H01L — Полупроводниковые приборы; электрические приборы на твердом теле, не отнесенные к другим классам или подклассам

Номер патента: 1241937

Опубликовано: 10.05.2012

Авторы: Гурский, Заико, Румак, Снитовский

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, металлизации, микросхем, создания

Способ создания металлизации интегральных микросхем, включающий нанесение на полупроводниковую пластину с активными и пассивными областями металлических слоев, преимущественно алюминия, формирование разводки, термообработку, осаждение диэлектрического слоя и его травление в области контактных площадок, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности микросхем, термообработку осуществляют в инертной среде после травления диэлектрического слоя, при этом нагревают полупроводниковую пластину до температуры 363-383 K, выдерживают при этой температуре 4-6 мин, нагревают до температуры 473-823 K, выдерживают 20-30 мин, охлаждают со скоростью 60-80 град/мин до температуры 363-383 K и...

Номер патента: 1082253

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: двуокиси, кремния, окисел, пограничного, системе, слоя, структуры, —полупроводник

Способ контроля структуры пограничного слоя двуокиси кремния в системе окисел - полупроводник, основанный на травлении окисла и регистрации электронограмм на отражение, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и снижения трудоемкости, травление окисла производят на клин со скоростью 3-4 Å/с, после чего производят дополнительное травление при температуре 1150-1180°С в течение 30-60 с в газообразном хлористом водороде, носителем которого является водород.

Номер патента: 1373230

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Готлиб, Григоров, Гурский, Зеленин

МПК: H01L 21/00, H05H 1/00

Метки: вакуумно-плазменного, травления

Устройство для вакуумно-плазменного травления, содержащее вакуумную камеру с размещенными в ней механизмом перемещения подложкодержателей и планарной системой электродов, подключенных к источнику ВЧ-мощности, систему газообеспечения, отличающееся тем, что, с целью повышения качества и производительности травления путем устранения загрязнения камеры продуктами износа трущихся частей, механизм перемещения подложкодержателей выполнен в виде магнитопровода с разноименными полюсами, охваченными электромагнитными катушками, образующими магнитную подвеску, включающую подъемные обмотки и обмотку бегущего магнитного поля, подключенные к источникам питания, а подложкодержатели и катод установлены...

Номер патента: 893092

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Сигалов

МПК: G01N 27/22, H01L 21/66

Метки: концентрации, легирующей, полупроводниках, примеси, профиля

Способ определения профиля концентрации легирующей примеси в полупроводниках, основанный на измерении вольт-фарадной характеристики МДП-структуры и определении профиля концентрации легирующей примеси расчетным путем, отличающийся тем, что, с целью расширения пределов определения профиля концентрации легирующей примеси, перед измерением вольт-фарадной характеристики к МДП структуре прикладывают через ограничивающий ток резистор линейно возрастающее напряжение до возникновения в диэлектрике проводимости от 10-11 до 10-9 (Ом·см)-1 .

Номер патента: 1091774

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: кремниевых, моп-структур

Способ контроля кремниевых МОП-структур, основанный на нагревании кремниевой пластины до температуры окисления, выдержке при этой температуре в окислительной среде, охлаждении структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры, получении МОП-структуры путем нанесения полевого электрода, регистрации вольт-фарадных характеристик, по которым судят о качестве кремниевых МОП-структур, отличающийся тем, что, с целью повышения достоверности определения качества кремниевых МОП-структур, охлаждение производят со скоростью 15-20 K/с, после охлаждения на поверхность окисла наносят слой фосфоро-силикатного стекла, прикладывают к МОП-структуре напряжение смещения -(10-15) или +(5-10) В,...

Номер патента: 1147205

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, включающий формирование слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллической пластины кремния n-типа проводимости ориентации (100) при температуре 900-1100°С и отжиг в атмосфере инертного газа при температуре окисления, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, слой двуокиси кремния формируют толщиной 20-40 нм, а отжиг проводят в атмосфере аргона с добавлением 0,5-10 об.% кислорода.

Номер патента: 1151153

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Буляк, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, мдп-интегральных, межуровневой, структурах, схем

Способ изготовления межуровневой изоляции на структурах МДП-интегральных схем, включающий последовательное формирование на поверхности структуры подслоя и слоя двуокиси кремния, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрических параметров структур за счет повышения стабильности величины порогового напряжения, подслой межуровневой изоляции формируют анодированием структур в кислородной плазме ВЧ-разряда при давлении кислорода 1,33-2,66 Па и температуре не более 150°С.

Номер патента: 1510627

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Пухов, Румак, Томченко, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий осаждение на нагретую полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации ионно-плазменным методом в две стадии, с толщиной слоя на первой стадии 10-40 нм, формирование рисунка металлизации, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик интегральных схем за счет уменьшения фиксированного заряда в подзатворном диэлектрике, осаждение слоя металлизации проводят при температуре подложки 523-573 K, при этом к подложке прикладывают отрицательное напряжение смещения 40-75 В на первой стадии и 80-120 В на второй стадии.

Номер патента: 1393233

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Васильев, Згировская, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, схем

Способ изготовления интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями первого слоя кремния, слоя силицида тугоплавкого металла, второго слоя кремния, формирование рисунка элементов металлизации, формирование пассивирующего покрытия высокотемпературным отжигом в среде кислорода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик и упрощения способа за счет формирования рисунка элементов металлизации и пассивирующего покрытия в едином технологическом цикле, второй слой кремния наносят толщиной от 100 до 150 нм, затем проводят травление этого слоя в соответствии с рисунком элементов металлизации, после чего...

Номер патента: 1464810

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Апанасенко, Гурский, Покрышкин, Сигалов

МПК: H01L 21/66

Метки: инверсии, мдп-структур

Способ измерения напряжения инверсии МДП-структур, включающий подачу на МДП-структуру линейно изменяющегося напряжения смещения, высокочастотного измерительного напряжения, выделение напряжения, пропорционального емкости МДП-структуры, дифференцирование этого напряжения, измерение величины производной, отличающийся тем, что, с целью повышения точности измерения напряжения инверсии, напряжение смещения изменяют со скоростью 101-10 3 В/с, периодически выдерживают его на постоянном уровне, осуществляя в эти моменты дифференцирование, а напряжение инверсии определяют по напряжению смещения, при котором производная становится больше нуля.

Номер патента: 1586469

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Канищев, Куксо, Пекуров, Румак, Тишкевич, Хатько

МПК: H01L 29/76

Метки: затвором, изолированным, полевых, транзисторов

Способ изготовления полевых транзисторов с изолированным затвором, включающий формирование на полупроводниковой подложке областей исток - сток, нанесение подзатворного диэлектрика, создание области высокоомного канала в подзатворном диэлектрике, образование затвора, контактов к областям истока - стока, дополнительных контактов к области высокоомного канала, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных приборов путем улучшения однородности высокоомного канала, после образования дополнительных контактов к области высокоомного канала проводят электротренировку в течение 32-66 с при заземленном затворе, положительном напряжении на истоке с напряженностью поля (1,6-2,8)...

Номер патента: 1025287

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Гурский, Зеленин, Кисляк, Конюшенко

МПК: H01L 21/28

Метки: контактов, полупроводниковых, приборов

Способ изготовления контактов полупроводниковых приборов, включающий нанесение алюминия в места формирования контактов, создание контактных площадок и присоединение золотого вывода, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности контактов путем исключения образования интерметаллических соединений, на слой алюминия дополнительно наносят пленку алюминия с добавлением сурьмы в количестве 0,1-0,5 вес.% и после присоединения вывода контакты обрабатывают в среде водорода при температуре 623-723 K в течение 0,25-4,0 ч.

Номер патента: 1542342

Опубликовано: 27.05.2012

Авторы: Батраков, Герасимчик, Зеленин, Лытко, Попов, Сенько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/76

Метки: изоляции, интегральных, кмдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции КМДП интегральных схем, включающий формирование на кремниевой подложке с областями карманов нитридной маски, формирование n+ и p+ охранных областей, их локальное окисление, отжиг структур в инертной атмосфере и удаление нитридной маски, отличающийся тем, что, с целью повышения напряжения пробоя, снижения токов утечки изоляции и повышения воспроизводимости указанных параметров за счет снижения дефектности подложки в охранных областях и снижения уровня механических напряжений в подложке, p+ охранные области формируют до формирования нитридной маски, а после удаления нитридной маски структуры дополнительно...

Номер патента: 1186030

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: биполярного, кремниевого, планарного, создания, транзистора

Способ создания биполярного кремниевого планарного транзистора, включающий легирование путем облучения ионами расположенных над массивными областями базы и покрытых слоем окисла кремния участков поверхности сформированной транзисторной структуры и последующий отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных транзисторов путем уменьшения тока утечки через переход база - коллектор, легирование проводят ионами фосфора в слой окисла на глубину проецированного пробега, равную 0,6-0,8 толщины слоя, дозой 1012 - 1015 см -2, а отжиг проводят при температуре 573-723 K в течение 6·102 - 3,5·103 с.

Номер патента: 1371456

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Буляк, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, оксида, слоев, создания, тонких

Способ создания тонких слоев оксида кремния для подзатворного диэлектрика МДП-структур, включающий нагрев монокристаллических кремниевых пластин от комнатной температуры до температуры окисления (700-950°С), формирование подслоя двуокиси кремния термическим окислением пластин кремния и доокисление его до толщины 10-50 нм в газовой смеси, содержащей кислород, водород и хлористый водород при расходе кислорода и водорода, равном соответственно 30-75 и 15-68 об.%, последующий отжиг в инертном газе, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных структур путем уменьшения дефектности подзатворного диэлектрика, подслой окисла формируют последовательной выдержкой сначала в...

Номер патента: 1268001

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Канищев, Куксо, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: интегральных, мдп, схем

Способ изготовления МДП интегральных схем, включающий формирование на полупроводниковой подложке со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации в две стадии путем нанесения тонкого слоя металлизации и слоя металлизации до требуемой толщины методом магнетронного распыления, формирование рисунка элементов металлизации с помощью литографии и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения производительности способа изготовления и улучшения электрофизических характеристик МДП интегральных схем, нанесение слоя металлизации на первой стадии осуществляют методом магнетронного распыления при температуре подложки от 453 до 493 K, плотности мощности разряда...

Номер патента: 1099782

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Канищев, Костенко, Куксо, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: кремния, окисления, пластин

Способ окисления пластин кремния, включающий нагрев пластин до температуры окисления (900-1150)°С, выдержку при этой температуре в атмосфере сухого кислорода при нормальном давлении и охлаждение до комнатной температуры, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества окисла путем снижения количества микропор на границе кремний - окисел, выдержку предварительно осуществляют при давлении (10-4-10-6) мм рт.ст. в течение (1-2) мин, а затем при давлении (101 -10-4) мм рт.ст. до получения слоя окисла толщиной (20-25) нм.

Номер патента: 1331364

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/283

Метки: интегральных, металлизации, схем, элементов

Способ изготовления элементов металлизации интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными слоями слоя металлизации методом магнетронного распыления в две стадии в едином цикле в среде аргона при давлении 1·10 -2 - 1·10-1 Па: на первой - нанесение тонкого слоя металлизации, на второй - нанесение слоя металлизации до требуемой толщины, формирование рисунка элементов металлизации с помощью фотолитографии, отличающийся тем, что, с целью повышения качества элементов металлизации при одновременном увеличении выхода годных приборов на операции фотолитографии, на первой стадии слой металлизации наносят при...

Номер патента: 1683449

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, шоттки

Способ изготовления контактов Шоттки, включающий нанесение на полупроводниковую подложку с высокоомным эпитаксиальным слоем пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава и дополнительной металлической пленки, отличающийся тем, что, с целью повышения выхода годных за счет снижения токов утечки и повышения термополевой стабильности, нанесение пленки на основе тугоплавкого металла или его сплава осуществляют ионно-лучевым методом в два этапа, причем на первом этапе наносят слой толщиной 25-35 нм при плотности мощности разряда 5-7×104Вт/м2, а на втором этапе доращивают слой до 60-90 нм при плотности мощности разряда (1,0-1,5)·105...

Номер патента: 1575841

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Домород, Крищенко, Петрашкевич, Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/324

Метки: моп-структур

Способ изготовления МОП-структур, включающий формирование на кремниевой подложке подзатворного диэлектрика с толщиной 8-40 нм, нанесенного полевого электрода путем осаждения из смеси моносилан-аргон подслоя аморфного кремния при температуре из диапазона 823-853 K и слоя поликристаллического кремния до получения заданной толщины электрода при соотношении толщины подслоя и слоя 0,1-0,4, диффузионное легирование полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических характеристик МОП-структур за счет снижения дефектности и повышения зарядовой стабильности подзатворного диэлектрика, после осаждения подслоя аморфного кремния проводят отжиг в остаточной атмосфере при...

Номер патента: 1223789

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: моп-структур, создания

Способ создания МОП-структур, заключающийся в нанесении маски из Si3N4 на поверхность кремниевой подложки, селективном окислении во влажном кислороде, снятии Si3N4, предварительном окислении во влажной атмосфере, создании подзатворного диэлектрика и нанесении полевого электрода, отличающийся тем, что, с целью увеличения процента выхода годных структур путем уменьшения дефектности поверхностного слоя кремния, предварительное окисление проводят до получения толщины окисла 130-150 нм, а в качестве влажной атмосферы используют смесь H2-O2 или H2-O2 -HCl, содержащую 1-4% HCl.

Номер патента: 1163765

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Войтик, Гурский

МПК: H01L 21/265

Метки: контактов, омических

Способ изготовления омических контактов, включающий легирование кремниевой подложки для создания мелкозалегающего p-n-перехода, нанесение барьерного слоя переходного металла, облучение его потоком ионов, нанесение токопроводящего слоя, термообработку в вакууме при температуре 673-1073 K, отличающийся тем, что, с целью расширения технологических возможностей, легирование кремния проводят до получения поверхностной концентрации 8·10 23 - 8·1024 м-3, а в качестве барьерного слоя используют пленку тантала или вольфрама.

Номер патента: 1282767

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько, Ясников

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания

Способ создания подзатворного диэлектрика, включающий нагрев кремниевых пластин от контактной температуры до температуры окисления, формирование подслоя двуокиси кремния толщиной (7-12) нм термическим окислением пластин кремния при 900-1100°С и доокисления в атмосфере Ar-O2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода при соотношении расходуемых объемов HCl/O 2 = 0,01-0,04, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов за счет повышения качества подзатворного диэлектрика, подслой двуокиси кремния формируют в атмосфере Ar-O 2-HCl, содержащей (10-50) об.% кислорода и HCl не более 0,6 об.%.

Номер патента: 1233731

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/316

Метки: диэлектрика, подзатворного, создания, тонкого

Способ создания тонкого подзатворного диэлектрика, заключающийся в формировании слоя двуокиси кремния толщиной менее 50 нм путем термического окисления монокристаллического кремния в атмосфере аргона, содержащей кислород, отличающийся тем, что, с целью увеличения коэффициента выхода годных МОП-структур путем улучшения их зарядовых свойств за счет повышения качества структуры окисла, окисление проводят до получения электронографически аморфного окисного слоя толщиной, определяемой из соотношений для подложек кремния n-типа проводимости с ориентацией (100)и(2+0,25)·

Номер патента: 1292601

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Симонов

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, включающая последовательно расположенные в вакуумной камере источник многозарядных ионов, масс-сепаратор, состоящий из магнита с полюсами, выполненными в форме секторов в плоскости, перпендикулярной магнитным силовым линиям, и расположенного между полюсами и повторяющего их форму в той же плоскости ионопровода, ускорительную трубу и подложкодержатель, отличающаяся тем, что, с целью увеличения производительности и возможности регулирования профиля концентрации внедренных ионов, каждый из секторов выполнен из n частей в форме полукольца и расположенных внутри него четвертьколец, изготовленных из однородных магнитных материалов, средние радиусы полукольца и...

Номер патента: 1292627

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Васильев, Петрунина, Пухов, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/28

Метки: моп-интегральных, схем

1. Способ изготовления МОП-интегральных схем, включающий нанесение на полупроводниковую подложку со сформированными активными областями и подзатворным диэлектриком слоя металлизации на основе алюминия и кремния, формирование элементов металлизации и термообработку, отличающийся тем, что, с целью улучшения электрофизических параметров, в слой металлизации дополнительно вводят фосфор при следующем соотношении компонентов, мас.%: Фосфор6·10 -6 - 4·10-2 Кремний10-15

Номер патента: 1356895

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Корешков, Плотников, Румак, Хатько, Шевчук

МПК: H01L 21/316

Метки: изоляции, интегральных, мдп, межкомпонентной, схем

Способ изготовления межкомпонентной изоляции К МДП интегральных схем, включающий создание в кремниевой подложке областей кармана, формирование на кремниевой подложке нитридной маски, охранных областей, их локальное окисление при температуре 900-1100°С до толщины 0,7-1,5 мкм и отжиг в атмосфере химически инертного газа, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных схем путем повышения зарядовой стабильности изоляции, перед локальным окислением проводят отжиг в диапазоне температур окисления в атмосфере химически инертного газа в течение 10-60 мин, а локальное окисление осуществляют в два этапа предварительным формированием подслоя двуокиси кремния, последовательной...

Номер патента: 1240295

Опубликовано: 20.06.2012

Авторы: Алиев, Малышев, Плотников, Румак, Хатько, Яковлев, Ясников

МПК: H01L 21/82

Метки: моп-структур, радиационно-стойких, создания

Способ создания радиационно-стойких МОП-структур, включающий формирование подзатворного диэлектрика на пластинах кремния, полевого электрода и отжиг, отличающийся тем, что, с целью повышения радиационной стойкости структур, отжиг проводят в атмосфере аргона после формирования подзатворного диэлектрика в одном из диапазонов температур 590-630°С, 680-720°С, 840-880°С в течение 3-120 мин.

Номер патента: 1144560

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Автюшков, Бобченок, Борисов, Гурский, Круковский

МПК: H01L 21/265

Метки: ионного, легирования

Установка ионного легирования, содержащая систему формирования и транспортирования пучка ионов, блок измерения дозы с усилителем постоянного тока, приемную камеру с расположенным в ней контейнером с кассетами, в которых выполнены сквозные пазы, совмещенные с датчиками Фарадея, находящимися внутри контейнера и электрически соединенными с входом усилителя постоянного тока, отличающаяся тем, что, с целью повышения процента выхода годных приборов, установка дополнительно содержит кристалл биполярного планарного транзистора, размещенный на кассете, и блок измерения времени рассасывания биполярных транзисторов, электрически соединенный с кристаллом транзистора, причем поверхность кристалла со...

Номер патента: 1338720

Опубликовано: 27.06.2012

Авторы: Плотников, Румак, Хатько

МПК: H01L 21/66

Метки: моп-структур, создания, тестовых

Способ создания тестовых МОП-структур, включающий нагрев кремниевой пластины до температуры окисления, выдержку пластины при этой температуре в окислительной среде, охлаждение полученной структуры окисел - полупроводник до комнатной температуры и нанесение полевого электрода из молибдена магнетронным распылением, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности определения качества подзатворного диэлектрика МОП-структуры, нанесение электрода на окисел структуры осуществляют при температуре кристаллизации двуокиси кремния в -кристобалит.