения предлагается для их термообработки применять индукционный нагрев токами высокой частоты,При изготовлении двух- и трехслойных щеток прессованные заготовки после обжига графитируются по предлагаемому способу на требуемую глубину по заданному режиму, Для получения более резких отличий в свойствах разных слоев можно охлаждать изделия водой или жидкими газами.Применение предлагаемого способа к изделиям с р - и-переходом из углеграфитовых материалов позволяет совместить термообработку одного и...

Номер патента: 132664

Опубликовано: 01.01.1960

Авторы: Герлих, Дицель, Крос

МПК: H01L 31/0296

Метки: селеновый, фотоэлемент

...селеновый :слой покрыт разделительным слоем 3 из фтористого кальцрый в целях повышения чувствительности фотоэлементатодом катодного распыления или испарсия промежуточныиндия. Над промежуточным слоем 4 расположен прозрачн5, представляющий собой слой нз металла илн полупрматериала. Разделительный слой 3 в данном случаеуменьшения диффузии индия промежуточного слоя 4слой 2.Описаньгвительности в ближа ного повыи основнои слои ется повышенной этими слоями наполупроводника, л материалов осго фотоэл лой 2. Этот ия, на кото нанесен мей слой 4 из ый электрод оводникового служит для в селеновый 1 сить ч спектра ная конструкцгия позволяет ачительно пов ь фотоэлемента не только в видимой области йшей инфракрасной области. едмет изобретения ент,...